多域垂直配向型液晶的像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其是設(shè)及一種使用電學(xué)特性差異實(shí)現(xiàn)分疇顯示的多 域垂直配向型液晶的像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來,大尺寸、薄而輕的平板顯示器逐漸占據(jù)了顯示器市場(chǎng)的中屯、位置。平板顯 示器按照顯示原理來分可W包括;液晶顯示器(Liquid化ystalDisplay,LCD)、等離子體 顯示器、有機(jī)電致發(fā)光顯示器等。
[000引在液晶顯示器的各種顯示模式中,垂直排列(VerticalAlignment,VA)顯示模式 由于其良好的視角特性受到市場(chǎng)的歡迎。在VA顯示模式的LCD中,像素單元內(nèi)液晶分子的 長軸在不加電的狀態(tài)下與濾光片垂直,每個(gè)像素單元被劃分為多個(gè)疇區(qū)(多疇),在加電狀 態(tài)下,每個(gè)疇區(qū)內(nèi)的液晶分子向各自的方向偏轉(zhuǎn),通過該種方法,將同一像素單元中的液晶 分子取向分為多個(gè)方向,由此補(bǔ)償各個(gè)角度的視角,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)各個(gè)視角方向的均勻顯示,W 有效改善不同觀察角度的灰階顯示狀態(tài)下的視角特性。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中,實(shí)現(xiàn)所述像素單元中的多個(gè)疇區(qū)可W由W下方式實(shí)現(xiàn);由像素電極 的裂縫形成側(cè)向電場(chǎng)的PVA(PatternedVA)模式;由像素單元中的凸起化ib)來使液晶 分子形成多疇排列的MVA(Multi-domainVA)模式。例如;在彩膜第一基板上配置凸起物 炬ump)或狹縫(Slit)。
[0005] 目前,各種VA顯示模式的液晶顯示面板制造過程中,通常先使液晶分子具有一定 的預(yù)傾角,即上、下第一基板和液晶分子之間最初形成的角度,實(shí)現(xiàn)加電時(shí)液晶分子快速轉(zhuǎn) 向的目的,從而加快液晶顯示器的響應(yīng)速度。
[0006] 另外,VA模式由于在不同視野角下,液晶分子雙折射率的差異比較大,所W色偏現(xiàn) 象比較嚴(yán)重。其中,CPA技術(shù)由于存在360°方向上的自補(bǔ)償作用,色偏不嚴(yán)重。作為MVA技 術(shù)和PVA技術(shù)的色偏改善方法,需要設(shè)計(jì)盡可能多的顯示疇。在物理結(jié)構(gòu)上,為了使液晶分 子和正交的上下偏光板偏光軸形成45°的夾角,最多可W設(shè)計(jì)4個(gè)疇。目前的八疇設(shè)計(jì)基 于電學(xué)原理,使同一個(gè)子像素內(nèi)其中4個(gè)疇和另外4個(gè)疇的液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)角度不一樣,實(shí)現(xiàn) 8種不同的液晶取向,實(shí)現(xiàn)八疇顯示。八疇設(shè)計(jì)主要有電容禪合(CapacitanceCoupling,簡 稱CC)技術(shù)、雙TFT(TowTransistor,簡稱TT)技術(shù)、電荷共享(ChargeGlaring,簡稱CS) 技術(shù)、Vcom電壓調(diào)制(CommonMo化lation,簡稱CM)技術(shù)。現(xiàn)有的八疇結(jié)構(gòu),要么像素結(jié)構(gòu) 復(fù)雜,要么驅(qū)動(dòng)方式復(fù)雜。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 有鑒于此,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本發(fā)明提供一種多域垂直配向型液晶的像素 結(jié)構(gòu),可W實(shí)現(xiàn)八疇顯示的同時(shí),還可W提高像素的開口率。
[000引為達(dá)上述或其它目的,本發(fā)明一實(shí)施例提出了一種多域垂直配向型液晶的像素結(jié) 構(gòu),包括;一第一基板;多個(gè)像素單元,配置于該第一基板上;一掃描線和一數(shù)據(jù)線,彼此交 叉在該第一基板限定一該像素單元為第一區(qū)域、第二區(qū)域、第=區(qū)域、第四區(qū)域;兩公共電 極線,與該數(shù)據(jù)線平行且用于限定一該像素單元的邊界;第一像素電極,覆蓋該第一、二區(qū) 域;第二像素電極,覆蓋該第=、四區(qū)域;一第一有源器件和一第二有源器件,配置在該掃 描線與該數(shù)據(jù)線交叉區(qū)域;一第=有源器件,與一該第二有源器件并聯(lián);其中,該第二有源 器件和該第=有源器件并聯(lián)用于控制該第一像素電極的電壓,該第一有源器件用于控制該 第二像素電極的電壓。
[0009] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,還包括第二基板,與該第一基板對(duì)置;垂直配向型液晶 層,夾置在該第一基板與該該第二基板之間;該第一基板、第二基板通過光配向后,該液晶 層中的液晶分子在該第一區(qū)域分別沿第一方向、第二方向排列、在該第四區(qū)域分別沿該第 一方向、該第二方向排列,在該第二區(qū)域分別沿第=方向、第四方向排列、該第=區(qū)域分別 沿該第=方向、該第四方向排列。
[0010] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一有源器件,具有由該掃描線圖案形成的第一柵極, 由該數(shù)據(jù)線圖案形成的第一源極,第一漏極;該第二有源器件,具有由該掃描線圖案形成的 該第一柵極,由該數(shù)據(jù)線圖案形成的該第一源極,第二漏極;該第=有源器件,具有由該掃 描線圖案形成的該第一柵極,由一該公共電極線圖案形成的該第二源極,該第二漏極。
[0011] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一漏極延伸至該第二像素電極覆蓋區(qū)域,且通過第 一接觸孔與該第二像素電極電連接;該第二漏極延伸至該第一像素電極覆蓋區(qū)域,且通過 第二接觸孔與該第一像素電極電連接。
[0012] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,還包括第一存儲(chǔ)電極,具有與一該公共電極線重疊線段 及第一延伸部,該第一延伸部與該第一漏極都通過該第一接觸孔與該第二像素電極電連 接;第二存儲(chǔ)電極,具有與另一該公共電極線重疊線段及第二延伸部,該第二延伸部與該第 二漏極都通過該第二接觸孔與該第一像素電極電連接。
[0013] 為達(dá)上述或其它目的,本發(fā)明又一實(shí)施例提出了一種多域垂直配向型液晶的像素 結(jié)構(gòu),包括;一第一基板;多個(gè)像素單元,配置于該第一基板上;一掃描線和一公共電極線, 彼此交叉在該第一基板限定一該像素單元為第一區(qū)域、第二區(qū)域、第=區(qū)域、第四區(qū)域;兩 數(shù)據(jù)線,與該公共電極線平行且用于限定一該像素單元的邊界;第一像素電極,覆蓋該第 一、二區(qū)域;第二像素電極,覆蓋該第=、四區(qū)域;一第一有源器件和一第二有源器件,配置 在該掃描線與一該數(shù)據(jù)線交叉區(qū)域;一第=有源器件,與一該第二有源器件并聯(lián);其中,該 第二有源器件和該第=有源器件并聯(lián)用于控制該第一像素電極的電壓,該第一有源器件用 于控制該第二像素電極的電壓。
[0014] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,還包括第二基板,與該第一基板對(duì)置;垂直配向型液晶 層,夾置在該第一基板與該該第二基板之間;該第一基板、第二基板通過光配向后,該液晶 層中的液晶分子在該第一區(qū)域分別沿第一方向、第二方向排列、在該第四區(qū)域分別沿該第 一方向、該第二方向排列,在該第二區(qū)域分別沿第=方向、第四方向排列、在該第=區(qū)域分 別沿該第S方向、該第四方向排列。
[0015] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一有源器件,具有由該掃描線圖案形成的第二柵極, 由一該公共電極線圖案形成的第S源極,第S漏極;該第二有源器件,具有由該掃描線圖案 形成的該第二柵極,由該一公共電極線形成的該第S源極,第四漏極;該第S有源器件,具 有由該掃描線圖案形成的該第二柵極,由該數(shù)據(jù)線圖案形成的該第四源極,該第四漏極。
[0016] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第=漏極延伸至該第二像素電極覆蓋區(qū)域,且通過第 =接觸孔與該第二像素電極電連接;該第四漏極延伸至該第一像素電極覆蓋區(qū)域,且通過 第四接觸孔與該第一像素電極電連接。
[0017] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,還包括第=存儲(chǔ)電極,具有與該公共電極線在該第二像 素電極覆蓋區(qū)域重疊線段及第=延伸部,該第=延伸部與該第=漏極都通過該第=接觸孔 與該第二像素電極電連接;第四存儲(chǔ)電極,具有與該公共電極線在該第一像素電極覆蓋區(qū) 域重疊線段及第四延伸部,該第四延伸部與該第四漏極都通過該第四接觸孔與該第一像素 電極電連接。
[0018] 為達(dá)上述或其它目的,本發(fā)明另一實(shí)施例還提出了一種多域垂直配向型液晶的像 素結(jié)構(gòu),包括;一第一基板;多個(gè)像素單元,配置于該第一基板上;一掃描線和兩平行數(shù)據(jù) 線,彼此交叉在該第一基板限定一該像素單元為第五區(qū)域、第六區(qū)域、第走區(qū)域、第八區(qū)域、 第九區(qū)域、第十區(qū)域;兩公共電極線,與該數(shù)據(jù)線平行且用于限定一該像素單元的邊界;第 =像素電極,覆蓋該第五、六、走像素區(qū)域;第四像素電極,覆蓋該第八、九、十像素區(qū)域;一 第四有源器件和一第五有源器件,配置在該掃描線與一該數(shù)據(jù)線交叉區(qū)域;一第六有源器 件,與一該第五有源器件并聯(lián);其中,該第五有源器件和第六有源器件并聯(lián)用于控制該第= 像素電極的電壓,該第四有源器件用于控制該第第四像素電極的電壓。
[0019] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,還包括第二基板,與該第一基板對(duì)置;垂直配向型液晶 層,夾置在該第一基板與該該第二基板之間;該第一基板、第二基板通過光配向后,該液晶 層中的液晶分子在該第五區(qū)域分別沿第五方向、第六方向排列、在該第走區(qū)域分別沿該第 五方向、該第六方向排列、在該第八區(qū)域分別沿該第五方向、該第六方向排列、在該第十區(qū) 域分別沿該第五方向、該第六方向排列,在該第六區(qū)域分別沿第=方向、第四方向排列、在 該第九區(qū)域分別沿該第S方向、該第四方向排列。
[0020] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第四有源器件,具有由該掃描線圖案形成的第S柵極, 由一該數(shù)據(jù)線圖案形成的第五源極,