一種陣列基板檢測方法和檢測系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領域，尤其涉及一種陣列基板檢測方法和檢測系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的陣列基板檢測方法主要有以下兩種方式:第一種是電學方式，第二種是光學方式。光學方式利用反射型液晶顯示器件，通過測量反射光的光強，判斷陣列基板中的TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應晶體管)器件是否正常。
[0003]如圖1所示，為用于光學方式進行陣列(Array)基板檢測的調(diào)節(jié)器(Modulator)的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:偏振分束器11、位于偏振分束器11和液晶盒13之間的透明電極(ITO，Indium Tin Oxides) 12、液晶盒13和彩色鏡片14，其中，彩色鏡片14位于調(diào)節(jié)器的下表面。
[0004]陣列基板檢測過程如下:Modulator (調(diào)節(jié)器)與陣列基板保持50uM的距離(通常為Modulator的彩色鏡片距離陣列基板50uM)，檢測時先給陣列基板上所有像素施加電壓，然后一邊移動Modulator，一邊檢查TFT的狀態(tài)。從光源發(fā)射的光通過偏振分束器時，入射光中的P分量直接通過，S分量改變光路后入射到液晶盒中。如果像素處于正常狀態(tài)，那么透明電極與像素之間的電壓大于取值范圍電壓，液晶分子將垂直配向，入射到液晶盒上的S分量保持原來的偏振狀態(tài)，經(jīng)彩色鏡片反射，通過液晶盒和偏振分束器后返回到光源。如果像素出現(xiàn)不良，那么透明電極與像素電極之間的電壓為零，通過液晶盒的S分量的偏振狀態(tài)將發(fā)生變化，經(jīng)彩色鏡片反射后通過偏振分束器入射到CXD (Charge Coupled Device，電荷耦合器件圖像傳感器)中。
[0005]TFT生產(chǎn)過程中玻璃破碎造成的玻璃碎肩或大的顆粒會對進行陣列基板檢測的Modulator造成劃傷，輕則造成重復性的假不良，重則造成陣列基板劃傷或Modulator內(nèi)液晶泄露污染陣列基板，造成陣列基板報廢，增大了生產(chǎn)成本，所以降低Modulator劃傷對降低生產(chǎn)成本至關(guān)重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板檢測方法和檢測系統(tǒng)，用以在對陣列基板進行像素檢測之前，對該陣列基板進行顆粒檢測，以避免陣列基板上的大顆粒對調(diào)節(jié)器造成損傷。
[0007]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板檢測系統(tǒng)，包括電荷藕合器件圖像傳感器CCD、調(diào)節(jié)器、光信號處理裝置、對焦裝置和陣列基板，其中:
[0008]所述光信號處理裝置，設置于光源和調(diào)節(jié)器之間，用于向調(diào)節(jié)器傳送所述光源發(fā)射的光信號；以及向所述CCD反射所述調(diào)節(jié)器反射的光信號；
[0009]所述調(diào)節(jié)器，用于在對所述陣列基板包含的指定區(qū)域進行顆粒檢測時，向所述光信號處理裝置反射光信號；
[0010]所述CCD，用于接收所述光信號處理裝置反射的光信號；并將接收到的光信號傳送至所述對焦裝置；
[0011]所述對焦裝置，用于根據(jù)接收到的光信號的對焦行程確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測是否通過。
[0012]所述對焦裝置，具體用于確定接收到的光信號的對焦行程；比較所述對焦行程與預設的對焦行程取值范圍；根據(jù)比較結(jié)果確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測是否通過。
[0013]所述對焦裝置，具體用于在所述對焦行程在預設的對焦行程取值范圍外時，確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測未通過；以及在所述對焦行程在預設的對焦行程取值范圍內(nèi)時，則所述對焦裝置確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測通過。
[0014]所述調(diào)節(jié)器，還用于在對所述陣列基板包含的指定區(qū)域進行像素檢測時，跳過顆粒檢測未通過的第一區(qū)域。
[0015]所述調(diào)節(jié)器，還用于在對顆粒檢測通過的第二區(qū)域進行像素檢測時，向所述光信號處理裝置反射光信號；
[0016]所述光信號處理裝置，用于向所述C⑶反射所述調(diào)節(jié)器反射的光信號；
[0017]所述CCD，還用于針對所述第二區(qū)域，根據(jù)是否接收到所述光信號中的指定分量確定對所述第二區(qū)域的像素檢測是否通過。
[0018]所述CCD接收所述調(diào)節(jié)器反射的光信號的表面設置有第一偏振片，用于在接收到所述光信號處理裝置反射的光信號之后，濾除所述光信號中、除S分量以外的其余分量。
[0019]所述調(diào)節(jié)器，包括偏振分束器、第一透明電極、液晶盒、第二偏振片和第二透明電極，其中:
[0020]所述偏振分束器，用于反射接收到的光信號中的S分量，透過除S分量以外的其余分量;
[0021]所述第一透明電極位于所述偏振分束器和液晶盒之間，所述第二透明電極位于所述調(diào)節(jié)器的下表面；所述第一透明電極和第二透明電極用于在對所述陣列基板進行顆粒檢測時，通過施加電壓在所述液晶盒中形成電場；
[0022]所述第二偏振片位于所述液晶盒和所述第二透明電極之間，用于透過接收到的光信號中的S分量。
[0023]本發(fā)明實施例提供一種基于上述陣列基板檢測系統(tǒng)的陣列基板檢測方法，包括:
[0024]在對所述陣列基板包含的指定區(qū)域進行顆粒檢測時，CCD接收光信號處理裝置反射的光信號；
[0025]所述CCD將接收到的光信號傳送給對焦裝置，使得所述對焦裝置根據(jù)接收到的光信號的對焦行程確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測是否通過。
[0026]其中，所述對焦裝置具體用于按照以下方法確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測是否通過:
[0027]所述對焦裝置根據(jù)接收到的光信號確定所述光信號的對焦行程；
[0028]所述對焦裝置比較所述對焦行程與預設的對焦行程取值范圍；
[0029]所述對焦裝置根據(jù)比較結(jié)果確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測是否通過。
[0030]所述對焦裝置根據(jù)比較結(jié)果確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測是否通過，具體包括:
[0031]如果所述對焦行程在預設的對焦行程取值范圍外，則確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測未通過；
[0032]如果所述對焦行程在預設的對焦行程取值范圍內(nèi)，則確定對當前檢測區(qū)域的顆粒檢測通過。
[0033]本發(fā)明實施例提供的陣列基板檢測系統(tǒng)和檢測方法，通過調(diào)節(jié)器將反射光的光信號反射到CCD，并由CCD將接收到的光信號傳送給對焦裝置，對焦裝置根據(jù)接收到的光信號的對焦行程來判斷對陣列基板的顆粒檢測是否通過，上述過程中，通過對陣列基板進行顆粒檢測，避免了在對陣列基板進行像素檢測時，由于陣列基板上存在大顆粒時對調(diào)節(jié)器造成損傷。
[0034]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0035]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
[0036]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中，調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實施例中，陣列基板檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明實施例中，Modulator的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實施中，Modulator的兩電極之間不施加電壓時的示意圖；
[0040]圖5a為本發(fā)明實施例中，對陣列基板進行顆粒檢測時的第一種光信號傳遞示意圖；
[0041]圖5b為本發(fā)明實施例中，對陣列基板進行顆粒檢測時的第二種光信傳遞示意圖；
[0042]圖6a為本發(fā)明實施例中，陣列基板上不存在大顆粒時的對焦行程確定示意圖；
[0043]圖6b為本發(fā)明實施例中，陣列基板上存在大顆粒時的對焦行程確定示意圖；
[0044]圖7為本發(fā)明實施例中，對陣列基板進行像素檢測時