分到另一塊掩膜版上，作為該掩膜版的子圖案，參見圖3A中的子圖案320。雖然在圖示實(shí)施例中將圖案密集區(qū)200內(nèi)的相鄰的圖案特征拆分為形成在兩塊掩膜版上的子圖案310和320，但是本發(fā)明并不限于此。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，還可以具有其它拆分方式，只要能夠便于在后續(xù)的光刻和刻蝕工藝中將它們分別轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底上形成目標(biāo)圖案即可。
[0026]返回參照?qǐng)D1，執(zhí)行步驟103，在多個(gè)子圖案的周圍分別設(shè)置自由區(qū)。
[0027]參見圖3B，在子圖案310和320的周圍分別設(shè)置自由區(qū)330。該自由區(qū)330在隨后的OPC修正過(guò)程中，修正圖形是不允許進(jìn)入該區(qū)域的。自由區(qū)330可以設(shè)置在每個(gè)子圖案310和320的周圍，以防止最終形成在半導(dǎo)體襯底上的目標(biāo)圖案出現(xiàn)重疊。優(yōu)選地，自由區(qū)330可以位于圖案密集區(qū)內(nèi)的相鄰圖案特征之間的空間內(nèi)。參見圖2，可以位于圖案特征230與圖案特征210、220和240之間的空間內(nèi)。本發(fā)明主要的目的在于防止形成在半導(dǎo)體襯底上的目標(biāo)圖案中的相鄰的圖案發(fā)生重疊，于是自由區(qū)330可以主要位于圖案密集區(qū)內(nèi)的相鄰圖案特征之間的空間內(nèi)，以便減少對(duì)OPC過(guò)程過(guò)多的限制。在圖3B示出實(shí)施例中，自由區(qū)330可以位于子圖案310和320之間的空間內(nèi)。其原因主要在于在拆分圖案的步驟已經(jīng)將圖案特征210、220和240拆分到一塊掩膜版上，且將圖案特征230拆分的另一塊掩膜版上。當(dāng)然，在采用其它拆分方式時(shí)，自由區(qū)也可以具有其它的設(shè)置方式。
[0028]該自由區(qū)的設(shè)置為后續(xù)的光刻和刻蝕工藝，主要是多塊掩膜版的分別光刻提供工藝窗口。因此，自由區(qū)設(shè)置為使得圖案密集區(qū)200 (圖2)經(jīng)光刻后形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的圖案(目標(biāo)圖案)不重疊。
[0029]優(yōu)選地，多個(gè)掩膜版上的用于形成相鄰圖案特征的自由區(qū)是相同的。參見圖3B，自由區(qū)330可以為能夠提供上述工藝窗口的最小區(qū)域，在具有子圖案310的掩膜版上可以具有自由區(qū)330，且在具有子圖案320的掩膜版上也具有自由區(qū)330，且位于兩塊掩膜版上的自由區(qū)330是相同的。此處的相同是指自由區(qū)330在兩塊掩膜版上的位置、尺寸和形狀均相同。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，多塊掩膜版(例如兩塊掩膜版)上的自由區(qū)也可以是不同的，只要多塊掩膜版的自由區(qū)疊放后所形成的重疊區(qū)域?yàn)槟軌蛱峁┥鲜龉に嚧翱诘淖钚^(qū)域即可。作為示例，具有子圖案310的掩膜版上可以具有大于自由區(qū)330的自由區(qū)，且具有子圖案320的掩膜版上也具有自由區(qū)330的自由區(qū)。
[0030]自由區(qū)330的確定與諸多因素有關(guān)，用于確定自由區(qū)330的條件包括圖案密集區(qū)200的圖案尺寸、圖案間隔和圖案形狀，因此自由區(qū)330 (包括自由區(qū)330的尺寸、形狀和位置)需要根據(jù)圖案密集區(qū)200的圖案尺寸、圖案間隔和圖案形狀等來(lái)確定。進(jìn)一步，申請(qǐng)人還發(fā)現(xiàn)，自由區(qū)330的設(shè)置還與光刻和刻蝕工藝有關(guān)，包括光刻機(jī)的條件、刻蝕工藝的刻蝕率等等，因此用于確定自由區(qū)330的條件還包括光刻和刻蝕的工藝。
[0031]在確定自由區(qū)330之后，繼續(xù)參照?qǐng)D1，執(zhí)行步驟104，對(duì)具有自由區(qū)的多個(gè)子圖案分別進(jìn)行光學(xué)臨近修正，且在光學(xué)臨近修正過(guò)程中不進(jìn)入自由區(qū)。
[0032]參見圖3B-3C，分別對(duì)具有自由區(qū)330的子圖案310和320進(jìn)行OPC修正，修正的子圖案310’和320’會(huì)發(fā)生變形和/或放大，例如如3C中的虛線所示。在OPC修正過(guò)程中，不允許修正的子圖案310’和320’進(jìn)入自由區(qū)330。這樣能夠確保將子圖案310和320分別轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上時(shí)不會(huì)因?yàn)閳D案的漂移而使最終形成的目標(biāo)圖案發(fā)生重疊。
[0033]綜上，本發(fā)明的方法能夠提供足夠的對(duì)準(zhǔn)余量，為光刻和刻蝕工藝提供足夠的工藝窗口，進(jìn)而確保最終形成在半導(dǎo)體襯底上的相鄰圖案互相分離，避免重疊現(xiàn)象的發(fā)生。
[0034]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于多構(gòu)圖工藝的光學(xué)臨近修正方法，所述方法包括: 提供光刻圖案，所述光刻圖案具有圖案密集區(qū)； 將所述圖案密集區(qū)拆分為分別形成在多個(gè)掩膜版上的多個(gè)子圖案，其中對(duì)所述多個(gè)掩膜版分別進(jìn)行光刻和刻蝕能夠?qū)⑺鰣D案密集區(qū)轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底上； 在所述多個(gè)子圖案的周圍分別設(shè)置自由區(qū)；以及 對(duì)具有所述自由區(qū)的所述多個(gè)子圖案分別進(jìn)行光學(xué)臨近修正，且在所述光學(xué)臨近修正過(guò)程中不進(jìn)入所述自由區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述自由區(qū)設(shè)置為使得所述圖案密集區(qū)經(jīng)光刻后形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的圖案不重疊。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述自由區(qū)位于所述圖案密集區(qū)內(nèi)的相鄰圖案特征之間的空間內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)掩膜版上的用于形成所述相鄰圖案特征的自由區(qū)是相同的。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，用于確定所述自由區(qū)的條件包括所述圖案密集區(qū)的圖案尺寸、圖案間隔和圖案形狀。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，用于確定所述自由區(qū)的條件還包括所述光刻和刻蝕的工藝。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于多構(gòu)圖工藝的光學(xué)臨近修正方法。所述方法包括：提供光刻圖案，所述光刻圖案具有圖案密集區(qū)；將所述圖案密集區(qū)拆分為分別形成在多個(gè)掩膜版上的多個(gè)子圖案，其中對(duì)所述多個(gè)掩膜版分別進(jìn)行光刻和刻蝕能夠?qū)⑺鰣D案密集區(qū)轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底上；在所述多個(gè)子圖案的周圍分別設(shè)置自由區(qū)；以及對(duì)具有所述自由區(qū)的所述多個(gè)子圖案分別進(jìn)行光學(xué)臨近修正，且在所述光學(xué)臨近修正過(guò)程中不進(jìn)入所述自由區(qū)。該方法能夠提供足夠的對(duì)準(zhǔn)余量，為光刻和刻蝕工藝提供足夠的工藝窗口，進(jìn)而確保最終形成在半導(dǎo)體襯底上的相鄰圖案互相分離，避免重疊現(xiàn)象的發(fā)生。
【IPC分類】G03F1-36
【公開號(hào)】CN104749873
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310754035
【發(fā)明人】徐垚
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月31日