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液晶顯示裝置的制造方法

文檔序號(hào):8360327閱讀:292來源:國知局
液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種解決關(guān)機(jī)殘影現(xiàn)象在液晶顯示面板關(guān)閉時(shí)將TFT全部打開的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD液晶顯示裝置在關(guān)機(jī)的時(shí)候,如果像素中殘留的電荷不能及時(shí)放出,會(huì)產(chǎn)生“潮汐”現(xiàn)象,即斷電之后的數(shù)秒甚至更長的時(shí)間里,顯示器不能由開態(tài)立刻轉(zhuǎn)到關(guān)態(tài),而是漸漸轉(zhuǎn)變,這種現(xiàn)象稱之為關(guān)機(jī)殘影現(xiàn)象。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因是,液晶顯示器掃描線是逐次打開的,每次打開的時(shí)間很短,故在關(guān)機(jī)時(shí),殘存在像素里面的電荷不能及時(shí)通過數(shù)據(jù)線及時(shí)放出。如圖1所示為關(guān)機(jī)殘影現(xiàn)象的示意圖,常黑(normally black)面板的狀態(tài),當(dāng)關(guān)機(jī)是,從白態(tài)變化到黑態(tài)時(shí),產(chǎn)生的關(guān)機(jī)殘影現(xiàn)象。
[0003]為改善這一現(xiàn)象,會(huì)在掃描驅(qū)動(dòng)電路中加入TFT全部打開(All-Output-on)電路,如圖2所示,在關(guān)機(jī)時(shí),將高電壓VGH加到TFT柵極Gate (η) 10,將所有的TFT開關(guān)30全部同時(shí)打開,及時(shí)將像素上殘存的電荷通過數(shù)據(jù)線Source (m) 20放出,整體畫面也具有相同電壓和灰階,從而消除關(guān)機(jī)殘影現(xiàn)象。
[0004]但同時(shí)打開TFT開關(guān)需要很大的高電壓VGH浪涌電流,產(chǎn)生很大熱量,燒毀覆晶薄膜(C0F:Chip On Flex, or, Chip On Film,將IC固定在柔性線路板上)然而采用這種做法,會(huì)使關(guān)機(jī)瞬間產(chǎn)生很大VGH浪涌電流,如圖3為正常顯示和關(guān)機(jī)時(shí)電壓的波形圖,圖4為關(guān)機(jī)時(shí)VGH電流與正常顯示時(shí)對(duì)比試驗(yàn)圖,在液晶顯示其正常顯示時(shí),液晶面板內(nèi)掃描線是逐次打開,這樣每次打開TFT所需要的VGH只要作用到I條掃描線上,而且這個(gè)作用時(shí)間很短。例如,解析度為1366*768解析度,刷新頻率為60赫茲的液晶顯示器,每次打開TFT的時(shí)間不超過1/768*60 = 21.7微秒(us);而在關(guān)機(jī)瞬間,要打開的TFT數(shù)量為768條,且打開時(shí)間會(huì)是毫秒(ms)級(jí)。
[0005]在源極方向的覆晶薄膜稱為源極覆晶薄膜1、在柵極方向的覆晶薄膜稱為柵極覆晶薄膜2。
[0006]關(guān)機(jī)時(shí)的大電流在其流經(jīng)的路徑上會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,在源極方向上,源極覆晶薄膜I與電路板3接觸的位置為第一接觸處4、源極覆晶薄膜I與面板端走線4的接觸位置為第二接觸處5,關(guān)機(jī)電流產(chǎn)生熱量的公式:
[0007]Q = I2RT
[0008]其中,Q指的是關(guān)機(jī)電流產(chǎn)生的熱量,I是指關(guān)機(jī)時(shí)VGH電流1-VGH,R指的是電流路徑上的阻抗,T指作用的時(shí)間。
[0009]在源極覆晶薄膜I與電路板3接觸的第一接觸處4、源極覆晶薄膜I與面板端走線4的接觸的第二接觸處5,因其通過ACF (異方性導(dǎo)電膠,Anisotropic Con ductive Film,簡稱:ACF)進(jìn)行連接,如圖4和圖5所示,因?yàn)樽杩馆^大,在關(guān)機(jī)瞬間通過大電流會(huì)積累很多熱量,容易損毀源極覆晶薄膜I。
[0010]電路板與覆晶薄膜連接的位置為電路板上的金手指(connecting finger),稱為電路板金手指。
[0011]電路板金手指與覆晶薄膜連接、覆晶薄膜與液晶面板側(cè)端子的連接都是通過腳位上的端子連接的,如圖6所示,電路板金手指3的腳位、覆晶薄膜I的腳位、液晶面板側(cè)2的腳位均上設(shè)有若干引腳端子,包括:低電壓VGL端子4、電源電壓VCC端子5、高電壓VGH端子6、接地電壓GND端子7,每一種端子有若干個(gè),在本實(shí)施例中,每種端子均有三個(gè),所有的端子的寬度和間隔都相同,圖6只是示意了幾種端子的示意圖。
[0012]源極覆晶薄膜I的低電壓引腳端子4的兩端分別與電路板金手指3的低電壓引腳端子4和液晶顯示面板2的低電壓引腳端子4連接,源極覆晶薄膜I的電源電壓引腳端子5的兩端分別與電路板金手指3的電源電壓引腳端子5和液晶面板側(cè)2的電源電壓引腳端子5連接,源極覆晶薄膜I的高電壓引腳端子6的兩端分別與電路板金手指3的高電壓引腳端子6和晶顯示面板2的高電壓引腳端子6連接,源極覆晶薄膜I的接地電壓引腳端子7的兩端分別與電路板金手指3的接地電壓引腳端子7和液晶面板側(cè)2的高接地電壓引腳端子7連接。
[0013]為了降低熱量的積累,有兩種方式,一種是降低VGH浪涌電流值,一種是降低電流路徑上的阻抗值。如果限制關(guān)機(jī)時(shí)VGH浪涌電流值,實(shí)際上會(huì)使VGH不能充分的作用到TFT的柵極,即在關(guān)機(jī)瞬間TFT不能充分的打開,像素內(nèi)的殘留電荷不能很快的釋放出去,對(duì)關(guān)機(jī)殘影的解決效果會(huì)有所降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明提供一種解決關(guān)機(jī)殘像的液晶顯示裝置。
[0015]本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置,其包括液晶顯示面板、與液晶顯示面板連接的覆晶薄膜、以及與覆晶薄膜連接的電路板,所述覆晶薄膜、電路板、以及液晶顯示面板上均設(shè)有多種類型端子,覆晶薄膜的端子一端與電路板上對(duì)應(yīng)的端子,另一端與液晶顯示面板上對(duì)應(yīng)的端子連接,相鄰端子之間的間距s相同,所述每種類型的端子包括一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)、或更多個(gè)端子,其中一種端子為高電壓端子,該高電壓端子的橫向?qū)挾菵大于其他端子的橫向?qū)挾萪,且其他端子的橫向?qū)挾萪均相同,所述高電壓端子的橫向?qū)挾菵等于其他n(n多2)個(gè)相鄰端子的橫向?qū)挾戎图由显搸讉€(gè)端子之間的間距之和,即:D = nd+(n_l)
So
[0016]其中,液晶顯示面板在關(guān)機(jī)時(shí)同時(shí)打開面板內(nèi)的TFT開關(guān)。
[0017]其中,η等于3。
[0018]其中,其他端子包括:DUMMY端子、NC端子、VCOM端子、VC0MTFT端子、VGL端子。
[0019]其中,所述覆晶薄膜包括柵極覆晶薄膜和源極覆晶薄膜,液晶顯示面板的端子一端與柵極覆晶薄膜連接、另一端與源極覆晶薄膜連接。
[0020]其中,高電壓端子在源極覆晶薄膜上。
[0021 ] 其中,高電壓端子在柵極覆晶薄膜上。
[0022]其中,高電壓端子在源極覆晶薄膜和柵極覆晶薄膜上。
[0023]本發(fā)明應(yīng)用于TFT-LCD的電路板端子和覆晶薄膜連接處、以及覆晶薄膜和液晶顯示面板連接處,應(yīng)對(duì)浪涌電流過大造成的信賴性問題;通過降低接觸阻抗以及利于散熱,將通過浪涌電流大的端子合并為整體,不改變其它電信號(hào)端子的分布。
[0024]本發(fā)明通過采用降低連接處阻抗的方式,在不減小高電壓關(guān)機(jī)電流,不改變其他位置布線的情況下,減小電流產(chǎn)生的熱量,并使熱量盡快釋放,從而減小覆晶薄膜的損傷的概率。
【附圖說明】
[0025]圖1所示為現(xiàn)有關(guān)機(jī)殘影現(xiàn)象的示意圖;
[0026]圖2所示為現(xiàn)有關(guān)機(jī)時(shí)TFT全部打開的電路圖;
[0027]圖3所示為現(xiàn)有正常顯示和關(guān)機(jī)時(shí)電壓的波形圖;
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