本發(fā)明涉及液晶顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板修補(bǔ)方法及陣列基板以及液晶顯示器。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，以低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)作為陣列基板內(nèi)薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)的半導(dǎo)體層的液晶顯示面板在中高端小尺寸產(chǎn)品中獲得了越來(lái)越多的應(yīng)用，多個(gè)知名品牌的智能手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品均使用ltps液晶顯示面板。ltps液晶顯示面板具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度低功耗等優(yōu)點(diǎn)。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，分辨率的提高對(duì)像素開口率提出更高的要求。要做到更大的開口率，要對(duì)各層金屬的線寬線距進(jìn)行壓縮，讓空間給像素開口區(qū)。線距壓縮，同層相鄰但不同電位的金屬線短路的風(fēng)險(xiǎn)增加，通常是公共電極與像素電極發(fā)生短路，造成對(duì)像素亮度的影響，需要對(duì)像素做暗點(diǎn)化處理。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種修補(bǔ)效率高、時(shí)間短的陣列基板修補(bǔ)方法。

本發(fā)明所述的陣列基板修補(bǔ)方法包括，

斷開陣列基板上像素的像素電極與所述陣列基板的tft開關(guān)；

連通所述像素電極與所述陣列基板上公共電極線。

其中，所述像素電極與公共電極線連通位置位于所述像素電極與公共電極線重疊部分。

其中，在陣列基板的像素內(nèi)預(yù)設(shè)橫跨tft開關(guān)的漏極的修補(bǔ)線，使用激光沿著修補(bǔ)線照射所述tft開關(guān)的漏極以使所述像素的像素電極與所述tft斷開。

其中，所述像素電極包括主像素電極、次像素電極、主tft開關(guān)及次tft開關(guān)；所述次像素電極與所述次開關(guān)的漏極連接，所述tft開關(guān)即為所述主tft開關(guān)。

其中，所述主像素電極所在區(qū)域形成過(guò)孔，所述過(guò)孔連接所述主開關(guān)的漏極，所述修補(bǔ)線形成于所述過(guò)孔與所述主開關(guān)之間橫跨所述漏極。

其中，所述公共電極線與像素電極位于不同層且電位相同。

其中，所述公共電極形成于所述主像素電極及次像素電極下方。

其中，所述像素電極及公共電極的材料均為ito。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括玻璃基板，形成于玻璃基板的tft開關(guān)、公共電極線及像素電極層，所述tft包括源極和漏極，所述漏極與所述像素電極斷路，并且像素電極與所述公共電極線連接。

本發(fā)明所述的液晶顯示器，包括陣列基板、彩膜基板及夾持于彩膜基板的顯示介質(zhì)層，還包括為所述液晶顯示器提供光源的背光模組。

本發(fā)明所述的陣列基板修補(bǔ)方法只需要當(dāng)檢測(cè)到公共電極與像素電極線短接時(shí)，使用激光沿著修補(bǔ)線照射所述tft開關(guān)的漏極以使所述像素的像素電極與所述tft斷開即可，不僅可以修復(fù)陣列基板的像素發(fā)生漏光，暗點(diǎn)等異常；而且提高修補(bǔ)站點(diǎn)的效率，低激光機(jī)臺(tái)損耗，對(duì)于大批量的不良修補(bǔ)，該修補(bǔ)方式能大大減少修補(bǔ)時(shí)間、低修補(bǔ)成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明液晶顯示器的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的陣列基板的像素電極俯視結(jié)構(gòu)示意圖，屬于透視圖，不同的剖面線代表不同的層；

圖3為本發(fā)明所述陣列基板修補(bǔ)方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)所述的圖案化構(gòu)圖工藝包括成膜、顯影、曝光、蝕刻等構(gòu)圖工藝。

如圖1所示，其為本發(fā)明一實(shí)施例中液晶顯示器的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖，顯示面板包括依次層疊設(shè)置的陣列基板11、顯示介質(zhì)層12以及彩膜基板13。還包括為所述液晶顯示器提供光源的背光模組。其中，陣列基板11與彩膜基板13上設(shè)置有多個(gè)顯示元件(圖未示)，所示多個(gè)顯示元件用于產(chǎn)生電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)顯示介質(zhì)層12進(jìn)行圖像顯示。本實(shí)施例中，顯示介質(zhì)層12為液晶分子層，也即是本實(shí)施中顯示面板10以液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay,lcd)為例進(jìn)行說(shuō)明。

所述陣列基板11包括玻璃基板，形成于玻璃基板的tft開關(guān)、公共電極線及像素電極層，所述tft包括源極和漏極，所述陣列基板還包括形成于玻璃基板的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層，所述tft開關(guān)形成于柵極絕緣層，覆蓋tft開關(guān)的絕緣層。所述公共電極線層與像素電極層依次形成于絕緣層并通過(guò)一平坦層間隔。

所述陣列基板11包括形成于所述基板上的多個(gè)像素區(qū)域、多條柵極線及多條數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線交叉構(gòu)成像素。所述像素區(qū)域理解為一個(gè)像素中的一個(gè)r子像素區(qū)域、或者b子像素區(qū)域或者g子像素區(qū)域。本實(shí)施例中以一個(gè)像素區(qū)域b為例進(jìn)行說(shuō)明，每一像素區(qū)域b包括主子像素區(qū)域和次子像素區(qū)域，所述主子像素區(qū)域設(shè)有主子像素電極，所述次子像素區(qū)域設(shè)有次子像素電極。本實(shí)施例中，所述像素區(qū)域還包括開口區(qū)，開口區(qū)為透光區(qū)，是指陣列基板水平面上與彩膜基板設(shè)置的黑色矩陣之間的像素相對(duì)應(yīng)的位置。

如圖2所示，所述漏極與所述像素電極斷路，并且像素電極與所述公共電極線連接。本實(shí)施例中，所述漏極與通孔連接的部分被一修補(bǔ)線分隔，所述修補(bǔ)線為激光切割形成的切痕形成。

具體的，所述像素包括像素電極，所述像素電極包括主像素電極21、次像素電極22、主tft開關(guān)23及次tft開關(guān)24；所述次像素電極22與所述次開關(guān)24的漏極連接，所述tft開關(guān)即為所述主tft開關(guān)。所述次開關(guān)24為次像素電極22提供電壓。所述主開關(guān)的漏極231與所述像素電極(主像素電極21)斷路，并且主像素電極21)與所述公共電極線25連接。

所述主像素電極21區(qū)域形成過(guò)孔210，所述過(guò)孔210連接所述主開關(guān)23的漏極231，修補(bǔ)線233形成于所述過(guò)孔210與所述主開關(guān)23之間橫跨所述漏極231一斷開像素電極與公共電極線25。所述修補(bǔ)線233為激光切割形成的切痕形成。其中，所述公共電極25的與像素電極位于不同層且電位相同。所述公共電極25形成于所述主像素電極21及次像素電極22下方。所述像素電極及公共電極及走線的材料均為ito。所述像素還包括輔助tft開關(guān)，所述輔助tft開關(guān)位于主tft開關(guān)及次tft開關(guān)一側(cè)，與所述次像素電極連接。

當(dāng)檢測(cè)到陣列基板存在斷路時(shí)，通過(guò)激光沿著所述修補(bǔ)線233位置將漏極與連接像素的過(guò)孔之間的部分切斷，就可以利用公共電極線和像素電極實(shí)現(xiàn)為像素充電，而將tft開關(guān)23與主像素電極斷開，不用tft開關(guān)23進(jìn)行充電，而公共電極線和像素電極保持一致的電壓。所述陣列基板通過(guò)一次激光切割修補(bǔ)即可避免出現(xiàn)暗點(diǎn)的缺陷，保證質(zhì)量同時(shí)減小成本。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N對(duì)上述陣列基板的修補(bǔ)方法，用于彌補(bǔ)陣列基板制造過(guò)程中對(duì)像素產(chǎn)生的漏光、兩點(diǎn)等缺陷。

所述方法包括如下步驟：

請(qǐng)參閱圖2與圖3，步驟s1，斷開陣列基板上像素的像素電極與所述陣列基板的tft；

步驟s2，連通所述像素電極與所述陣列基板上公共電極線。

具體的，在陣列基板的像素內(nèi)預(yù)設(shè)橫跨tft開關(guān)23的漏極231的修補(bǔ)線233。所述修補(bǔ)線233橫跨所述漏極231將漏極231與連接像素20的過(guò)孔210之間的部分。所述修補(bǔ)線233可與覆蓋漏極231的絕緣層同時(shí)形成。也可以在公共電極或者像素電極形成時(shí)形成。其中，所述像素電極與公共電極線連通位置位于所述像素電極與公共電極線重疊部分，該部分可能位于主子像素區(qū)域和次子像素區(qū)域之間，也可能位于像素電極與數(shù)據(jù)線之間位置。本實(shí)施例中，所述像素電極與公共電極線連通位置位于主子像素區(qū)域和次子像素區(qū)域之間過(guò)孔210一側(cè)。

當(dāng)檢測(cè)到陣列基板的出現(xiàn)一些由斷路或斷路引起的不良公時(shí)，使用激光沿著修補(bǔ)線233照射所述tft開關(guān)的漏極231以使所述像素的像素電極與所述tft開關(guān)23斷開，再將像素電極與公共電極線連通。前述斷路故障也包含公共電極的走線區(qū)域與像素電極短接。像素電極與tft開關(guān)斷開并與公共電極線連通，從而讓像素電極保持跟彩膜基板上公共電極的電位一致，使得與該像素電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶層不偏轉(zhuǎn)，使該像素保持暗態(tài)；單點(diǎn)變暗后并不會(huì)影響面板的顯示效果。

這種修補(bǔ)方法不僅可以修復(fù)陣列基板的像素發(fā)生漏光，暗點(diǎn)等異常；而且提高修補(bǔ)站點(diǎn)的效率，低激光機(jī)臺(tái)損耗，對(duì)于大批量的不良修補(bǔ)，該修補(bǔ)方式能大大減少修補(bǔ)時(shí)間、低修補(bǔ)成本。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。