徑。
[0031]優(yōu)選地,色阻層25包括多個(gè)色阻R、G、B,黑色矩陣29鄰近于相鄰設(shè)置的兩個(gè)色阻之間的區(qū)域設(shè)置,黑色矩陣29也可以是設(shè)置于液晶面板的周邊區(qū)域。
[0032]請(qǐng)參閱圖3,圖3是本發(fā)明液晶面板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中,液晶面板包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板31和第二基板32、夾持在第一基板31與第二基板32之間的液晶層33,液晶面板還包括設(shè)置在第一基板31上的薄膜晶體管陣列34和色阻層35,液晶層33中的液晶分子330為負(fù)型液晶分子。
[0033]優(yōu)選地,液晶面板還包括黑色矩陣39,黑色矩陣39設(shè)置在色阻層35和液晶面板的出光面之間。優(yōu)選地,液晶面板的出光面為第二基板32的遠(yuǎn)離第一基板31的表面,即圖3中所示的第二基板32的上表面,液晶面板的出光方向?yàn)閺牡谝换?1到第二基板32的方向。
[0034]優(yōu)選地,黑色矩陣39設(shè)置于第二基板32上。
[0035]優(yōu)選地,液晶面板進(jìn)一步包括設(shè)置在第一基板31上的共同電極36、絕緣層37、像素電極38、第一配向?qū)?02以及設(shè)置于第二基板42上的平坦化層403、第二配向?qū)?01和支撐層40,薄膜晶體管陣列34、色阻層35、共同電極36、絕緣層37、像素電極38、第一配向?qū)?02依次層疊設(shè)置在第一基板31上,黑色矩陣39、平坦化層403、依次層疊設(shè)置在第二基板32上,支撐層40和第二配向?qū)?01設(shè)置在平坦化層403上,且支撐層40還支撐于第一配向?qū)?02。優(yōu)選地,第一配向?qū)由显O(shè)置有用于容納支撐層40的凹槽,且支撐層40靠近第一基板31的一端的外徑小于靠近第二基板32的一端的外徑。
[0036]優(yōu)選地,色阻層35包括多個(gè)色阻R、G、B,黑色矩陣39鄰近于相鄰設(shè)置的兩個(gè)色阻之間的區(qū)域設(shè)置,黑色矩陣39也可以是設(shè)置于液晶面板的周邊區(qū)域。
[0037]請(qǐng)參閱圖4,圖4是本發(fā)明液晶面板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中,液晶面板包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板41和第二基板42、夾持在第一基板41與第二基板42之間的液晶層43,液晶面板還包括設(shè)置在第一基板41上的薄膜晶體管陣列44和色阻層45,液晶層43中的液晶分子430為負(fù)型液晶分子。
[0038]優(yōu)選地,液晶面板還包括黑色矩陣49,黑色矩陣49設(shè)置在色阻層45和液晶面板的出光面之間。優(yōu)選地,液晶面板的出光面為第二基板42的遠(yuǎn)離第一基板41的表面,即圖4中所示的第二基板42的上表面,液晶面板的出光方向?yàn)閺牡谝换?1到第二基板42的方向。
[0039]優(yōu)選地,黑色矩陣49設(shè)置于第二基板42上。
[0040]優(yōu)選地,液晶面板進(jìn)一步包括設(shè)置在第一基板41上的共同電極46、絕緣層47、像素電極48、第一配向?qū)?02、支撐層50以及設(shè)置于第二基板42上的平坦化層503和第二配向?qū)?01,薄膜晶體管陣列44、色阻層45、共同電極46、絕緣層47、像素電極48、第一配向?qū)?02依次層疊設(shè)置在第一基板41上,黑色矩陣49、平坦化層503、第二配向?qū)?01依次層疊設(shè)置在第二基板42上,支撐層50設(shè)置在絕緣層47上,且支撐層47還支撐于第二配向?qū)?01。優(yōu)選地,第二配向?qū)?01上設(shè)置有容納支撐層50的凹槽,且支撐層50靠近第一基板41的一端的外徑大于靠近第二基板42的一端的外徑。
[0041]優(yōu)選地,色阻層45包括多個(gè)色阻R、G、B,黑色矩陣49設(shè)置于相鄰設(shè)置的兩個(gè)色阻之間的區(qū)域。優(yōu)選地,黑色矩陣49鄰近于相鄰設(shè)置的兩個(gè)色阻之間的區(qū)域設(shè)置,黑色矩陣49也可以是設(shè)置于液晶面板的周邊區(qū)域。
[0042]請(qǐng)參閱圖5,圖5是本發(fā)明液晶顯示器的原理示意圖。在本實(shí)施例中,該液晶顯示器包括背光模組和上述任意一實(shí)施例所述的液晶面板1,背光模組2用于為所述液晶面板I提供背光。
[0043]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶面板,其特征在于,所述液晶面板包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板、夾持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層,所述液晶面板還包括設(shè)置在所述第一基板上的薄膜晶體管陣列和色阻層,所述液晶層中的液晶分子為負(fù)型液晶分子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶面板還包括黑色矩陣,所述黑色矩陣設(shè)置在所述色阻層和所述液晶面板的出光面之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶面板,其特征在于,所述黑色矩陣設(shè)置于所述第一基板上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶面板進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一基板上的共同電極、絕緣層、像素電極、第一配向?qū)右约霸O(shè)置于所述第二基板上的第二配向?qū)雍椭螌?,所述薄膜晶體管陣列、所述色阻層、所述共同電極、所述絕緣層依次層疊設(shè)置在所述第一基板上,所述黑色矩陣和所述像素電極設(shè)置在所述絕緣層上,所述第一配向?qū)釉O(shè)置于所述黑色矩陣和所述像素電極上,所述第二配向?qū)雍退鲋螌右来螌盈B設(shè)置在所述第二基板上,且所述支撐層還支撐于所述黑色矩陣。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶面板進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一基板上的共同電極、絕緣層、像素電極、第一配向?qū)印⒅螌右约霸O(shè)置于所述第二基板上的第二配向?qū)?,所述薄膜晶體管陣列、所述色阻層、所述共同電極、所述絕緣層依次層疊設(shè)置在所述第一基板上,所述黑色矩陣和所述像素電極設(shè)置在所述絕緣層上,所述支撐層設(shè)置在所述黑色矩陣上,所述第一配向?qū)釉O(shè)置于所述像素電極和所述黑色矩陣上,所述支撐層還支撐于所述第二配向?qū)印?.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶面板,其特征在于,所述黑色矩陣設(shè)置于所述第二基板上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶面板進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一基板上的共同電極、絕緣層、像素電極、第一配向?qū)右约霸O(shè)置于所述第二基板上的平坦化層、第二配向?qū)雍椭螌樱霰∧ぞw管陣列、所述色阻層、所述共同電極、所述絕緣層、所述像素電極、所述第一配向?qū)右来螌盈B設(shè)置在所述第一基板上,所述黑色矩陣、所述平坦化層、依次層疊設(shè)置在所述第二基板上,所述支撐層和所述第二配向?qū)釉O(shè)置在所述平坦化層上,且所述支撐層還支撐于所述第一配向?qū)印?.根據(jù)權(quán)利6所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶面板進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一基板上的共同電極、絕緣層、像素電極、第一配向?qū)?、支撐層以及設(shè)置于所述第二基板上的平坦化層和第二配向?qū)?,所述薄膜晶體管陣列、所述色阻層、所述共同電極、所述絕緣層、所述像素電極、所述第一配向?qū)右来螌盈B設(shè)置在所述第一基板上,所述黑色矩陣、所述平坦化層、所述第二配向?qū)右来螌盈B設(shè)置在所述第二基板上,所述支撐層設(shè)置在所述絕緣層上,且所述支撐層還支撐于所述第二配向?qū)印?.根據(jù)權(quán)利要求2-8任意一項(xiàng)所述的液晶面板,其特征在于,所述色阻層包括多個(gè)色阻。10.一種液晶顯示器,其特征在于,所述液晶顯示器包括背光模組和如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的液晶面板,所述背光模組用于為所述液晶面板提供背光。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶面板,該液晶面板包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板、夾持在第一基板與第二基板之間的液晶層,液晶面板還包括設(shè)置在第一基板上的薄膜晶體管陣列和色阻層,液晶層中的液晶分子為負(fù)型液晶分子。通過(guò)上述方式,本發(fā)明能夠提升液晶面板的穿透率。
【IPC分類】G02F1/137, G02F1/1335, G02F1/1368
【公開(kāi)號(hào)】CN104991376
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510456706
【發(fā)明人】宋彥君, 趙永超, 謝忠憬, 李祥, 趙仁堂
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月21日
【申請(qǐng)日】2015年7月29日