電子照相感光構(gòu)件、處理盒、和電子照相設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子照相感光構(gòu)件，和各自包括所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒 和電子照相設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，已經(jīng)認真地研宄和開發(fā)使用有機光導電性材料的電子照相感光構(gòu)件（有 機電子照相感光構(gòu)件）。
[0003] 電子照相感光構(gòu)件基本包括支承體和形成在所述支承體上的感光層。然而，事實 上，為了例如覆蓋支承體表面的缺陷，保護感光層免受電擊穿，提高帶電性，并且改善從支 承體至感光層的電荷注入阻止性能的目的，在很多情況下在支承體和感光層之間設(shè)置各種 層。
[0004] 在支承體和感光層之間設(shè)置的層中，作為為了覆蓋支承體表面的缺陷的目的而要 設(shè)置的層，已知含有金屬氧化物顆粒的層。與不含有金屬氧化物顆粒的層相比，含有金屬氧 化物顆粒的層通常具有高導電性（例如，初始體積電阻率為I. OX IO8至2. OX 10 13 Ω ·_)， 并且即使當所述層的厚度增加時，在形成圖像時的殘余電位也難以增加。因此，含有金屬氧 化物顆粒的層容易地覆蓋支承體表面的缺陷。當此類具有高導電性的層（下文中，稱為"導 電層"）設(shè)置在支承體和感光層之間從而覆蓋支承體表面的缺陷時，支承體表面的缺陷的允 許范圍擴大。結(jié)果，要使用的支承體的允許范圍擴大。因此，提供了提高電子照相感光構(gòu)件 的生產(chǎn)性的優(yōu)點。
[0005] 專利文獻1公開了一種技術(shù)，其包括：將摻雜有磷或鎢的氧化錫涂布的氧化鈦顆 粒用于在支承體和感光層之間的導電層。另外，專利文獻2公開了一種技術(shù)，其包括將摻雜 有磷、鎢或氟的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒用于在支承體和感光層之間的導電層。
[0006] 另外，專利文獻3公開了一種技術(shù)，其包括：將具有不同的平均粒徑的兩種金屬氧 化物顆粒引入通過將底涂層、中間層和感光層順次層壓在導電性支承體上而獲得的電子照 相感光構(gòu)件的底涂層中。另外，專利文獻4公開了以下技術(shù)。將具有不同的一次粒徑的兩 種以上的導電性顆粒引入通過將中間層和感光層依次層壓在導電性支承體上而獲得的電 子照相感光構(gòu)件的中間層中，將導電性顆粒的具有最大平均粒徑的一次顆粒A與其具有最 小平均粒徑的一次顆粒B的平均粒徑之間的比"A:B"設(shè)置為12:1至30:1，并且將一次顆粒 B的平均粒徑設(shè)置為0. 05 μm以下。另外，專利文獻4公開了一種技術(shù)，其包括將摻雜有鉭 的氧化錫顆粒用于電子照相感光構(gòu)件的中間層。
[0007] 另外，專利文獻5和6各自記載了一種技術(shù)，其包括：將摻雜有鈮的氧化錫顆粒用 于在支承體和感光層之間的導電層或中間層。
[0008] 引用列表 [0009] 專利文獻
[0010] PTL 1 :日本專利申請?zhí)亻_No. 2012-18371
[0011] PTL 2 :日本專利申請?zhí)亻_No. 2012-18370
[0012] PTL 3 :日本專利申請?zhí)亻_ No. 2007-187771
[0013] PTL 4 :日本專利申請?zhí)亻_ No. 2004-151349
[0014] PTL 5 :日本專利申請?zhí)亻_No. H01-248158
[0015] PTL 6 :日本專利申請?zhí)亻_No.HOl-150150

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 發(fā)明要解決的問題
[0017] 近年來，以下機會已經(jīng)增加：將彼此相同的大量圖像在短時期內(nèi)從一個并且相同 的電子照相感光構(gòu)件輸出。
[0018] 在這樣的情況下，在電子照相感光構(gòu)件中的記錄介質(zhì)（例如轉(zhuǎn)印材料（例如，紙） 或中間轉(zhuǎn)印構(gòu)件）的移動方向和垂直方向（當電子照相感光構(gòu)件是圓筒狀時的長度方向） 沒有彼此偏離。因此，例如，當大量如圖4的圖像301的各自包括縱線306(平行于記錄介 質(zhì)的移動方向的線）的圖像已經(jīng)連續(xù)輸出之后，輸出實黑圖像或半色調(diào)圖像時，稱為圖案 記憶（pattern memory)的制品發(fā)生于縱線已經(jīng)形成的部分。更具體地，實質(zhì)上，如圖4的 圖像302輸出實黑圖像，并且如圖4的圖像303輸出半色調(diào)圖像。然而，當大量如圖4的圖 像301的各自包括縱線306的圖像已經(jīng)連續(xù)輸出之后，輸出實黑圖像時，輸出的圖像會是 具有縱線307的圖像304,這起因于圖4的圖像301的縱線306的重復滯后（!^petition hysteresis)。同樣在半色調(diào)圖像的情況下，如在實黑圖像的情況下，輸出的圖像會是具有 縱線308的圖像305,這起因于圖4的圖像301的縱線306的重復滯后。將如縱線307和 308已經(jīng)出現(xiàn)重復滯后的圖像部位稱為圖案記憶。
[0019] 特別地，與電子照相感光構(gòu)件的壽命增長相聯(lián)系，與從前相比，以下機會最近已經(jīng) 增加：彼此相同的大量圖像在短時期內(nèi)從一個并且相同的電子照相感光構(gòu)件輸出。因此，即 使在迄今能夠充分使用的傳統(tǒng)的電子照相感光構(gòu)件中，當彼此相同的大量圖像在短時期內(nèi) 輸出時圖案記憶發(fā)生的情況也開始變得明顯。在這點上，包括在專利文獻1至6中公開的 傳統(tǒng)導電層的各個電子照相感光構(gòu)件有時涉及圖案記憶發(fā)生的情況的出現(xiàn)。
[0020] 另一方面，在包含粘結(jié)材料和金屬氧化物顆粒的導電層的情況下，即使當為了可 以抑制在圖像形成時的殘余電位的增加，僅通過將在導電層中的金屬氧化物顆粒的含量增 加而降低導電層的體積電阻率時，裂紋也易于在導電層中發(fā)生。因此，以下需要出現(xiàn)：在抑 制了導電層的裂紋發(fā)生的同時，抑制圖案記憶的發(fā)生，并且抑制殘余電位的增加。
[0021] 鑒于前述，本發(fā)明的目的是提供在圖像形成時殘余電位難以增加、圖案記憶難以 發(fā)生、并且導電層的裂紋難以發(fā)生的電子照相感光構(gòu)件和各自包括所述電子照相感光構(gòu)件 的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0022] 用于解決問題的方案
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括：支承體；形成在所 述支承體上的導電層；和形成在所述導電層上的感光層，其中：所述導電層包含由摻雜有 磷的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、摻雜有磷的氧化錫顆粒、和粘結(jié)材料；和當所述導電層的總 體積由V t表示，在所述導電層中的所述由摻雜有磷的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的總體積由 Vip表示，并且在所述導電層中的所述摻雜有磷的氧化錫顆粒的總體積由V 2P表示時，所述 V所述Vip和所述V2p滿足以下表達式⑴和（2)。
[0024] 2 彡{(V2P/VT) AV1P/VT)} X 100 彡 25…（I)
[0025] 15 彡{(V1P/VT) + (V2P/VT)} X 100 彡 45…（2)
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括：支承體；形成在 所述支承體上的導電層；和形成在所述導電層上的感光層，其中：所述導電層包含由摻雜 有鎢的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、摻雜有鎢的氧化錫顆粒、和粘結(jié)材料；和當所述導電層的 總體積由V t表示，在所述導電層中的所述由摻雜有鎢的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的總體積 由Viw表示，并且在所述導電層中的所述摻雜有鎢的氧化錫顆粒的總體積由V 2w表示時，所述 V所述Viw和所述V2w滿足以下表達式（6)和（7)。
[0027] 2 彡{(V2W/VT) AV1W/VT)} X 100 彡 25…（6)
[0028] 15 彡{(V1W/VT) + (V2W/VT)} X 100 彡 45…（7)
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括：支承體；形成在 所述支承體上的導電層；和形成在所述導電層上的感光層，其中：所述導電層包含由摻雜 有氟的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、摻雜有氟的氧化錫顆粒、和粘結(jié)材料；和當所述導電層的 總體積由V t表示，在所述導電層中的所述由摻雜有氟的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的總體積 由Vif表示，并且在所述導電層中的所述摻雜有氟的氧化錫顆粒的總體積由V 2f表示時，所述 V所述Vif和所述V2f滿足以下表達式（11)和（12)。
[0030] 2 彡{(V2F/VT) AV1F/VT)} X 100 彡 25…（I 1)
[0031] 15 彡{(V1F/VT) + (V2F/VT)} XlOO 彡 45…（12)
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括：支承體；形成在 所述支承體上的導電層；和形成在所述導電層上的感光層，其中：所述導電層包含由摻雜 有鈮的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、摻雜有鈮的氧化錫顆粒、和粘結(jié)材料；和當所述導電層的 總體積由V t表示，在所述導電層中的所述由摻雜有鈮的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的總體積 由Viwb表示，并且在所述導電層中的所述摻雜有鈮的氧化錫顆粒的總體積由V 2wb表示時，所 述\、所述V1Nb和所述V2Nb滿足以下表達式（16)和（17)。
[0033] 2 彡{(V2Nb/VT) AV1Nb/VT)} X 100 彡 25…（16)
[0034] 15 彡{(V1Nb/VT) + (V2Nb/VT)} X 100 彡 45…（17)
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括：支承體；形成在 所述支承體上的導電層；和形成在所述導電層上的感光層，其中：所述導電層包含由摻雜 有鉭的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、摻雜有鉭的氧化錫顆粒、和粘結(jié)材料；和當所述導電層的 總體積由V t表示，在所述導電層中的所述由摻雜有鉭的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的總體積 由Vna表示，并且在所述導電層中的所述摻雜有鉭的氧化錫顆粒的總體積由V 2Ta表示時，所 述Vt、所述Vna和所述V 2Ta滿足以下表達式（21)和（22)。
[0036] 2 彡{(V2Ta/VT) AV1Ta/VT)} X 100 彡 25…（21)
[0037] 15 彡{(V1Ta/VT) + (V2Ta/VT)} X 100 彡 45... (22)
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的 主體，其中所述處理盒一體化地支承：上述電子照相感光構(gòu)件；和選自由充電裝置、顯影裝 置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種電子照相設(shè)備，其包括：上述電子照相感光構(gòu) 件；充電裝置；曝光裝置；顯影裝置；和轉(zhuǎn)印裝置。
[0040] 發(fā)明的效果
[0041] 根據(jù)本發(fā)明，提供在圖像形成時殘余電位難以增加、圖案記憶難以發(fā)生并且導電 層的裂紋難以發(fā)生的電子照相感光構(gòu)件和各自包括所述電子照相感光構(gòu)件的所述處理盒 和所述電子照相設(shè)備。
[0042] 參考附圖，從示例性實施方案的以下描述，本發(fā)明的進一步特性變得明顯。
【附圖說明】
[0043] 圖1是示出包括具有本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示例 性結(jié)構(gòu)的一個實例的圖。
[0044] 圖2是示出導電層的體積電阻率的測量方法的圖（頂視圖）。
[0045] 圖3是示出導電層的體積電阻率的測量方法的圖（截面圖）。
[0046] 圖4是示出圖案記憶的圖（圖像實例）。
[0047] 圖5是示出一點桂馬圖案圖像的圖。
【具體實施方式】
[0048] 本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件是包括支承體、形成在所述支承體上的導電層、和形 成在所述導電層上的感光層的電子照相感光構(gòu)件。
[0049] 感光層可以是通過將電荷產(chǎn)生物質(zhì)和電荷輸送物質(zhì)引入單一層而獲得的單層型 感光層，或可以是通過將含有電荷產(chǎn)生物質(zhì)的電荷產(chǎn)生層和含有電荷輸送物質(zhì)的電荷輸送 層層壓而獲得的層壓型感光層。另外，按需要，在要形成于支承體上的導電層和感光層之間 可以設(shè)置底涂層。
[0050] 具有導電性的支承體（導電性支承體）優(yōu)選作為支承體，并且例如，可以使用由例 如鋁、鋁合金、或不銹鋼等的金屬形成的金屬支承體。當使用鋁或鋁合金時，可以使用通過 包括擠出工藝和拉拔工藝（drawing process)的制造方法生產(chǎn)的錯管、或通過包括擠出工 藝和減薄工藝（ironing process)的制造方法生產(chǎn)的錯管。這樣的錯管提供良好的尺寸精 度和良好的表面平滑性而沒有表面切削，并且在成本方面有利。然而，在鋁管的未切削表面 上易于發(fā)生毛刺狀的凸狀缺陷。因此，其對于提供導電層特別有效。
[0051] 在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，將金屬氧化物顆粒的以下組合的任何一種以及 粘結(jié)材料用于要形成在支承體上的導電層：
[0052] (p)由摻雜有磷的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒和摻雜有磷的氧化錫顆粒；
[0053] (W)由摻雜有鶴的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒和摻雜有鶴的氧化錫顆粒；
[0054] (f)由摻雜有氟的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒和摻雜有氟的氧化錫顆粒；
[0055] (nb)由摻雜有鈮的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒和摻雜有鈮的氧化錫顆粒；和
[0056] (ta)由摻雜有鉭的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒和摻雜有鉭的氧化錫顆粒。
[0057] 特征之一在于：在金屬氧化物顆粒的各個組合（p)、（w)、（f)、（nb)、和（ta)中，對 于摻雜氧化錫的元素，磷（P)、鎢（W)、氟（F)、鈮（Nb)或鉭（Ta)是共通的。應該注意的是： 氧化鈦顆粒是氧化鈦（TiO 2)的顆粒并且所述氧化錫顆粒是氧化錫（SnO2)的顆粒。
[0058] 下文中，由摻雜有磷的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒也表示為"P摻雜的氧化錫涂布 的氧化鈦顆粒"，并且摻雜有磷的氧化錫顆粒也表示為"P摻雜的氧化錫顆粒"。另外，由摻 雜有鎢的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒也表示為"W摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒"，并且摻 雜有鎢的氧化錫顆粒也表示為"W摻雜的氧化錫顆粒"。另外，由摻雜有氟的氧化錫涂布的 氧化鈦顆粒也表示為"F摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒"，并且摻雜有氟的氧化錫顆粒也 表示為"F摻雜的氧化錫顆粒"。另外，由摻雜有鈮的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒也表示為"Nb 摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒"，并且摻雜有鈮的氧化錫顆粒也表示為"Nb摻雜的氧化錫 顆粒"。另外，由摻雜有鉭的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒也表示為"Ta摻雜的氧化錫涂布的氧 化鈦顆粒"，并且摻雜有鉭的氧化錫顆粒也表示為"Ta摻雜的氧化錫顆粒"。
[0059] 進一步，在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，在要引入導電層中的金屬氧化物顆粒 的組合是組合（P)的情況下，當導電層的總體積由\表示，在導電層中的P摻雜的氧化錫涂 布的氧化鈦顆粒的體積由V ip表示，并且在導電層中的P摻雜的氧化錫顆粒的體積由V 2P表 示時，Vt JjP V2p滿足以下表達式⑴和（2)。
[0060] 2 彡{(V2P/VT) AV1P/VT)} X 100 彡 25…（1)
[0061 ] 15 ^ { (VipAt) + (V2pAt) } XlOO ^ 45- (2)
[0062] 進一步，在要引入導電層的金屬氧化物顆粒的組合是組合（w)的情況下，當導電 層的總體積由V t表示，在導電層中的W摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的體積由V 1W表示， 并且在導電層中的W摻雜的氧化錫顆粒的體積由V2w表示時，V T、Vn^P V 2W滿足以下表達式 ⑶和⑵。
[0063] 2 彡{(V2W/VT) AV1W/VT)} X 100 彡 25…（6)
[0064] 15 彡{(V1W/VT) + (V2W/VT)} X 100 彡 45…（7)
[0065] 進一步，在要引入導電層的金屬氧化物顆粒的組合是組合（f)的情況下，當導電 層的總體積由V t表示，在導電層中的F摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的體積由V 1F表示， 并且在導電層中的F摻雜的氧化錫顆粒的體積由V2f表示時，V T、V1JP V 2F滿足以下表達式 (11)和（12)。
[0066] 2 彡{(V2F/VTV(V1F/VT)} XlOO 彡 25…（11)
[0067] 15 彡{(V1F/VT) + (V2F/VT) }X100 彡 45 …（12)
[0068] 進一步，在要引入導電層的金屬氧化物顆粒的組合是組合（nb)的情況下，當導電 層的總體積由V t表示，在導電層中的Nb摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的體積由V 1Nb表 示，并且在導電層中的Nb摻雜的氧化錫顆粒的體積由V2Nb表示時，V T、Vab和V2Nb滿足以下 表達式（16)和（17)。
[0069] 2 彡{(V2Nb/VT) AV1Nb/VT)} X 100 彡 25…（16)
[0070] 15 彡{(V1Nb/VT) + (V2Nb/VT)} X 100 彡 45…（17)
[0071] 進一步，在要引入導電層的金屬氧化物顆粒的組合是組合（ta)的情況下，當導電 層的總體積由V t表示，在導電層中的Ta摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒的體積由V 1Ta表 示，并且在導電層中的Ta摻雜的氧化錫顆粒的體積由V2Ta表示時，V T、V1Ta和V2Ta滿足以下 表達式（21)和（22)。
[0072] 2 彡{(V2Ta/VT) "V1Ta/VT)} X 100 彡 25…（21)
[0073] 15 彡{(V1Ta/VT) + (V2Ta/VT)} X 100 彡 45... (22)
[0074] 下文中，V1P、V1W、V1F、V1Nb和 V 1Ta也共同地表示為"V Λ并且 V2P、V2W、V2F、V2Nb和 V 2Ta 也共同地表示為"V2"。另外，P摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、W摻雜的氧化錫涂布的氧 化鈦顆粒、F摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒、Nb摻雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒和Ta摻 雜的氧化錫涂布的氧化鈦顆粒也共同地表示為"第一金屬氧化物顆粒"，并且P摻雜的氧化 錫顆粒、W摻雜的氧化錫顆粒、F摻雜的氧化錫顆粒、Nb摻雜的氧化錫顆粒和Ta摻雜的氧化 錫顆粒也共同地表示為"第二金屬氧化物顆粒"。
[0075] 本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)做出了大量的研宄從而抑制圖案記憶的發(fā)生。結(jié)果，本發(fā)明 人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)：圖案記憶通過在導電層中良好的導電路徑在寬范圍內(nèi)的形成，換言之，在導電 層中電荷的均一移動來抑制。這可能是因為在導電層中的電荷的局部滯留或存儲難以發(fā) 生。然而，電荷的滯留或存儲不會很大程度上與導電層的體積電阻率或電阻相關(guān)聯(lián)，這是因 為滯留或存儲是局部現(xiàn)象。用于抑制圖案記憶的良好導電路徑在導電層中的形成需要經(jīng)過 第一金屬氧化物顆粒和第二金屬氧化物顆粒兩者的導電路徑的形成。為此，為了抑制圖案 記憶的發(fā)生，引起以下需要：代替僅含有第一金屬氧化物顆粒的導電層或僅含有第二金屬 氧化物顆粒的導電層的形成，使第一金屬氧化物顆粒和第二金屬氧化物顆粒以特定的比例 存在于導電層中，然后形成經(jīng)過第一金屬氧化物顆粒和第二金屬氧化物顆粒兩者的導電路 徑。即，需要滿足表達式⑴、（6)、（11)、（16)或（2