也包括Test部分在下方，Main 部分在上方的情形，即本發(fā)明實(shí)際包括了兩種情形；其中，僅需要將所有公式中的Main、 Test對(duì)應(yīng)的部分直接調(diào)換即可適用于Test部分在下方、Main部分在上方的情形，不影響任 何計(jì)算及實(shí)際使用。
[0083] 緩沖區(qū)域（Buffer):為避免步進(jìn)缺陷，在實(shí)際的Frame圖形左邊與下方加空白區(qū) 域，稱為Buffer。具體地，圖4中左側(cè)寬度為"a"的區(qū)域和下方高度為"b"的區(qū)域即緩沖區(qū) 域。
[0084] 曝光方式：因?yàn)閱伟媾c復(fù)合版、圖形區(qū)是否有Test圖形、在硅片上的具體曝光部 分可以不同等因素，不同光刻版、同一光刻版等可以有多種曝光組合，每一種稱為一種曝光 方式。
[0086]表1
[0087]具體地，上表1中示出了本發(fā)明定義的每種類型的光刻版對(duì)應(yīng)的5種曝光方式；而 由于光刻版包括單版和三種復(fù)合版，則一共存在20種具體的曝光方式。
[0088] 二、基本參數(shù)定義
[0089]
[0090] 表 2
[0091] 作為示意性地，表2給出了基于本發(fā)明的一種具體的參數(shù)定義方式，當(dāng)然，對(duì)于不 同的DesignService以及FAB可以有不同的約定數(shù)值。
[0092] 三、計(jì)算曝光參數(shù)
[0093] 圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法的示意流程圖。
[0094] 如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，包括：
[0095] 步驟902,解析接收到的參數(shù)輸入指令，以獲取在硅片上沿水平方向的第一期望步 進(jìn)長(zhǎng)度和沿堅(jiān)直方向的第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度；
[0096] 步驟904,根據(jù)所述第一期望步進(jìn)長(zhǎng)度和所述第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度，計(jì)算對(duì)應(yīng)的光刻 機(jī)曝光參數(shù)。
[0097] 在該技術(shù)方案中，鑒于對(duì)光刻版及硅片的參數(shù)設(shè)置的結(jié)果，需要在硅片上進(jìn)行體 現(xiàn)，因而直接根據(jù)技術(shù)人員對(duì)于硅片上的步進(jìn)需求，推算出光刻的曝光參數(shù)，一方面滿足技 術(shù)人員的使用需求和使用心理，另一方面能夠準(zhǔn)確地計(jì)算曝光參數(shù)，沒有經(jīng)驗(yàn)方面的要求， 也不需要反復(fù)試探性地執(zhí)行光刻操作，有助于提高參數(shù)的設(shè)置效率，避免試探操作時(shí)造成 對(duì)光刻版的浪費(fèi)。
[0098] 因此，本發(fā)明的技術(shù)方案中，對(duì)于曝光參數(shù)的計(jì)算，提出了基于在硅片上的步進(jìn)長(zhǎng) 度為基準(zhǔn)，推導(dǎo)出具體的曝光參數(shù)的思路。下面基于該思路進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0099] 1、步進(jìn)參數(shù)的定義
[0101] 表 3
[0102] 其中，參考圖5至圖8中所示的直角坐標(biāo)系，則Px即沿X軸方向的步進(jìn)長(zhǎng)度，Py即 沿Y軸方向的步進(jìn)長(zhǎng)度。
[0103] 需要注意的是：tl和t2是選擇輸入的，其中，對(duì)于Frame中包含Main和Test圖 形，但僅曝光Main的情況下(包括插花或不插花的情形)或是同時(shí)曝光Main和Test且插花 的情況下，應(yīng)當(dāng)選取或輸入tl ;對(duì)于同時(shí)曝光Main和Test但不插花的情況下，則應(yīng)當(dāng)選取 或輸入t2。因此，此處通過tl和t2,表達(dá)了對(duì)于不同情況下，Test區(qū)域的高度應(yīng)當(dāng)區(qū)分對(duì) 待。
[0104] 為了便于描述，則在本文的技術(shù)方案中，僅以"t"作為Test區(qū)域的高度，對(duì)于不同 情況，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于上述描述，將其具體賦為tl或t2。
[0105] 2、計(jì)算公式
[0106] 1)列數(shù)（Column)和行數(shù)（Row)
[0107] 列數(shù)X/行數(shù)Y即為硅片直徑容納"Wafer上Shot的X/Y方向的實(shí)際步進(jìn)"的整數(shù) 倍，再加左右/上下2個(gè)不完整Shot數(shù)目。
[0108] 表述為公式：
[0110] 其中，〇為光刻版的直徑長(zhǎng)度，PX為Wafer上Shot的X方向的實(shí)際步進(jìn)，Py為 Wafer上Shot的Y方向的實(shí)際步進(jìn)。
[0111] 2) Map offset
[0112] Map offset值包括在X軸方向上的數(shù)值和在Y軸方向上的數(shù)值。其中，由于曝光 在硅片表面是左右對(duì)稱的，則X(Map ofTset)=0;而Y(Map offset)則存在能夠應(yīng)用于所有 類型的曝光方式的計(jì)算公式：Y(Map offset):
[0116] 其中，c和f?為中間值，Y為所述硅片上的曝光區(qū)域的在堅(jiān)直方向上的排列個(gè)數(shù)， Py為所述第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度，〇為所述硅片的直徑長(zhǎng)度，1為所述光刻版上的平邊長(zhǎng)度，h 為所述光刻版上的激光打碼高度，INT (a)為小于或等于a的最大整數(shù)，h為"僅曝Main不 插花"及"插花"兩種情形時(shí)(表1有說明）的光刻版上Test圖形的高度。
[0117] 3) Blind 坐標(biāo)和 Center Shift
[0118] 首先，對(duì)應(yīng)于上述的各類參數(shù)等的定義，則光刻版上的每個(gè)Frame在如圖5-圖8 中所示的坐標(biāo)系中可以表示如下：
[0120]表 4
[0121] 基于表4,則以圖5所示的單版情形為例，能夠得到圖4所示的Frame中各個(gè)端點(diǎn) 的坐標(biāo)值，具體如下表5所示：
[0123]
[0124]表 5
[0125] 依據(jù)表5所示，則按照不同類型選取不同點(diǎn)的坐標(biāo)，即為所需要的Blind坐標(biāo)的結(jié) 果；而Center Shift為相應(yīng)類型的Mask中心位移的負(fù)值。
[0126] 那么，對(duì)于如圖5所示的單版的情形，可以得到如下表6所示的對(duì)應(yīng)于各種曝光方 式下，對(duì)于Blind或Center Shift值的具體計(jì)算公式。
[0127]
[0128] 表 6
[0129] 當(dāng)然，表5僅示出了圖5對(duì)應(yīng)的單版的情況；而對(duì)于圖6-圖8所示的復(fù)合版的情 況，則由于每個(gè)Frame的規(guī)格相同，可以根據(jù)其在坐標(biāo)系中的位置變化，由表5進(jìn)行坐標(biāo)轉(zhuǎn) 換而得到，此處不再贅述。
[0130] 那么，基于坐標(biāo)轉(zhuǎn)換后的類似表5所示的端點(diǎn)坐標(biāo)，能夠分別得到對(duì)應(yīng)于二合一 版、三合一版和四合一版的曝光參數(shù)計(jì)算公式，下面分別以表7、表8和表9進(jìn)行示意性說 明。
[0131]
[0132] 表 7
[0133]
[0134]

[0138]
[0139] 表 9
[0140] 根據(jù)本發(fā)明的上述公式計(jì)算出的各類曝光參數(shù)的數(shù)值，可在曝光程序編程時(shí)直接 引用，無需其它任何操作。
[0141] 以上結(jié)合附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的技術(shù)方案，考慮到相關(guān)技術(shù)中的曝光參數(shù)需要 依靠人工的經(jīng)驗(yàn)和試探性地試驗(yàn)，效率低下。因此，本發(fā)明提出了一種光刻工藝曝光參數(shù)的 獲取方法，可以根據(jù)用戶對(duì)于硅片上的實(shí)際光刻需求，推算對(duì)于光刻機(jī)的曝光參數(shù)設(shè)置，從 而提供一種通用、準(zhǔn)確的曝光參數(shù)計(jì)算方式，簡(jiǎn)化了曝光參數(shù)的計(jì)算過程。
[0142] 本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序 產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí) 施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī) 可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等）上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn) 品的形式。
[0143] 本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程 圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一 流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算 機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理 器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生 用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能 的裝置。
[0144] 這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特 定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指 令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或 多個(gè)方框中指定的功能。
[0145] 這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì) 算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或 其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖 一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。
[0146] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，包括： 解析接收到的參數(shù)輸入指令，W獲取在娃片上沿水平方向的第一期望步進(jìn)長(zhǎng)度和沿豎 直方向的第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度； 根據(jù)所述第一期望步進(jìn)長(zhǎng)度和所述第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度，計(jì)算對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)曝光參數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，所述光刻機(jī)曝光 參數(shù)包括：所述光刻版在娃片上的曝光區(qū)域的在水平方向上的第一排列個(gè)數(shù)和在豎直方向 上的第二排列個(gè)數(shù)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，所述第一排列個(gè) 數(shù)二2 ,所述第二排歹U個(gè)數(shù)F= ^ + 2; Px /V 其中，〇為所述娃片的直徑長(zhǎng)度，Px為所述第一期望步進(jìn)長(zhǎng)度，Py為所述第二期望步 進(jìn)長(zhǎng)度。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，還包 括： 解析所述參數(shù)輸入指令，獲取光刻版上的待曝光圖形中的測(cè)試圖形在豎直方向上的實(shí) 際局度； 根據(jù)所述第一期望步進(jìn)長(zhǎng)度、所述第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度和所述實(shí)際高度，計(jì)算所述光刻 機(jī)曝光參數(shù)。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，光刻版上的待曝 光圖形所述光刻機(jī)曝光參數(shù)包括： 所述娃片上沿豎直方向的偏差補(bǔ)償值其中，C和f為中間值，Y為所述娃片上的曝光區(qū)域的在豎直方向上的排列個(gè)數(shù)，Py為 所述第二期望步進(jìn)長(zhǎng)度，〇為所述娃片的直徑長(zhǎng)度，1為所述光刻版上的平邊長(zhǎng)度，h為所 述光刻版上的激光打碼高度，INT(a)為小于或等于a的最大整數(shù)，ti為所述光刻版上的待 曝光圖形中的測(cè)試圖形在豎直方向上的實(shí)際高度。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，ti為W無插花的 形式僅曝光所述待曝光圖形中的主體圖形或同時(shí)曝光所述待曝光圖形中的主體圖形和測(cè) 試圖形時(shí)，或W插花形式曝光所述主體圖形的全部或部分和所述測(cè)試圖形時(shí)，所述待曝光 圖形中的測(cè)試圖形在豎直方向上的實(shí)際高度。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，計(jì)算所述光刻機(jī) 曝光參數(shù)的過程包括： 建立W光刻版的中也點(diǎn)為原點(diǎn)、所述水平方向?yàn)榈谝惠S、所述豎直方向?yàn)榈诙S的第 一直角坐標(biāo)系； 建立W娃片的中也點(diǎn)為原點(diǎn)、所述水平方向?yàn)榈谝惠S、所述豎直方向?yàn)榈诙S的第二 直角坐標(biāo)系； 根據(jù)所述光刻版中的任一完整圖形中的每個(gè)待曝光區(qū)域在所述第一直角坐標(biāo)系和所 述第二直角坐標(biāo)系中的位置信息，確定所述光刻機(jī)曝光參數(shù)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻機(jī)曝光參數(shù)的獲取方法，其特征在于，所述光刻機(jī)曝光 參數(shù)包括；遮光坐標(biāo)和中也變換值； 當(dāng)所述光刻版上僅包含一個(gè)完整圖形時(shí)，按照如下方式計(jì)算所述光刻機(jī)曝光參數(shù)： 當(dāng)所述完整圖形僅包含主體圖形時(shí)，該主體圖形的遮光坐標(biāo)點(diǎn)為Xm=(a-Px)/2、Xp=(Px+a)/2、Ym=-(Py-b)/2、化=(Py+b)/2,且中也變換值為X=0、Y=0 ; 當(dāng)所述完整圖形包含主體圖形和測(cè)試圖形時(shí)，若W無插花的形式，僅曝光主體圖 形，則該主體圖形的遮光坐標(biāo)點(diǎn)為Xm= (a-Px) /2、Xp= (Px+a) /2、Ym=- (Py+t+dl-b) /2、 化=(Py+t+dl+b)/2-t-dl，且中也變換值為X=0、Y=0 ; 當(dāng)所述完整圖形包含主體圖形和測(cè)試圖