本發(fā)明涉及tft-lcd技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種tft-lcd的集成結(jié)構(gòu)的集成方法。
背景技術(shù)：
tft-lcd由于其主動(dòng)發(fā)光、廣視角、高對(duì)比度、色域豐富、響應(yīng)速度快、構(gòu)造簡(jiǎn)單、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性，將成為下一代顯示器件的主力軍。鑒于tft-lcd的電流驅(qū)動(dòng)特性，其每個(gè)像素都有一個(gè)對(duì)應(yīng)由薄膜晶體管(tft)和電容組成的電路來驅(qū)動(dòng)和控制tft-lcd發(fā)光元件，其中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與tft-lcd直接連接，將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流，并結(jié)合電容和其余薄膜晶體管構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)像素的選通、驅(qū)動(dòng)和補(bǔ)償?shù)裙δ?。由tft-lcd和驅(qū)動(dòng)電路組成的像素以陣列形式排列，每個(gè)像素都由開關(guān)信號(hào)和光強(qiáng)信號(hào)共同控制，決定像素的開關(guān)狀態(tài)和發(fā)光強(qiáng)度，進(jìn)而形成一幅完整的圖像。
現(xiàn)有的不透明的驅(qū)動(dòng)電路會(huì)限制發(fā)光區(qū)域的大小，從而影響像素的開口率；若采用頂發(fā)光結(jié)構(gòu)的tft-lcd，雖然可以使像素的開口率不受驅(qū)動(dòng)電路限制，實(shí)現(xiàn)約100％的開口率，但是卻面臨著頂電極、反型層和封裝等諸多結(jié)構(gòu)和工藝難點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明旨在提供了一種tft-lcd的集成結(jié)構(gòu)的集成方法。
本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
一種tft-lcd的集成結(jié)構(gòu)的集成方法，包括以下步驟：
(1)制備tft-lcd基板，利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗tft-lcd基板，再烘干，在tft-lcd基板上依次制備陽極層、功能層和陰極層；
(2)制備驅(qū)動(dòng)電路背板，利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗絕緣基板，再烘干，在絕緣基板上依次制備薄膜晶體管和電容構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路，然后采用封裝層對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)進(jìn)行封裝，隨后貫通該封裝層制成連接信號(hào)輸出端連接點(diǎn)的通道，并在封裝層之上和該通道中制備擴(kuò)展電極連接和引出信號(hào)輸出端連接點(diǎn)；
(3)集成tft-lcd結(jié)構(gòu)，將制成的tft-lcd面板翻轉(zhuǎn)，使陰極層面向驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極，兩者對(duì)準(zhǔn)并疊層粘合，完成tft-lcd的集成。
所述步驟(1)中超聲清洗是在80-140khz中選擇多個(gè)不同頻率進(jìn)行超聲清洗5-8min，清洗溫度為50-60℃。
所述步驟(2)中驅(qū)動(dòng)電路由若干薄膜晶體管和若干電容構(gòu)成，該薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板上的柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏電極，該電容包括依次層疊在同一絕緣基板上的第一電極、絕緣層和第二電極。
所述步驟(3)中粘合是將tft-lcd面板的陰極層面向?qū)?zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極并相互疊層粘合。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明tft-lcd面板與驅(qū)動(dòng)電路背板的制備過程相互獨(dú)立，避免傳統(tǒng)工藝中后期tft-lcd不良率導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)電路背板的損失；兩個(gè)制備過程可以同時(shí)進(jìn)行，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了工藝成本，縮短了生產(chǎn)周期，具有很好的產(chǎn)業(yè)兼容性。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例一種tft-lcd的集成結(jié)構(gòu)的集成方法，包括以下步驟：
(1)制備tft-lcd基板，利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗tft-lcd基板，再烘干，在tft-lcd基板上依次制備陽極層、功能層和陰極層；
(2)制備驅(qū)動(dòng)電路背板，利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗絕緣基板，再烘干，在絕緣基板上依次制備薄膜晶體管和電容構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路，然后采用封裝層對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)進(jìn)行封裝，隨后貫通該封裝層制成連接信號(hào)輸出端連接點(diǎn)的通道，并在封裝層之上和該通道中制備擴(kuò)展電極連接和引出信號(hào)輸出端連接點(diǎn)；
(3)集成tft-lcd結(jié)構(gòu)，將制成的tft-lcd面板翻轉(zhuǎn)，使陰極層面向驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極，兩者對(duì)準(zhǔn)并疊層粘合，完成tft-lcd的集成。
所述步驟(1)中超聲清洗是在80-140khz中選擇多個(gè)不同頻率進(jìn)行超聲清洗5-8min，清洗溫度為50-60℃。
所述步驟(2)中驅(qū)動(dòng)電路由若干薄膜晶體管和若干電容構(gòu)成，該薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板上的柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏電極，該電容包括依次層疊在同一絕緣基板上的第一電極、絕緣層和第二電極。
所述步驟(3)中粘合是將tft-lcd面板的陰極層面向?qū)?zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極并相互疊層粘合。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于所述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是所述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。