示效果。
[0053]在采用線柵偏振片(wire grid polarizer，WGP)作為反射區(qū)域的半透半反模式中，一個子像素內(nèi)只含有一個反射區(qū)域和一個透射區(qū)域，其顯示特性不是很好，例如亮度不均勻。
[0054]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板，如圖1所示，包括襯底基板100以及位于襯底基板100上的多個子像素103。如圖1所示，襯底基板100上包括交叉而置并且相互絕緣的多條數(shù)據(jù)線101和多條柵線102，在襯底基板100上由多條數(shù)據(jù)線101和多條柵線102限定出多個呈陣列排列的子像素103。
[0055]各子像素103包括多個透射區(qū)域105和多個反射區(qū)域104(不限于圖中分別示出的具體個數(shù))。例如，多個透射區(qū)域105互不共邊，多個反射區(qū)域104互不共邊。
[0056]例如，相對于一個子像素包含一個透射區(qū)域和一個反射區(qū)域的顯示模式來說，本發(fā)明實施例中，各子像素所在區(qū)域包括多個透射區(qū)域和反射區(qū)域，從而可使得包含本發(fā)明實施例提供的陣列基板的顯示面板及顯示裝置具有更均勻的亮度，整體均勻性好。并且，無論是在室內(nèi)還是室外，都能獲得較好的亮度均勻性。
[0057]例如，如圖1a所示，各子像素103內(nèi)，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104在第一方向上交替排布。在第一方向上，相鄰兩個反射區(qū)域104之間為透射區(qū)域105，相鄰兩個透射區(qū)域105之間為反射區(qū)域104。第一方向為平行于紙面的水平方向。本發(fā)明實施例中所述的多個例如為大于一個。例如，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104均為條狀，例如為矩形區(qū)域。但不限于此。
[0058]例如，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104亦可為矩形區(qū)域外的其他形狀。例如，反射區(qū)域104的形狀可包括折線形、鋸齒形、圓形等形狀。透射區(qū)域105的形狀可包括折線形、鋸齒形、圓形等形狀。圖1b示出了透射區(qū)域105和反射區(qū)域104均為折線形。本發(fā)明的實施例對透射區(qū)域105和反射區(qū)域104的形狀不做具體限定。
[0059]例如，如圖1c所示，各子像素103內(nèi)，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104除了在第一方向上交替排布外，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104在第二方向上亦交替排布，第二方向垂直于第一方向。透射區(qū)域105和反射區(qū)域104在第一方向上和第二方向上均交替排布可使得透射區(qū)域105和反射區(qū)域104的分布更加均勻。更有利于包含該種類型透射區(qū)域和反射區(qū)域的陣列基板的顯示面板的亮度分布均勻性的提高。
[0060]例如，如圖1d所示，各子像素103內(nèi)均設(shè)置線柵偏光膜106。各子像素103內(nèi)，線柵偏光膜106均包括設(shè)置在多個反射區(qū)域104內(nèi)的多組多條平行設(shè)置的金屬線106，每個反射區(qū)域104設(shè)置一組多條平行設(shè)置的金屬線，線柵偏光膜106中的每個反射區(qū)域104內(nèi)的多條平行設(shè)置的金屬線106配置來透過偏振方向垂直于金屬線延伸方向的線偏振光以及反射偏振方向平行于金屬線延伸方向的線偏振光。多條平行設(shè)置的金屬線即為線柵偏振片。圖1d為透射區(qū)域和反射區(qū)域均為矩形的情況下，每個反射區(qū)域內(nèi)的多條平行設(shè)置的金屬線的示意圖，圖1e為透射區(qū)域和反射區(qū)域均為折線形的情況下，每個反射區(qū)域內(nèi)的多條平行設(shè)置的金屬線的示意圖。
[0061]需要說明的是，圖1d和圖1e均以透射區(qū)域和反射區(qū)域在第一方向上交替排布為例說明線柵偏光膜中各反射區(qū)域內(nèi)多條平行設(shè)置的金屬線的情況。例如，透射區(qū)域和反射區(qū)域在第二方向上交替排布的情況可參照圖1c以及透射區(qū)域和反射區(qū)域在第一方向上交替排布的情況。
[0062]本發(fā)明的實施例中以透射區(qū)域和反射區(qū)域均為矩形為例進行說明。
[0063]例如，圖1a-圖1e中，各子像素所在區(qū)域內(nèi)的多個反射區(qū)域和多個反射區(qū)域均勻分布在子像素中。但不限于此。多個反射區(qū)域和/或多個反射區(qū)域亦可不均勻的分布在子像素中。多個反射區(qū)域和多個反射區(qū)域均勻分布在子像素中的情況下，更有利于包含該陣列基板的顯不面板的殼度均勾性的提尚。
[0064]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，包括如上所述的包括多個透射區(qū)域和多個反射區(qū)域的子像素。例如，陣列基板的所有子像素中均包括多個透射區(qū)域和多個反射區(qū)域。亦可陣列基板的部分子像素中均包括多個透射區(qū)域和多個反射區(qū)域。例如，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中亦可包括其他類型的子像素。例如，其他類型的子像素內(nèi)不包括如上所述的多個透射區(qū)域和多個反射區(qū)域。陣列基板中包括其他類型的子像素的情況下，包括多個透射區(qū)域和多個反射區(qū)域的子像素可均勻分布在襯底基板上，亦可不均勻分布。包括多個透射區(qū)域和多個反射區(qū)域的子像素均勻分布在襯底基板上的情況下，有利于包含該陣列基板的顯示面板亮度均勻性的提高。
[0065]例如，該陣列基板中，反射區(qū)域104中的多條平行設(shè)置的金屬線106可如圖2a所示。每個反射區(qū)域104內(nèi)包括多條平行設(shè)置的金屬線106。
[0066]例如，如圖2b所示，該線柵偏光膜性質(zhì)如下:對于自然光照射到線柵偏光膜上，平行于金屬線方向的線偏振光幾乎全被反射回來，而垂直于金屬線方向的線偏振光可以透射過去。
[0067]例如，該陣列基板的線柵偏光膜中，如圖2b所示，每條金屬線的寬度W可以為30nm_50nmo
[0068]例如，該陣列基板的線柵偏光膜中，如圖2b所示，相鄰兩條金屬線之間的距離P可以為 100-150nm。
[0069]例如，該陣列基板的線柵偏光膜中，如圖2b所示，每條金屬線的高度H可以為100_300nmo
[0070]本發(fā)明實施例提供的陣列基板中的線柵偏光膜106中的多條平行設(shè)置的金屬線可以通過沉積金屬薄膜、涂覆光刻膠、曝光顯影得到光刻膠圖案、刻蝕等工藝形成，例如可以利用激光的干涉曝光法完成曝光顯影。即利用特定波長的激光從角度Θ的兩個方向照射光刻膠形成干涉條紋進行曝光，通過改變Θ可以得到在使用的激光波長范圍內(nèi)有各種間距的凹凸格子結(jié)構(gòu)。即形成線柵偏光膜的多條平行設(shè)置的金屬線。當(dāng)然，還可以通過納米壓印的方式形成線柵偏光膜，在此不作詳述。
[0071]例如，由于在本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，線柵偏光膜一般采用金屬材料制作。例如，金屬線為納米級金屬線。例如，金屬線材質(zhì)可以包括鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鐵(Fe)或鈷(Co)中的一種或幾種的組合。例如，線柵偏光膜可以由一層金屬薄膜單獨制作而成。也可以與陣列基板中通常的金屬線(例如柵線、數(shù)據(jù)線等)同層設(shè)置。由一層金屬薄膜單獨制作的線柵偏光膜可位于像素電極之上或之下，可以與像素電極電連接，也可以不與像素電極電連接。因線柵偏光膜和數(shù)據(jù)線以及柵線均不會重合。在不同的示例中，可以將線柵偏光膜設(shè)置為與數(shù)據(jù)線或柵線同層設(shè)置且相互絕緣，這樣可以在通常的陣列基板制作工藝上不增加新的構(gòu)圖工藝而實現(xiàn)線柵偏光膜的制作，可以節(jié)省掩膜板使用數(shù)量以及制作工藝，節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。
[0072]例如，如圖3a所示，該陣列基板包括襯底基板100以及位于襯底基板100上的薄膜晶體管108、數(shù)據(jù)線101、柵線102以及子像素103。子像素103內(nèi)的線柵偏光膜包括多組多條平行設(shè)置的金屬線106。圖中示出五組多條平行設(shè)置的金屬線106，但多條平行設(shè)置的金屬線不限于所示的五組。每組多條平行設(shè)置的金屬線106構(gòu)成一個反射區(qū)域104，相鄰兩個反射區(qū)域104之間為透射區(qū)域105。多條平行設(shè)置的金屬線106和數(shù)據(jù)線以及柵線均不重合。
[0073]例如，圖3b示出線柵偏光膜與柵線同層設(shè)置的剖視示意圖。柵線102與柵極1084同層設(shè)置。其可為圖3a中A-A’剖視圖。該陣列基板中，在襯底基板100上設(shè)置柵極1084以及線柵偏光膜106。在柵極1084以及線柵偏光膜106所在的層之上設(shè)置柵極絕緣層1085，在柵極絕緣層1085之上設(shè)置有源層1083，在有源層1083所在的層之上設(shè)置源極1082和漏極1081，漏極1081和源極1082之間具有間隔，并均與有源層1083相連，漏極1081和源極1082分設(shè)在有源層1083的兩側(cè)，在漏極1081和源極1082所在的層之上設(shè)置第一絕緣層121，在第一絕緣層121上設(shè)置像素電極124，像素電極通過過孔125與薄膜晶體管108的漏極1081電性相連。
[0074]在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中的線柵偏光膜中的多條平行設(shè)置的金屬線除了作為反射區(qū)域之外，還可以本身復(fù)用為像素電極、公共電極或用于存儲電容。下面通過具體幾個實例進行說明。
[0075]實施例一
[0076]在本實施例中，如圖4a所示，在陣列基板中將像素電極和線柵偏光膜進行復(fù)用。例如，在各子像素內(nèi)線柵偏光膜106復(fù)用作為像素電極，其與設(shè)置在數(shù)據(jù)線101和柵線102交叉處的薄膜晶體管108的漏極1081電性相連，該漏極1081 —般與數(shù)據(jù)線101同層設(shè)置。
[0077]例如，如圖4b所不為ADS模式的陣列基板，在襯底基板100上設(shè)置柵極1084，在柵極1084所在的層之上設(shè)置柵極絕緣層1085，在柵極絕緣層1085之上設(shè)置有源層1083，在有源層1083所在的層之上設(shè)置源極1082和漏極1081，漏極1081和源極1082之間具有間隔，并均與有源層1083相連，漏極1081和源極1082分設(shè)在有源層1083的兩側(cè)，在漏極1081和源極1082所在的層之上設(shè)置第一絕緣層121，在第一絕緣層121上設(shè)置公共電極123，在公共電極123所在的層之上設(shè)置第二絕緣層122，在第二絕緣層122上設(shè)置像素電極124，像素電極通過過孔125與薄膜晶體管108的漏極1081電性相連。在各子像素內(nèi)，線柵偏光膜106復(fù)用作為像素電極，各子像素103包括多個透射區(qū)域105和多個反射區(qū)域104，透射區(qū)域105和反射區(qū)域104交替排布(在