二掩模板圖形320,其中,第一掩模板圖形310靠近其終端的第一子邊310a之間的距離為X1，位于中間部分的第二子邊310b之間的距離為X2 ;第二掩模板圖形320靠近其終端的第一子邊320a之間的距離為Y1, Y1大于X1，位于中間部分的第二子邊320b之間的距離為Y2，Y2小于X2。通過(guò)控制曝光時(shí)的能量，采用具有第一掩模板圖形310或者第二掩模板圖形320的掩模板，后續(xù)均可在晶圓上形成光刻圖形300。
[0035]通過(guò)進(jìn)一步分析，本發(fā)明的實(shí)施例中對(duì)用戶目標(biāo)圖形200進(jìn)行修改，增大靠近線狀圖形終端201b處的兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段201a之間的距離，可形成具有類似第二掩模板圖形320的掩模板圖形，以使后續(xù)制造出的圖形的質(zhì)量好。
[0036]本發(fā)明的實(shí)施例中，為進(jìn)一步提高后續(xù)形成在晶圓上的圖形的質(zhì)量，每一個(gè)原始線狀圖形201被等分成多個(gè)片段，即每一個(gè)片段的長(zhǎng)度相等。
[0037]請(qǐng)參考圖6，圖6示出了圖4中的一個(gè)原始線狀圖形201，以該原始線狀圖形201為例進(jìn)行示范性說(shuō)明。修改所述原始線狀圖形201，得到新的線狀圖形202，所述新的線狀圖形202的兩個(gè)終端相鄰片段202a之間的距離為第二距離D2，所述第二距離D2大于第一距離Dp
[0038]所述新的線狀圖形202用于后續(xù)作為設(shè)計(jì)掩膜圖形的基礎(chǔ)。本發(fā)明的實(shí)施例中，在獲取到用戶目標(biāo)圖形200 (如圖4所示)后，可以對(duì)用戶目標(biāo)圖形200中所有的原始線狀圖形201進(jìn)行修改，形成與上述各原始線狀圖形201相對(duì)應(yīng)的新的線狀圖形202。所述新的線狀圖形202與原始線狀圖形201相比，新的線狀圖形202兩個(gè)終端相鄰片段202a之間的距離增大，終端202b的長(zhǎng)度增加，形成如圖6中虛線所示的形狀。
[0039]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以包括:修改原始線狀圖形201長(zhǎng)度方向上與所述終端相鄰片段202a相鄰的其他片段，使新的線狀圖形201沿長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)相對(duì)片段之間的距離由終端向中間遞減，以進(jìn)一步提高后續(xù)形成的掩模板上的圖形質(zhì)量和制造出的光刻圖形的質(zhì)量。
[0040]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以:修改所述原始線狀圖形之前，先根據(jù)掩模板工藝極限對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷，獲取后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形；對(duì)所述后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形進(jìn)行修改，形成新的線狀圖形。其中，對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷的方法為:以所述用戶目標(biāo)圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成初始掩模板圖形，所述初始掩模板圖形具有多個(gè)子掩模圖形，所述子掩模圖形與用戶目標(biāo)圖形中的原始線狀圖形相對(duì)應(yīng)；獲取各相鄰子掩模圖形之間的距離；當(dāng)相鄰子掩模圖形之間的距離小于掩模板工藝極限時(shí)，對(duì)與該相鄰子掩模圖形相對(duì)應(yīng)的原始線狀圖形進(jìn)行標(biāo)記，被標(biāo)記的原始線狀圖形為后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形。
[0041]需要說(shuō)明的是，在形成所述初始掩模板圖形時(shí)，不考慮掩模板工藝極限的因素。
[0042]請(qǐng)參考圖7，以所述新的線狀圖形202為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成掩模板圖形400。
[0043]在OPC模型中形成掩模板圖形400的方法包括:獲取所述新的線狀圖形202 ;輸入相關(guān)工藝參數(shù)至OPC模型中，形成掩模板圖形400。由于在OPC模型中形成掩模板圖形400的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
[0044]本發(fā)明的實(shí)施例中，由于新的線狀圖形202已經(jīng)在原始線狀圖形201的基礎(chǔ)上進(jìn)行了修改，其終端相鄰片段之間的距離已增大。即對(duì)作為形成掩模板圖形基礎(chǔ)的圖形的終端的寬度(垂直于其長(zhǎng)度方向的尺寸)進(jìn)行了增大。因此，同等條件下，相比于現(xiàn)有技術(shù)的方法，以新的線狀圖形202為基礎(chǔ)，通過(guò)OPC模型形成的掩模板圖形400具有更寬的終端，即掩模板圖形400中與原始線狀圖形的終端相鄰片段201a相對(duì)應(yīng)的邊401之間的距離D3增大。結(jié)合前文的描述可知，掩模板圖形400中與原始線狀圖形的終端201b相對(duì)應(yīng)的邊402之間的距離D4可進(jìn)一步縮小，從而可有效減小甚至消除掩模板工藝極限對(duì)制造圖形質(zhì)量的影響。
[0045]請(qǐng)參考圖8，以具有掩模板圖形400 (如圖7所示)的掩模板對(duì)晶圓表面的光刻膠層進(jìn)行曝光，顯影，形成實(shí)際的光刻圖形500。其中，圖8中虛線所示為用戶目標(biāo)圖形中的原始線狀圖形201。由圖8可知，本發(fā)明實(shí)施例的方法形成的實(shí)際的光刻圖形500與用戶目標(biāo)圖形中的原始線狀圖形201的長(zhǎng)度相同，明顯不同于圖2中的情形，即提高了 OPC模型制造出的圖形質(zhì)量。
[0046]綜上，在獲取到原始線狀圖形后，修改原始線狀圖形的兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段之間的距離，形成新的線狀圖形，使得新的線狀圖形的兩個(gè)終端相鄰片段之間的距離增大。以所述新的線狀圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成的掩模板圖形中，其與原始線狀圖形的終端相鄰片段相對(duì)應(yīng)的邊之間的距離增大，而與原始線狀圖形的終端相對(duì)應(yīng)的邊之間的距離可進(jìn)一步縮小，從而可有效減小甚至消除掩模板工藝極限對(duì)制造圖形質(zhì)量的影響，后續(xù)可制造出質(zhì)量更高的光刻圖形。
[0047]進(jìn)一步地，在修改所述原始線狀圖形之前，先根據(jù)掩模板工藝極限對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷，獲取所述用戶目標(biāo)圖形中后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形；后續(xù)僅對(duì)所述后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形進(jìn)行修改，形成新的線狀圖形，可在保證制造出的光刻圖形的質(zhì)量的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提高工作效率。
[0048]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種形成掩模板圖形的方法，其特征在于，包括: 提供原始線狀圖形，所述原始線狀圖形具有兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段，所述終端相鄰片段與原始線狀圖形的終端相鄰，并與其長(zhǎng)度方向一致，所述終端相鄰片段之間具有第一距離； 修改所述原始線狀圖形，得到新的線狀圖形，所述新的線狀圖形的兩個(gè)終端相鄰片段之間的距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離； 以所述新的線狀圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成掩模板圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的形成掩模板圖形的方法，其特征在于，還包括:修改原始線狀圖形長(zhǎng)度方向上與所述終端相鄰片段相鄰的其他片段，使新的線狀圖形沿長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)相對(duì)片段之間的距離由終端向中間遞減。
3.如權(quán)利要求1或2所述的形成掩模板圖形的方法，其特征在于，在修改所述原始線狀圖形之前，先根據(jù)掩模板工藝極限對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷，獲取所述用戶目標(biāo)圖形中后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形；對(duì)所述后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形進(jìn)行修改，形成新的線狀圖形。
4.如權(quán)利要求3所述的形成掩模板圖形的方法，其特征在于，所述對(duì)用戶目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)判斷的方法為:以所述用戶目標(biāo)圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成初始掩模板圖形，所述初始掩模板圖形具有多個(gè)子掩模圖形，所述子掩模圖形與用戶目標(biāo)圖形中的原始線狀圖形相對(duì)應(yīng)；獲取各相鄰子掩模圖形之間的距離；當(dāng)相鄰子掩模圖形之間的距離小于掩模板工藝極限時(shí)，對(duì)與該相鄰子掩模圖形相對(duì)應(yīng)的原始線狀圖形進(jìn)行標(biāo)記，被標(biāo)記的原始線狀圖形為后續(xù)會(huì)受掩模板工藝極限限制的原始線狀圖形。
5.如權(quán)利要求1所述的形成掩模板圖形的方法，其特征在于，以O(shè)PC模型中形成的掩模板圖形為基礎(chǔ)，制作掩模板。
6.如權(quán)利要求5所述的形成掩模板圖形的方法，其特征在于，以具有掩模板圖形的掩模板對(duì)晶圓表面的光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成實(shí)際的光刻圖形。
【專利摘要】一種形成掩模板圖形的方法，包括：提供原始線狀圖形，所述原始線狀圖形具有兩個(gè)相對(duì)的終端相鄰片段，所述終端相鄰片段與原始線狀圖形的終端相鄰，并與其長(zhǎng)度方向一致，所述終端相鄰片段之間具有第一距離；修改所述原始線狀圖形，得到新的線狀圖形，所述新的線狀圖形的兩個(gè)終端相鄰片段之間的距離為第二距離，所述第二距離大于第一距離；以所述新的線狀圖形為基礎(chǔ)，在OPC模型中形成掩模板圖形?？捎行p小甚至消除掩模板工藝極限對(duì)制造圖形質(zhì)量的影響，后續(xù)可制造出質(zhì)量更高的光刻圖形。
【IPC分類】G03F1-36
【公開(kāi)號(hào)】CN104749872
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310739011
【發(fā)明人】劉娟
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月27日