第一方向上交替排布)。相鄰兩個(gè)反射區(qū)域104之間為透射區(qū)域105。相鄰兩個(gè)透射區(qū)域105之間為反射區(qū)域104。
[0078]例如，如圖4a所示，像素電極124為狹縫狀電極，包括端電極1243以及與該端電極1243相連的多個(gè)條狀電極1241，相鄰兩個(gè)條狀電極1241之間為狹縫1242。在各子像素內(nèi)線柵偏光膜復(fù)用為狹縫狀的像素電極。在各子像素內(nèi)線柵偏光膜包括多組多條平行設(shè)置的金屬線116，圖4a中示出四組多條平行設(shè)置的金屬線116，但多條平行設(shè)置的金屬線116不限于圖中所述的四組。每組多條平行設(shè)置的金屬線116所在區(qū)域即為反射區(qū)域104。像素電極的狹縫所在的區(qū)域即為透射區(qū)域105。線柵偏光膜106中多條平行設(shè)置的金屬線116配置來透過偏振方向垂直于金屬線116延伸方向的線偏振光以及反射偏振方向平行于金屬線116延伸方向的線偏振光。
[0079]例如，每個(gè)像素電極中一個(gè)條狀電極的寬度(反射區(qū)域的寬度)可以為1.5-4 μπι，每個(gè)像素電極相鄰兩個(gè)條狀電極之間的距離(狹縫的寬度，透射區(qū)域的寬度)可以為1-9 μ m0
[0080]例如，如圖4b所示，公共電極123位于像素電極124和襯底基板100之間，在每個(gè)子像素內(nèi)，公共電極例如可為板狀電極。但不限于此。
[0081]如圖4c所示，ADS模式的陣列基板中，也可以公共電極123設(shè)置在像素電極124之上，即，像素電極124位于公共電極123和襯底基板100之間。此情況下，可將線柵偏光膜106復(fù)用作為子像素103內(nèi)的公共電極123。
[0082]若采用易氧化的金屬例如Al制作復(fù)用為像素電極的線柵偏光膜106時(shí)，因鋁容易被氧化，因此，為了更好的防止制作出的線柵偏光膜106被氧化，例如，還可以在各子像素內(nèi)，如圖4d所示，在線柵偏光膜106上設(shè)置透明金屬氧化物導(dǎo)電層126，例如ITO膜層。進(jìn)一步地，由于在線柵偏光膜106上設(shè)置的透明金屬氧化物導(dǎo)電層126需要在各子像素?cái)嚅_，因此，不可避免的需要對(duì)增加的透明金屬氧化物導(dǎo)電層126進(jìn)行構(gòu)圖，這會(huì)增加陣列基板的生產(chǎn)工序。為了避免增加陣列基板的生產(chǎn)工序，例如，可以在各子像素內(nèi)，將透明金屬氧化物導(dǎo)電層126與線柵偏光膜106的圖案設(shè)置為一致。這樣可以通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)形成透明金屬氧化物導(dǎo)電層126與線柵偏光膜106的圖案，不會(huì)增加掩膜板的使用數(shù)量。
[0083]例如，像素電極不限于狹縫狀的電極，只要其能形成多個(gè)透射區(qū)域和多個(gè)反射區(qū)域的像素電極形態(tài)均可。
[0084]例如，線柵偏光膜亦可不復(fù)用為像素電極，例如，可以與柵線或者數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。例如，如圖5所示，柵線與柵極同層設(shè)置，由同一層金屬薄膜構(gòu)圖形成，則線柵偏光膜與柵線、柵極同層設(shè)置。此情況下，各子像素103內(nèi)，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104除了在第一方向上交替排布外，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104亦在第二方向上亦交替排布，第二方向垂直于第一方向。
[0085]需要說明的是，圖4b、圖4c、圖4d以及圖5是以ADS型陣列基板為例進(jìn)彳丁說明的。但不限于此。例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板也可以為IPS模式、TN模式或VA模式的陣列基板。
[0086]例如，TN模式或VA模式的陣列基板中，線柵偏光膜亦可復(fù)用為像素電極。同樣，TN模式或VA模式的陣列基板中，線柵偏光膜也可以與通常的金屬線同層設(shè)置。例如，可以將線柵偏光膜設(shè)置為與數(shù)據(jù)線或柵線同層設(shè)置且相互絕緣。
[0087]實(shí)施例二
[0088]在本實(shí)施例中，如圖6a和圖6b所示，將IPS模式下的陣列基板中的像素電極和公共電極與線柵偏光膜進(jìn)行復(fù)用。例如，在IPS模式下的陣列基板結(jié)構(gòu)中，每個(gè)子像素內(nèi)像素電極和公共電極成插指結(jié)構(gòu)同層設(shè)置。因此，在各子像素內(nèi)線柵偏光膜106復(fù)用作為插指結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極(例如，像素電極和公共電極呈指狀或梳狀)；復(fù)用作為像素電極的線柵偏光膜106與設(shè)置在數(shù)據(jù)線101和柵線102交叉處的薄膜晶體管的漏極1081電性相連，漏極1081可與數(shù)據(jù)線101同層設(shè)置。各子像素103包括多個(gè)透射區(qū)域105和多個(gè)反射區(qū)域104，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104交替排布。相鄰兩個(gè)反射區(qū)域104之間為透射區(qū)域105。相鄰兩個(gè)透射區(qū)域105之間為反射區(qū)域104。
[0089]如圖6c所示，插指結(jié)構(gòu)的像素電極124包含端電極1243以及與該端電極1243相連的多個(gè)條狀電極1241(條狀電極不限于圖中的個(gè)數(shù))。插指結(jié)構(gòu)的公共電極端電極1233以及與該端電極1233相連的多個(gè)條狀電極1231 (條狀電極不限于圖中的個(gè)數(shù))。線柵偏光膜106的多組多條平行設(shè)置的金屬線構(gòu)成像素電極的條狀電極1241和公共電極的條狀電極1231。例如，像素電極和公共電極的多個(gè)條狀電極1241、1231所在區(qū)域即為反射區(qū)域，相鄰的像素電極的條狀電極1241和公共電極的條狀電極1231之間即為透射區(qū)域。
[0090]例如，在將線柵偏光膜106設(shè)置為與數(shù)據(jù)線101同層設(shè)置的情況下，如圖6a所示，此時(shí)，作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜106由于與薄膜晶體管的漏極1081同層制作。因此，線柵偏光膜106作為像素電極124的部分可以直接和漏極1081電性相連，線柵偏光膜106作為公共電極123的部分需要通過過孔與公共電極線107連接，公共電極線107可與柵線102、柵極1084同層設(shè)置。在將線柵偏光膜106設(shè)置為與柵線102同層設(shè)置的情況下，如圖6b所示，此時(shí)，作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜106由于與薄膜晶體管的柵極1084同層制作。因此，線柵偏光膜106作為像素電極124的部分需要通過過孔與漏極1081電性相連，線柵偏光膜106作為公共電極123的部分直接與公共電極線107連接，公共電極線107可與柵線102、柵極1084同層設(shè)置。
[0091]例如，在制作圖6a和圖6b所示結(jié)構(gòu)的IPS型陣列基板時(shí)，將作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜106設(shè)置為與數(shù)據(jù)線101或柵線102同時(shí)制作，可以省去單獨(dú)形成在漏極之上的像素電極和公共電極，可以節(jié)省掩膜板使用數(shù)量以及制作工藝。
[0092]進(jìn)一步地，在將復(fù)用作為像素電極和公共電極的線柵偏光膜106與數(shù)據(jù)線101同層設(shè)置時(shí)，線柵偏光膜106之上沒有保護(hù)容易被氧化。因此，為了更好的防止制作出的線柵偏光膜106被氧化，例如，還可以和實(shí)施例一中采用相同的方式增加氧化物導(dǎo)電層，即在各子像素內(nèi)，在線柵偏光膜106上設(shè)置透明金屬氧化物導(dǎo)電層，例如ITO膜層。同樣，為了避免增加陣列基板的生產(chǎn)工序，例如，還可以在各子像素內(nèi)，將透明金屬氧化物導(dǎo)電層與線柵偏光膜106的圖案設(shè)置為一致。
[0093]實(shí)施例三
[0094]在本實(shí)施例中，線柵偏光膜可以與像素電極連接，也可以與公共電極線連接作為存儲(chǔ)電容的一部分。
[0095]例如，在各子像素內(nèi)單獨(dú)設(shè)置有像素電極(線柵偏光膜不復(fù)用為像素電極)時(shí)，在各子像素內(nèi)線柵偏光膜106可以與像素電極電性相連，從而構(gòu)成存儲(chǔ)電容的一部分，以增大存儲(chǔ)電容，有利于器件提高顯示分辨率?；蛘?，在陣列基板中公共電極線與柵線同層設(shè)置且延伸方向相同的情況下，可以在各子像素內(nèi)將線柵偏光膜106與公共電極線電性相連，從而構(gòu)成存儲(chǔ)電容的一部分，以增大存儲(chǔ)電容，有利于器件提高顯示分辨率。
[0096]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示面板，如圖7所示，包括相對(duì)而置的陣列基板10和對(duì)置基板20，以及填充在陣列基板10和對(duì)置基板20之間的液晶層30。
[0097]例如，該陣列基板10為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一陣列基板。
[0098]例如，對(duì)置基板與陣列基板相對(duì)設(shè)置，對(duì)置基板和陣列基板分別為顯示面板的上下兩個(gè)基板，通常在陣列基板上形成薄膜晶體管陣列等顯示結(jié)構(gòu)，在對(duì)置基板上形成彩色樹脂。例如，對(duì)置基板為彩膜基板。對(duì)置基板上可包括與陣列基板上的子像素對(duì)應(yīng)的濾色單元，還可以包括黑矩陣等。
[0099]例如，如圖7所示，在對(duì)置基板20遠(yuǎn)離陣列基板10的一側(cè)設(shè)置有上偏光板230，在陣列基板10遠(yuǎn)離對(duì)置基板20的一側(cè)設(shè)置有下偏光板130，各子像素103內(nèi)均設(shè)置線柵偏光膜106，有關(guān)線柵偏光膜106可參見之前描述，線柵偏光膜106的多條金屬線延伸方向與下偏光板130的偏光軸(透光軸)方向相互平行。
[0100]此外，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖7所示，一般還會(huì)包含設(shè)置在陣列基板外側(cè)的背光模組140。例如，該背光模組可包括LED燈組件、反射板和導(dǎo)光板，當(dāng)然還可能包含其他部件，在此不做限定。
[0101]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括任一上述液晶顯示面板。
[0102]例如，該顯示裝置可以為:手機(jī)、手表、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述液晶顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0103]例如，如圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板或顯示裝置中，上偏光板230和下偏光板130的偏光軸方向相互垂直，例如，上偏光板230的偏光軸方向?yàn)閄軸方向，下偏光板130的偏光軸方向?yàn)閥軸方向，其中，y軸即為垂直于紙面的方向，x軸為平行于紙面的水平方向。則線柵偏光膜的多條金屬線的延伸方向與下偏光板130的偏光軸方向相互平行，即多條金屬線延伸方向?yàn)镮軸方向。而初始液晶分子排列方向?yàn)镮軸方向。
[0104]需要說明的是，圖7僅部分示出顯示面板或顯示裝置的結(jié)構(gòu)，其他未涉及之處可參見之前敘述或參見通常設(shè)計(jì)。
[0105]以下對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中提供的顯示面板或顯示裝置中，亮態(tài)和暗態(tài)的實(shí)現(xiàn)方法予以說明。暗態(tài)的實(shí)現(xiàn)方法，如圖8所示。
[0106]先