本發(fā)明涉及制造加工領(lǐng)域，具體涉及一種微納米器件光刻加工方法。

背景技術(shù)：

光刻技術(shù)在微納器件制造領(lǐng)域具有很重要的作用。現(xiàn)有技術(shù)中，請(qǐng)參考圖1，在進(jìn)行光刻加工時(shí)，通常采用方塊或者十字等方式在加工模板上進(jìn)行光刻標(biāo)記，然后，將模板b上的光刻標(biāo)記與模板a上的呃光刻標(biāo)記對(duì)齊、對(duì)準(zhǔn)，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同加工模板的電路圖形對(duì)齊曝光顯影。

現(xiàn)有技術(shù)中，光刻技術(shù)使用的對(duì)圖標(biāo)記經(jīng)常需要在光刻設(shè)備的顯微鏡下邊尋找很久，要求不同的版層上的光刻標(biāo)記嚴(yán)格對(duì)齊。這些版層對(duì)準(zhǔn)后才能使得器件的各個(gè)層之間對(duì)準(zhǔn)。一般而言，光刻標(biāo)記在對(duì)齊的過(guò)程當(dāng)中，采用肉眼判斷，當(dāng)光刻標(biāo)記出現(xiàn)一些角度偏差難以發(fā)現(xiàn)，繼而造成了對(duì)準(zhǔn)誤差較大。

因此，如何減少光刻對(duì)準(zhǔn)誤差成為亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于如何減少光刻對(duì)準(zhǔn)誤差。

為此，根據(jù)第一方面，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種微納米器件光刻加工方法，包括：

在第一版層模板上制作第一光刻標(biāo)記，第一光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記；將第一版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上進(jìn)行曝光顯影，以將第一版層模板上的電路圖形制作在待加工微納米器件的樣品上；在第一版層模板上制作第二光刻標(biāo)記，第二光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記；第二光刻標(biāo)記的線段間隔與第一光刻標(biāo)記的線段相匹配，第一光刻標(biāo)記的線段間隔與第二光刻標(biāo)記的線段相匹配；將第二版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上，以使第一光刻標(biāo)記的線段位于第二光刻標(biāo)記的線段間隔上，第二光刻標(biāo)記的線段位于第一光刻標(biāo)記的線段間隔上；對(duì)貼附第二版層模板后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行曝光顯影，以將第二版層模板上的電路圖形制作在待加工微納米器件的樣品上。

可選地，在第一版層模板上制作第一光刻標(biāo)記包括：在第一版層模板上沿相互交叉的兩個(gè)方向上分別制作第一光刻標(biāo)記；在第一版層模板上制作第二光刻標(biāo)記包括：在第二版層模板上沿相互交叉的兩個(gè)方向上分別制作第二光刻標(biāo)記。

可選地，在將第一版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上進(jìn)行曝光顯影和將第二版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上之間還包括：對(duì)制作第一版層模板上的電路圖形后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行絕緣處理。

可選地，在對(duì)貼附第二版層模板后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行曝光顯影之后，還包括：對(duì)制作第二版層模板上的電路圖形后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行絕緣處理。

本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的微納米器件光刻加工方法，由于第一版層模板上的第一光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記，第二版層模板上的第二光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記，第二光刻標(biāo)記的線段間隔與第一光刻標(biāo)記的線段相匹配，第一光刻標(biāo)記的線段間隔與第二光刻標(biāo)記的線段相匹配，使得將第二版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上時(shí)，能夠通過(guò)線段和線段間隔的位置關(guān)系來(lái)確定第一版層模板和第二版層模板是否對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)這種方式，有利于光刻標(biāo)記的尋找，沿著線段觀測(cè)可以方便地檢查整個(gè)版面的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)，從而減少光刻對(duì)準(zhǔn)誤差。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中微納米器件光刻標(biāo)記示意；

圖2為本實(shí)施例中一種微納米器件光刻加工方法流程圖；

圖3為本實(shí)施例中一種微納米器件光刻加工過(guò)程狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是無(wú)線連接，也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

為了減少光刻對(duì)準(zhǔn)誤差，本實(shí)施例公開(kāi)了一種微納米器件光刻加工方法，請(qǐng)參考圖2，為該微納米器件光刻加工方法流程圖，該微納米器件光刻加工方法包括：

步驟s100，在第一版層模板上制作第一光刻標(biāo)記。本實(shí)施例中，所稱第一光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記。請(qǐng)參考圖3，在第一版層模板a上制作第一光刻標(biāo)記，如圖3中第一版層模板a上虛線所示。

步驟s200，將第一版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上進(jìn)行曝光顯影。通過(guò)將第一版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上進(jìn)行曝光顯影，從而將第一版層模板上的電路圖形制作在待加工微納米器件的樣品上。

步驟s300，在第二版層模板上制作第二光刻標(biāo)記。本實(shí)施例中，所稱第二光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記。請(qǐng)參考圖3，在第一版層模板b上制作第一光刻標(biāo)記，如圖3中第一版層模板b上虛線所示。第二光刻標(biāo)記的線段間隔與第一光刻標(biāo)記的線段相匹配，第一光刻標(biāo)記的線段間隔與第二光刻標(biāo)記的線段相匹配。本實(shí)施例中，所稱相匹配是指長(zhǎng)度一致，當(dāng)然可以允許存在一定的誤差。

步驟s400，將第二版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上。具體地，請(qǐng)參考圖3，在將第二版層模板b貼附在待加工微納米器件的樣品c上時(shí)，應(yīng)當(dāng)使第一光刻標(biāo)記的線段位于第二光刻標(biāo)記的線段間隔上，第二光刻標(biāo)記的線段位于第一光刻標(biāo)記的線段間隔上，如圖3中待加工微納米器件的樣品c上的實(shí)線為匹配后的第一光刻標(biāo)記和第二光刻標(biāo)記。

步驟s500，對(duì)貼附第二版層模板后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行曝光顯影。通過(guò)對(duì)貼附第二版層模板后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行曝光顯影，從而將第二版層模板上的電路圖形制作在待加工微納米器件的樣品上。

在可選的實(shí)施例中，在執(zhí)行步驟s100時(shí)，在第一版層模板上制作第一光刻標(biāo)記包括：在第一版層模板上沿相互交叉的兩個(gè)方向上分別制作第一光刻標(biāo)記；在執(zhí)行步驟s300時(shí)，在第二版層模板上制作第二光刻標(biāo)記包括：在第二版層模板上沿相互交叉的兩個(gè)方向上分別制作第二光刻標(biāo)記。具體地，相互交叉的兩個(gè)方向可以是垂直的方向，也可以非垂直的方向。

在可選的實(shí)施例中，在執(zhí)行步驟s200和步驟s400之間，還包括：對(duì)制作第一版層模板上的電路圖形后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行絕緣處理。需要說(shuō)明的是，對(duì)制作第一版層模板上的電路圖形后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行絕緣處理可以在步驟s300之前，也可以在步驟s300之后。

在可選的實(shí)施例中，在執(zhí)行步驟s500之后，還包括：對(duì)制作第二版層模板上的電路圖形后的待加工微納米器件的樣品進(jìn)行絕緣處理。

本實(shí)施例提供的微納米器件光刻加工方法，由于第一版層模板上的第一光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記，第二版層模板上的第二光刻標(biāo)記為間隔線段式標(biāo)記，第二光刻標(biāo)記的線段間隔與第一光刻標(biāo)記的線段相匹配，第一光刻標(biāo)記的線段間隔與第二光刻標(biāo)記的線段相匹配，使得將第二版層模板貼附在待加工微納米器件的樣品上時(shí)，能夠通過(guò)線段和線段間隔的位置關(guān)系來(lái)確定第一版層模板和第二版層模板是否對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)這種方式，有利于光刻標(biāo)記的尋找，沿著線段觀測(cè)可以方便地檢查整個(gè)版面的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)，從而減少光刻對(duì)準(zhǔn)誤差。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。