專利名稱：薄膜致動(dòng)反射鏡陣列及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)投影系統(tǒng)，并且，尤其涉及一種用于該系統(tǒng)中的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)的各種圖像顯示系統(tǒng)中，已知一種能夠大規(guī)模提供高質(zhì)量的圖像顯示的光學(xué)投影系統(tǒng)。在這種光學(xué)投影系統(tǒng)中，由燈泡發(fā)出的光均勻地照在例如一M×N致動(dòng)反射鏡陣列上，從而使各反射鏡與各致動(dòng)器相耦合。致動(dòng)器可由當(dāng)施以電場(chǎng)即發(fā)生變形的電致位移材料、諸如壓電或電致伸縮材料做成。
來自各反射鏡的反射光束入射到例如遮光板的孔闌上。通過給各致動(dòng)器施加一電信號(hào)，使各反射鏡相對(duì)于入射光束的位置發(fā)生改變，從而使來自各反射鏡的反射光束的光路產(chǎn)生偏移。當(dāng)各反射光束的光路發(fā)生改變時(shí)，通過孔闌的各反射鏡的反射光量被改變，因此，調(diào)制了光束的強(qiáng)度。通過孔闌的調(diào)制光束經(jīng)一適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)裝置、如投影透鏡透射到一投影屏上，從而在投影屏上顯示出圖像。


圖1為一個(gè)M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列100的剖面視圖，其中M和N為整數(shù)，該陣列公開在題為“用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜致動(dòng)反射鏡陣列”的美國(guó)序列號(hào)為08/602,928的共有未決的專利申請(qǐng)中。
陣列100包括一有源矩陣110、一鈍化層116、一蝕止層118以及一M×N致動(dòng)機(jī)構(gòu)陣列120。
有源矩陣110包括一襯底112、一M×N晶體管陣列(未示出)以及一M×N連接端陣列114。各連接端114與晶體管陣列中相應(yīng)的一個(gè)晶體管電連接。
鈍化層116由例如磷硅玻璃(PSG)或氮化硅做成，厚度為0.1～2μm，布置在有源矩陣110的頂表面上。
蝕止層118由氮化硅制成，厚度為0.1～2μm，布置在鈍化層116上面。
各致動(dòng)機(jī)構(gòu)120都有一遠(yuǎn)端和一近端，并且還包括位于其遠(yuǎn)端的一個(gè)頂尖(未示出)和豎直貫穿其身的一個(gè)蝕孔(未示出)。各致動(dòng)機(jī)構(gòu)20都配以一第一薄膜電極132、一薄膜電致位移元件126、一第二薄膜電極124、一彈性件122以及一導(dǎo)管128。第一薄膜電極132由導(dǎo)電且反光的材料如鋁(Al)或銀(Ag)做成，布置在薄膜電致位移元件126頂表面，并且被一水平條134分割成致動(dòng)部分130和反光部分140，該水平條134切斷了致動(dòng)與反光部分130,140之間的電連接。其致動(dòng)部分130接地，因此起到反射鏡和共偏置電極的雙重作用。反光部分140用作反射鏡。薄膜電致位移元件126由壓電材料如鈦酸鉛鋯(PZT)或電致伸縮材料如鈮酸鉛鎂(PMN)做成，布置在第二薄膜電極124頂表面。第二薄膜電極124由導(dǎo)電材料如鉑/鉭(Pt/Ta)做成，布置在彈性件122頂表面，并且通過導(dǎo)管128及連接端114與一相應(yīng)的晶體管電連接，其中，用干蝕刻方法把第二薄膜層124等割成一M×N第二薄膜電極陣列124，從而各第二薄膜電極124與其它第二薄膜電極124(未示出)都互不導(dǎo)電，因此，使之可作為一個(gè)信號(hào)電極。彈性件122由氮化物如氮化硅做成，布置在第二薄膜電極124的下面。彈性件122近端的底部支撐在有源矩陣110頂表面，蝕止層118和鈍化層116局部地插入其間，因此使致動(dòng)機(jī)構(gòu)120成為懸臂結(jié)構(gòu)。導(dǎo)管128由某種金屬如鎢(W)制成，它從薄膜電致位移元件126頂表面開始向下延伸到一相應(yīng)的連接端114的頂表面，從而將第二薄膜電極122與連接端114電連接。從薄膜電致位移元件126頂表面向下延伸的導(dǎo)管128和置于各薄膜致動(dòng)反射鏡150的薄膜電致位移元件126頂表面上的第一薄膜電極132之間互不導(dǎo)電。
上述的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡150的陣列100有某些缺陷，其中之一是每個(gè)致動(dòng)反射鏡150的第一和第二電極132、124之間可能發(fā)生短路。在這種陣列中，由于每個(gè)薄膜致動(dòng)反射鏡150的導(dǎo)管128從相應(yīng)的連接端114延伸到電致位移元件126的頂表面，因而在布置第一薄膜電極132過程中需要格外小心。第一薄膜電極132必須與各薄膜致動(dòng)反射鏡150的導(dǎo)管128完全絕緣，否則就會(huì)導(dǎo)致第一薄膜電極132和第二薄膜電極124電連接而造成它們之間的短路。
發(fā)明的描述因此，本發(fā)明的一個(gè)主要目的是提供一種M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列，使每個(gè)薄膜致動(dòng)反射鏡具有一種新穎結(jié)構(gòu)可以防止第一和第二電極之間發(fā)生短路。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供制造這種M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供有一種用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列，其中M和N為整數(shù)。該陣列包括一有源矩陣和一種M×N致動(dòng)機(jī)構(gòu)陣列。各致動(dòng)機(jī)構(gòu)包括一彈性件，其近端底部支撐在有源矩陣頂表面，因而使該彈性件成為懸臂狀；一第一薄膜電極，與大地導(dǎo)電連接因而可兼作反射鏡和偏致電極；一第二薄膜電極；一導(dǎo)管，從第二薄膜電極頂表面向下延伸到有源矩陣使這兩者電連接，從而使第二薄膜電極作為一信號(hào)電極；置于第一和第二薄膜電極之間的一薄膜電致位移元件；以及一絕緣件，該絕緣件置于導(dǎo)管頂表面和第一薄膜電極底表面之間，因而使第一和第二薄膜電極之間絕緣。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供有制造用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的一種方法，其中M和N為整數(shù)。這種方法包括以下步驟準(zhǔn)備一包括一襯底的有源矩陣和一M×N連接端陣列；在該有源矩陣頂表面上形成一鈍化層；在該鈍化層上沉積一蝕止層；在該該蝕止層上形成一薄膜犧牲層；在該薄膜犧牲層上按照某種方式制作一M×N空穴對(duì)陣列以使各空穴對(duì)中的一個(gè)空穴圍繞一個(gè)連接端；在包含空穴的薄膜犧牲層頂面依次沉積一彈性層、一第二薄膜層和一薄膜電致位移層；擺布該電致位移層和該第二薄膜層以形成相應(yīng)的一M×N電致位移元件陣列和一M×N第二薄膜電極陣列；形成一M×N導(dǎo)管陣列，各導(dǎo)管從第二薄膜電極伸到相應(yīng)的連接端頂面；形成一M×N絕緣體陣列；在該M×N絕緣體陣列和薄膜電致位移元件陣列頂面上沉積一第一薄膜層，從而形成一多層結(jié)構(gòu)；將該多層結(jié)構(gòu)放入一M×N致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)陣列內(nèi)直到暴露出薄膜犧牲層；以及用某種腐蝕劑或化學(xué)劑去掉該薄膜犧牲層從而形成M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列。
附圖簡(jiǎn)述通過以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施例以及附圖的描述將使本發(fā)明上述的和其它的目的及特點(diǎn)變得更明顯。附圖中圖1是表示以前公開的一M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的局部剖面示意圖；圖2是表示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的一M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的局部剖視圖；圖3A～3M是表明示于圖2的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的制作方法的局部剖視圖；圖4是表示出根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的局部剖視圖；以及圖5A～5D是表明示于圖4的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的制作方法的局部剖視圖。
本發(fā)明的實(shí)施例圖2,4,3A～3M以及圖5A～5D給出了根據(jù)本發(fā)明的第一和第二優(yōu)選實(shí)施例的用于光學(xué)投影系統(tǒng)的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡295,395的陣列200,300的剖視圖，其中M和N為整數(shù)，以及表明分別示于圖2和圖4的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡295,395的陣列200,300的制作方法的剖面示意圖。請(qǐng)注意圖2,4,3A～3M和圖5A～5D中的同類部件用相同參照數(shù)字表示。
圖2給出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡295的陣列200的剖視圖，該陣列200包括一有源矩陣210和一M×N薄膜致動(dòng)機(jī)構(gòu)220的陣列。
源矩陣210包括一襯底212、一M×N晶體管陣列(未示出)和一M×N連接端214的陣列。各連接端214與晶體管陣列中相應(yīng)的一個(gè)晶體管電連接。
鈍化層216由磷硅玻璃(PSG)或氮化硅做成，厚度為0.1～2μm，布置在襯底212的頂表面。
蝕止層218由氮化硅制成，厚度為0.1～2μm，布置在鈍化層216頂表面。
各致動(dòng)機(jī)構(gòu)220包括一第一薄膜電極292、一薄膜電致位移元件275、一第二薄膜電極265、一彈性件255、一導(dǎo)管282以及一絕緣件284。第一薄膜電極292由導(dǎo)電并反光材料如鋁(Al)或銀(Ag)制成，布置在薄膜電致位移元件275的頂表面。第一薄膜電極292與大地電連接從而可兼作反射鏡和共用偏置電極。薄膜電致位移元件275由壓電材料如鈦酸鉛鋯(PZT)或電致伸縮材料如鈮酸鉛鎂(PMN)制成，布置在第一和第二薄膜電極292,265之間。第二薄膜電極265由導(dǎo)電材料如鉑/鉭(Pt/Ta)制成，布置在彈性件255頂表面，通過導(dǎo)管282與相應(yīng)的晶體管及連接端214電連接，并與其它薄膜致動(dòng)反射鏡295中的第二薄膜電極265電絕緣，從而使第二薄膜電極可作為各致動(dòng)反射鏡295的一信號(hào)電極。彈性件255由氮化物如氮化硅制成，布置在第二薄膜電極265下面。彈性件255近端底部支撐在有源矩陣210頂表面從而使致動(dòng)機(jī)構(gòu)220成為懸臂狀。導(dǎo)管282由某種金屬如鎢(W)制成，從第二薄膜電極265頂面伸到相應(yīng)連接端214的頂面，從而將第二薄膜電極265電連接到連接端214上。絕緣件284形成于導(dǎo)管282頂面和第一薄膜電極292底面之間。因而防止了第一薄膜電極292與第二薄膜電極265電連通。
圖3A～3M給出了表明示出圖2中的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡295的陣列200的制作方法的局部剖面示意圖。
陣列200的制作過程首先是準(zhǔn)備一包括一襯底的有源矩陣210、一M×N連接端214的陣列以及一M×N晶體管陣列(未示出)。襯底212由絕緣材料如硅片做成。各連接端214與晶體管陣列中相應(yīng)的一個(gè)晶體管電連接。隨后一步是用如CVD或旋轉(zhuǎn)噴涂方法在有源矩陣210頂表面形成一厚度為0.1～2μm、材料例如為磷硅玻璃(PSG)或氮化硅的鈍化層216。之后，如圖3A所示，用如濺射或CVD的方法在鈍化層216頂表面上沉積一厚度為0.1～2μm的氮化硅蝕止層218。
然后，如圖3B所示，在蝕止層218頂表面形成一薄膜犧牲層240。如果該薄膜犧牲層240的材料是金屬則采用濺射或蒸鍍方法形成，如果該薄膜犧牲層240的材料是PSG則采用CVD或旋轉(zhuǎn)噴涂方法形成，如果該薄膜犧牲層240的材料是多晶硅，則采用CVD方法形成。
下一步如圖3C所示，用在玻璃板上旋轉(zhuǎn)拋光(SOG)或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)然后清洗的方法把薄膜犧牲層240頂表面拋平。
然后，如圖3D所述，用干蝕刻或濕蝕刻方法在薄膜犧牲層240內(nèi)按某特定方法生成一M×N空穴242對(duì)陣列使各空穴對(duì)中一個(gè)空穴242與一個(gè)連接端214成一直線。
在下一步中，如圖3E所示，用CVD方法在包括空穴242的薄膜犧牲層240頂表面沉積一厚度為0.1～2μm、材料為某種氮化物如氮化硅的彈性層250。在沉積過程中，通過改變反應(yīng)氣體隨時(shí)間的函數(shù)關(guān)系來控制彈性層250內(nèi)部的應(yīng)力。
然后，如圖3F所示，用濺射或真空蒸鍍的方法在彈性件250頂表面上形成一厚度為0.1～2μm、由導(dǎo)電材料如Pt/Ta做成的第二薄膜層260。接著用干蝕刻方法把第二薄膜層260等割成圖2所示的一M×N第二薄膜電極265的陣列，其中，各第二薄膜電極265與其它第二薄膜電極265電絕緣。
然后，如圖3G所示，用蒸鍍、溶膠(Sol-Gel)、濺射或CVD的方法在M×N第二薄膜電極265的陣列頂表面上沉積一厚度為0.1～2μm、由壓電材料如PZT或電致伸縮材料如PMN做成的薄膜電致位移層270。接著用快速熱退火(RTA)的方法對(duì)薄膜電致位移層270進(jìn)行熱處理使其產(chǎn)生相變。
由于薄膜電致位移層270足夠薄，因此如果它由壓電材料作成則無需對(duì)它進(jìn)行極化，因?yàn)樗梢员辉诒∧ぶ聞?dòng)反射鏡295工作中施加的電信號(hào)極化。
下一步如圖3H所示，用蝕刻方法制作一M×N孔280的陣列，其中，各孔由薄膜電致位移層270頂面伸到相應(yīng)連接端214的頂面。
下一步如圖3I所示，用升離方法在各孔280中的一部分內(nèi)以某種特定方法注入某種金屬如鎢(W)形成導(dǎo)管282，以使該導(dǎo)管282與第二薄膜層260以及相應(yīng)連接端214電接觸。
隨后，如圖3J所示，用升離方法在各孔280的剩余部分內(nèi)填充某種絕緣材料如氧化物或氮化物，形成一絕緣件284。絕緣材料需填充至使該絕緣件284頂面與薄膜電致位移層270頂面齊平的程度，這樣可以減小在第二薄膜電極265與將形成于薄膜電致位移層270上面的第一薄膜層290之間形成電接觸的可能性。
之后，如圖3K所示，用濺射或真空蒸鍍的方法在薄膜電致位移層270和絕緣件284的頂表面形成一厚度為0.1～2μm、由導(dǎo)電且反光材料如鋁(Al)或銀(Ag)做成的第一薄膜層290，因此形成一多層結(jié)構(gòu)252。
在下一步中，如圖3L所示，用光蝕刻法或激光修剪法把多層結(jié)構(gòu)252擺布成一M×N半成品致動(dòng)反射鏡245的陣列，直到露出薄膜犧牲層240。每個(gè)M×N半成品致動(dòng)反射鏡245包括一第一薄膜電極292、一薄膜電致位移元件275、第二薄膜電極265以及一彈性件255。
緊跟上一步的是在各半成品致動(dòng)反射鏡245上完全覆蓋一薄膜保護(hù)層(未示出)。
接著用某種腐蝕劑或化學(xué)劑如氟化氫(HF)蒸氣通過濕蝕刻方法將薄膜犧牲層240去掉，從而為各薄膜致動(dòng)反射鏡295形成一驅(qū)動(dòng)空間。
下一步是去掉薄膜保護(hù)層。
最后，用光蝕刻法或激光修剪法把有源矩陣210完全切割成某預(yù)定形狀，從而形成M×N薄膜致動(dòng)反射鏡295的陣列200，如圖3M所示。
圖4給出了表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的一M×N薄膜致動(dòng)反射鏡395的陣列300的剖視圖，陣列300包括一有源矩陣310和一M×N致動(dòng)機(jī)構(gòu)320的陣列。
第二實(shí)施例M×N薄膜致動(dòng)反射鏡395的陣列300的剖面圖示于圖4中，其中，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例除了絕緣件284的形成方式不同之外大體相似。在第二實(shí)施例中，絕緣件284覆蓋了導(dǎo)管282的頂表面，同時(shí)還覆蓋了薄膜電致位移元件275。換句話說，絕緣件284為一層狀介于第一薄膜電極292和薄膜電致位移件275之間，并且它由導(dǎo)管282頂表面伸到薄膜電致位移元件275的遠(yuǎn)端。在這種情況下，絕緣件284由某電致位移陶瓷材料如MZrxTiyO3做成，其中，M為鉛并且可由下列元素中的一種或多種部分地或完全地替換鈣，鋇，鎂，鋰，銅，銀，金或鎘。而且，MZrxTiyO3還可摻以少量的鎂，鈉，鈮，鑭或鋅。
另外，圖5A～5D給出了表明根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的制造方法的局部剖視圖，其中，直到在導(dǎo)管282和薄膜電致位移件275的頂表面形成絕緣件284這一步驟之前，第二實(shí)施例的制造步驟都與圖3A～3I所示的第一實(shí)施例的制造步驟相同。
在圖5A中，用蒸鍍、硅膠(Sol-Gel)、濺射或CVD的方法在每個(gè)致動(dòng)機(jī)構(gòu)320中的導(dǎo)管282和薄膜電致位移層270的頂表面上形成絕緣件284，該絕緣件完全覆蓋了導(dǎo)管282和薄膜電致位移層270。
隨后，用濺射或真空蒸鍍的方法在絕緣件284頂表面上形成一厚度為0.1～2μm、由導(dǎo)電且反光材料如鋁(Al)或銀(Ag)做成的第一薄膜層390，從而形成一多層結(jié)構(gòu)352，如圖5B所示。
在下一步中，如圖5C所示，用光蝕刻法或激光修剪法把多層結(jié)構(gòu)352擺布成一M×N半成品致動(dòng)反射鏡345的陣列，直到露出薄膜犧牲層240。每個(gè)M×N半成品致動(dòng)反射鏡345包括一第一薄膜電極392、一絕緣件284、一薄膜電致位移元件275、第二薄膜電極265以及一彈性元件255。
隨后的各步驟與第一實(shí)施例相似，從而形成M×N薄膜致動(dòng)反射鏡395的陣列300，如圖5D所示。
與現(xiàn)有技術(shù)的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡150的陣列100及其制造方法相比，在本發(fā)明的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡295,395的陣列200,300及其制造方法中，通過引入在每個(gè)薄膜致動(dòng)反射鏡395的導(dǎo)管282和第一薄膜電極392之間的絕緣體284，減小了第一和第二薄膜電極之間短路的可能性。
應(yīng)指出，雖然薄膜致動(dòng)反射鏡295,395及其制造方法是按照每個(gè)薄膜致動(dòng)反射鏡具有單壓電晶片結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行描述，但是上面提出的各種想法同樣可應(yīng)用于每個(gè)薄膜致動(dòng)反射鏡具有雙壓電晶片結(jié)構(gòu)的情況，后一種情況涉及到一額外的電致位移層和電極層及其形成方法。
盡管只按照某些優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是在不脫離由下述權(quán)利要求提出的本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)和范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明做其它各種改進(jìn)和變動(dòng)。
權(quán)利要求
1.一種用于某種光學(xué)投影系統(tǒng)的M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列，其中M和N為整數(shù)，該陣列包括一有源矩陣；以及一M×N致動(dòng)機(jī)構(gòu)陣列，各致動(dòng)機(jī)構(gòu)包括一彈性件，其近端的底部支撐在該有源矩陣上從而如懸臂樣伸出；一第一薄膜電極，與地電連接從而可兼作反射鏡和偏置電極；一第二薄膜電極，一導(dǎo)管，從第二薄膜電極頂面向下延伸到有源矩陣并將后兩者電連接，從而使第二薄膜電極成為信號(hào)電極；一薄膜電致位移元件，置于第一和第二薄膜電極之間；以及一絕緣件，其中該絕緣件被置于導(dǎo)管頂表面和第一薄膜電極底表面之間，因而使第一和第二薄膜電極電絕緣。
2.如權(quán)利要求1的陣列，其特征在于，絕緣件由某種氮化物做成。
3.如權(quán)利要求1的陣列，其特征在于，絕緣件由某種電致位移材料做成。
4.如權(quán)利要求3的陣列，其特征在于，絕緣件為層狀。
5.如權(quán)利要求4的陣列，其特征在于，絕緣件覆蓋了導(dǎo)管和薄膜電致位移元件的頂面。
6.一種制造用于某種光學(xué)投影系統(tǒng)的一M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列的方法，其中，M和N為整數(shù)，該方法包括下面的步驟準(zhǔn)備一包括一襯底和一M×N連接端陣列的有源矩陣；在該有源矩陣頂表面上形成一鈍化層；在該鈍化層頂表面上沉積一蝕止層；在該蝕止層頂表面上形成一薄膜犧牲層；在該薄膜犧牲層內(nèi)按某特定方法制作一M×N空穴對(duì)陣列使各空穴對(duì)中的一個(gè)空穴圍繞一個(gè)連接端；在包含空穴的薄膜犧牲層頂表面上依次沉積一彈性層、一第二薄膜層和一薄膜電致位移層；把該電致位移層和第二薄膜層擺布形成一M×N電致位移元件陣列和一M×N第二薄膜電極陣列；形成一M×N導(dǎo)管陣列，各導(dǎo)管從第二薄膜電極伸到相應(yīng)連接端的頂表面；形成一M×N絕緣件陣列；在該M×N絕緣件陣列和薄膜電致位移元件陣頂表面上沉積一第一薄膜層從而形成一多層結(jié)構(gòu)；擺布該多層結(jié)構(gòu)成為一M×N致動(dòng)反射鏡機(jī)構(gòu)陣列，直到露出薄膜犧牲層；以及用某種腐蝕劑或化學(xué)劑去除薄膜犧牲層從而形成M×N薄膜致動(dòng)反射鏡陣列。
7.如權(quán)利要求6的方法，其特征在于，所述形成一薄膜犧牲層的步驟還包括拋平其頂表面的步驟。
8.如權(quán)利要求6的方法，其特征在于，所述形成M×N導(dǎo)管陣列的步驟進(jìn)一步包括形成一M×N孔陣列的步驟，每個(gè)孔由薄膜電致位移層頂面伸到相應(yīng)的連接端頂面。
9.如權(quán)利要求8的方法，其特征在于，通過向每個(gè)孔內(nèi)注入某種金屬到第二薄膜層，從而形成M×N導(dǎo)管陣列，每個(gè)導(dǎo)管從相應(yīng)的連接端頂面伸到第二薄膜電極。
10.如權(quán)利要求6的方法，其特征在于，絕緣件由某種氮化物做成。
11.如權(quán)利要求6的方法，其特征在于，絕緣件由某種電致位移材料做成。
12.如權(quán)利要求6的方法，其特征在于，絕緣件為層狀并完全覆蓋每個(gè)導(dǎo)管和該薄膜電致位移層。
13.如權(quán)利要求12的方法，其特征在于，用蒸鍍、硅膠、濺射或CVD方法中的一種方法形成絕緣件。
全文摘要
一種M×N薄膜致動(dòng)反射鏡(295)陣列(200)包括一有源矩陣(210)和一M×N致動(dòng)機(jī)構(gòu)(220)陣列。各致動(dòng)機(jī)構(gòu)(220)包括一第一薄膜電極(292)、一薄膜電致位移元件(275)、一第二薄膜電極(265)、一彈性件(255)、一導(dǎo)管(282)以及一絕緣件(284)。在該陣列中,絕緣件(284)由某種絕緣材料如氧化物或氮化物做成,并形成于導(dǎo)管(282)頂面與第一薄膜電極(292)底面之間,因此減小了在第一薄膜電極(292)和第二薄膜電極(265)之間形成電接觸的可能性。
文檔編號(hào)G02B26/08GK1220067SQ97195061
公開日1999年6月16日 申請(qǐng)日期1997年5月20日 優(yōu)先權(quán)日1996年5月29日
發(fā)明者閔庸基 申請(qǐng)人:大宇電子株式會(huì)社