電子照相圖像形成設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及電子照相圖像形成設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 使電子照相圖像形成設(shè)備重復(fù)地進(jìn)行各過程如帶電、曝光、顯影、轉(zhuǎn)印和清潔。要 求電子照相感光構(gòu)件的表面對(duì)與電子照相感光構(gòu)件的表面接觸的構(gòu)件如用于除去轉(zhuǎn)印殘 余調(diào)色劑的清潔刮板具有高的潤(rùn)滑性。
[0003] 為了解決潤(rùn)滑性的問題，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.冊(cè)7-13368中提出用于將硅油如 聚二甲基硅氧烷添加至電子照相感光構(gòu)件的表面層的方法。
[0004] 另一方面，要求電子照相圖像形成設(shè)備中W預(yù)定的接觸壓力與電子照相感光構(gòu)件 接觸且基于穩(wěn)定的基礎(chǔ)從動(dòng)旋轉(zhuǎn)的充電構(gòu)件，即使當(dāng)電子照相感光構(gòu)件的潤(rùn)滑性增加時(shí)也 基于穩(wěn)定的基礎(chǔ)穩(wěn)定地從動(dòng)旋轉(zhuǎn)。
[0005] 從防止電子照相感光構(gòu)件受刮削（shave off)的觀點(diǎn)，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_ No. 2012-42700中提出通過增加充電構(gòu)件的表面粗趟度降低實(shí)質(zhì)上與電子照相感光構(gòu)件接 觸的面積的方法。
[0006] 然而，本發(fā)明人研究日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.冊(cè)7-13368和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_ No. 2012-42700中描述的電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件，并且發(fā)現(xiàn)W下問題。目P，當(dāng)彼此接 觸的電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件旋轉(zhuǎn)時(shí)，具有潤(rùn)滑性的電子照相感光構(gòu)件和涂布層中含 有大尺寸顆粒的充電構(gòu)件的組合容易地引起電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件之間的微滑動(dòng)。 結(jié)果，在某些情況下在輸出圖像中出現(xiàn)圖像缺陷，即微小的橫條紋圖像（下文中稱為"條帶 圖像"）。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供通過防止由于當(dāng)彼此接觸的電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu) 件旋轉(zhuǎn)時(shí)所引起的滑動(dòng)導(dǎo)致的條帶圖像的發(fā)生而能夠輸出良好的圖像的電子照相圖像形 成設(shè)備。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供電子照相圖像形成設(shè)備，其包括：電子照相感光構(gòu) 件，與所述電子照相感光構(gòu)件接觸從而用充電構(gòu)件使所述電子照相感光構(gòu)件帶電的充電單 元，W及將調(diào)色劑供給至其上形成靜電潛像的電子照相感光構(gòu)件W在電子照相感光構(gòu)件上 形成調(diào)色劑圖像的顯影單元；其中電子照相感光構(gòu)件包括；支承體、設(shè)置在支承體上的電 荷產(chǎn)生層和設(shè)置在電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層；電荷輸送層為電子照相感光構(gòu)件的表面 層；電荷輸送層具有包括基體和區(qū)域的基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)；區(qū)域包括具有由W下通式（A)表 示的結(jié)構(gòu)單元和由W下通式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元的聚醋樹脂A ;基體包括選自由具有由W 下通式（C)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚醋樹脂C和具有由W下通式值）表示的結(jié)構(gòu)單元的聚碳酸 醋樹脂D組成的組的至少一種樹脂W及電荷輸送物質(zhì)；充電構(gòu)件具有導(dǎo)電性基體和導(dǎo)電性 彈性層；導(dǎo)電性彈性層包括粘結(jié)劑并支持具有開口的碗狀樹脂顆粒，使得碗狀樹脂顆粒的 至少一部分露出；充電構(gòu)件在其表面上具有源自碗狀樹脂顆粒的開口的凹部和且在其表面 的源自碗狀樹脂顆粒的開口的邊緣的凸部；充電構(gòu)件的表面上的凸部為碗狀樹脂顆粒的露 出部；且充電構(gòu)件的表面上的凸部與電子照相感光構(gòu)件接觸。
[0009]
[0010] 式（A)中，公表示間亞苯基、對(duì)亞苯基或具有經(jīng)由氧原子鍵合的兩個(gè)對(duì)亞苯基的二 價(jià)基團(tuán)，RU-RM各自獨(dú)立地表示甲基、己基或苯基，n表示括號(hào)中的結(jié)構(gòu)的重復(fù)數(shù)，化及聚醋 樹脂A中的n的平均值為20 W上且120 W下。
[0011]
[001引式做中，X2表示間亞苯基、對(duì)亞苯基或具有經(jīng)由氧原子鍵合的兩個(gè)對(duì)亞苯基的二 價(jià)基團(tuán)。
[0013]
[0014] 式（C)中，rsi-r38各自獨(dú)立地表示氨原子或甲基，X3表示間亞苯基、對(duì)亞苯基或具 有經(jīng)由氧原子鍵合的兩個(gè)對(duì)亞苯基的二價(jià)基團(tuán)，W及Y 3表示單鍵、亞甲基、己叉基或丙叉 基。
[0015]
[0016] 式做中，R"-R48各自獨(dú)立地表示氨原子或甲基，W及Y4表示亞甲基、己叉基、丙 叉基、苯基己叉基、環(huán)己叉基或氧原子。
[0017] 本發(fā)明提供通過防止由于當(dāng)彼此接觸的電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件旋轉(zhuǎn)時(shí)所 引起的滑動(dòng)導(dǎo)致的條帶圖像的發(fā)生而能夠輸出良好的圖像的電子照相圖像形成設(shè)備。
[0018] 參考附圖，本發(fā)明的進(jìn)一步特征將從W下示例性實(shí)施方式的描述而變得明顯。
【附圖說明】
[0019] 圖1為示出本發(fā)明的實(shí)施方式中的（漉形）充電構(gòu)件的截面圖。
[0020] 圖2A和2B為示出的本發(fā)明的充電構(gòu)件的表面附近的部分截面圖。
[0021] 圖3為示出本發(fā)明的充電構(gòu)件的表面附近的部分截面圖。
[0022] 圖4A、4B、4C、4D和4E為示出碗狀樹脂顆粒的圖。
[0023] 圖5為示出用于測(cè)量充電漉的電阻率的設(shè)備的圖。
[0024] 圖6為示出本發(fā)明的一個(gè)方面中的電子照相圖像形成設(shè)備的示意性截面圖。
[00巧]圖7為示出用于制造充電漉的十字頭擠出機(jī)的截面圖。
[0026] 圖8A、8B、8C和8D為示出本發(fā)明充電構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件之間的接觸部的附 近的放大圖。
[0027] 圖9為示出用于本發(fā)明的實(shí)施方式中的電子照相圖像形成設(shè)備的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式。
[0029] 本發(fā)明人推測(cè)在本發(fā)明的電子照相圖像形成設(shè)備中，通過W下機(jī)理顯示防止由于 當(dāng)彼此接觸的電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件旋轉(zhuǎn)時(shí)所引起的滑動(dòng)導(dǎo)致的條帶圖像的發(fā)生 的效果。
[0030] 充電構(gòu)件的表面具有源自碗狀樹脂顆粒的凹凸。結(jié)果當(dāng)充電構(gòu)件與電子照相感光 構(gòu)件接觸時(shí)，充電構(gòu)件的振動(dòng)由于凸部的彈性變形而被抑制，使得凸部的附近始終如一地 與電子照相感光構(gòu)件接觸。另一方面，當(dāng)形成電子照相圖像時(shí)，施加有電壓的充電構(gòu)件通過 在穿過電子照相感光構(gòu)件的微小間隙處的放電而使電子照相感光構(gòu)件帶電。放電為通過微 小間隙中的空氣的電離而產(chǎn)生的所謂的Townsend放電。在該情況下，通過空氣中分子的電 離而生成的帶正電和帶負(fù)電的顆粒通過微小間隙中形成的電場(chǎng)引導(dǎo)至電子照相感光構(gòu)件 和充電構(gòu)件的表面。由于引導(dǎo)至電子照相感光構(gòu)件的帶電顆粒，使電子照相感光構(gòu)件的表 面帶電。也可W使用極性與引導(dǎo)至電子照相感光構(gòu)件的帶電顆粒的極性相反的帶電顆粒使 充電構(gòu)件帶電。在該情況下，由于露出的絕緣性的碗狀樹脂顆粒，使得充電構(gòu)件的凸部保持 在過度帶電的狀態(tài)。另一方面，電子照相感光構(gòu)件中由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元由于在兩個(gè) 苯基之間具有兩個(gè)CFs基團(tuán)的結(jié)構(gòu)而具有極強(qiáng)的極性。結(jié)果，由于在圖像形成期間充電構(gòu) 件的過度帶電的凸部與電子照相感光構(gòu)件接觸，電子照相感光構(gòu)件中由式炬）表示的結(jié)構(gòu) 單元被極化。結(jié)果，由于電子照相感光構(gòu)件和與電子照相感光構(gòu)件接觸的充電構(gòu)件的凸部 之間的電吸引力，充電構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件之間的吸引力增強(qiáng)。此外，由式做表示的 結(jié)構(gòu)單元形成基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)，使得可W形成由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元濃度高的部分從而 進(jìn)一步增強(qiáng)上述效果。在組合該些效果的情況下，充電構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件之間的吸 引力顯著地增強(qiáng)，使得在彼此接觸的充電構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)期間抑制微滑動(dòng) 的產(chǎn)生。結(jié)果，抑制條帶圖像的出現(xiàn)。
[0031] <電子照相感光構(gòu)件〉
[00礎(chǔ)[電荷輸送層]
[0033] 本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，電荷輸送層為在最外面表面的表面層。
[0034] 本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件包括具有含有W下基體和W下區(qū)域的基體-區(qū)域結(jié) 構(gòu)的電荷輸送層。區(qū)域包括具有由W下通式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元和由W下通式炬）表示的 結(jié)構(gòu)單元的聚醋樹脂A。基體包括電荷輸送物質(zhì)，W及選自由具有由W下通式（C)表示的結(jié) 構(gòu)單元的聚醋樹脂C和具有由W下通式值）表示的結(jié)構(gòu)單元的聚碳酸醋樹脂D組成的組的 至少一種樹脂。
[00巧]
[0036] 式（A)中，公表示間亞苯基、對(duì)亞苯基或具有經(jīng)由氧原子鍵合的兩個(gè)對(duì)亞苯基的二 價(jià)基團(tuán)，RU-RM各自獨(dú)立地表示甲基、己基或苯基，n表示括號(hào)中的結(jié)構(gòu)的重復(fù)數(shù)，化及聚醋 樹脂中的n的平均值為20 W上且120 W下。
[0037]

[0042] 式值）中，R"-R48各自獨(dú)立地表示氨原子或甲基，W及Y4表示亞甲基、己叉基、丙 叉基、苯基己叉基、環(huán)己叉基或氧原子。
[004引[聚醋樹脂A]
[0044] 如下描述聚醋樹脂A。由式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元的含量基于聚醋樹脂A的總質(zhì)量 可W為6質(zhì)量％ W上且40質(zhì)量％ ^下。由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元的含量基于聚醋樹脂A 的總質(zhì)量可W為60質(zhì)量％ W上且94質(zhì)量％ ^下。更優(yōu)選由式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元的含量 基于聚醋樹脂A的總質(zhì)量為10質(zhì)量％ W上且40質(zhì)量％ W下，W及由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單 元的含量基于聚醋樹脂A的總質(zhì)量為60質(zhì)量％ W上且90質(zhì)量％ W下。
[0045] 由式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元的含量基于聚醋樹脂A的總質(zhì)量為6質(zhì)量％ W上且40 質(zhì)量％ W下使得在包括電荷輸送物質(zhì)W及選自由聚醋樹脂C和聚碳酸醋樹脂D組成的組的 至少一種樹脂的基體中有效地形成區(qū)域。由此實(shí)現(xiàn)具有極性基團(tuán)的由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單 元的高濃度存在，使得電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件之間的吸引力增強(qiáng)。因此充電構(gòu)件在 增強(qiáng)的抑制條帶的效果的情況下具有改進(jìn)的從動(dòng)旋轉(zhuǎn)性能。
[004引由上式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元的含量基于聚醋樹脂A的總質(zhì)量為6質(zhì)量％ W上且低 于10質(zhì)量％的情況下，基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)也可W在電荷輸送層中形成。
[0047] 聚醋樹脂A包括由上式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元和由上式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元。
[004引式（A)中，X嗦示間亞苯基、對(duì)亞苯基或具有經(jīng)由氧原子鍵合的兩個(gè)對(duì)亞苯基的二 價(jià)基團(tuán)。該些基團(tuán)可W單獨(dú)使用或者W兩種W上基團(tuán)的組合使用。組合使用間亞苯基和對(duì) 亞苯基時(shí)，間亞苯基與對(duì)亞苯基的比值（摩爾比）可W為1:9至9:1，更優(yōu)選3:7至7:3。 [004引式（A)中，聚醋樹脂A中的n具有20 W上且120 W下的平均值。20 W上且120 W 下的n使得在包括電荷輸送物質(zhì)、聚醋樹脂C和/或聚碳酸醋樹脂D的基體中有效地形成 區(qū)域。特別地，n可W具有40 W上且80 W下的平均值。
[0050] W下描述由式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元的例子。
[0051]
[0052]
[0053] 可W單獨(dú)或者組合使用結(jié)構(gòu)單元。組合使用間亞苯基和對(duì)亞苯基作為Xi的結(jié)構(gòu) 單元時(shí)，間亞苯基與對(duì)亞苯基的比值（摩爾比）可W為1:9至9:1，更優(yōu)選3:7至7:3。
[0054] W下描述由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元的例子。
[00巧]
[0056] 可W使用除了由式（A)和式做表示的結(jié)構(gòu)單元W外的結(jié)構(gòu)單元W構(gòu)成聚醋樹脂 A。例子包括由W下通式（C-1)~（C-4)表示的結(jié)構(gòu)單元。在使用除了由式（A)表示的結(jié) 構(gòu)單元W及由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元W外的結(jié)構(gòu)單元情況下，從本發(fā)明的效果的觀點(diǎn)，除 了由式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元W及由式炬）表示的結(jié)構(gòu)單元W外的結(jié)構(gòu)單元的含量基于聚醋 樹脂A的總質(zhì)量?jī)?yōu)選為34質(zhì)量％ ^下。更優(yōu)選該含量為30質(zhì)量％ W下。
[0057] 聚醋樹脂A為由式（A)表示的結(jié)構(gòu)單元化及由式做表示的結(jié)構(gòu)單元的共聚物。 共聚形式可W為嵌段共聚、無規(guī)共聚和交替（alternate)共聚等任意之一。
[005引為了在包括電荷輸送物質(zhì)W及聚醋樹脂C或聚碳酸醋樹脂D的基體中形成區(qū)域， 聚醋樹脂A可W具有30, 000 W上且200, 000 W下的重均分子量。40,000 W上且150,000 W下的重均分子量是更優(yōu)選的。
[0059] 本申請(qǐng)中，樹脂的重均分子量根據(jù)通常方法，更具體地，通過由日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_ No. 2007-79555中描述的方法測(cè)量的聚苯己締換算的重均分子量表示。
[0060] 聚醋樹脂A的共聚比可W通過使用通過為通常方法的樹脂的iH-NMR測(cè)量的氨原 子（構(gòu)成樹脂的氨原子）的峰面積比的換算方法來確認(rèn)。
[0061] 聚醋樹脂A可W通過國(guó)際公布W02010/008095中描述的方法來合成。
[0062] 聚醋樹脂A的含量基于電荷輸送層中所有樹脂的總質(zhì)量可W為10質(zhì)量％W上且 40質(zhì)量％ W下。10質(zhì)量％ W上且40質(zhì)量％ ^下的含量使得穩(wěn)定地形成基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)， 進(jìn)一步增強(qiáng)本發(fā)明的效果?？蒞單獨(dú)使用聚醋樹脂A或者W兩種W上的組合使用。
[006引[聚醋樹脂口
[0064] W下描述具有由式似表示的結(jié)構(gòu)單元的聚醋樹脂C。
[0065] 式（C)中的X3表示間亞苯基、對(duì)亞苯基或具有經(jīng)由氧原子鍵合的兩個(gè)對(duì)亞苯基的 二價(jià)基團(tuán)。該基團(tuán)可W單獨(dú)使用或者W兩種W上的組合使用。組合使用間亞苯基和對(duì)亞苯 基時(shí)，間亞苯基與對(duì)亞苯基的比值（摩爾比）可W為1:9至9:1，更優(yōu)選3:7至7:3。
[0066] 式似中的Y可W為丙叉基。
[0067] W下描述由式（C)表示的結(jié)構(gòu)單元的例子。
[0068]
[0069] [聚碳酸醋樹脂D]
[0070] W下描述具有由式值）表示的結(jié)構(gòu)單元的聚碳酸醋樹脂D。
[0071] 式值）中的Y4可W為丙叉基或環(huán)己叉基。
[0072] W下描述由式值）表示的結(jié)構(gòu)單元的例子。
[0073]
[0074] 本發(fā)明的電荷輸送層包括具有含有聚醋樹脂C和聚碳酸醋樹脂D至少一種樹脂的 基體W及基體中含有聚醋樹脂A的區(qū)域的基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)?；w中可化含有電荷輸送物質(zhì)。
[0075] 基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)為"海島結(jié)構(gòu)"，其中基體用作海部分W及區(qū)域用作島。含有聚醋 樹脂A的區(qū)域具有在含有聚醋樹脂C和聚碳酸醋樹脂D的至少一種樹脂的基體中形成的顆 粒狀（島狀）結(jié)構(gòu)。含有聚醋樹脂A的區(qū)域各自獨(dú)立地存在于基體中?；w-區(qū)域結(jié)構(gòu)可 W通過電荷輸送層的表面觀察或截面觀察來確認(rèn)。
[0076] 基體-區(qū)域結(jié)構(gòu)的狀態(tài)觀察或區(qū)域結(jié)構(gòu)的測(cè)量可W用例如商購(gòu)可得的激光顯微 鏡、光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡和原子力顯微鏡W預(yù)定的放大倍率來進(jìn)行。
[0077] 含有聚醋樹脂A的區(qū)域可W具有100皿W上且1，000皿W下的數(shù)均粒徑。將由式 炬）表示的結(jié)構(gòu)單元的組分存在的區(qū)域部分的直徑降低至充分地小于與電子照相感光構(gòu)