顯示裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin-FilmTechnology Liquid Crystal DisplayTFT-1XD，TFT)以其低功耗低輻射的特點(diǎn)，在平板顯示器市場(chǎng)上占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]如圖1所示，為一種典型的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，形成在基底11 (圖中未示出)上的柵極掃描線12和數(shù)據(jù)線13共同限定了陣列基板的亞像素單元，在每一個(gè)亞像素單元的左側(cè)下方形成有一個(gè)TFT晶體管14，該TFT晶體管的柵極g連接?xùn)艠O掃描線12，源極s連接數(shù)據(jù)線13，漏極d連接像素電極15，在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)顯示時(shí)，在每一幀內(nèi)，依次在每一行柵極掃描線12施加掃描信號(hào)使該行柵極掃描線12所連接的TFT晶體管14導(dǎo)通，從而使施加在數(shù)據(jù)線13上的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)TFT晶體管14寫入到該行的各個(gè)像素電極15中。
[0004]在圖1中所述的陣列基板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的過(guò)程中，為了在每一幀內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)各行亞像素單元的充分充電，需要保證每一行亞像素單元的充電時(shí)間，這樣就會(huì)造成一幀時(shí)間較長(zhǎng)，不利于顯不畫面刷新頻率的提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種能夠提升顯示畫面刷新頻率的顯示裝置。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括:陣列基板、磁控背板以及設(shè)置在陣列基板和磁控背板之間的背光源；
[0007]所述陣列基板包括基底以及形成在基底上的巨磁電阻圖形、像素電極圖形和數(shù)據(jù)線圖形；所述巨磁電阻圖形中的每一個(gè)巨磁電阻塊的一端連接對(duì)應(yīng)像素的像素電極，另一端連接數(shù)據(jù)線圖形中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線；
[0008]所述磁控背板包括底板和形成在所述底板朝向所述陣列基板的一面上的多個(gè)電磁回路；所述多個(gè)電磁回路中的各個(gè)電磁回路的位置與各個(gè)像素--對(duì)應(yīng)，適于根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)電流產(chǎn)生相應(yīng)的磁場(chǎng)，以控制對(duì)應(yīng)像素的巨磁電阻塊的電阻。
[0009]可選的，所述磁控背板還包括形成在所述底板朝向所述陣列基板的一面上的磁場(chǎng)屏蔽墻圖形；所述磁場(chǎng)屏蔽墻圖形中的磁場(chǎng)屏蔽墻形成在各個(gè)電磁回路之間，用于使各個(gè)電磁回路所產(chǎn)生的磁場(chǎng)互不干擾。
[0010]可選的，所述磁控背板還包括形成在所述底板背離所述陣列基板的一面上的磁場(chǎng)屏蔽層；和/或，所述陣列基板還包括形成在所述數(shù)據(jù)線圖形和所述像素電極圖形之上的磁場(chǎng)屏蔽層。
[0011]可選的，所述裝置還包括:
[0012]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，與所述磁控背板相連，用于在數(shù)據(jù)電壓寫入階段根據(jù)接收到的像素?cái)?shù)據(jù)產(chǎn)生各個(gè)電磁回路對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電流，并輸入到對(duì)應(yīng)的電磁回路中；
[0013]數(shù)據(jù)線控制電路，與所述數(shù)據(jù)線圖形中的各個(gè)數(shù)據(jù)線相連，用于在數(shù)據(jù)電壓寫入階段在數(shù)據(jù)線圖形中的各條數(shù)據(jù)線施加相同的充電電壓。
[0014]可選的，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，還用于在數(shù)據(jù)電壓寫入階段之前的復(fù)位階段針對(duì)各個(gè)電磁回路產(chǎn)生相同的數(shù)據(jù)電流，并輸入到對(duì)應(yīng)的電磁回路中；
[0015]所述數(shù)據(jù)線控制電路還用于在復(fù)位階段在數(shù)據(jù)線圖形中的各條數(shù)據(jù)線上施加相同的復(fù)位電壓。
[0016]第二方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置的制造方法，包括:制作磁控背板和制作陣列基板；
[0017]在所述磁控背板之間和陣列基板之前設(shè)置背光源；
[0018]其中，制作所述陣列基板的步驟包括:在基底上形成數(shù)據(jù)線圖形、像素電極圖形和數(shù)據(jù)線圖形；其中，所述巨磁電阻圖形中的每一個(gè)巨磁電阻塊的一端連接對(duì)應(yīng)像素的像素電極，另一端連接數(shù)據(jù)線圖形中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線；
[0019]制作所述磁控背板的步驟包括:在底板朝向所述陣列基板的一面上形成多個(gè)電磁回路；所述多個(gè)電磁回路中的各個(gè)電磁回路的位置與各個(gè)像素一一對(duì)應(yīng)，適于根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)電流產(chǎn)生相應(yīng)的磁場(chǎng)，以控制對(duì)應(yīng)像素的巨磁電阻塊的電阻。
[0020]可選的，制作所述磁控背板的步驟還包括:
[0021]在所述底板朝向所述陣列基板的一面上形成磁場(chǎng)屏蔽墻圖形；所述磁場(chǎng)屏蔽墻圖形中的磁場(chǎng)屏蔽墻形成在各個(gè)電磁回路之間，用于使各個(gè)電磁回路所產(chǎn)生的磁場(chǎng)互不干擾。
[0022]可選的，制作所述磁控背板的步驟還包括:形成在所述底板背離所述陣列基板的一面上的磁場(chǎng)屏蔽層；在所述數(shù)據(jù)線圖形和所述像素電極圖形之上形成磁場(chǎng)屏蔽層。
[0023]可選的，所述方法還包括:
[0024]提供一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路和一個(gè)數(shù)據(jù)線控制電路，并將所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路連接到所述磁控背板上，將所述數(shù)據(jù)線控制電路連接與數(shù)據(jù)線圖形中的各條數(shù)據(jù)線相連；其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用于在數(shù)據(jù)電壓寫入階段根據(jù)接收到的像素?cái)?shù)據(jù)產(chǎn)生各個(gè)電磁回路對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電流，并輸入到對(duì)應(yīng)的電磁回路中；數(shù)據(jù)線控制電路，與所述數(shù)據(jù)線圖形中的各個(gè)數(shù)據(jù)線相連，用于在數(shù)據(jù)電壓寫入階段在數(shù)據(jù)線圖形中的各條數(shù)據(jù)線施加相同的充電電壓。
[0025]可選的，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，還用于在數(shù)據(jù)電壓寫入階段之前的復(fù)位階段針對(duì)各個(gè)電磁回路產(chǎn)生相同的數(shù)據(jù)電流，并輸入到對(duì)應(yīng)的電磁回路中；
[0026]所述數(shù)據(jù)線控制電路還用于在復(fù)位階段在數(shù)據(jù)線圖形中的各條數(shù)據(jù)線上施加相同的復(fù)位電壓。
[0027]本發(fā)明提供的顯示裝置中，可以使用位于背光源之后的磁控背板控制各個(gè)巨磁電阻塊的電阻，以控制經(jīng)巨磁電阻塊流向相應(yīng)的像素電極的電流的大小，從而控制向像素電極內(nèi)寫入的數(shù)據(jù)電壓的大小，實(shí)現(xiàn)發(fā)光控制。本發(fā)明中，可以同時(shí)對(duì)各行亞像素進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入，與現(xiàn)有技術(shù)中逐行進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入的方式相比，能夠大幅降低對(duì)各行亞像素進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入的總時(shí)間，有利于顯示畫面刷新頻率的提升。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為圖2中的陣列基板的在部分顯示區(qū)域的俯視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他的實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]磁性金屬和合金一般都有磁電阻現(xiàn)象，所謂磁電阻是指在一定磁場(chǎng)下電阻改變的現(xiàn)象，人們把這種現(xiàn)象稱為磁電阻，在隧道結(jié)的磁電阻結(jié)構(gòu)中，磁電阻效應(yīng)可以達(dá)到100 %甚至更多。所謂巨磁電阻就是指在一定的磁場(chǎng)下電阻急劇減小，一般減小的幅度比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻數(shù)值約高10余倍。1988年法國(guó)巴黎大學(xué)的肯特教授研宄小組首先在鐵/鉻(Fe/Cr)多層膜中發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng)，在國(guó)際上引起了很大的反響。20世紀(jì)90年代，人們?cè)阼F/銅(Fe/Cu)，鐵/鋁(Fe/Al)，鐵/金(Fe/Au)，鈷/銅(Co/Cu)，鈷/銀(Co/Ag)和鈷/金(Co/Au)等納米結(jié)構(gòu)的多層膜中觀察到了顯著的巨磁電阻效應(yīng)。
[0033]除了電荷以外，電子還有一個(gè)被稱為“自旋”的固有秉性，即均勻帶電球體繞某一軸向旋轉(zhuǎn)。球體上任意一點(diǎn)的旋轉(zhuǎn)軌跡是一個(gè)圓，圓所在的平面垂直于旋轉(zhuǎn)軸。如果將電子看成是均勻帶電的球體，則球體旋轉(zhuǎn)時(shí)相當(dāng)于電