本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及電泳顯示面板和制造方法。

背景技術(shù)：

目前，電泳顯示的基本原理通常是通過電場(chǎng)控制電泳粒子移動(dòng)的位置，通過移動(dòng)的位置控制光的反射情況，從而實(shí)現(xiàn)所需亮度。現(xiàn)有的電泳顯示面板的結(jié)構(gòu)一般是在像素電極與公共電極之間形成電泳膜。這樣，分別向像素電極和公共電極提供直流電壓信號(hào)，可以在兩者之間形成電場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn)畫面顯示。電泳顯示面的具體結(jié)構(gòu)可以參見圖1，其示出了現(xiàn)有電泳顯示面板的一種結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示，現(xiàn)有電泳顯示面板一般包括像素電極11和向像素電極11提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線12。數(shù)據(jù)線12沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。數(shù)據(jù)線12通過兩個(gè)串聯(lián)的薄膜晶體管與像素電極11電連接。且兩個(gè)薄膜晶體管的柵極與用于提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的掃描線13電連接。其中，掃描線13沿第二方向延伸，且沿第一方向排列。此時(shí)，為了減少走線占用非顯示區(qū)的空間，有助于窄邊框設(shè)計(jì)，從圖1可以看出，在電泳顯示面板的顯示區(qū)可以設(shè)置有用于向數(shù)據(jù)線12傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的金屬換線14。而為了簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，金屬換線14可以與掃描線13同層設(shè)置，且沿第二方向延伸。這樣也有利于面板的薄型化設(shè)計(jì)。

另外，現(xiàn)有的電泳顯示面板中，通常會(huì)在數(shù)據(jù)線12和掃描線13所在膜層分別形成兩個(gè)電容極板，如圖中粗實(shí)線所形成的區(qū)域。在充電階段，兩個(gè)電容極板充電以存儲(chǔ)電能。在保持階段，兩個(gè)電容極板分別向像素電極和公共電極充電，以補(bǔ)充像素電極受薄膜晶體管自身特性的影響而逐漸下降的電位，從而保證電泳粒子移動(dòng)所需的電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)畫面顯示。

然而，由于掃描線13、金屬換線14和電容極板設(shè)置于同一膜層，這樣會(huì)影響該膜層中電容極板的面積，從而減小了兩個(gè)電容極板之間在充電階段的電容量，進(jìn)而不能滿足在保持階段的設(shè)計(jì)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N改進(jìn)的電泳顯示面板和制造方法，來解決以上背景技術(shù)部分提到的技術(shù)問題。

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種電泳顯示面板。該電泳顯示面板包括：基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；位于基板上的第一金屬層，第一金屬層形成有第一電容極板；位于第一金屬層上的第二金屬層，第二金屬層形成有多個(gè)遮光區(qū)；位于第一金屬層與第二金屬層之間的第三金屬層，第三金屬層形成有第二電容極板；多條沿第二方向延伸且沿第一方向排列的金屬換線，用于向數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，其中，各金屬換線中的至少一條金屬換線位于顯示區(qū)，且至少一條金屬換線中，存在至少一條形成于第二金屬層的金屬換線。

在一些實(shí)施例中，電泳顯示面板包括薄膜晶體管、多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，用于向各像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)；薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和溝道，其中，溝道向第二金屬層的正投影位于其中一個(gè)遮光區(qū)內(nèi)；柵極形成于第一金屬層，源極和漏極形成于第三金屬層，溝道形成于半導(dǎo)體層，其中，半導(dǎo)體層位于第一金屬層與第三金屬層之間；多條掃描線形成于第一金屬層，沿第二方向延伸且沿第一方向排列，用于向柵極提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；多條數(shù)據(jù)線形成于第三金屬層，沿第一方向延伸且沿第二方向排列，且數(shù)據(jù)線與至少一條金屬換線電連接。

在一些實(shí)施例中，電泳顯示面板包括像素電極層和公共電極層；像素電極層位于第二金屬層與公共電極層之間，且像素電極層與公共電極層之間設(shè)置有電泳膜；像素電極層的像素電極接收數(shù)據(jù)信號(hào)，且公共電極層的公共電極接收公共電壓信號(hào)。

在一些實(shí)施例中，第一電容極板與像素電極電連接，第二電容極板與公共電極電連接。

在一些實(shí)施例中，電泳顯示面板包括公共信號(hào)線，用于向公共電極傳輸公共電壓信號(hào)；公共信號(hào)線形成于第三金屬層，且第二電容極板與公共電極通過公共信號(hào)線電連接；第一電容極板與像素電極通過過孔電連接，其中，過孔設(shè)置于第一電容極板向像素電極層的正投影與其中一個(gè)像素電極的至少部分重疊區(qū)。

在一些實(shí)施例中，像素電極向第二金屬層的正投影與至少一條金屬換線部分重疊。

在一些實(shí)施例中，電泳顯示面板還包括第一絕緣層，第一絕緣層位于像素電極層與第二金屬層之間。

在一些實(shí)施例中，電泳顯示面板還包括第二絕緣層，第二絕緣層位于第一金屬層與半導(dǎo)體層之間，其中，第二絕緣層與第一絕緣層具有相同厚度。

在一些實(shí)施例中，第一絕緣層的厚度l滿足：l≤350納米。

在一些實(shí)施例中，第一絕緣層的厚度l滿足：250納米≤l≤350納米。

第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種制造方法，該制造方法用于制造如第一方面中的任一實(shí)施例所描述的電泳顯示面板。該制造方法包括：準(zhǔn)備一基板，基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；在基板的顯示區(qū)形成第一金屬層，并對(duì)第一金屬層進(jìn)行處理，以形成第一電容極板；在第一金屬層上形成第三金屬層，并對(duì)第三金屬層進(jìn)行處理，以形成第二電容極板；在第三金屬層上形成第二金屬層，對(duì)第二金屬層進(jìn)行處理，以形成多個(gè)遮光區(qū)和至少一條金屬換線；其中，電泳顯示面板包括多條金屬換線，用于向數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。

在一些實(shí)施例中，電泳顯示面板包括像素電極層和第一絕緣層，該制造方法還包括：在第二金屬層上形成第一絕緣層，以使第一絕緣層覆蓋第二金屬層；在第一絕緣層上形成像素電極層，并對(duì)像素電極層進(jìn)行處理，以形成各像素電極。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的電泳顯示面板和制造方法，通過將位于顯示區(qū)的至少一條金屬換線設(shè)置于第二金屬層，有利于面板的薄型化設(shè)計(jì)的同時(shí)，可以減少占用第一金屬層和/或第三金屬層的空間。這樣，可以增加第一電容極板和/或第二電容極板的面積，從而增加兩者之間的重合面積，進(jìn)而增加兩者之間在充電階段的電容量，以滿足顯示需求。另外，利用第二金屬層來設(shè)置部分金屬換線的走線，可以滿足任意條數(shù)的數(shù)據(jù)線的換線需求，從而使電泳顯示面板的設(shè)計(jì)更加靈活，而不受數(shù)據(jù)線與掃描線之間比例關(guān)系的影響。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1是現(xiàn)有電泳顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2所示的電泳顯示面板的a-a＇處的剖視結(jié)構(gòu)圖；

圖4是本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的又一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4所示的電泳顯示面板的b-b＇處的剖視結(jié)構(gòu)圖；

圖6是圖4所示的電泳顯示面板的c-c＇處的剖視結(jié)構(gòu)圖；

圖7是本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的再一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的一種走線示意圖；

圖9是本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹圃旆椒ǖ囊粋€(gè)實(shí)施例的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的原理和特征作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。

請(qǐng)參見圖2和圖3，圖2示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2所示的電泳顯示面板的a-a＇處的剖視結(jié)構(gòu)圖。如圖3所示，電泳顯示面板可以包括：基板10、第一金屬層11、第二金屬層12和第三金屬層13。

在本實(shí)施例中，基板10可以包括顯示區(qū)(如圖2中虛線所形成的區(qū)域)和非顯示區(qū)(如圖2中虛線與實(shí)線之間的區(qū)域)。第一金屬層11位于基板10上，且第一金屬層11形成有第一電容極板21。第二金屬層12位于第一金屬層11上，且第二金屬層12形成有多個(gè)遮光區(qū)23。而第三金屬層13可以位于第一金屬層11與第二金屬層12之間，且第三金屬層13形成有第二電容極板22。也就是說，第一金屬層11、第三金屬層13和第二金屬層12沿遠(yuǎn)離基板10的方向依次疊置。

需要說明的是，圖3中括號(hào)外的標(biāo)號(hào)(如21)代表電泳顯示面板中的各電子元件的標(biāo)號(hào)。圖3中括號(hào)內(nèi)的標(biāo)號(hào)(如11)代表各電子元件所在膜層的標(biāo)號(hào)。在下面各實(shí)施例的附圖中，同樣采用這種標(biāo)號(hào)方式。

在本實(shí)施例中，電泳顯示面板還可以包括多條沿第二方向延伸且沿第一方向排列的金屬換線。金屬換線可以用于向數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。其中，各金屬換線中的至少一條金屬換線可以位于顯示區(qū)，這樣可以減少金屬換線占用非顯示區(qū)的空間，從而有利于窄邊框設(shè)計(jì)。在這里，位于顯示區(qū)的金屬換線可以設(shè)置于電泳顯示面板的任意膜層。例如，在電泳顯示面板上增加一層用于形成金屬換線的金屬膜層。再例如，為了簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，可以在電泳顯示面板現(xiàn)有的任意金屬膜層上形成金屬換線。

在本實(shí)施例中，位于顯示區(qū)的至少一條金屬換線中，存在至少一條形成于第二金屬層的金屬換線。如圖3所示，金屬換線241和金屬換線242可以形成在第一金屬層11，而金屬換線243和金屬換線244則可以形成在第二金屬層12。這樣可以減少金屬換線占用第一金屬層11和/或第三金屬層13的空間，從而可以增加第一電容極板21和/或第二電容極板22的面積。如圖2所示，金屬換線241和金屬換線242與第一電容極板21同層設(shè)置，且分別與一條數(shù)據(jù)線27通過過孔電連接。金屬換線243和金屬換線244與遮光區(qū)23同層設(shè)置，且通過過孔與一條數(shù)據(jù)線27電連接。由于兩電容極板之間的電容量與兩者之間的重合面積相關(guān)，即在相同條件下，重合面積越大，電容量也就越大。此時(shí)，與位于金屬換線241和金屬換線242之間的第一電容板21和第二電容板22相比，位于金屬換線242和金屬換線244之間的第一電容極板21和第二電容極板22可以在第一方向上向靠近金屬換線244的方向延伸，以增加第一電容極板21和第二電容極板22的面積，從而可以增加兩者之間的重合面積，進(jìn)而增加兩者之間在充電階段的電容量。這樣一來，在保持階段，若其他條件相同的情況下(如各像素電極的面積相同)，第一電容極板和第二電容極板分別可以更好地向像素電極和公共電極補(bǔ)充電能，從而使電泳粒子移動(dòng)至相應(yīng)位置，以滿足顯示需求，實(shí)現(xiàn)畫面顯示。

可以理解的是，本實(shí)施例中電泳顯示面板僅描述了與發(fā)明相關(guān)的膜層結(jié)構(gòu)。各膜層之間還可以包含其他膜層結(jié)構(gòu)，如絕緣層、薄膜晶體管等。此外，圖2中所示的各電子元件的數(shù)量?jī)H僅是示意性的，電泳顯示面板的顯示區(qū)通常會(huì)設(shè)置多條數(shù)據(jù)線、多條金屬換線、多組電容極板以及多個(gè)像素電極等。而且將至少部分金屬換線形成于第二金屬層后，可以任意設(shè)置與每條數(shù)據(jù)線電連接的金屬換線的數(shù)量，以降低電阻影響，增加數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸強(qiáng)度。

繼續(xù)參見圖4-圖6，圖4是本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的又一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4所示的電泳顯示面板的b-b＇處的剖視結(jié)構(gòu)圖；圖6是圖4所示的電泳顯示面板的c-c＇處的剖視結(jié)構(gòu)圖。如圖5所示，與圖2相同的是，本實(shí)施例中的電泳顯示面板同樣包括基板10、第一金屬層11、第二金屬層12、第三金屬層13、第一電容極板21、第二電容極板22、遮光區(qū)23和金屬換線24。各膜層之間的位置關(guān)系可以參見圖3中的相關(guān)描述，此處不再贅述。

與圖2不同的是，本實(shí)施例中的電泳顯示面板還可以包括薄膜晶體管、多條掃描線26和多條數(shù)據(jù)線27。通過這些電子元件可以向各像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖6所示，薄膜晶體管包括柵極251、源極252、漏極253和溝道254。掃描線一般與薄膜晶體管的柵極251電連接；數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源極252和漏極253中的一端電連接；同時(shí)，薄膜晶體管的源極252和漏極253中的另一端與像素電極28電連接。

這里的薄膜晶體管可以是非晶硅(amorphoussilicon，α-si)薄膜晶體管。在薄膜晶體管的溝道的制作工藝中，可以采用多種氣相沉積技術(shù)(如輝光放電、真空蒸鍍、化學(xué)氣相沉積等)對(duì)單硅烷或二硅烷等原材料進(jìn)行處理，以形成非晶態(tài)硅膜；再將該非晶態(tài)硅膜圖形化為溝道。另外，薄膜晶體管也可以是低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)薄膜晶體管。此時(shí)，在薄膜晶體管的溝道的制作工藝中，可以首先沉積一層非晶硅材料；之后采用準(zhǔn)激光分子退火(excimerlaserannealing，ela)技術(shù)，利用一定波長(zhǎng)的激光使該層非晶硅的硅晶轉(zhuǎn)化為多晶硅；再將該多晶硅圖形化為溝道。

需要說明的是，電泳顯示面板一般是采用全反射技術(shù)進(jìn)行畫面顯示，即依靠外界環(huán)境中的光源或設(shè)置于電泳顯示面板的表面的光源的照射，如圖6中箭頭所示照射方向。此時(shí)，為了避免光源對(duì)溝道254中的載流子產(chǎn)生影響，薄膜晶體管要一般位于第二金屬層12的下側(cè)(即背離光源的一側(cè))。并且溝道254向第二金屬層12的正投影位于其中一個(gè)遮光區(qū)23內(nèi)。

在本實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，且有助于面板的薄型化設(shè)計(jì)，柵極251、源極252、漏極253、掃描線26和數(shù)據(jù)線27可以分別形成在電泳顯示面板中現(xiàn)有的各金屬膜層。作為示例，如圖6所示，柵極251可以形成于第一金屬層11。源極252和漏極253可以形成于第三金屬層13。溝道254形成于半導(dǎo)體層14。其中，半導(dǎo)體層14可以(但不限于)如圖6所示位于第一金屬層11與第三金屬層13之間。在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，半導(dǎo)體層也可以位于基板與第一金屬層之間。另外，從圖4和圖5中可以看出，多條掃描線26也可以形成于第一金屬層11，以便于向柵極提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。且掃描線26沿第二方向延伸、沿第一方向排列。而多條數(shù)據(jù)線27則可以形成于第三金屬層13，以便于向源極或漏極提供數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)線27沿第一方向延伸、沿第二方向排列，且與至少一條金屬換線24電連接。

如圖4所示，數(shù)據(jù)線27可以通過過孔與兩條金屬換線24電連接。其中一條金屬換線24可以與掃描線26同層，而另一條金屬換線24可以與遮光區(qū)23同層。這樣可以降低因數(shù)據(jù)線27的電阻導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號(hào)的衰減，從而提升數(shù)據(jù)線27上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的強(qiáng)度。

從圖5可知，本實(shí)施例中的電泳顯示面板還可以包括像素電極層15和公共電極層16。其中，像素電極層15位于第二金屬層12與公共電極層16之間。且像素電極層15與公共電極層16之間設(shè)置有電泳膜17。像素電極層15的像素電極28接收數(shù)據(jù)信號(hào)，且公共電極層16的公共電極接收公共電壓信號(hào)。在充電階段，當(dāng)像素電極28接收到數(shù)據(jù)信號(hào)，且公共電極接收到公共電壓信號(hào)之后，像素電極28與公共電極之間可以形成電場(chǎng)。這樣，在電場(chǎng)的作用下，電泳膜17中的電泳粒子發(fā)生移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)畫面顯示。

此外，為了使第一電容極板21和第二電容極板22在充電階段可以存儲(chǔ)電能，并在保持階段可以將電能傳輸給像素電極28和公共電極，第一電容極板21可以接收數(shù)據(jù)信號(hào)，且與像素電極28電連接；而第二電容極板22則可以接收公共電壓信號(hào)，且與公共電極電連接。

如圖4所示，電泳顯示面板還可以包括公共信號(hào)線29。公共信號(hào)線29可以用于向公共電極傳輸公共電壓信號(hào)。為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，公共信號(hào)線29可以形成于第三金屬層，以便于與第二電容極板22電連接。并且第二電容極板22與公共電極之間可以通過公共信號(hào)線29電連接。例如公共信號(hào)線29在顯示區(qū)與第二電容極板22接觸連接，同時(shí)公共信號(hào)線29在非顯示區(qū)與公共電極通過過孔電連接?？梢岳斫獾氖?，這里的公共信號(hào)線29也可以沿第一方向延伸且沿第二方向排列，從而避免與數(shù)據(jù)線27的走線發(fā)生干涉，且使面板的整體走線更加規(guī)律和美觀，提升顯示效果。

進(jìn)一步地，第一電容極板21與像素電極28也可以通過過孔電連接。其中，過孔設(shè)置于第一電容極板21向像素電極層的正投影與其中一個(gè)像素電極28的至少部分重疊區(qū)。如圖4所示，雙柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線27連接，且該薄膜晶體管的漏極通過過孔20同時(shí)與第一電容極板21、像素電極28電連接。結(jié)合圖6可知，薄膜晶體管的漏極252、第一電容極板21和像素電極28向基板10的正投影存在重疊區(qū)。且過孔20設(shè)置于三者之間的重疊區(qū)。

可以理解的是，為了減小過孔深度，降低生產(chǎn)工藝難度和生產(chǎn)不良率，作為示例，第二電容極板可以與像素電極電連接。而第一電容極板則可以與公共電極電連接。此時(shí)，公共信號(hào)線可以形成于第一金屬層。且為了避免與掃描線的走線發(fā)生干涉，公共信號(hào)線可以沿第二方向延伸且沿第一方向排列。

由上述可知，電泳顯示面板通常為全反射式顯示結(jié)構(gòu)，且第二金屬層僅設(shè)置有遮光區(qū)23。所以在不影響遮光區(qū)功能的情況下，可以在第二金屬層任意設(shè)置金屬換線24。且像素電極28向第二金屬層的正投影可以與至少一條金屬換線24部分重疊。如圖4所示，通過對(duì)第二金屬層圖形化，可以形成部分金屬換線24，這樣增加了第一電容極板21與第二電容極板22之間的電容量，也可以使面板的設(shè)計(jì)更加靈活性。為了進(jìn)一步增加第一電容極板21與第二電容極板22之間的電容量，如圖7所示，各金屬換線24均可以形成在第二金屬層。另外，在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，除了增加第一電容極板和第二電容極板的面積之外，還可以增加像素電極的面積，從而可以增加像素電極與公共電極之間的重合面積。這樣一來，在充電階段，像素電極與公共電極之間也可以形成并存儲(chǔ)更多的電容量。

需要指出的是，如圖5所示，當(dāng)用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的金屬換線24設(shè)置于第二金屬層12時(shí)，考慮到第二金屬層12緊鄰像素電極層15，所以為了避免數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)金屬換線24直接提供給像素電極，電泳顯示面板還可以包括位于像素電極層15與第二金屬層12之間的第一絕緣層18。這樣，第一絕緣層18可以在兩者之間起到相互阻隔絕緣的作用。且第一絕緣層18的厚度可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。

與此同時(shí)，為了使薄膜晶體管起到開關(guān)控制作用，如圖6所示，電泳顯示面板還可以包括位于第一金屬層11與半導(dǎo)體層14之間的第二絕緣層19。這樣，第二絕緣層19可以在柵極與溝道之間起到絕緣作用。需要注意的是，為了保證在柵極接收到柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)后，薄膜晶體管可以導(dǎo)通，第二絕緣層19的厚度通常不會(huì)設(shè)置得很厚。也就是說，第二絕緣層19的厚度既可以起到絕緣作用，又不會(huì)影響薄膜晶體管的性能。

可選地，為了簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，第一絕緣層18可以與第二絕緣層19具有相同厚度。且第一絕緣層18與第二絕緣層19可以采用相同材料制成，從而減少生產(chǎn)原材料的種類和生產(chǎn)工藝參數(shù)的調(diào)整等。另外，需要說明的是，當(dāng)?shù)诙娙輼O板22與公共電極電連接后，第二電容極板22與像素電極28之間同樣會(huì)產(chǎn)生電容。由于電容量與電容極板之間的距離有關(guān)，所以第一絕緣層18的厚度越小，可以使第二電容極板22與像素電極28之間的距離越小。這樣可以有助于增加兩者之間的電容量，進(jìn)而提高像素電極所存儲(chǔ)的電能。

可以理解的是，隨著生產(chǎn)技術(shù)的不斷發(fā)展，電泳顯示面板中各膜層的厚度也在不斷改變。作為示例，為了實(shí)現(xiàn)電泳顯示面板的薄型化設(shè)計(jì)，第一絕緣層的厚度l可以滿足：l≤350納米。也就是說，隨著生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步，電泳顯示面板可以越做越薄。隨之，第一絕緣層的厚度l也可以越來越來小。對(duì)于目前的生產(chǎn)技術(shù)來說，可以使第一絕緣層的厚度l滿足：250納米≤l≤350納米。

此外，從圖1中可以看出，當(dāng)像素電極在第二方向的行數(shù)大于像素電極在第一方向的列數(shù)時(shí)，即便一條數(shù)據(jù)線與一條金屬換線電連接，也會(huì)導(dǎo)致部分?jǐn)?shù)據(jù)線不能進(jìn)行換線。而本申請(qǐng)的上述各實(shí)施例中的電泳顯示面板，通過將至少一條金屬換線設(shè)置于第二金屬層，可以使金屬換線的數(shù)目不受像素電極的行數(shù)與列數(shù)的比例的限制，從而使各條數(shù)據(jù)線都可以與至少一條金屬換線電連接，以傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)?？梢詤⒁妶D8，其示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娪撅@示面板的一種走線示意圖。

本實(shí)施例中的電泳顯示面板包括8行×5列的像素電極陣列(圖中未示出)。此時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)畫面顯示，如圖8所示，電泳顯示面板可以包括至少5條沿第二方向延伸的掃描線26、至少8條沿第一方向延伸的數(shù)據(jù)線27以及至少8條沿第二方向延伸的金屬換線24。其中，與前5條數(shù)據(jù)線27電連接的金屬換線241-金屬換線245可以形成于第一金屬層，即與掃描線26同層設(shè)置。而與剩下3條數(shù)據(jù)線27電連接的金屬換線246-金屬換線248可以形成于第二金屬層，即與遮光區(qū)同層設(shè)置。這樣，無論電泳顯示面板為橫屏結(jié)構(gòu)，還是豎屏結(jié)構(gòu)，都能滿足數(shù)據(jù)線的換線需求。而且將金屬換線246-金屬換線248設(shè)置于第二金屬層，不會(huì)影響與第5列像素電極對(duì)應(yīng)的電容極板的面積。

可選地，設(shè)置于第二金屬層的金屬換線向第一金屬層的正投影可以與掃描線至少部分重疊。也就是說，圖8中的金屬換線246-金屬換線248可以分別與其中一條掃描線26在顯示區(qū)重疊。這樣可以使走線更加規(guī)律和美觀，提升顯示效果。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種制造方法，該制造方法可以用于制造上述各實(shí)施例所描述的電泳顯示面板。參見圖9，其示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹圃旆椒ǖ囊环N實(shí)施例的流程圖。該制造方法包括以下步驟：

步驟901，準(zhǔn)備一基板。其中，該基板可以包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)。這里的基板可以是外購(gòu)(采購(gòu))的；也可以是自制的，例如從原材料開始經(jīng)過一系列的工藝制作。

步驟902，在基板的顯示區(qū)形成第一金屬層，并對(duì)第一金屬層進(jìn)行處理，以形成第一電容極板。

步驟903，在第一金屬層上形成第三金屬層，并對(duì)第三金屬層進(jìn)行處理，以形成第二電容極板。這里的第二電容極板向第一金屬層的正投影，應(yīng)該與第一電容極板大部分重合。

步驟904，在第三金屬層上形成第二金屬層，對(duì)第二金屬層進(jìn)行處理，以形成多個(gè)遮光區(qū)和至少一條金屬換線。其中，電泳顯示面板可以包括多條金屬換線，用于向數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，電泳顯示面板還可以包括像素電極層和第一絕緣層。此時(shí)，該制造方法還可以包括：在第二金屬層上形成第一絕緣層，以使第一絕緣層覆蓋第二金屬層；在第一絕緣層上形成像素電極層，并對(duì)像素電極層進(jìn)行處理，以形成各像素電極。

作為示例，利用本實(shí)施例的制造方法來制作上述圖7實(shí)施例中的電泳顯示面板的主要工藝過程可以如下：

1)在準(zhǔn)備的基板對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)的位置形成第一金屬層。對(duì)第一金屬層圖形化，以形成第一電容極板、掃描線和薄膜晶體管的柵極。

2)形成覆蓋第一金屬層的絕緣層。這里的絕緣層即為上述的第二絕緣層。該絕緣層的厚度不宜過厚，否則會(huì)影響溝道中載流子在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的作用下的運(yùn)動(dòng)，從而影響薄膜晶體管的性能。

3)在絕緣層上形成半導(dǎo)體層。對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行處理以形成薄膜晶體管的溝道。

4)形成覆蓋半導(dǎo)體層的絕緣層。并在絕緣層對(duì)應(yīng)于第一電容極板、溝道的位置分別形成過孔。

5)在步驟4)的絕緣層上形成第三金屬層。對(duì)第三金屬層圖形化，以形成第二電容極板、數(shù)據(jù)線、公共信號(hào)線、薄膜晶體管的源極和漏極。其中，薄膜晶體管的源極和漏極分別通過過孔與溝道連接。且漏極通過過孔與第一電容極板連接。

6)形成覆蓋第三金屬層的絕緣層。并在絕緣層對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線的位置形成過孔。

7)在步驟6)的絕緣層上形成第二金屬層。對(duì)第二金屬層圖形化，以形成遮光區(qū)和金屬換線。其中，金屬換線通過過孔與數(shù)據(jù)線連接。

8)形成覆蓋第二金屬層的絕緣層。并在絕緣層對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管的漏極的位置形成過孔。這里的絕緣層即為上述第一絕緣層。為了降低對(duì)像素電極與第二電容極板之間的電容量的影響，該絕緣層的厚度同樣不易過厚。例如該絕緣層的厚度可以與步驟2)中的絕緣層的厚度相同。再例如隨著生產(chǎn)技術(shù)的不斷改進(jìn)，該絕緣層的厚度可以不大于350納米。在一些生產(chǎn)工藝中，該絕緣層的厚度l還可以滿足：250納米≤l≤350納米。

9)在步驟8)的絕緣層上形成像素電極層。并對(duì)像素電極層進(jìn)行處理，以形成像素電極陣列。其中，各像素電極分別通過過孔與薄膜晶體管的漏極連接。

需要說明的是，制作圖7實(shí)施例中的電泳顯示面板的工藝過程還包括形成公共電極以及在公共電極與像素電極之間形成電泳膜等。這些工藝過程與現(xiàn)有制造工藝相同，此處不再贅述。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。