本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電控雙折射透鏡及圖像采集裝置。

背景技術(shù)：

立體成像靜態(tài)景物的拍攝常是使用一部照相機，在某一個位置角度先拍一張照片，然后平行移動照相機一段距離再拍一張，以獲得一組具有水平視差的立體照片。但用戶在使用同一個照相機在不同位置進行拍攝時難度較大，如需要控制兩次拍攝時的垂直高度相同、控制合適的水平位置量以獲得適當?shù)乃揭暡畹?，因此立體拍攝的效果往往不理想。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種電控雙折射透鏡及圖像采集裝置，其能夠在同一位置下達指令拍攝獲取具有固定水平視差的左右兩幅圖像，拍攝簡單，容易獲得立體圖像。

本發(fā)明的實施例是這樣實現(xiàn)的：

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種電控雙折射透鏡，其包括第一基板、第二基板、第一電極、第二電極、第一結(jié)構(gòu)陣列、第二結(jié)構(gòu)陣列以及模式切換層，所述第一基板與所述第二基板相向設(shè)置，所述第一電極設(shè)置于所述第一基板靠近所述第二基板的一側(cè)，所述第二電極設(shè)置于所述第二基板靠近所述第一基板的一側(cè)，所述第一結(jié)構(gòu)陣列設(shè)置于所述第一電極靠近所述第二基板的一側(cè)，所述第二結(jié)構(gòu)陣列設(shè)置于所述第二電極靠近所述第一基板的一側(cè)，所述模式切換層設(shè)置于所述第一結(jié)構(gòu)陣列和所述第二結(jié)構(gòu)陣列之間；所述第一結(jié)構(gòu)陣列包括多個第一結(jié)構(gòu)子陣列和多個遮光層，所述多個遮光層一一對應(yīng)覆蓋所述多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的部分區(qū)域，所述第二結(jié)構(gòu)陣列包括多個第二結(jié)構(gòu)子陣列；所述模式切換層用于當所述第一電極與所述第二電極之間處于不加電狀態(tài)時，平行于所述第一基板和所述第二基板，所述模式切換層的折射率為第一折射率，當所述第一電極與所述第二電極之間處于加電狀態(tài)時，垂直于所述第一基板和所述第二基板，所述模式切換層的折射率為第二折射率，所述第一折射率和所述第二折射率不同。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述電控雙折射透鏡還包括起偏器，所述起偏器設(shè)置于所述第二基板遠離所述第一基板的一側(cè)與所述第二基板層疊設(shè)置。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述電控雙折射透鏡還包括減反膜，所述減反膜設(shè)置于所述起偏器遠離所述第二基板的一側(cè)與所述起偏器層疊設(shè)置。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述第一結(jié)構(gòu)陣列的折射率為n1，所述第二結(jié)構(gòu)陣列的折射率為n2，所述第一折射率為ne，所述第二折射率為no，其中，n2＝no＜ne＝n1。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的形狀為直角三角形，所述多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的第一直角邊設(shè)置于所述第一電極上，所述多個遮光層一一對應(yīng)覆蓋所述多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的第二直角邊區(qū)域，所述多個第二結(jié)構(gòu)子陣列的形狀為直角三角形，所述多個第二結(jié)構(gòu)子陣列的第一直角邊設(shè)置于所述第二電極上。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述模式切換層包括多個沿所述第一基板的軸向排布的正性扭曲向列相液晶。

第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種圖像采集裝置，其包括鏡頭和上述電控雙折射透鏡，所述鏡頭包括鏡頭本體和控制裝置，所述鏡頭本體與所述第一基板連接，其中：當所述控制裝置獲得第一拍攝指令時，所述模式切換層處于平行狀態(tài)，以使所述圖像采集裝置通過所述鏡頭本體在第一位置拍攝獲得第一拍攝區(qū)域的左視角圖像；當所述控制裝置獲得第二拍攝指令時，所述模式切換層處于垂直狀態(tài)，以使所述圖像采集裝置通過所述鏡頭本體在所述第一位置拍攝獲得所述第一拍攝區(qū)域的右視角圖像，其中，所述第一拍攝指令與所述第二拍攝指令為相同或不同的指令，基于所述左視角圖像和所述右視角圖像能夠獲得三維圖像。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述所述當所述控制裝置獲得所述第一拍攝指令時，所述第一電極與所述第二電極處于未加電狀態(tài)，以使所述模式切換層處于平行狀態(tài)，并通過所述鏡頭本體在所述第一位置拍攝獲得所述第一拍攝區(qū)域的左視角圖像，所述模式切換層的折射率為第一折射率；所述當所述控制裝置獲得所述第二拍攝指令時，所述第一電極與所述第二電極處于加電狀態(tài)，以使所述模式切換層處于垂直狀態(tài)，并通過所述鏡頭本體在所述第一位置處拍攝獲得所述第一拍攝區(qū)域的右視角圖像，所述模式切換層的折射率為第二折射率，所述第一折射率與所述第二折射率不同。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述鏡頭還包括圖像傳感器，所述圖像傳感器設(shè)置于所述鏡頭本體內(nèi)，所述圖像傳感器用于當所述控制裝置獲得所述第一拍攝指令時，匯聚從所述第一拍攝區(qū)域的左視角的物體發(fā)射或反射的處于平行狀態(tài)的模式切換層折射的光線，當所述控制裝置獲得所述第二拍攝指令時，匯聚從所述第一拍攝區(qū)域的右視角的物體發(fā)射或反射的處于垂直狀態(tài)的模式切換層折射的光線。

在本發(fā)明較佳的實施例中，上述控制裝置從獲得所述第一拍攝指令的時間到獲得所述第二拍攝指令的時間不小于所述第一電極與所述第二電極從未加電狀態(tài)轉(zhuǎn)換為加電狀態(tài)的時間。

本發(fā)明實現(xiàn)的有益效果：本發(fā)明實施例提供了一種電控雙折射透鏡及圖像采集裝置，該裝置包括第一基板、第二基板、第一電極、第二電極、第一結(jié)構(gòu)陣列、第二結(jié)構(gòu)陣列以及模式切換層，第一基板與第二基板相向設(shè)置，第一電極設(shè)置于第一基板靠近第二基板的一側(cè)，第二電極設(shè)置于第二基板靠近第一基板的一側(cè)，第一結(jié)構(gòu)陣列設(shè)置于第一電極靠近第二基板的一側(cè)，第二結(jié)構(gòu)陣列設(shè)置于第二電極靠近第一基板的一側(cè)，模式切換層設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)陣列和第二結(jié)構(gòu)陣列之間。第一結(jié)構(gòu)陣列包括多個第一結(jié)構(gòu)子陣列和多個遮光層，將多個遮光層一一對應(yīng)覆蓋多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的部分區(qū)域，多個第二結(jié)構(gòu)陣列包括多個第二結(jié)構(gòu)子陣列。通過將模式切換層用于當?shù)谝浑姌O和第二電極之間處于加電狀態(tài)時，平行于第一基板和第二基板，此時模式切換層的折射率為第一折射率，當?shù)谝浑姌O與第二電極之間處于未加電狀態(tài)時，垂直于第一基板和第二基板，此時模式切換層的折射率為第二折射率，該第一折射率與第二折射率不同，從而能夠在同一位置下達指令拍攝獲取具有固定水平視差的左右兩幅圖像，拍攝簡單，容易獲得立體圖像。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明第一實施例提供的電控雙折射透鏡的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明第一實施例提供的電控雙折射透鏡的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明第二實施例提供的圖像采集裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明第二實施例提供的圖像采集裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明第二實施例提供的圖像采集裝置的一種工作示意圖；

圖6為本發(fā)明第二實施例提供的圖像采集裝置的另一種工作示意圖。

圖標：100-電控雙折射透鏡；110-第一基板；120-第二基板；130-第一電極；140-第二電極；150-第一結(jié)構(gòu)陣列；152-第一結(jié)構(gòu)子陣列；154-遮光層；160-第二結(jié)構(gòu)陣列；162-第二結(jié)構(gòu)子陣列；170-模式切換層；180-起偏器；190-減反膜；200-圖像采集裝置；210-鏡頭；212-鏡頭本體；214-圖像傳感器。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。

因此，以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

此外，術(shù)語“水平”、“豎直”、“懸垂”等術(shù)語并不表示要求部件絕對水平或懸垂，而是可以稍微傾斜。如“水平”僅僅是指其方向相對“豎直”而言更加水平，并不是表示該結(jié)構(gòu)一定要完全水平，而是可以稍微傾斜。

在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

第一實施例

請參照圖1及圖2，本實施例提供一種電控雙折射透鏡100，其包括第一基板110、第二基板120、第一電極130、第二電極140、第一結(jié)構(gòu)陣列150、第二結(jié)構(gòu)陣列160以及模式切換層170。

在本實施例中，第一基板110和第二基板120相向設(shè)置，即第一基板110和第二基板120正對設(shè)置，可以理解的，第一基板110和第二基板120的形狀和大小可以相同，也可以不相同，在此不做限定。作為一種方式，第一基板110和第二基板120由透明材料制成，其中，第一基板110和第二基板120可以是透明玻璃基板，當然第一基板110和第二基板120也可以是其他透明基板，在本發(fā)明的實施例中不作為限定。

進一步的，第一電極130設(shè)置于第一基板110靠近第二基板120的一側(cè)，即第一電極130的設(shè)置方向面向第二基板120，其中，第一電極130可以為面狀電極，第一電極130為一個整體的電極層，并且第一電極130與第一基板110對應(yīng)，面狀電極設(shè)置于第一基板110表面，第一電極130也可以是ito導電薄膜，其中，ito是一種n型氧化物半導體-氧化銦錫。第二電極140設(shè)置于第二基板120靠近第一基板110的一側(cè)，即第二電極140的設(shè)置方向面向第一基板110，其中，第二電極140可以為面狀電極，第二電極140為一個整體的電極層，并且第二電極140與第二基板120對應(yīng)，面狀電極設(shè)置于第二基板120表面，第二電極140也可以是ito導電薄膜，其中，ito是一種n型氧化物半導體-氧化銦錫。

進一步的，第一結(jié)構(gòu)陣列150設(shè)置于第一電極130靠近第二基板120的一側(cè)，即第一結(jié)構(gòu)陣列150的設(shè)置方向面向第二基板120。其中，該第一結(jié)構(gòu)陣列150包括多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152和多個遮光層154，作為一種方式，多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152沿第一電極130的軸向設(shè)置于第一電極130上，優(yōu)選的，多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152沿第一電極130的軸向均勻設(shè)置。在本實施例中，多個遮光層154一一對應(yīng)覆蓋多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152的部分區(qū)域，可以理解的，第一結(jié)構(gòu)子陣列152被遮光層154覆蓋的區(qū)域光線無法穿過，而沒有被遮光層154覆蓋的區(qū)域光線可穿過，其中，該遮光層154可以由黑色樹脂材料制成。

第二結(jié)構(gòu)陣列160設(shè)置于第二電極140靠近第一基板110的一側(cè)，即第二結(jié)構(gòu)陣列160的設(shè)置方向面向第一基板110。其中，該第二結(jié)構(gòu)陣列160包括多個第二結(jié)構(gòu)子陣列162，作為一種方式，多個第二結(jié)構(gòu)子陣列162沿第二電極140的軸向設(shè)置于第二電極140上，優(yōu)選的，多個第二結(jié)構(gòu)子陣列162沿第二電極140的軸向均勻設(shè)置?？梢岳斫獾?，由于第二結(jié)構(gòu)子陣列162沒有設(shè)置遮光材料，因此，該第二結(jié)構(gòu)子陣列162各個部分均可以被光線穿過。

在本實施例中，模式切換層170設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)陣列150和第二結(jié)構(gòu)陣列160之間，作為一種方式，該模式切換層170封裝于第一基板110和第二基板120形成的容置空間內(nèi)，其中，該模式切換層170為雙折射液晶材料，優(yōu)選的，該模式切換層170包括多個正性扭曲向列相液晶，該多個正性扭曲向列相液晶沿第一基板110的軸向排布，可以理解的，多個正性扭曲向列相液晶的初始取向為水平方向排列，因此設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)陣列150和第二結(jié)構(gòu)陣列160之間的模式切換層170的取向?qū)?未示出)摩擦取向方向彼此平行設(shè)置，即沿著水平方向。

可以理解的，該多個正性扭曲向列相液晶中液晶材料具有流動性，具有液晶物質(zhì)分子的各項異性排列的性質(zhì)，當多個正性扭曲向列相液晶在電場中時，由于液晶介電常數(shù)和電導率的各項異性，使液晶分子受到一種使分子軸取向改變的作用力。這種電場所引起的轉(zhuǎn)矩，會使分子軸發(fā)生旋轉(zhuǎn)。因此在這種狀態(tài)時，多個正性扭曲向列相液晶的光學性質(zhì)會與加電場之前不同，雙折射率也會受到電場影響。在本實施例中，該模式切換層170對應(yīng)非尋常光的折射率為ne，對應(yīng)尋常光的折射率no，其中，在不同的電場控制下，模式切換層170的折射率在ne和no之間變化。

在本實施例中，當?shù)谝浑姌O130和第二電極140之間處于不加電狀態(tài)時，即第一電極130和第二電極140之間不存在電場時，該模式切換層170的液晶排布方式不會發(fā)生改變，此時，該模式切換層170平行于第一基板110和第二基板120，其折射率為第一折射率。當?shù)谝浑姌O130和第二電極140之間處于加電狀態(tài)時，即第一電極130和第二電極140之間存在電場時，該模式切換層170的液晶排布方式相對于不加電狀態(tài)時發(fā)生改變，其折射率也會因為電場的加入而改變，此時，該模式切換層170垂直于第一基板110和第二基板120，其折射率為第二折射率，可以理解的，該第一折射率與第二折射率不同。

作為本實施例的一種實施方式，該第一結(jié)構(gòu)陣列150的折射率為n1，第二結(jié)構(gòu)陣160列的折射率為n2，第一折射率為ne，第二折射率為no，其中，第一結(jié)構(gòu)陣列150的折射率、第二結(jié)構(gòu)陣列160的折射率、第一折射率以及第二折射率滿足：n2＝no＜ne＝n1。

在本實施例中，該電控雙折射透鏡100還包括起偏器180，該起偏器180設(shè)置于第二基板120遠離第一基板110的一側(cè)與第二基板120層疊設(shè)置，該起偏器180用于將入射光線轉(zhuǎn)換為線偏振光，起偏器180的偏光方向與第一結(jié)構(gòu)陣列150和第二結(jié)構(gòu)陣列160表面的液晶材料取向?qū)幽Σ寥∠蚍较蚱叫小?/p>

進一步的，該電控雙折射透鏡100還包括減反膜190，該減反膜190設(shè)置于起偏器180遠離第二基板120的一側(cè)與起偏器180層疊設(shè)置。

作為本實施例的一種實施方式，多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152的形狀為直角三角形，且該多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152的第一直角邊設(shè)置于第一電極130上，多個遮光層154一一對應(yīng)覆蓋該多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的第二直角邊區(qū)域，即光線只能從第一結(jié)構(gòu)子陣列152的斜邊穿入第一直角邊，而不能從第二直角邊穿入第一直角邊。多個第二結(jié)構(gòu)子陣列162的形狀為直角三角形，且該多個第二結(jié)構(gòu)子陣列162的第一直角邊設(shè)置于第二電極140上，光線既能從第二結(jié)構(gòu)子陣列162的斜邊穿入第一直角邊，也能從第二直角邊穿入第一直角邊。

本發(fā)明第一實施例提供的電控雙折射透鏡100的第一結(jié)構(gòu)陣列150包括多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152和多個遮光層154，將多個遮光層154一一對應(yīng)覆蓋多個第一結(jié)構(gòu)子陣列152的部分區(qū)域，多個第二結(jié)構(gòu)陣列162包括多個第二結(jié)構(gòu)子陣列162。通過將模式切換層170用于當?shù)谝浑姌O130和第二電極140之間處于加電狀態(tài)時，平行于第一基板110和第二基板120，此時模式切換層170的折射率為第一折射率，當?shù)谝浑姌O130與第二電極140之間處于未加電狀態(tài)時，垂直于第一基板110和第二基板120，此時模式切換層170的折射率為第二折射率，該第一折射率與第二折射率不同，從而能夠在同一位置下達指令拍攝獲取具有固定水平視差的左右兩幅圖像，拍攝簡單，更容易獲得立體圖像。

第二實施例

請參照圖3及圖4，本發(fā)明第二實施例提供了一種圖像采集裝置200，其包括鏡頭210和電控雙折射透鏡100，該鏡頭210包括鏡頭本體212、控制裝置(未示出)以及圖像傳感器214，其中，該鏡頭本體212與第一基板110連接，該圖像傳感器214和控制裝置設(shè)置于該鏡頭本體212內(nèi)，該控制裝置用于與第一電極130和第二電極140電連接。

請參照圖5，其中，該控制裝置獲得第一拍攝指令時，該模式切換層170處于平行狀態(tài)，以使圖像采集裝置200通過該鏡頭本體212在第一位置拍攝獲得第一拍攝區(qū)域的左視角圖像。具體的，在控制裝置獲得第一拍攝指令時，該鏡頭本體212處于第一狀態(tài)，此時，第一電極130和第二電極140處于未加電狀態(tài)，從而模式切換層170平行于第一基板110和第二基板120?？梢岳斫獾模挥诘谝晃恢玫牡谝慌臄z區(qū)域左視角的物體，發(fā)出的光線或經(jīng)物體反射的光線進入起偏器180轉(zhuǎn)變?yōu)榫€偏振光，由于此時液晶分子的排列方向與偏振方向平行，折射率為第一折射率，因此入射光從第二基板120一側(cè)入射后，在第二基板120遠離第一基板110一側(cè)與空氣的界面以及第二結(jié)構(gòu)陣列160與模式切換層170相向的直角三角形的斜邊上，將發(fā)生兩次由光疏介質(zhì)進入光密介質(zhì)的折射，將入射光的方向改變?yōu)榇怪庇诘谝换?10方向，從而經(jīng)鏡頭本體212匯聚于圖像傳感器214上。而此時，位于第一位置的第一拍攝區(qū)域右視角的物體，發(fā)出的光線或經(jīng)物體反射的光線經(jīng)多次折射后從第一基板110一側(cè)出射時，被設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)子陣列152的第二直角邊區(qū)域上的遮光層154遮擋不能通過鏡頭本體212進入鏡頭210，以此可獲得第一位置的第一拍攝區(qū)域的左視角圖像。

請參照圖6，其中，該控制裝置獲得第二拍攝指令時，該模式切換層170處于垂直狀態(tài)，以使圖像采集裝置200通過鏡頭本體212在第一位置拍攝獲得第一拍攝區(qū)域的右視角圖像，其中，該第一拍攝指令和第二拍攝指令為相同或不同的指令，可以理解的，當?shù)谝慌臄z指令和第二拍攝指令為相同的指令時，表示該控制裝置只接收一次拍攝指令，即用戶只需要觸發(fā)一次拍攝按鈕，該圖像采集裝置200自動進行兩次拍攝；當?shù)谝慌臄z指令和第二拍攝指令為不相同指令時，表示該控制裝置接收兩次拍攝指令，即用戶需要觸發(fā)兩次拍攝按鈕，該圖像采集裝置200每接收到一次拍攝指令則進行一次拍攝。

具體的，在控制裝置獲得第二拍攝指令時，該鏡頭本體212處于第二狀態(tài)，此時，第一電極130和第二電極140處于加電狀態(tài)，從而模式切換層170垂直于第一基板110和第二基板120?？梢岳斫獾?，位于第一位置的第一拍攝區(qū)域右視角的物體，發(fā)出的光線或經(jīng)物體發(fā)射的光線進入起偏器180轉(zhuǎn)變?yōu)榫€偏振光，由于液晶分子的排列方向與偏振方向垂直，折射率為第二折射率，因此入射光從第二基板120一側(cè)入射后，在第二基板120遠離第一基板110一側(cè)與空氣的界面將發(fā)生由光疏介質(zhì)進入光密介質(zhì)的折射，而在第二結(jié)構(gòu)陣列160與模式切換層170相向的直角三角形斜邊上沒有折射率的差異入射光將沿著直線傳播，在模式切換層170與第一結(jié)構(gòu)陣列150的直角三角形的斜邊上，再次發(fā)生從光疏介質(zhì)(折射率no)向光密介質(zhì)(折射率n1＝ne＞no)的折射，入射光向法線靠近，將入射光的方向改變?yōu)榇怪庇诘谝换?10的方向，從而經(jīng)鏡頭本體212之后匯聚于圖像傳感器214。而此時，位于第一位置的第一拍攝區(qū)域左視角的物體，發(fā)出的光線或經(jīng)物體反射的光線經(jīng)多次折射后從第一基板110一側(cè)出射時，被設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)子陣列152的第二直角邊區(qū)域上的遮光層154遮擋不能通過鏡頭本體212進入鏡頭210，以此可獲得第一位置的第一拍攝區(qū)域的右視角圖像。

進一步的，基于該第一位置的第一拍攝區(qū)域的左視角圖像和第一位置的第一拍攝區(qū)域的右視角圖像合成獲得三維立體圖像。

可以理解的，在本實施例中，控制裝置從獲得第一拍攝指令的時間到獲得第二拍攝指令的時間不小于第一電極130與第二電極140從未加電狀態(tài)轉(zhuǎn)換為加電狀態(tài)的時間，即不小于模式切換層170從平行狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)的時間。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供了一種電控雙折射透鏡及圖像采集裝置，該裝置包括第一基板、第二基板、第一電極、第二電極、第一結(jié)構(gòu)陣列、第二結(jié)構(gòu)陣列以及模式切換層，第一基板與第二基板相向設(shè)置，第一電極設(shè)置于第一基板靠近第二基板的一側(cè)，第二電極設(shè)置于第二基板靠近第一基板的一側(cè)，第一結(jié)構(gòu)陣列設(shè)置于第一電極靠近第二基板的一側(cè)，第二結(jié)構(gòu)陣列設(shè)置于第二電極靠近第一基板的一側(cè)，模式切換層設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)陣列和第二結(jié)構(gòu)陣列之間。第一結(jié)構(gòu)陣列包括多個第一結(jié)構(gòu)子陣列和多個遮光層，將多個遮光層一一對應(yīng)覆蓋多個第一結(jié)構(gòu)子陣列的部分區(qū)域，多個第二結(jié)構(gòu)陣列包括多個第二結(jié)構(gòu)子陣列。通過將模式切換層用于當?shù)谝浑姌O和第二電極之間處于加電狀態(tài)時，平行于第一基板和第二基板，此時模式切換層的折射率為第一折射率，當?shù)谝浑姌O與第二電極之間處于未加電狀態(tài)時，垂直于第一基板和第二基板，此時模式切換層的折射率為第二折射率，該第一折射率與第二折射率不同，從而能夠在同一位置下達指令拍攝獲取具有固定水平視差的左右兩幅圖像，拍攝簡單，容易獲得立體圖像。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。