形成掩模板圖形的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種形成掩模板圖形的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造中，隨著設(shè)計(jì)尺寸的不斷縮小，光的衍射效應(yīng)變得越來越明顯，它的結(jié)果就是最終對(duì)設(shè)計(jì)圖形產(chǎn)生的光學(xué)影像退化，最終在硅片上經(jīng)過光刻形成的實(shí)際圖形變得和設(shè)計(jì)圖形不同，這種現(xiàn)象被稱為OPE (Optical Proximity Effect,光學(xué)鄰近效應(yīng))。
[0003]為了修正OPE 現(xiàn)象,便產(chǎn)生了 OPC (Optical Proximity Correct1n,光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)。OPC的核心思想就是基于抵消OPE現(xiàn)象的考慮建立OPC模型，根據(jù)OPC模型設(shè)計(jì)掩模板圖形，這樣雖然光刻后的光刻圖形相對(duì)應(yīng)掩模板圖形發(fā)生了 OPC現(xiàn)象，但是由于在根據(jù)OPC模型設(shè)計(jì)光掩模圖形時(shí)已經(jīng)考慮了對(duì)該現(xiàn)象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實(shí)際希望得到的目標(biāo)圖形。
[0004]然而，實(shí)際制造過程中，采用現(xiàn)有OPC模型制造出的圖形質(zhì)量仍然有待提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問題是提供一種形成掩模板圖形的方法，可有效提高后續(xù)制造的圖形質(zhì)量。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種形成掩模板圖形的方法，包括:提供原始線狀圖形，所述原始線狀圖形具有兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段，所述終端相鄰片段與原始線狀圖形的終端相鄰，并與其長(zhǎng)度方向一致，所述終端相鄰片段之間具有第一距離；修改所述原始線狀圖形，得到新的線狀圖形，所述新的線狀圖形的兩個(gè)終端相鄰片段之間的距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離；以所述新的線狀圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成掩模板圖形。
[0007]可選的，還包括:修改原始線狀圖形長(zhǎng)度方向上與所述終端相鄰片段相鄰的其他片段，使新的線狀圖形沿長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)相對(duì)片段之間的距離由終端向中間遞減。
[0008]可選的，在修改所述原始線狀圖形之前，先根據(jù)掩模板工藝極限對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷，獲取所述用戶目標(biāo)圖形中后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形；對(duì)所述后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形進(jìn)行修改，形成新的線狀圖形。
[0009]可選的，所述對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷的方法為:以所述用戶目標(biāo)圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成初始掩模板圖形，所述初始掩模板圖形具有多個(gè)子掩模圖形，所述子掩模圖形與用戶目標(biāo)圖形中的原始線狀圖形相對(duì)應(yīng)；獲取各相鄰子掩模圖形之間的距離；當(dāng)相鄰子掩模圖形之間的距離小于掩模板工藝極限時(shí)，對(duì)與該相鄰子掩模圖形相對(duì)應(yīng)的原始線狀圖形進(jìn)行標(biāo)記，被標(biāo)記的原始線狀圖形為后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形。
[0010]可選的，以O(shè)PC模型中形成的掩模板圖形為基礎(chǔ)，制作掩模板。
[0011]可選的，以具有掩模板圖形的掩模板對(duì)晶圓表面的光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成實(shí)際的光刻圖形。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0013]在獲取到原始線狀圖形后，修改原始線狀圖形的兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段之間的距離，形成新的線狀圖形，使得新的線狀圖形的兩個(gè)終端相鄰片段之間的距離增大。以所述新的線狀圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成的掩模板圖形中，其與原始線狀圖形的終端相鄰片段相對(duì)應(yīng)的邊之間的距離增大，而與原始線狀圖形的終端相對(duì)應(yīng)的邊之間的距離可進(jìn)一步縮小，從而可有效減小甚至消除掩模板工藝極限對(duì)制造圖形質(zhì)量的影響，后續(xù)可制造出質(zhì)量更高的光刻圖形。
[0014]進(jìn)一步地，在修改所述原始線狀圖形之前，先根據(jù)掩模板工藝極限對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷，獲取所述用戶目標(biāo)圖形中后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形；后續(xù)僅對(duì)所述后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形進(jìn)行修改，形成新的線狀圖形，可在保證制造出的光刻圖形的質(zhì)量的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提高工作效率。
【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的掩模板上的掩模板圖形示意圖；
[0016]圖2是采用現(xiàn)有技術(shù)制造出的圖形與用戶目標(biāo)圖形之間的對(duì)比示意圖；
[0017]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的形成掩模板圖形的方法的流程示意圖；
[0018]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的用戶目標(biāo)圖形的示意圖；
[0019]圖5是掩模板圖形與用戶目標(biāo)圖形中的原始線狀圖形之間的關(guān)系示意圖；
[0020]圖6是本發(fā)明實(shí)施例形成的新的線狀圖形與原始線狀圖形之間的對(duì)比示意圖；
[0021]圖7是本發(fā)明實(shí)施例形成的掩模板圖形與新的線狀圖形、原始線狀圖形之間的示意圖；
[0022]圖8是本發(fā)明實(shí)施例制造出的圖形與用戶目標(biāo)圖形之間的對(duì)比示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有技術(shù)的OPC模型制造出的圖形質(zhì)量仍然有待提高。
[0024]經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，隨著高工藝節(jié)點(diǎn)的出現(xiàn)，形成掩模板圖形的過程中，受到的限制因素越來越多，最主要的限制因素有:設(shè)計(jì)規(guī)則(Design Rule)，例如，相鄰圖形之間的最小距離，圖形的最小線寬等；掩模板工藝極限(Mask Writing)，即對(duì)應(yīng)工藝節(jié)點(diǎn)下掩模板上圖形之間所允許的最小距離，例如，掩模板工藝極限為0.0175mm，若設(shè)計(jì)出的掩模板圖形中相鄰圖形之間的距離小于0.0175mm，則又可能導(dǎo)致掩模板上該處的兩個(gè)圖形連成一體。因此，現(xiàn)有技術(shù)在根據(jù)目標(biāo)圖形形成掩模板圖形時(shí)，除了需要考慮對(duì)應(yīng)的光刻工藝參數(shù)外，還需要考慮設(shè)計(jì)規(guī)則、掩模板工藝極限等因素的影響。
[0025]經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，在采用OPC模型形成掩模板圖形時(shí)，存在如圖1中虛線處的情況:為滿足掩模板工藝極限的要求，形成的掩模板圖形中第一線狀圖形10與第二線狀圖形11之間的距離D最小只能設(shè)計(jì)與掩模板工藝極限相同，例如，第一線狀圖形10與第二線狀圖形11之間的距離D最小只能設(shè)計(jì)成0.0175mm。前述做法隨之帶來的問題請(qǐng)參考圖2，為了使第一線狀圖形10與第二線狀圖形11之間的距離D滿足掩模板工藝極限的要求，間接的縮短了用戶目標(biāo)圖形(虛線所示)的長(zhǎng)度，因此，后續(xù)采用前述掩模板圖形制作掩模板，采用所述掩模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，后續(xù)實(shí)際形成的實(shí)際圖形(實(shí)線所示)的長(zhǎng)度則與用戶目標(biāo)圖形的長(zhǎng)度不同，第一實(shí)際圖形30與第一用戶目標(biāo)圖形20之間的長(zhǎng)度至少相差L1，第二實(shí)際圖形31與第二用戶目標(biāo)圖形21之間的長(zhǎng)度至少相差L2，影響后續(xù)制造出的圖形質(zhì)量。
[0026]經(jīng)過進(jìn)一步研究，提供了一種新的形成掩模板圖形的方法，為了防止出現(xiàn)上述情況，在利用OPC模型中形成掩模板圖形前，先對(duì)用戶目標(biāo)圖形中的線狀圖形進(jìn)行修改，增大靠近線狀圖形終端處的兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段之間的距離。此種方法形成掩模板圖形，其形成方法簡(jiǎn)單，且后續(xù)制造出的圖形的質(zhì)量好。
[0027]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0028]請(qǐng)參考圖3，本發(fā)明實(shí)施例的形成掩模板圖形的方法，包括:
[0029]步驟S101，提供原始線狀圖形，所述原始線狀圖形具有兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段，所述終端相鄰片段位于原始線狀圖形的終端，并與其長(zhǎng)度方向一致，所述終端相鄰片段之間具有第一距離；
[0030]步驟S102，修改所述原始線狀圖形，得到新的線狀圖形，所述新的線狀圖形的兩個(gè)終端相鄰片段之間的距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離；
[0031]步驟S103，以所述新的線狀圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成掩模板圖形。
[0032]具體地，請(qǐng)結(jié)合參考圖4，提供用戶目標(biāo)圖形200，所述用戶目標(biāo)圖形200中包括多個(gè)原始線狀圖形(line) 201，每一原始線狀圖形201具有兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段(line-end adjacent) 201a,所述終端相鄰片段201a與原始線狀圖形的終端(line-end)201b相鄰，并與其長(zhǎng)度方向一致，所述終端相鄰片段201a之間具有第一距離Diq
[0033]如前文所述，現(xiàn)有技術(shù)受掩模板工藝極限的限制，后續(xù)制造出的圖形質(zhì)量有待提高。通過研究發(fā)現(xiàn)，上述掩模板工藝極限的情況通常出現(xiàn)在掩模板圖形中與原始線狀圖形201的終端201b對(duì)應(yīng)處。
[0034]經(jīng)過反復(fù)研究發(fā)現(xiàn)，在實(shí)際制造過程中，對(duì)于不同形狀的掩模板圖形，通過控制適當(dāng)?shù)墓庹諈?shù)，例如曝光時(shí)的能量等，均可以形成同一光刻圖形。例如，請(qǐng)參考圖5，提供第一掩模板圖形310和第