專利名稱：多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達，多半受惠于半導(dǎo)體組件與顯示裝置的進步。就 顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器 已逐漸成為市場的主流。為了讓液晶顯示器有更好的顯示質(zhì)量，目前市面上已發(fā)展出了各 種廣視角的液晶顯示器，常見的例如有共平面開關(guān)模式(in-plane switching, IPS)液晶 顯示器、邊緣場開關(guān)模式(fringefield switching, FFS)液晶顯示器與多域垂直配向式 (multi-domain verticalalignment， MVA)液晶顯示器等。 就公知的多域垂直配向式液晶顯示器而言，配置于薄膜晶體管數(shù)組基板上的配向 凸起物(alignment protrusion)或狹縫(slit)可使液晶分子呈多方向排列，以得到數(shù)個 不同的配向領(lǐng)域(domain)。因此，多域垂直配向式液晶顯示器能有廣視角的效果。盡管如 此，多域垂直配向型液晶顯示器的光穿透率(transmittance)仍會隨著視角改變而有所不 同。亦即，當(dāng)使用者正視與側(cè)視顯示畫面時，多域垂直配向型液晶顯示器所顯示出的亮度會 有所不同，進而導(dǎo)致顯示畫面有色偏與色飽和度不足等現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其可有效改善色偏的現(xiàn)象。 本發(fā)明提出一種多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、多條掃描配線、多條數(shù)
據(jù)配線與多個像素單元。其中，掃描配線配置于基板上，而數(shù)據(jù)配線配置基板上方。每一像
素單元包括一第一像素電極、一第二像素電極與一雙漏極主動組件。此外，雙漏極主動組件
配置于第一像素電極與第二像素電極之間。雙漏極主動組件包括一柵極、一圖案化源極、一
第一漏極與一第二漏極，其中柵極電性連接至所對應(yīng)的掃描配線其中之一，圖案化源極電
性連接至所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線其中之一。上述的柵極、圖案化源極、第一漏極構(gòu)成一第一主動
組件，且第一主動組件的第一漏極電性連接至第一像素電極。另外，上述的柵極、圖案化源
極與第二漏極構(gòu)成一第二主動組件，第二主動組件的第二漏極延伸至基板與第二像素電極之間。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二漏極與第二像素電極電性連接。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二漏極與第二像素電極電容耦合。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)更包括一第三像素電
極，配置于第一像素電極與第二像素電極之間，且第一像素電極與第三像素電極共同連接
至第一漏極。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化源極具有一 U形凹口 。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化源極、第一漏極與第二漏極位于柵極上方， 且第一漏極配置于圖案化源極的U形凹口內(nèi)，且部分的圖案化源極對應(yīng)于第一漏極與第二漏極之間。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一像素電極具有多個狹縫。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二像素電極具有多個狹縫。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第三像素電極具有多個狹縫。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，更包括一共享配線，配 置于基板上。 本發(fā)明的雙漏極主動組件是由第一主動組件與第二主動組件所構(gòu)成，第一主動組 件與第一像素電極電性連接，且第二主動組件的第二漏極延伸至基板與第二像素電極之 間，以與第二像素電極電性連接或電容耦合。因此，本發(fā)明的第一像素電極與第二像素電極 在充電后可以具有不同的電壓。這可使對應(yīng)至第一像素電極與第二像素電極的液晶分別受 不同的電壓驅(qū)動，進而能使液晶能劃分出更多方向的領(lǐng)域。如此一來，本發(fā)明的多域垂直配 向型像素結(jié)構(gòu)可以有效改善色偏的現(xiàn)象。


圖1是本發(fā)明第一實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖2是本發(fā)明第二實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖3是本發(fā)明第三實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖4是本發(fā)明第四實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖5是本發(fā)明第四實施例的另一多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖6是本發(fā)明第五實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖7是本發(fā)明第五實施例的另一多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附
圖式，作詳細(xì)說明如下。
具體實施方式

第一實施例 圖1是本發(fā)明第一實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。請參考圖l，本發(fā) 明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)(multi-domain vertical alignment pixelst潔ture) 100 包括一基板110、多條掃描配線112、多條數(shù)據(jù)配線114與多個像素單元120。為了圖示的簡 明，圖1僅繪示出一個像素單元120，以供說明。本發(fā)明的掃描配線112與數(shù)據(jù)配線114皆 配置于基板110上，而像素單元120主要包括一第一像素電極122、一第二像素電極124與 一雙漏極主動組件126。 由圖1可知，本發(fā)明的第一像素電極122與第二像素電極124具有多個狹縫S， 因而可將對應(yīng)第一像素電極122與第二像素電極124的液晶(未繪示)劃分出多個領(lǐng)域 (domain)。當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)知第一像素電極122與第二像素電極 124也可以藉由多個配向凸起物(alignmentprotrusion)來達成劃分領(lǐng)域的目的，在此并 不加以局限。值得注意的是，雙漏極主動組件126配置于第一像素電極122與第二像素電 極124之間。雙漏極主動組件126的配置位置，可以視實際需要而隨第一像素電極122與 第二像素電極124的面積比例而作適當(dāng)調(diào)整。
具體而言，本發(fā)明的雙漏極主動組件126主要包括一柵極126a、一圖案化源極 126b、一第一漏極126c、一第二漏極126d以及一半導(dǎo)體層126e。其中，柵極126a配置于基 板110上。 一般而言，柵極126a會受一閘絕緣層(未繪示)覆蓋。此外，半導(dǎo)體層126e配 置于柵極126a上方的閘絕緣層上，而圖案化源極126b、第一漏極126c、第二漏極126d則分 別配置于半導(dǎo)體層126e上。 實務(wù)上，柵極126a電性連接至所對應(yīng)的掃描配線112其中之一，圖案化源極126b 電性連接至所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線114其中之一。柵極126a可以是掃描配線112的一部分，而 圖案化源極126b可以是藉由數(shù)據(jù)配線114向外延伸而成。特別的是，上述的柵極126a、圖 案化源極126b與第一漏極126c可構(gòu)成一第一主動組件Tl，而柵極126a、圖案化源極126b 與第二漏極126d可構(gòu)成一第二主動組件T2。由圖1可知，第一主動組件T1的第一漏極 126c可以藉由接觸窗開口 Cl而電性連接至第一像素電極122，而第二主動組件T2的第二 漏極126d延伸至基板110與第二像素電極124之間。 這里要說明的是，圖1所示的第二漏極126d可以藉由接觸窗開口 C2，而與第二像 素電極124電性連接。當(dāng)然，第二主動組件T2的第二漏極126d可以藉由延伸至基板110與 第二像素電極124之間，而與第二像素電極124電容耦合，在此并不加以局限。具體而言， 本發(fā)明的第一像素電極122與第二像素電極124分別透過第一主動組件Tl與第二主動組 件T2充電后，可以具有不同的電壓。這可使對應(yīng)至第一像素電極122與第二像素電極124 的液晶分別受到不同電壓的驅(qū)動，以使分別對應(yīng)第一像素電極122與第二像素電極124的 液晶能具有相異程度的傾倒?fàn)顟B(tài)。換言之，液晶能劃分出更多方向的領(lǐng)域。
舉例來說，如圖1所示的第一像素電極122可以將液晶劃分出四種領(lǐng)域，而第二像 素電極124同樣也可將液晶劃分出四種領(lǐng)域。由于第一像素電極122與第二像素電極124 具有不同的電壓，因此第一像素電極122所劃分出四種領(lǐng)域內(nèi)的液晶傾倒程度會與第二像 素電極124所劃分出四種領(lǐng)域內(nèi)的液晶傾倒程度不同。換言之，本發(fā)明的多域垂直配向型 像素結(jié)構(gòu)100可以劃分出8種領(lǐng)域。如此一來，本發(fā)明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)100可 以有效改善色偏的現(xiàn)象，進而提升顯示畫面的質(zhì)量。 特別的是，本發(fā)明的圖案化源極126b具有一 U形凹口 A，且第一漏極126c配置于 圖案化源極126b的U形凹口 A內(nèi)，第二漏極126d配置于圖案化源極126b的U形凹口 A外。 由于第一漏極126c與第二漏極126d共同對應(yīng)至圖案化源極126b的相同部分(圖案化源 極126b的短邊)，因此可有效減小柵極_源極寄生電容(gate-source capacitor, Cgs)與 柵極_漏極寄生電容(gate-d:rainc即Eicitor， Cgd)。 本發(fā)明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)IOO更可以包括一第三像素電極128，其可具 有多個狹縫S。如圖1所示，本發(fā)明的第三像素電極128配置于第一像素電極122與第二 像素電極124之間。此外，第三像素電極128可以藉由接觸窗開口 C3，而與第一主動組件 Tl的第一漏極126c電性連接。其中，第一像素電極122、第二像素電極124與第三像素電 極128的面積大小，可以視實際需要而作適當(dāng)調(diào)整，在此并不加以局限。 一般而言，本發(fā)明 的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)100更可以包括一共享配線(common line) 123，其配置于基板 110上。實務(wù)上，共享配線123會與一參考電壓源電性連接。
第二實施例 圖2是本發(fā)明第二實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。請參考圖2，本發(fā)明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)200與第一實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)IOO類似，兩 者主要不同之處在于第二漏極126d與圖案化源極126b的相對位置。詳細(xì)地說，本實施例 的第一漏極126c與第二漏極126d共同對應(yīng)至圖案化源極126b的長邊。
第三實施例 圖3是本發(fā)明第三實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。請參考圖3，本發(fā) 明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)300與第二實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)200類似，兩 者主要不同之處在于本實施例的圖案化源極126b的圖案設(shè)計。詳細(xì)地說，本實施例的第 一漏極126c與第二漏極126d共同對應(yīng)圖案化源極126b的長邊。
第四實施例 圖4是本發(fā)明第四實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。請參考圖4，本發(fā) 明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)400與第一實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)IOO類似，兩 者主要不同之處在于本實施例的圖案化源極126b的圖案設(shè)計類似S字形。詳細(xì)地說，本 實施例的第一漏極126c與第二漏極126d共同對應(yīng)S字形的圖案化源極126b的短邊。圖 5是本發(fā)明第四實施例的另一多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。本實施例的圖案化源極 126b、第一漏極126c與第二漏極126d的設(shè)計也可以如圖5所示。
第五實施例 圖6是本發(fā)明第五實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。請參考圖6，本發(fā) 明的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)600與第一實施例的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)IOO類似，兩 者主要不同之處在于本實施例的圖案化源極126b的圖案設(shè)計類似E字形。詳細(xì)地說，本 實施例的第一漏極126c與第二漏極126d共同對應(yīng)E字形的圖案化源極126b的長邊。圖 7是本發(fā)明第五實施例的另一多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)的上視圖。本實施例的圖案化源極 126b、第一漏極126c與第二漏極126d的設(shè)計也可以如圖7所示。 綜上所述，本發(fā)明的雙漏極主動組件是由第一主動組件與第二主動組件所構(gòu)成，
且第一主動組件與第一像素電極電性連接。第二主動組件的第二漏極延伸至基板與第二像
素電極之間，以與第二像素電極電性連接或電容耦合。因此，本發(fā)明的第一像素電極與第二
像素電極充電后可以具有不同的電壓。這可使對應(yīng)至第一像素電極與第二像素電極的液晶
分別受不同的電壓驅(qū)動，進而造成液晶能劃分出更多方向的領(lǐng)域。如此一來，本發(fā)明的多域
垂直配向型像素結(jié)構(gòu)可有效改善顯示畫面有色偏的現(xiàn)象。此外，本發(fā)明的雙漏極主動組件
可以設(shè)計成不同的形狀，以有效降低柵極_源極寄生電容與柵極_漏極寄生電容。 雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)
領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此
本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；多條掃描配線；多條數(shù)據(jù)配線，與該些掃描配線交叉配置于該基板上；多個像素單元，配置于該基板上，每一像素單元包括一第一像素電極；一第二像素電極；以及一雙漏極主動組件，配置于該第一像素電極與該第二像素電極之間，該雙漏極主動組件包括一柵極、一圖案化源極、一第一漏極與一第二漏極，其中該柵極電性連接至所對應(yīng)的該些掃描配線其中之一，該圖案化源極電性連接至所對應(yīng)的該些數(shù)據(jù)配線其中之一，而該柵極、該圖案化源極、該第一漏極構(gòu)成一第一主動組件，且該第一主動組件的第一漏極電性連接至該第一像素電極，而該柵極、該圖案化源極與該第二漏極構(gòu)成一第二主動組件，該第二主動組件的第二漏極延伸至該基板與該第二像素電極之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二漏極與該第二 像素電極電性連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二漏極與該第二 像素電極電容耦合。
4. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第三像素電 極，配置于該第一像素電極與該第二像素電極之間，且該第一像素電極與該第三像素電極 共同連接至該第一漏極。
5. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化源極具有一U 形凹口。
6. 如權(quán)利要求5所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化源極、該第一 漏極與該第二漏極位于該柵極上方，且該第一漏極配置于該圖案化源極的U形凹口內(nèi)，且 部分該圖案化源極對應(yīng)于該第一漏極與該第二漏極之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一像素電極具有 多個狹縫。
8. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二像素電極具有 多個狹縫。
9. 如權(quán)利要求4所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三像素電極具有 多個狹縫。
10. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一共享配線， 配置于該基板上。
全文摘要
一種多域垂直配向型像素結(jié)構(gòu)包括一基板、多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線與多個像素單元。其中，掃描配線與數(shù)據(jù)配線配置于基板上。每一像素單元包括一第一像素電極、一第二像素電極與一雙漏極主動組件。此外，雙漏極主動組件配置于第一像素電極與第二像素電極之間。雙漏極主動組件包括一柵極、一圖案化源極、一第一漏極與一第二漏極。其中，柵極電性連接至掃描配線，圖案化源極電性連接至數(shù)據(jù)配線。上述的第一漏極電性連接至第一像素電極。另外，上述的第二漏極延伸至基板與第二像素電極之間。
文檔編號G02F1/13GK101726937SQ20081020109
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月13日
發(fā)明者張月泙, 戴孟杰, 柳智忠, 王明宗 申請人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司