ITO或者IZO的透明金屬氧化物材料被沉積在第二絕緣層250上并且被構圖，從而在像素區(qū)域PX中形成像素電極191。像素電極191包括設置在第一子像素區(qū)域PXa中的第一子像素電極191h和設置在第二子像素區(qū)域PXb中的第二子像素電極1911。第一子像素電極191h和第二子像素電極1911通過其間形成的第一凹溝Vl彼此隔開。
[0136]在第一子像素電極191h和第二子像素電極1911中分別形成水平的莖部分193h和1931以及與水平的莖部分193h和1931交叉的豎直的莖部分192h和1921。進一步，形成自水平的莖部分193h和1931以及豎直的莖部分192h和1921傾斜地延伸的多個細小的分枝194h和1941。水平的莖部分193h和1931、豎直的莖部分192h和1921以及所述多個細小的分枝194h和1941可以被同時形成。
[0137]如圖15和圖16所示，使用擋光的材料在像素電極191和第二絕緣層250上形成光阻擋構件225。
[0138]光阻擋構件225設置在第一凹溝Vl處。薄膜晶體管Qh和Ql設置在第一凹溝Vl中，光阻擋構件225被形成為與薄膜晶體管Qh和Ql交疊。進一步，光阻擋構件225可以被形成為部分地交疊柵極線121和存儲電極線131。具體地，光阻擋構件225被形成為覆蓋第一接觸孔181h和第二接觸孔1811，第一接觸孔181h和第二接觸孔1811被形成以分別用于薄膜晶體管Qh和Ql與像素電極191之間的連接。
[0139]在本示例性實施方式中，光阻擋構件225不形成在像素電極191之下，而是形成在像素電極191上。光阻擋構件225可以直接接觸像素電極191。
[0140]接下來，使用諸如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(S1x)的無機絕緣材料，在光阻擋構件225上形成光阻擋構件保護層229。光阻擋構件保護層229設置在第一凹溝Vl處，從而覆蓋光阻擋構件225的上表面和側表面。
[0141]接下來，通過光工藝，感光有機材料被涂在像素電極191和光阻擋構件保護層229上，以形成犧牲層300。犧牲層300可以在列方向上延伸。犧牲層300可以形成在每個像素PX和第一凹溝Vl處，并且可以不形成在第二凹溝V2處。
[0142]如圖17和圖18所示，諸如ITO或者IZO的透明金屬氧化物材料被沉積在犧牲層300上以形成公共電極270。
[0143]接下來，諸如硅氧化物或者硅氮化物的無機絕緣材料的第三絕緣層350被形成在公共電極270上。
[0144]然后，有機材料被涂在第三絕緣層350上并且被構圖，以形成頂層360。在此情形下，構圖可以被進行以去除設置在第一凹溝Vl處的有機材料。因此，頂層360形成為一形狀，該形狀中，頂層360沿多個像素行延伸。
[0145]然后，通過將頂層360用作掩模來構圖第三絕緣層350和公共電極270，以去除設置在第一凹溝Vl處的第三絕緣層350和公共電極270。
[0146]本發(fā)明構思不局限于此，第三絕緣層350和公共電極270通過單獨的掩模而不是頂層360被構圖。在使用頂層作為掩模的情形下，用在制造工藝中的掩模的數(shù)量能被減少。
[0147]接下來，由諸如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(S1x)的無機絕緣材料制成的第四絕緣層370被形成在頂層360上。第四絕緣層370被構圖以去除設置在第一凹溝Vl處的第四絕緣層370。在此情形下，如圖所示，第四絕緣層370可以被形成為覆蓋頂層360的上表面和側表面。
[0148]通過構圖頂層360、第三絕緣層350、公共電極270和第四絕緣層370，設置在第一凹溝Vl處的犧牲層300暴露在外。
[0149]如圖19和圖20所示，通過在犧牲層300暴露的基板110上施加顯影劑或剝離劑溶液，完全去除犧牲層300，或者通過使用灰化工藝，完全去除犧牲層300。
[0150]當犧牲層300被去除時，在設置犧牲層300的位置處形成微腔305。
[0151]公共電極270和像素電極191彼此間隔開，微腔305位于其間，且像素電極191和頂層360彼此間隔開，微腔305位于其間。公共電極270和頂層360被形成為覆蓋微腔305的上部和兩個側部。
[0152]本發(fā)明構思不局限于此，公共電極270可以形成在設置在像素電極191和公共電極270之間的絕緣層上或下。此外，公共電極270和像素電極191可以被交替地設置在相同的層。此時，微腔305不形成在像素電極191和公共電極270之間，微腔305可以形成在像素電極191和公共電極270上。
[0153]微腔305經由頂層360和公共電極270被去除的部分暴露于外，該部分被稱作注入孔307a和307b。可以在一個微腔305中形成兩個注入孔307a和307b，例如可以形成微腔305的第一邊緣的側表面通過其暴露的第一注入孔307a、以及微腔305的第二邊緣的側表面通過其暴露的第二注入孔307b。第一邊緣和第二邊緣是彼此面對的邊緣，例如，第一邊緣可以是微腔305的上邊緣，第二邊緣可以是微腔305的下邊緣。
[0154]接下來，通過旋涂方法或噴墨方法，包含配向材料的配向劑被散布在基板110上。配向劑通過毛細現(xiàn)象經由注入孔307a和307b被注入到微腔305里。在固化配向劑時，溶劑被蒸發(fā)，配向材料保留在微腔305的內壁處。
[0155]因此，第一配向層11可以形成在像素電極191上，第二配向層21可以形成在公共電極270下面。第一配向層11和第二配向層21可以彼此面對，微腔305在其間，并且第一配向層11和第二配向層21可以在微腔305的邊緣的側壁處彼此連接。
[0156]在此情形下，除了在微腔305的側表面處之外，第一和第二配向層11和21可以在垂直于基板110的方向上被配向。
[0157]隨后，當液晶材料通過噴墨方法或分配方法被散布在基板110上時，液晶材料經由注入孔307a和307b被注入到微腔305內。
[0158]然后，通過在第四絕緣層370上沉積不與液晶分子310反應的材料，形成密封層390。密封層390被形成為覆蓋注入孔307a和307b，從而封閉微腔305，使得形成在微腔305中的液晶分子310不被排放到外部。
[0159]雖然已經結合目前被認為是實用的示例性實施方式的示例性實施方式描述了本發(fā)明構思，但是將被理解，本發(fā)明構思不限于所披露的實施方式，而是相反地，本發(fā)明構思試圖覆蓋所附權利要求的主旨和范圍內包括的各種各樣的修改和等同方案。
【主權項】
1.一種顯示裝置，包括: 基板； 形成在所述基板上的薄膜晶體管； 與所述薄膜晶體管連接的像素電極； 形成在所述像素電極上從而與所述薄膜晶體管交疊的光阻擋構件，所述光阻擋構件相對于所述像素電極形成在所述薄膜晶體管的相反側； 公共電極，形成在所述像素電極之上從而與所述像素電極間隔開，并且多個微腔介于其間； 形成在所述公共電極上的頂層； 暴露所述微腔的一部分的注入孔； 填充所述微腔的液晶層；以及 密封層，形成在所述頂層上從而覆蓋所述注入孔以封閉所述微腔。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，進一步包括 形成在所述光阻擋構件上的光阻擋構件保護層。
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中 所述光阻擋構件保護層包括硅氮化物或硅氧化物。
4.如權利要求3所述的顯示裝置，其中 所述濾色片包括第一濾色片和第二濾色片，以及 第二凹溝設置在所述多個微腔當中的在與所述頂層延伸的方向平行的方向上彼此相鄰的微腔之間，所述第一濾色片和所述第二濾色片在所述第二凹溝處彼此交疊。
5.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其中所述光阻擋構件直接接觸所述像素電極。
6.如權利要求5所述的顯示裝置，其中所述光阻擋構件與所述柵極線和所述存儲電極部分地交疊。
7.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其中所述光阻擋構件與所述柵極線和所述存儲電極部分地交疊。
【專利摘要】本發(fā)明構思涉及顯示裝置，該顯示裝置防止在薄膜晶體管的部分區(qū)域處產生反射光，根據(jù)本發(fā)明構思的一示例性實施方式的一種顯示裝置包括：基板；薄膜晶體管；像素電極；形成在像素電極上從而與薄膜晶體管交疊的光阻擋構件，光阻擋構件相對于像素電極形成在薄膜晶體管的相反側；公共電極，形成在像素電極上從而與像素電極間隔開，并且多個微腔介于其間；形成在公共電極上的頂層；暴露每個微腔的一部分的注入孔；填充微腔的液晶層；以及密封層，其形成在頂層上。
【IPC分類】G02F1-1343, G02F1-1368, G02F1-1335, G02F1-1341
【公開號】CN104749813
【申請?zhí)枴緾N201410437193
【發(fā)明人】李大鎬, 金容奭, 元盛煥, 柳漢俊
【申請人】三星顯示有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2014年8月29日
【公告號】EP2889676A1, US20150185567