技術(shù)特征:
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種亞波長(zhǎng)光柵偏振器及制備方法,包括偏振片和基層,所述偏振片的下方設(shè)置有基層,所述基層的內(nèi)部包括有光柵層、波導(dǎo)層和包層;所述光柵層與所述波導(dǎo)層位于同一層;所述波導(dǎo)層的折射率大于包層的折射率,所述波導(dǎo)層由多個(gè)重復(fù)的光柵單元組成;本發(fā)明通過(guò)采用亞波長(zhǎng)全刻蝕光柵結(jié)構(gòu),并使其中的波導(dǎo)層的折射率大于所述上包層和下包層的折射率,能夠兼耦合與分束功能于一體,并具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、尺寸小、與CMOS工藝兼容性好、制作成本低且快速等優(yōu)點(diǎn),能夠很好的應(yīng)用于光電集成電路系統(tǒng)當(dāng)中,同時(shí)采用多層偏振片,可以提高實(shí)現(xiàn)高消光比和高透過(guò)率。
技術(shù)研發(fā)人員:朱巧芬;劉秀紅;王華英;韓海燕;郎利影;王雪光;石志祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者:河北工程大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.07.11
技術(shù)公布日:2017.08.29