本發(fā)明涉及顯示裝置，在本說明書中所公開的發(fā)明的一個實施方式涉及設(shè)置于顯示裝置的端子部的構(gòu)造。

背景技術(shù)：

利用了液晶的電光效應(yīng)、有機(jī)電致發(fā)光材料的發(fā)光現(xiàn)象的顯示裝置，在基板的一端設(shè)置有輸入顯示圖像的控制信號(影像信號、時鐘信號等)的端子部。例如，通過設(shè)置于玻璃基板上的薄膜晶體管設(shè)置像素電路的顯示裝置，在玻璃基板的端部設(shè)置有輸入影像信號的端子部。端子部通過各向異性導(dǎo)電膜(以下也稱為“acf(anisotropicconductivefilm)”)與柔性配線基板(以下也稱為“fpc(flexibleprintedcircuits)基板”)相接。

端子部的各端子電極需要與fpc基板形成良好的接觸(電連接)。例如，在特開2003－202583號公報中公開有一種構(gòu)造，其將該端子電極的表面凹凸化，使得包括在acf中的導(dǎo)電性顆?？煽康乇徊蹲皆诙俗与姌O與fpc基板的電極之間。

acf在熱固化性樹脂中混合有微細(xì)的導(dǎo)電性顆粒。顯示裝置的端子部和fpc基板通過夾著acf被熱壓接而電連接并且物理連接。這時，若acf的粘接力弱，則fpc基板會從顯示裝置剝離的情況成為問題。即，即使將導(dǎo)電性顆粒捕捉到端子電極上，如果與熱固化性樹脂的粘接力弱，電連接的可靠性降低也會成為問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種顯示裝置，在基板上具有：包括電路元件的像素部；和與電路元件電連接的端子部，端子部具有端子電極和設(shè)置于端子電極與基板之間的基底構(gòu)造層，該基底構(gòu)造層具有由至少一個的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面，端子電極在表面具有沿著由基底構(gòu)造層的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面的臺階面。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種顯示裝置，在基板上具有：包括電路元件的像素部；和與電路元件電連接的端子部，像素部包括：像素電極；和與像素電極電連接的包括第一半導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵極電極的晶體管，端子部具有端子電極和設(shè)置于端子電極與基板之間的基底構(gòu)造層，該基底構(gòu)造層具有由至少一個的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面，端子電極在表面具有沿著由基底構(gòu)造層的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面的臺階面。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的構(gòu)成的立體圖。

圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的功能性電路構(gòu)成的圖。

圖3a是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子部的構(gòu)成的平面圖，表示與fpc基板連接的端子電極。

圖3b是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子部的構(gòu)成的平面圖，表示與驅(qū)動ic連接的端子電極。

圖4是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的平面圖。

圖5a是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的截面圖，表示第1截面形態(tài)。

圖5b是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的截面圖，表示第2截面形態(tài)。

圖6是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的截面圖，表示第3截面形態(tài)。

圖7是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的平面圖。

圖8是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的平面圖。

圖9是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極的構(gòu)成的平面圖。

圖10是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極和fpc基板的連接構(gòu)造的截面圖。

圖11是表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子電極和驅(qū)動ic的連接構(gòu)造的截面圖。

圖12是表示本發(fā)明一實施方式的顯示裝置的像素的構(gòu)造的截面圖。

符號說明

100：顯示裝置、102：第1基板、104：像素部、106：像素、108：第1驅(qū)動電路、110：第2驅(qū)動電路、112：端子部、114：端子電極、116：fpc基板、118：acf、120：密封部件、122：掃描信號線、124：影像信號線、126：電源線、128：第1導(dǎo)電層、130：第2導(dǎo)電層、132：基底構(gòu)造層、133：由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面、134：第1絕緣層、136：第2絕緣層、138：第3絕緣層、140：第4絕緣層、142：開口端、144：開口部、146：樹脂膜基板、148：金屬配線、150：樹脂層、152：導(dǎo)電性顆粒、154：驅(qū)動ic、156：端子電極、158：晶體管、160：半導(dǎo)體層、162：柵極電極、164：源極·漏極配線、165：接觸孔、166：電容元件、168：電容電極、170：第5絕緣層、172：顯示元件、174：像素電極、176：第6絕緣層、178：有機(jī)層、180：相對電極、182：第7絕緣層

具體實施方式

以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明能夠以多種不同的方式實施，不限定于以下例示的實施方式的記載內(nèi)容來解釋。為了更明確地進(jìn)行說明，附圖與實際的形態(tài)相比，存在對于各部的寬度、厚度、形狀等示意性地來表示的情況，但嚴(yán)格地說只不過是一個例子，不限定本發(fā)明的解釋。另外，在本說明書和各圖中，關(guān)于所公開的圖，對與前述的要素同樣的要素，標(biāo)注相同的符號(或在數(shù)字后附加a、b等符號)，有時適當(dāng)省略詳細(xì)說明。另外，對于各要素的標(biāo)記為“第1”、“第2”的文字是為了區(qū)別各要素而使用的方便的標(biāo)識，只要沒有特別的說明，就沒有其它的意義。

在本說明書中，某部件或區(qū)域表述為其他部件或區(qū)域的“上(或下)”的情況，只要沒有特別限定，就不只包括其處于其他部件或區(qū)域的正上(或正下)的情況，還包括處于其他部件或區(qū)域的上方(或下方)的情況，即，還包括在其他部件或區(qū)域的上方(或下方)，中間還包括另外的構(gòu)成要素的情況。此外，在以下的說明中，只要沒有特別限定，在截面圖中，將相對于第1基板配置有第2基板的一側(cè)稱為“上”或“上方”，將其相反側(cè)稱為“下”或“下方”進(jìn)行說明。

圖1表示本發(fā)明一實施方式的顯示裝置100的立體圖。顯示裝置100在第1基板102上設(shè)置有像素部104、第1驅(qū)動電路108、第2驅(qū)動電路110。像素部104排列有多個像素。第1驅(qū)動電路108是將影像信號輸出到像素部104的電路。第1驅(qū)動電路108例如是稱為驅(qū)動ic的半導(dǎo)體芯片，被安裝在第1基板102。第2驅(qū)動電路110是將掃描信號輸出到像素部104的電路。像素部104通過密封部件120被密封。

在第1基板102設(shè)置有排列端子電極114的端子部112。端子部112設(shè)置于第1基板102的端部中沒有被密封部件120密封的區(qū)域。端子部112通過acf與fpc基板116連接。fpc基板116連接顯示裝置100與其他功能電路或外部設(shè)備。端子部112經(jīng)由fpc基板116輸入影像信號等。

第1基板102使用玻璃基板、有機(jī)樹脂基板。有機(jī)樹脂基板例如使用聚酰亞胺基板。有機(jī)樹脂基板可以將板厚形成為從數(shù)微米至數(shù)十微米，可實現(xiàn)具有撓性的薄板顯示器(sheetdisplay)。即使是第1基板102具有撓性的情況下，顯示裝置100的端子部112也需要與fpc基板116可靠地連接的粘接面。本實施方式的顯示裝置100如后述，在端子電極114設(shè)置有凹凸形狀。

圖2表示顯示裝置100的功能性電路構(gòu)成。設(shè)置于端子部112的多個端子電極114設(shè)置有多個，且以規(guī)定的間隔排列。端子電極114與和第1驅(qū)動電路108、第2驅(qū)動電路110相連接的配線連接。圖2表示端子部112對齊在第1基板102的一端的形態(tài)，本發(fā)明不限定于此。例如，端子部112可以分開設(shè)置于第1基板102的多個部位，也可以不是設(shè)置在第1基板102的端部而是設(shè)置在其內(nèi)側(cè)區(qū)域。另外，端子電極114的排列也是任意的，相鄰的端子電極也可以交替配置。

圖2用虛線表示設(shè)置于第1驅(qū)動電路108的安裝面的端子電極114b。端子電極114b在通過驅(qū)動ic實現(xiàn)第1驅(qū)動電路108時，成為與驅(qū)動ic的凸部(bump)連接的部位。本說明書中，在區(qū)別稱呼與fpc基板連接的端子電極和與驅(qū)動ic連接的端子電極的情況下，將前者稱為第1端子電極114a，將后者稱為第2端子電極114b，除此以外的情況統(tǒng)稱為端子電極114。

第1端子電極114a和第2端子電極114b設(shè)置于第1基板102上，雖然平面的形狀、連接部的面積等具有差異，但實際上具有相同的構(gòu)造。即，端子電極114的上面具有凹凸形狀。

像素部104在行方向和列方向排列有多個像素106。像素106的排列數(shù)是任意的。例如，在行方向(x方向)排列有m個像素106、在列方向(y方向)排列有n個像素106。在像素106設(shè)置有顯示元件。作為顯示元件，應(yīng)用發(fā)光元件(有機(jī)電致發(fā)光元件)、液晶元件等。在像素部104，在行方向設(shè)置有第1掃描信號線122a和第2掃描信號線122b，在列方向設(shè)置有影像信號線124。另外，在像素部104設(shè)置有電源線126。此外，圖2表示像素106正方排列的例子，但本發(fā)明不限定于此，也可以使用三角形排列等其他排列形式。

第1驅(qū)動電路108向影像信號線124輸出影像信號。與像素部104相鄰地設(shè)置的第2驅(qū)動電路110向第1掃描信號線122a、第2掃描信號線122b輸出信號。在端子部112的各端子電極114，被輸入使第1驅(qū)動電路108、第2驅(qū)動電路110工作的信號。在設(shè)置有配設(shè)于像素部104的電源線126的情況下，與其連接的端子電極包含于端子部112。此外，圖2所示的第1基板102的構(gòu)成為一個例子，驅(qū)動電路的構(gòu)成、掃描信號線、影像信號線、電源線是任意的，也可以具有其他構(gòu)成。

圖3a表示端子部112的第1端子電極114a的排列。第1端子電極114a，在第1基板102的端部排列有多個第1端子電極114a。第1端子電極114a的端部被絕緣層覆蓋，第1開口端142a的內(nèi)側(cè)的區(qū)域露出。在第1端子電極114a的上面部即露出面上，如用虛線所示設(shè)置有凹凸形狀。第1端子電極114a的上面部設(shè)置有例如用虛線表示的格子狀圖案成為凸部的凹凸形狀。

圖3b表示端子部112的第2端子電極114b的排列。第2端子電極114b排列在設(shè)置有第1驅(qū)動電路108的區(qū)域。第2端子電極114b與第1端子電極114a同樣，端部也被絕緣層覆蓋，第2開口端142b的內(nèi)側(cè)的區(qū)域露出。另外，第2端子電極114b與第1端子電極114a同樣，在上面部也設(shè)置有凹凸形狀。

圖4表示第1端子電極114a的平面圖。另外，圖5a表示沿著圖4所示的a－b線的截面構(gòu)造。在以下的說明中，參照這兩個附圖，說明端子電極的詳細(xì)情況。

第1端子電極114a由第1導(dǎo)電層128和第2導(dǎo)電層130構(gòu)成。第1導(dǎo)電層128包括一個或多個金屬層。例如，第1導(dǎo)電層128包括鋁層，具有在該鋁層的一方或雙方的面設(shè)置有鈦層的構(gòu)造。第2導(dǎo)電層130是導(dǎo)電性金屬氧化物層。例如，第2導(dǎo)電層130由氧化銦錫(ito：indiumtinoxide)、氧化銦鋅(izo：indiumzincoxide)等導(dǎo)電性金屬氧化物形成。

此外，在第1端子電極114a上，第1導(dǎo)電層128具有200nm～2000nm的厚度，例如以500nm～1000nm的厚度形成。另外，第2導(dǎo)電層130具有50nm～500nm的厚度，例如以100nm～250nm的厚度形成。

在這樣的第1端子電極114a的基底側(cè)，至少設(shè)置有一層絕緣層。圖5a表示第1截面形態(tài)，表示在第1基板102與第1端子電極114a之間設(shè)置有第1絕緣層134、第2絕緣層136、第3絕緣層138的方式。由于在第1基板102與第1端子電極114a之間至少設(shè)置有一層絕緣層，由此即使是第1基板102為有機(jī)樹脂基板的情況，也可以提高第1端子電極114a的相對于基底面的密接性。

第1端子電極114a的端部被第4絕緣層140覆蓋。換句話說，第4絕緣層140具有開口部，開口端142配置于第1端子電極114a的第1導(dǎo)電層128上。第4絕緣層140由有機(jī)絕緣材料形成。第1導(dǎo)電層128的端部通過由第4絕緣層140覆蓋而被保護(hù)。另外，通過這樣的構(gòu)造，防止與相鄰的端子電極的短路。第2導(dǎo)電層130從第1導(dǎo)電層128的上面沿著第4絕緣層140的表面設(shè)置。由此，第1導(dǎo)電層128的表面成為由第4絕緣層140和第2導(dǎo)電層130覆蓋的構(gòu)造。第2導(dǎo)電層130與第1導(dǎo)電層128相比為硬質(zhì)的，因此即使是在第1端子電極114a的上面設(shè)置有acf的情況下，也能夠防止導(dǎo)電性顆粒的壓接產(chǎn)生的損傷。另外，第1端子電極114a通過在最表面配置基于導(dǎo)電性金屬氧化物的第2導(dǎo)電層130，防止表面因金屬的氧化(例如鋁的氧化)而絕緣化的情況。由此，與fpc基板形成良好的連接。

在第1導(dǎo)電層128和第1基板102之間設(shè)置有包括由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面的基底構(gòu)造層132。具體而言，在第1絕緣層134、第2絕緣層136和第3絕緣層138的任一層間、或第1基板102與第1絕緣層134之間設(shè)置有基底構(gòu)造層132。基底構(gòu)造層132包括由至少一個的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133，且設(shè)置為該由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133配置于第1端子電極114a的開口部內(nèi)(第1開口端142a的內(nèi)側(cè))。

圖5a表示第1基底構(gòu)造層132a設(shè)置于第1絕緣層134與第2絕緣層136之間的形態(tài)。另外，圖5b表示第2截面形態(tài)，表示第2基底構(gòu)造層132b設(shè)置于第2絕緣層136與第3絕緣層138之間的形態(tài)。配置于第1基底構(gòu)造層132a的上層側(cè)的第2絕緣層136和第3絕緣層138為氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜等的無機(jī)絕緣膜。因此，第2絕緣層136和第3絕緣層138沿著第1基底構(gòu)造層132a的由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133形成。因此，第1導(dǎo)電層128的基底面具有反映了由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133的形狀的凹凸形狀。該凹凸形狀作為第1導(dǎo)電層128的表面形狀來表現(xiàn)。設(shè)置于第1導(dǎo)電層128之上的第2導(dǎo)電層130如上所述，膜厚比第1導(dǎo)電層128薄，因此，結(jié)果是，在第1端子電極114a的表面具有凹凸形狀。

此外，由于基底構(gòu)造層132被埋設(shè)于絕緣層，因此由任意的材料形成。圖5a表示第1基底構(gòu)造層132a由半導(dǎo)體層形成的一個例子。另外，圖5b表示第2基底構(gòu)造層132b由金屬層形成的一個例子。無論在哪種情況下，基底構(gòu)造層132均設(shè)置為至少一個端部與第1端子電極114a重疊。而且，與基底構(gòu)造層132的膜厚相應(yīng)的傾斜面和平坦面所構(gòu)成的面133，以在與第1端子電極114a重疊的區(qū)域中至少包括一個的方式設(shè)置。即，在圖5a中，形成有與形成第1基底構(gòu)造層132a的半導(dǎo)體層的膜厚相應(yīng)的高度的臺階(高低平面差)，在圖5b中，形成有與形成第2基底構(gòu)造層132b的金屬層的膜厚相應(yīng)的高度的臺階。圖5a表示第1基底構(gòu)造層132a具有由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133a的形態(tài)，圖5b表示第2基底構(gòu)造層132b具有由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133b的形態(tài)。

另外，圖6表示第3截面形態(tài)，表示第1基底構(gòu)造層132a和第2基底構(gòu)造層132b以重疊的方式配設(shè)的形態(tài)。該情況下，例如，第1基底構(gòu)造層132a由半導(dǎo)體層形成，第2基底構(gòu)造層132b由金屬層形成。這樣，通過層疊由不同的層形成的基底構(gòu)造層，可以進(jìn)一步增加由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面的高度。

此外，圖5a和圖5b、圖6表示基底構(gòu)造層132由半導(dǎo)體層或金屬層設(shè)置的一個例子，但本發(fā)明不限定于此。例如，也可以通過能夠形成由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面的成形為規(guī)定的圖案的絕緣層設(shè)置基底構(gòu)造層。

圖4表示基底構(gòu)造層132的平面的形狀以格子狀的圖案設(shè)置的一個例子。即，基底構(gòu)造層132具有露出基底面的格子狀的圖案。由此，在與第1導(dǎo)電層128和第2導(dǎo)電層130重疊的區(qū)域中設(shè)置有多個由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133。第1端子電極114a通過在表面形成有這樣的凹凸形狀，表面積增加。即，設(shè)置于第1端子電極114a上的acf的接觸面積增大，能夠提高粘接力。另外，由于與包含于acf的導(dǎo)電性顆粒的接觸面積也增加，所以還具有降低接觸電阻的效果。

圖7表示基底構(gòu)造層132的平面的形狀以條狀的圖案設(shè)置的一個例子?；讟?gòu)造層132即使為條狀的圖案，也可以將第1端子電極114a的表面形成為凹凸形狀。圖7表示基底構(gòu)造層132的條狀的圖案沿著第1端子電極114a的長度方向設(shè)置的形態(tài)，但條狀的圖案延伸的方向不限于此。例如，也可以在與第1端子電極114a的長度方向交叉的方向上設(shè)置基底構(gòu)造層132的圖案。

圖8表示在與第1端子電極114a重疊的基底構(gòu)造層132設(shè)置有貫通孔的形態(tài)。通過將貫穿基底構(gòu)造層132的開口部設(shè)置在與第1端子電極114a重疊的區(qū)域，可以形成由與基底構(gòu)造層132的膜厚相應(yīng)的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133。另一方面，也可以如圖9所示，以島狀的圖案設(shè)置基底構(gòu)造層132。即，在與第1端子電極114a重疊的區(qū)域中，通過以離散的島狀圖案設(shè)置基底構(gòu)造層132，可以設(shè)置由與島狀區(qū)域的厚度相應(yīng)的傾斜面和平坦面構(gòu)成的面133。此外，在基底構(gòu)造層132的構(gòu)造中，貫通孔或島狀圖案的俯視的形態(tài)不限于圖8和圖9所示的圓形，也可以是三角形以上的多邊形或橢圓、其他由直線和曲線構(gòu)成的形狀、由多條曲線構(gòu)成的形狀。

這樣，根據(jù)發(fā)明的一個實施方式，通過在與第1端子電極114a重合的區(qū)域設(shè)有包括至少一個端部的基底構(gòu)造層132，可以將第1端子電極114a的表面凹凸化。由此，可以使第1端子電極114a的表面積增加。即，根據(jù)本實施方式，不對第1端子電極114a的表面進(jìn)行特別的加工，也能夠?qū)⒃摫砻姘纪够?。在該情況下，由于基底構(gòu)造層132埋設(shè)于絕緣層，所以即使基底構(gòu)造層132具有導(dǎo)電性，也可防止其與相鄰的端子電極短路。因此，在端子部112中也能夠遍及多個端子電極以連續(xù)的圖案設(shè)置基底構(gòu)造層132。

此外，圖4～圖9對設(shè)置于第1基板102的端部的第1端子電極114a進(jìn)行了說明，但對于與第1驅(qū)動電路108連接的第2端子電極114b，也可以應(yīng)用同樣的構(gòu)成。

圖10用截面圖表示第1端子電極114a和fpc基板116的連接構(gòu)造。fpc基板116具有在樹脂膜基板146設(shè)置有金屬配線148的構(gòu)造。fpc基板116以金屬配線148與第1端子電極114a相對的方式配置。在第1端子電極114a和fpc基板116之間設(shè)置有acf118。acf118具有在樹脂層150之中分散有導(dǎo)電性顆粒152的構(gòu)造。第1端子電極114a和fpc基板116經(jīng)由導(dǎo)電性顆粒152電連接。具體而言，第2導(dǎo)電層130和金屬配線148通過與導(dǎo)電性顆粒152接觸，形成電連接。

acf118的樹脂層150例如是熱固化型的樹脂，通過固化而與第1端子電極114a和fpc基板116相粘結(jié)。在該情況下，第1端子電極114a的表面具有凹凸形狀，由此與樹脂層150的接觸面積增加。由此，可以提高acf118和第1端子電極114a的密合力(粘合力)，能夠防止fpc基板116剝離。

圖11用截面圖表示第2端子電極114b和作為第1驅(qū)動電路108而設(shè)置的驅(qū)動ic154的連接構(gòu)造。驅(qū)動ic154以端子電極156與第2端子電極114b相對的方式配置。在第2端子電極114b與驅(qū)動ic154之間設(shè)置有acf118。第2端子電極114b和驅(qū)動ic154經(jīng)由導(dǎo)電性顆粒152電連接。具體而言，第2導(dǎo)電層130和端子電極156通過與導(dǎo)電性顆粒152接觸形成電連接。在該情況下，由于第2端子電極114b的表面具有凹凸形狀，從而與樹脂層150的接觸面積也增加。由此，可以提高acf118和第2端子電極114b的密合力(粘合力)，能夠防止驅(qū)動ic154剝離或連接部的電阻增大。

然而，以與端子電極114重疊的方式設(shè)置的基底構(gòu)造層132可以使用構(gòu)成顯示裝置100的像素106的部件制作。為了說明基底構(gòu)造層132與構(gòu)成像素106的部件的關(guān)系，參照圖12說明像素106的截面構(gòu)造。

如圖12所示，像素106包括晶體管158、電容元件166、顯示元件172。晶體管158設(shè)置于第1絕緣層134之上。晶體管158具有層疊有半導(dǎo)體層160a、作為柵極絕緣膜發(fā)揮功能的第2絕緣層136、柵極電極162的構(gòu)造。半導(dǎo)體層160a由非晶硅、多晶硅等硅類半導(dǎo)體材料、和顯示半導(dǎo)體特性的金屬氧化物(也被稱為“氧化物半導(dǎo)體”)形成，設(shè)置于第1絕緣層134上。半導(dǎo)體層160a與晶體管158的配置相對應(yīng)，具有成島狀地分離的圖案，以50nm～500nm的厚度設(shè)置。半導(dǎo)體層160a由第2絕緣層136覆蓋。

柵極電極162以包括隔著作為柵極絕緣膜發(fā)揮功能的第2絕緣層136與半導(dǎo)體層160a重疊的區(qū)域的方式設(shè)置。柵極電極162由鋁、鈦、鉬、鎢等金屬膜形成，例如具有鈦和鋁層疊而成的構(gòu)造。柵極電極162具有大致100nm～1000nm的厚度。第2絕緣層136由無機(jī)絕緣材料形成，例如，使用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等。例如，如果半導(dǎo)體層160a為多晶硅，作為第2絕緣層136則適合使用氧化硅膜。

在柵極電極162的上層設(shè)置有第3絕緣層138。第3絕緣層138由無機(jī)絕緣材料制作，例如具有氧化硅膜、氮化硅膜的單層構(gòu)造或多層層疊而成的構(gòu)造。第3絕緣層138設(shè)置為具有大致500nm～2000nm的厚度。

第2絕緣層136和第3絕緣層138是通過等離子cvd(chemicalvapordeposition：化學(xué)氣相沉積)法或濺射法等的薄膜制造技術(shù)制作的無機(jī)絕緣膜。這樣的無機(jī)絕緣膜其薄膜根據(jù)基底的凹凸而生長。因此，若存在半導(dǎo)體層160a或柵極電極162的臺階構(gòu)造時，堆積在其上的絕緣層的表面形狀則成為包括臺階構(gòu)造的形狀。

在第3絕緣層138上設(shè)置有源極·漏極配線164a、164b。源極·漏極配線164a、164b由鈦、鉬、鋁等金屬膜形成，例如，具有由鈦膜夾著鋁膜的上層和下層的構(gòu)造。在源極·漏極配線164a、164b上設(shè)置有第4絕緣層140。第4絕緣層140用有機(jī)絕緣材料制作。作為有機(jī)絕緣材料，使用丙烯、聚酰亞胺等。第4絕緣層140通過旋涂法、蒸鍍聚合法(vapordepositionpolymerization)等來制作。根據(jù)這樣的成膜法，第4絕緣層140覆蓋基底的凹凸(臺階構(gòu)造)，可以得到平坦的表面。即，第4絕緣層140能夠作為平坦化膜使用。

在第4絕緣層140之上設(shè)置有顯示元件172。圖12表示顯示元件172為發(fā)光元件的情況。即，顯示元件172具有層疊像素電極174、有機(jī)層178、相對電極180而成的構(gòu)造。像素電極174至少通過設(shè)置于第4絕緣層140的接觸孔165，與源極·漏極配線164a電連接。即，像素電極174經(jīng)由源極·漏極配線164a與晶體管158電連接。

像素電極174的周緣部和設(shè)置有接觸孔165的區(qū)域被第6絕緣層176覆蓋。第6絕緣層176配置在比像素電極174靠上層，具有使像素電極174的內(nèi)側(cè)區(qū)域露出的開口部144。有機(jī)層178和相對電極180從像素電極174的上面設(shè)置到第6絕緣層176的上面。

有機(jī)層178由一層或多層構(gòu)成，包括有機(jī)電致發(fā)光材料。相對電極180設(shè)置于有機(jī)層178的上層。相對電極180的上層具有作為鈍化層的第7絕緣層182。第7絕緣層182具有氮化硅膜的單層構(gòu)造、氮化硅膜和氧化硅膜層疊的構(gòu)造、氮化硅膜和有機(jī)絕緣膜層疊的構(gòu)造。在本實施方式中，顯示裝置100采用所謂的頂部發(fā)射型的顯示裝置，向相對電極180一側(cè)射出光。這時，成為反射電極的像素電極174采用通過透明導(dǎo)電膜和金屬膜的層疊構(gòu)造反射由有機(jī)層178所發(fā)出的光的構(gòu)成。例如，像素電極174具有至少兩層透明導(dǎo)電膜、夾在該兩層透明導(dǎo)電膜之間的金屬膜(例如，優(yōu)選銀(ag)、鋁(al)等反射率高的材料)。相對電極180由氧化銦錫等透明導(dǎo)電膜形成，透射由有機(jī)層178發(fā)出的光。

第1電容元件166a使用第2絕緣層136作為電介質(zhì)層，由用與柵極電極162相同的層形成的第1電容電極168a和添加了賦予單導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體層160b構(gòu)成。成為第1電容元件166a的另一電極的半導(dǎo)體層160b，是從形成晶體管158的溝道的半導(dǎo)體層160a延長的區(qū)域。第2電容元件166b由設(shè)置于第4絕緣層140的上面的第2電容電極168b、設(shè)置于第2電容電極168b的上層的第5絕緣層170、至少一部分與第2電容電極168b重疊的像素電極174構(gòu)成。此外，第2電容電極168b用鋁、鈦、鉬、鎢等金屬膜形成。

對比具有圖12所示的構(gòu)造的像素106和圖5a所示的第1端子電極114a及其下層的構(gòu)造時，第1基底構(gòu)造層132a為半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層由與晶體管158的半導(dǎo)體層160a相同的層形成。另外，圖5b所示的第2基底構(gòu)造層132b為金屬層，由與柵極電極162相同的層形成。另外，圖6所示的第1基底構(gòu)造層132a為半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層由與晶體管158的半導(dǎo)體層160a相同的層形成，第2基底構(gòu)造層132b為金屬層，由與柵極電極162相同的層形成。通過與構(gòu)成像素106的層相同的層設(shè)置的基底構(gòu)造層132的平面的形態(tài)，可以按照在端子電極116的上面包含凹凸形狀(換句話說，多個由傾斜面和平坦面構(gòu)成的面)的方式設(shè)定為圖4、圖7、圖8、圖9所示的各形狀。

這樣，根據(jù)本實施方式，可以使用構(gòu)成像素的層(半導(dǎo)體層、配線層)在第1端子電極114a的表面設(shè)置用于設(shè)置凹凸形狀的基底構(gòu)造層。由此，不必為了基底構(gòu)造層而設(shè)置新的層，能夠簡化制造工序。例如，半導(dǎo)體層160a與晶體管158的配置相匹配地進(jìn)行圖案化，因此能夠通過相同的工序在形成第1基底構(gòu)造層132a的臺階圖案。這對于與源極·漏極配線164對應(yīng)的第2基底構(gòu)造層132b而言也是同樣的。

此外，第1端子電極114a的第1導(dǎo)電層128用與源極·漏極配線164相同的導(dǎo)電層形成。另外，圖5a的第1絕緣層134、第2絕緣層136、第3絕緣層138和第4絕緣層140，是與用圖12說明的各絕緣層相對應(yīng)的絕緣層，從像素部104延伸設(shè)置到端子部112。即，覆蓋第1導(dǎo)電層128的端部的第4絕緣層140用有機(jī)絕緣材料形成，作為平坦化膜使用，因此在端子部112，也將第1導(dǎo)電層128的端部上面平坦化。通過第4絕緣層140防止第1導(dǎo)電層128發(fā)生剝離，第1端子電極114a形成與fpc基板116良好的電連接。

如以上說明，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，在端子部的電極(端子電極)的表面設(shè)有凹凸形狀，能夠使其與acf的樹脂層的接觸面積增加，可以提高密合力(粘合力)。由此，可以防止端子部與fpc基板或驅(qū)動ic在安裝后的剝離。另外，無論在acf所使用的樹脂層的種類，都可以提高端子部與fpc基板或驅(qū)動ic的密接性，因此，就acf的材質(zhì)而言，可以擴(kuò)大選項的范圍，能夠提高通用性。

本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的構(gòu)成，可以應(yīng)用于設(shè)置有在各像素使用了電致發(fā)光材料的發(fā)光元件的顯示裝置、利用液晶的電光效應(yīng)顯示影像的顯示裝置。另外，本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的端子部的構(gòu)成，可以應(yīng)用于具有通過acf相連接的端子的其他半導(dǎo)體裝置(集成電路等)。