本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過在相對設(shè)置的彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置多個主支撐柱來維持貼合后液晶顯示面板的盒厚，而為了防止暗態(tài)下出現(xiàn)擠壓漏光現(xiàn)象(即在液晶顯示面板的使用過程中，當(dāng)彩膜基板發(fā)生擠壓形變時，會帶動其上設(shè)置的主支撐柱一起運(yùn)動，而主支撐柱的運(yùn)動可能會對陣列基板上的配向膜產(chǎn)生剮蹭，使配向膜損壞，而配向膜損壞后，液晶層中的液晶分子的排布會發(fā)生變化，進(jìn)而導(dǎo)致在暗態(tài)下出現(xiàn)漏光現(xiàn)象)，需要增加主支撐柱處的黑色矩陣的覆蓋面積，而當(dāng)主支撐柱處的黑色矩陣覆蓋面積與其他未設(shè)置主支撐柱處的黑色矩陣覆蓋面積差異較大時，會導(dǎo)致主支撐柱處的亮度和其他未設(shè)置主支撐柱處的亮度出現(xiàn)明顯差異，進(jìn)而在顯示面板上會形成與主支撐柱的分布規(guī)律相同的明顯規(guī)則暗點(diǎn)，而該規(guī)則暗點(diǎn)的形成會影響顯示面板的顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板和顯示裝置。

本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括：

顯示區(qū)，非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)；

彩膜基板，陣列基板，所述彩膜基板與所述陣列基板相對設(shè)置；

主支撐柱，所述主支撐柱位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間；

第一亞像素單元，所述第一亞像素單元位于所述顯示區(qū)，且在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述主支撐柱與所述第一亞像素單元相互交疊；

第一絕緣層，所述第一絕緣層在所述第一亞像素單元的開口區(qū)域內(nèi)具有凹槽。

可選地，其中，所述凹槽為鏤空結(jié)構(gòu)。

可選地，其中，所述凹槽與所述第一亞像素單元的開口區(qū)域形狀相同。

可選地，其中，所述凹槽與所述第一亞像素單元的開口區(qū)域面積相同。

可選地，其中，所述第一亞像素單元包括紅色亞像素單元和藍(lán)色亞像素單元，對于同一個所述主支撐柱，在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，分別與所述紅色亞像素單元和所述藍(lán)色亞像素單元相互交疊。

可選地，其中，所述陣列基板朝向所述彩膜基板一側(cè)包括：

多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，在所述顯示區(qū)內(nèi)，所述多條柵極線沿第一方向排列且沿第二方向延伸，所述多條數(shù)據(jù)線沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸，所述第一方向與所述第二方向交叉，所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個亞像素單元，所述亞像素單元包括所述第一亞像素單元。

可選地，其中，所述第一絕緣層位于所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線之間。

可選地，其中，所述陣列基板還包括：

多條觸控信號線，所述觸控信號線與所述數(shù)據(jù)線在所述顯示區(qū)內(nèi)異層絕緣設(shè)置，所述觸控信號線位于所述數(shù)據(jù)線朝向所述彩膜基板的一側(cè)；

第一電極層，所述第一電極層位于所述觸控信號線朝向所述彩膜基板的一側(cè)，所述第一絕緣層位于所述第一電極層與所述觸控信號線之間。

可選地，其中，所述第一電極層為像素電極層或公共電極層。

可選地，其中，所述亞像素單元包括紅色亞像素單元、綠色亞像素單元和藍(lán)色亞像素單元，在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述觸控信號線位于所述紅色亞像素單元與所述藍(lán)色亞像素單元之間；

所述主支撐柱分別與所述紅色亞像素單元和所述綠色亞像素單元相互交疊；或者，

所述主支撐柱分別與所述藍(lán)色亞像素單元和所述綠色亞像素單元相互交疊。

可選地，其中，所述液晶顯示面板為負(fù)性液晶顯示面板。

可選地，其中，所述陣列基板還包括自容式觸控電極層。

可選地，其中，所述自容式觸控電極層包括多個呈陣列排布的觸控電極塊，每個所述觸控電極塊至少與一條所述觸控信號線電連接。

可選地，其中，所述觸控電極塊與所述觸控信號線通過過孔電連接。

可選地，其中，所述自容式觸控電極層復(fù)用為公共電極層。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述液晶顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有如下突出的優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在與主支撐柱相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元內(nèi)對第一絕緣層通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得凹槽，而在獲得凹槽后，則能夠消除或者減少光線在第一絕緣層內(nèi)傳播的過程中被反射的部分，增加第一亞像素單元開口區(qū)域內(nèi)光的透過率，而對于某一亞像素單元，其在液晶顯示面板出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)所能夠達(dá)到的亮度，即光線的穿透率正比于該亞像素單元的開口率與光的透過率的乘積，進(jìn)而凹槽的存在能夠增加第一亞像素單元的亮度，增加主支撐柱處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱處與未設(shè)置主支撐柱處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1c為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一絕緣層的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1d為圖1c沿b-b'的一種剖視圖；

圖1e為圖1c沿b-b'的再一種剖視圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的再一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1b沿a-a'的一種剖視圖；

圖4a為圖1b沿a-a'的再一種剖視圖；

圖4b為圖1b沿a-a'的又一種剖視圖；

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的又一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的又一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種自容式觸控電極層的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。

如圖1a、圖1b所示，圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖，液晶顯示面板100包括：

顯示區(qū)，非顯示區(qū)，非顯示區(qū)圍繞顯示區(qū)；

彩膜基板1，陣列基板2，彩膜基板1與陣列基板2相對設(shè)置；

主支撐柱3，主支撐柱3位于彩膜基板1與陣列基板2之間；

第一亞像素單元101，第一亞像素單元101位于顯示區(qū)，且在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，主支撐柱3與第一亞像素單元101相互交疊；

第一絕緣層11，第一絕緣層11在第一亞像素單元101的開口區(qū)域1011內(nèi)具有凹槽111。

具體地，如圖1a所示，液晶顯示面板100可以包括從上到下依次層疊設(shè)置的彩膜基板1、主支撐柱3、液晶分子層4和陣列基板2，其中，用于維持液晶顯示面板100盒厚的主支撐柱3可以設(shè)置在彩膜基板1朝向陣列基板2的一側(cè)，且與陣列基板2接觸。而在二維平面內(nèi)液晶顯示面板100可以包括用于圖像和信息顯示的顯示區(qū)(圖中未示出)，以及用于布設(shè)例如顯示驅(qū)動、靜電防護(hù)等周邊電路的非顯示區(qū)(圖中未示出)。如圖1b所示，陣列基板2朝向彩膜基板1的一側(cè)還可以包括多條沿第一方向x排列且沿第二方向y延伸的柵極線12，以及多條沿第二方向y排列且沿第一方向x延伸的數(shù)據(jù)線13，其中，第一方向x與第二方向y交叉，而顯示區(qū)內(nèi)的柵極線12與數(shù)據(jù)線13可以絕緣交叉限定出包括第一亞像素單元101在內(nèi)的多個亞像素單元10。亞像素單元10內(nèi)可以設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管14和像素電極(圖中未示出)，其中，開關(guān)薄膜晶體管14的源極141與數(shù)據(jù)線13電連接，柵極142與柵極線12電連接，漏極143與像素電極電連接，開關(guān)薄膜晶體管14在經(jīng)由柵極線12上的電壓信號導(dǎo)通后，數(shù)據(jù)線13可以通過開關(guān)薄膜晶體管14的源極141和漏極143向像素電極傳輸數(shù)據(jù)信號。如圖1a、1b所示，第一亞像素單元101與主支撐柱3直接相鄰，且在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，主支撐柱3與第一亞像素單元101相互交疊，第一絕緣層11在第一亞像素單元101的開口區(qū)域1011內(nèi)具有凹槽111，其中，第一絕緣層11可以設(shè)置在陣列基板2朝向彩膜基板1的一側(cè)，具體可以某一層或者多層絕緣層的形式存在，而在與主支撐柱3相鄰的第一亞像素單元101內(nèi)對第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽可以獲得凹槽111，其中，凹槽111可以是在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，對第一絕緣層11僅去掉一定厚度后得到，也可以是將第一絕緣層11完全鏤空后得到的，只需要保證凹槽111所在位置的第一絕緣層11的厚度小于其他地方即可。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，通過在與主支撐柱3相鄰的第一亞像素單元101內(nèi)對第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得凹槽111，其中，凹槽111可以是鏤空的或者是凹槽的底面仍然具有一定的厚度，而在獲得凹槽111后，則能夠消除或者減少光線在第一絕緣層11內(nèi)傳播的過程中被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案中，由于主支撐柱3的存在以及為了防止擠壓漏光的發(fā)生，主支撐柱3在彩膜基板上所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)黑色矩陣(圖中未示出)面積外擴(kuò)的原因，第一亞像素單元101所在的區(qū)域，相比于其他未設(shè)置主支撐柱的區(qū)域，具有相對較小的開口率，即在相同面積的亞像素單元10內(nèi)，具有較小的開口區(qū)域，其中，對于每個亞像素單元10，其在液晶顯示面板出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)有用于正常顯示的光線出射的范圍即為開口區(qū)域。如圖1a、1b所示，一方面由于第一絕緣層11與其臨近的其他層次具有不同的折射率，故光源中的光在第一絕緣層11的入射界面會存在很大的部分被反射掉而無法到達(dá)出光面，又一方面由于第一絕緣層11在形成的過程中受到重力和分子之間不同作用力的影響，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，并非一直能夠保持相同的折射率，所以光線在第一絕緣層11內(nèi)的傳播過程中仍然會有相當(dāng)部分的光由于反射無法到達(dá)出光面，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101內(nèi)對第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得凹槽111，其中，可以是如圖1c、圖1d所示，圖1d為圖1c沿b-b'的一種剖視圖，凹槽111的底面1110仍然具有一定的厚度，即對第一絕緣層11僅去掉了一定的厚度，而在獲得凹槽111后，由于凹槽111所在位置介質(zhì)層厚度的減少，可以減少光線在第一絕緣層11內(nèi)傳播的過程中所經(jīng)過的不同折射率的層次，減少在第一絕緣層11內(nèi)，光線因穿越不同折射率的層次而被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，而對于某一亞像素單元10，其在液晶顯示面板100出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)所能夠達(dá)到的亮度，即光線的穿透率正比于該亞像素單元的開口率與光的透過率的乘積，進(jìn)而凹槽111的存在能夠增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

而在本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101內(nèi)對第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得凹槽111，也可以是如圖1c、圖1e所示，圖1c為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一絕緣層的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖1e為圖1c沿b-b'的再一種剖視圖，凹槽111的底面為鏤空結(jié)構(gòu)，即凹槽111所在位置處的介質(zhì)層被完全去掉，而在獲得凹槽111后，由于第一絕緣層11在凹槽111鏤空區(qū)域內(nèi)入射界面的消失，則可以使得入射光線完全透過，進(jìn)而可以消除光線在入射界面被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，而對于某一亞像素單元10，其在液晶顯示面板100出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)所能夠達(dá)到的亮度，即光線的穿透率正比于該亞像素單元的開口率與光的透過率的乘積，進(jìn)而鏤空的凹槽111的存在能夠增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

需要補(bǔ)充說明的是，如圖1b所示，在陣列基板2朝向彩膜基板1的一側(cè)還可設(shè)置金屬遮光層145，而金屬遮光層145能夠?qū)纭绊敄攀健钡拈_關(guān)薄膜晶體管14中的有源層144形成有效遮擋，避免背光源中的光線照射到有源層144上，有效避免光生載流子以及漏電流的產(chǎn)生。而在一些可選的實(shí)施例中，開關(guān)薄膜晶體管也可以是“底柵式”的，即可以包括從上到下依次層疊設(shè)置的源漏極金屬層(包括同層設(shè)置的源極和漏極，其中，源極可以和數(shù)據(jù)線同層設(shè)置)、有源層以及柵極(其中，柵極可以與柵極線同層設(shè)置)，本發(fā)明對此不做限制。

可選地，如圖1a、圖1b、圖1c、圖1e所示，凹槽111為鏤空結(jié)構(gòu)。

具體地，由于第一絕緣層11與其臨近的其他層次具有不同的折射率，故光源中的光在第一絕緣層11的入射界面會存在很大的部分被反射掉而無法到達(dá)出光面，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101內(nèi)對第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得底部鏤空的凹槽111，而在獲得凹槽111后，則能夠在凹槽111的鏤空區(qū)域內(nèi)使入射光線完全透過，消除光線在入射界面被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，而對于某一亞像素單元10，其在液晶顯示面板100出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)所能夠達(dá)到的亮度，即光線的穿透率正比于該亞像素單元的開口率與光的透過率的乘積，進(jìn)而鏤空的凹槽111的存在能夠增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。在一些可選的實(shí)施例中，凹槽111的底面也可以部分鏤空，其中鏤空面積越大，則對于第一亞像素單元101的亮度提升越大，對于規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象的改善越好。

可選地，如圖1b和圖1c所示，凹槽111與第一亞像素單元101的開口區(qū)域1011形狀相同。具體地，在與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101的開口區(qū)域1011內(nèi)對第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得的凹槽111可以與其所在的開口區(qū)域1011形狀相同，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案能夠降低設(shè)計(jì)難度，節(jié)省設(shè)計(jì)成本?？梢岳斫獾氖牵景l(fā)明實(shí)施例在圖1b和圖1c中示意性的設(shè)置開口區(qū)域1011和凹槽111的形狀為方形，而在一些其他可選地實(shí)施例中，也可以設(shè)置開口區(qū)域1011和凹槽111的形狀為梯形、長方形或者圓形，本發(fā)明對此不做限制。

可選地，如圖1a、圖1b所示，凹槽111與第一亞像素單元101的開口區(qū)域1011面積相同。具體地，如圖1a、圖1b所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101的整個開口區(qū)域1011內(nèi)設(shè)置凹槽111，能夠最大程度的消除或者減少光線在第一絕緣層11內(nèi)傳播的過程中被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，進(jìn)而最大程度的增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

可選地，如圖1a、圖1b和圖2所示，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的再一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖，第一亞像素單元101包括紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b，對于同一個主支撐柱3，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，其分別與紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b相互交疊。

具體地，如圖1a、圖1b和圖2所示，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，設(shè)置與主支撐柱3相鄰且彼此交疊的第一亞像素單元101分別為紅色亞像素單元101r(光線透過后實(shí)質(zhì)顯示為紅光)和藍(lán)色亞像素單元101b(光線透過后實(shí)質(zhì)顯示為藍(lán)光)，其中，紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b在顯示區(qū)內(nèi)可以是以某一同時包含紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b的最小可重復(fù)單元在柵極線12的延伸方向上重復(fù)排列，而在數(shù)據(jù)線13的延伸方向上保持不變。如圖2所示，相對于穿透率較高的綠色亞像素單元(光線透過后實(shí)質(zhì)顯示為綠光)，由于紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b所對應(yīng)的區(qū)域穿透率較低，而某一亞像素單元內(nèi)的亮度與其內(nèi)光的穿透率成正比，因此紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b所對應(yīng)的區(qū)域亮度較低，而對于某一亞像素單元，其亮度越小，則對該亞像素單元的亮度進(jìn)行改變后，其對該亞像素單元所在顯示區(qū)域的亮度的影響相對也就越小，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案將主支撐柱3設(shè)置在紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b之間，相比于設(shè)置在綠色亞像素單元附近，能夠相對降低主支撐柱3以及主支撐柱3在彩膜基板上所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)黑色矩陣面積的外擴(kuò)對相鄰的第一亞像素單元101內(nèi)顯示亮度的影響，降低顯示區(qū)內(nèi)主支撐柱3所在位置處形成的規(guī)則暗點(diǎn)的可分辨度，能夠進(jìn)一步改善顯示面板的規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

可選地，如圖1a、圖1b所示，陣列基板2朝向彩膜基板1一側(cè)包括：

多條柵極線12和多條數(shù)據(jù)線13，在顯示區(qū)內(nèi)，多條柵極線12沿第一方向x排列且沿第二方向y延伸，多條數(shù)據(jù)線13沿第二方向y排列且沿第一方向x延伸，第一方向x與第二方向y交叉，柵極線12與數(shù)據(jù)線13絕緣交叉限定多個亞像素單元10，亞像素單元10包括第一亞像素單元101。具體地，亞像素單元10內(nèi)可以設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管14和像素電極(圖中未示出)，其中，開關(guān)薄膜晶體管14的源極141可以與數(shù)據(jù)線13電連接，柵極142可以與柵極線12電連接，漏極143可以與像素電極電連接，開關(guān)薄膜晶體管14在經(jīng)由柵極線12上的電壓信號導(dǎo)通后，數(shù)據(jù)線13可以通過開關(guān)薄膜晶體管14的源極141和漏極143向像素電極傳輸數(shù)據(jù)信號。

可選地，如圖3所示，圖3為圖1b沿a-a'的一種剖視圖，第一絕緣層11位于柵極線12與所述數(shù)據(jù)線13之間。

具體地，圖3示意性地設(shè)置開關(guān)薄膜晶體管14為“頂柵式”的，即可以包括從上到下依次層疊設(shè)置的源漏極金屬層(包括同層設(shè)置的源極141和漏極143)、第一絕緣層11、柵極142和有源層144，其中漏極143可以通過過孔與像素電極15電連接，源極141可以和數(shù)據(jù)線13同層設(shè)置，柵極142可以與柵極線12同層設(shè)置，開關(guān)薄膜晶體管14在經(jīng)由柵極線12上的電壓信號導(dǎo)通后，數(shù)據(jù)線13可以通過開關(guān)薄膜晶體管14的源極141和漏極143向像素電極15傳輸數(shù)據(jù)信號即電壓信號，而在像素電極15和公共電極16二者之間電壓差的作用下，液晶分子層4中的液晶分子能夠?qū)崿F(xiàn)旋轉(zhuǎn)透光，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液晶顯示。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，可以如圖3所示，在柵極線12與所述數(shù)據(jù)線13之間設(shè)置第一絕緣層11，同時，可以如圖1a和圖1b所示，對與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101內(nèi)的第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得凹槽111，其中，可以是如圖1c、圖1e所示，凹槽111的底面為鏤空結(jié)構(gòu)，或者如圖1c、圖1d所示，凹槽111的底面1110仍然具有一定的厚度，而在獲得凹槽111后，則能夠消除(如圖1e所示，槽111的底面為鏤空結(jié)構(gòu))或者減少(如圖1d所示，槽111的底面1110仍然具有一定的厚度)光線在第一絕緣層11內(nèi)傳播的過程中被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，而對于某一亞像素單元10，其在液晶顯示面板100出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)所能夠達(dá)到的亮度，即光線的穿透率正比于該亞像素單元的開口率與光的透過率的乘積，進(jìn)而凹槽111的存在能夠增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。需要說明的是，陣列基板2還可以包括層間絕緣層17、18、19、20和液晶配向?qū)?1，而在包括“頂柵式”的開關(guān)薄膜晶體管的液晶顯示面板中，第一絕緣層還可以包括層間絕緣層17、18和20中的一種或者多種，凹槽還可以設(shè)置在包括層間絕緣層17、18和20在內(nèi)的一層或者多層上，本發(fā)明對此不做限制。而在一些可選的實(shí)施例中，開關(guān)薄膜晶體管也可以是“底柵式”的，即可以包括從上到下依次層疊設(shè)置的源漏極金屬層(包括同層設(shè)置的源極和漏極，其中，源極可以和數(shù)據(jù)線同層設(shè)置)、有源層以及柵極(其中，柵極可以與柵極線同層設(shè)置)，而第一絕緣層可以包括柵極線與數(shù)據(jù)線之間的一層或者多層層間絕緣層，即凹槽可以設(shè)置在柵極線與數(shù)據(jù)線之間的一層或者多層層間絕緣層上，本發(fā)明對此不做限制。

可選地，如圖4a、4b所示，圖4a為圖1b沿a-a'的再一種剖視圖，圖4b為圖1b沿a-a'的又一種剖視圖，陣列基板2還包括：

多條觸控信號線22，觸控信號線22與數(shù)據(jù)線13在顯示區(qū)內(nèi)異層絕緣設(shè)置，觸控信號線22位于數(shù)據(jù)線13朝向彩膜基板1的一側(cè)；

第一電極層30，第一電極層30位于觸控信號線22朝向彩膜基板1的一側(cè)，第一絕緣層11位于第一電極層30與觸控信號線22之間。

具體地，如圖4a、4b所示，液晶顯示面板100可以具有觸控功能，且觸控驅(qū)動電路可以通過觸控信號線22傳輸觸控驅(qū)動信號和/或接受觸控檢測信號，而圖4a和圖4b中，示意性地，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，設(shè)置觸控信號線22與數(shù)據(jù)線13相互交疊且彼此絕緣，如此能夠在內(nèi)嵌式觸控型液晶顯示面板中獲得較大的開口率。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，可以如圖4a或圖4b所示，在第一電極層30與觸控信號線22之間設(shè)置第一絕緣層11，同時，可以如圖1a和圖1b所示，對與主支撐柱3相鄰的、開口率較小的第一亞像素單元101內(nèi)的第一絕緣層11通過例如刻蝕的方式進(jìn)行挖槽獲得凹槽111，其中，可以是如圖1c、圖1e所示，凹槽111的底面為鏤空結(jié)構(gòu)，或者如圖1c、圖1d所示，凹槽111的底面1110仍然具有一定的厚度，而在獲得凹槽111后，則能夠消除(如圖1e所示，槽111的底面為鏤空結(jié)構(gòu))或者減少(如圖1d所示，槽111的底面1110仍然具有一定的厚度)光線在第一絕緣層11內(nèi)傳播的過程中被反射的部分，增加第一亞像素單元101開口區(qū)域1011內(nèi)光的透過率，而對于某一亞像素單元10，其在液晶顯示面板100出光面所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)所能夠達(dá)到的亮度，即光線的穿透率正比于該亞像素單元的開口率與光的透過率的乘積，進(jìn)而凹槽111的存在能夠增加第一亞像素單元101的亮度，增加主支撐柱3處的亮度，降低顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有主支撐柱3處與未設(shè)置主支撐柱3處的亮度差異，降低規(guī)則暗點(diǎn)的可辨識度，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。

可選地，如圖4a所示，第一電極層30為像素電極層150。

具體地，如圖4a所示，第一電極層30可以為像素電極層150，而公共電極層160位于像素電極層150靠近彩膜基板1的一側(cè)。

可選地，如圖4b所示，第一電極層30為公共電極層160。

具體地，如圖4b所示，第一電極層30可以為公共電極層160，而像素電極層150位于公共電極層160靠近彩膜基板1的一側(cè)。

可選地，如圖1a、1b、5a和圖5b所示，圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的又一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的又一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖，亞像素單元10包括紅色亞像素單元101r、綠色亞像素單元101g和藍(lán)色亞像素單元101b，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，觸控信號線22位于紅色亞像素單元101r與藍(lán)色亞像素單元101b之間；

主支撐柱3分別與紅色亞像素單元101r和綠色亞像素單元101g相互交疊；或者，

主支撐柱3分別與藍(lán)色亞像素單元101b和綠色亞像素單元101g相互交疊。

具體地，如圖1a、1b、5a和圖5b所示，紅色亞像素單元101r(光線透過后實(shí)質(zhì)顯示為紅光)、藍(lán)色亞像素單元101b(光線透過后實(shí)質(zhì)顯示為藍(lán)光)和綠色亞像素單元101g(光線透過后實(shí)質(zhì)顯示為綠光)在顯示區(qū)內(nèi)可以是以某一同時包含紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b以及綠色亞像素單元101g的最小可重復(fù)單元在柵極線12的延伸方向上重復(fù)排列，而在數(shù)據(jù)線13的延伸方向上保持不變。在液晶顯示面板100中，對于觸控信號線22位置處的配向膜(圖中未示出)會因觸控信號線22的存在而形成突起，不平整，而在液晶分子摩擦配向時，當(dāng)相應(yīng)區(qū)域的配向膜不平整時，會對該區(qū)域的配向膜造成損傷，進(jìn)而該區(qū)域所對應(yīng)的液晶分子的排布方向會隨之發(fā)生變化，導(dǎo)致暗態(tài)漏光嚴(yán)重。當(dāng)光線分別透過紅色亞像素單元101r、綠色亞像素單元101g和藍(lán)色亞像素單元101b這三種顏色的亞像素單元后，可以進(jìn)行光合成，而在進(jìn)行光合成時，綠色光對顯示面板亮度的貢獻(xiàn)最大(即亮度最高)，同時又因?yàn)榱炼仍礁叩膮^(qū)域產(chǎn)生的暗態(tài)漏光越明顯，因此當(dāng)選擇將觸控信號線22設(shè)置在綠色亞像素單元101g的任意一側(cè)時，由于透過綠色亞像素單元101g的綠色光對顯示面板的整體亮度貢獻(xiàn)最大，則會因設(shè)置有觸控信號線22的相應(yīng)區(qū)域內(nèi)配向膜的損傷導(dǎo)致比較明顯的暗態(tài)漏光，如圖5a和圖5b所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，選擇將觸控信號線22設(shè)置在紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b之間，則當(dāng)在紅色亞像素單元101r和藍(lán)色亞像素單元101b之間布設(shè)觸控信號線22的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生暗態(tài)漏光后，由于紅色光和藍(lán)色光對亮度的貢獻(xiàn)小于綠色光對亮度的貢獻(xiàn)，因此產(chǎn)生的暗態(tài)漏光不會太明顯，暗態(tài)漏光的可辨度相對較低，進(jìn)而可以改善觸控型液晶顯示面板由于摩擦配向而造成的暗態(tài)漏光現(xiàn)象。如圖1a、1b和圖5a所示，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，設(shè)置主支撐柱3分別與紅色亞像素單元101r和綠色亞像素單元101g相互交疊，或者，如圖1a、1b和圖5b所示，在垂直于陣列基板2所在平面的方向上，設(shè)置主支撐柱3分別與藍(lán)色亞像素單元101b和綠色亞像素單元101g相互交疊，即將主支撐柱3與觸控信號線22在垂直于陣列基板2所在平面的方向上錯位設(shè)置，避免主支撐柱3與觸控信號線22疊加，造成液晶顯示面板局部盒厚非設(shè)計(jì)目的地增加，其中，液晶顯示面板的盒厚和光的透過率成正比，因此當(dāng)液晶顯示面板的盒厚增加后，相應(yīng)區(qū)域?qū)?yīng)的光的透過率也會增加，進(jìn)而使得該區(qū)域的穿透率和亮度增加，而當(dāng)相應(yīng)區(qū)域的亮度與其他區(qū)域的亮度差達(dá)到一定程度后，會使該區(qū)域形成明顯的亮線，為了避免觸控信號線22所在區(qū)域出現(xiàn)明顯亮線，故本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，如圖1a、1b和圖5a所示，將主支撐柱3設(shè)置在紅色亞像素單元101r和綠色亞像素單元101g之間，或者，如圖1a、1b和圖5b所示，將主支撐柱3設(shè)置在藍(lán)色亞像素單元101b和綠色亞像素單元101g之間。對于觸控型液晶顯示面板，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，能夠在減少觸控信號線所在區(qū)域暗態(tài)漏光，避免出現(xiàn)明顯亮線的同時，改善規(guī)則暗點(diǎn)現(xiàn)象，提升顯示效果。需要說明的是，在不考慮上述觸控信號線22所在區(qū)域因摩擦配向造成的暗態(tài)漏光的情況下，觸控信號線22也可以設(shè)置在藍(lán)色亞像素單元和綠色亞像素單元之間，或者設(shè)置在紅色亞像素單元和綠色亞像素單元之間，其中，優(yōu)選地，在垂直于陣列基板所在平面的方向上，主支撐柱3與觸控信號線22錯位設(shè)置。

可選地，如圖4a、4b、5a、5b所示，液晶顯示面板100為負(fù)性液晶顯示面板。

具體地，液晶分子層4中的液晶分子為負(fù)性液晶分子，負(fù)性液晶分子相比于正性液晶分子能夠獲得更大的透過率，且由于負(fù)性液晶分子與正性液晶分子摩擦配向方向的不同，當(dāng)液晶分子層4中的液晶分子為負(fù)性液晶分子時，能夠降低觸控信號線22所在區(qū)域的暗態(tài)漏光程度。

可選地，如圖6所示，圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種自容式觸控電極層的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板還包括自容式觸控電極層23。

可選地，如圖6所示，自容式觸控電極層23包括多個呈陣列排布的觸控電極塊230，每個觸控電極塊230至少與一條所述觸控信號線22電連接。

具體的，如圖6所示，自容式觸控電極層23包括呈陳列排布的多個觸控電極塊230，每個觸控電極塊230均可與例如零勢能的大地端構(gòu)成一個電容，即自電容通道，每個觸控電極塊230分別經(jīng)由與之電連接的觸控信號線22實(shí)現(xiàn)觸控驅(qū)動信號的輸入和觸控檢測信號的輸出，液晶顯示顯示面板100利用觸控驅(qū)動信號和觸控檢測信號確定觸控位置。

可選地，如圖6所示，觸控電極塊230與觸控信號線22通過過孔220電連接。

可選的，如圖5a、5b和圖6所示，自容式觸控電極層23復(fù)用為公共電極層。

具體的，如圖5a、5b和圖6所示，液晶顯示面板100在工作時段上可以分為觸控階段和顯示階段，在觸控階段，液晶顯示面板100可以進(jìn)行觸摸控制，觸控電極塊230可以通過與之電連接的觸控信號線22實(shí)現(xiàn)觸控驅(qū)動信號的輸入和觸控檢測信號的輸出，而在顯示階段，自容式觸控電極層23復(fù)用為公共電極層，液晶顯示面板100可以進(jìn)行顯示控制，觸控電極塊230可以通過與之電連接的觸控信號線22接收公共電壓信號，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液晶顯示，其中，觸控階段和顯示階段可交替互換。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，顯示裝置200包括上述的液晶顯示面板100，如圖7所示，顯示裝置200可以為手機(jī)，包括上述任一實(shí)施方式中描述的液晶顯示面板100。另外，本實(shí)施例中，顯示裝置200還可以為手表、電腦、電視等顯示裝置，本發(fā)明對此不做限定。由于該實(shí)施例提供的顯示裝置包含了上述實(shí)施例中描述的液晶顯示面板，因此，也相應(yīng)地具有上述液晶顯示面板的相關(guān)優(yōu)勢，該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述液晶顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。