本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，va(verticalalignment,垂直配向)模式的lcd(liquidcrystaldisplay,液晶顯示器)由于具有高對比度和大視角等優(yōu)點脫穎而出，lcd將一個像素劃分為兩個子像素，且兩個子像素分別具有tft(thinfilmtransistor,薄膜晶體管)，通過兩個tft控制兩個子像素實現(xiàn)不同電位，以此改善va顯示的色偏(colorshift)現(xiàn)象。但是，現(xiàn)有技術(shù)需要增加一條數(shù)據(jù)線或掃描線以作為電荷共享線(chargesharingline)，形成該電荷共享線會占據(jù)顯示區(qū)域的面積，從而降低像素開口率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示面板，能夠在改善va顯示的色偏現(xiàn)象的同時，提高像素開口率。

本發(fā)明一實施例的陣列基板，包括多個像素區(qū)域，每一像素區(qū)域?qū)?yīng)連接一數(shù)據(jù)線和一條掃描線，每一像素區(qū)域包括第一子像素電極、第二子像素電極、第一tft和第二tft，第一子像素電極和第二子像素電極位于掃描線兩側(cè)且沿數(shù)據(jù)線延伸方向依次間隔設(shè)置，第一tft的源極和柵極分別與數(shù)據(jù)線和掃描線連接，第一子像素電極與第一tft的半導(dǎo)體圖案連接，第二tft的源極、漏極和柵極分別與數(shù)據(jù)線、第二子像素電極和掃描線連接，第一tft的源極和第二tft的柵極位于同一層，第一tft的柵極、第二tft的源極和漏極以及掃描線位于同一層。

本發(fā)明一實施例的顯示面板，包括上述陣列基板。

本發(fā)明一實施例的陣列基板的制造方法，包括：

提供一襯底基材；

在襯底基材形成第一金屬層，所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一金屬層分別用于形成第一tft的源極和第二tft的柵極；

在第一金屬層上形成覆蓋襯底基材的絕緣層，絕緣層在第一tft的源極上方開設(shè)有暴露第一區(qū)域的第一金屬層的第一接觸孔、在第二tft的柵極上方開設(shè)有暴露第二區(qū)域的第一金屬層的第二接觸孔；

在第一接觸孔中以及第二區(qū)域的第一金屬層上方的絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案，形成于第一接觸孔中的半導(dǎo)體圖案與第一tft的源極連接；

在半導(dǎo)體圖案上形成覆蓋絕緣層的第二金屬層，第二金屬層包括間隔設(shè)置的第三區(qū)域、第四區(qū)域和第五區(qū)域，第三區(qū)域的第二金屬層用于形成掃描線和第一tft的柵極，第三區(qū)域的第二金屬層覆蓋于第二接觸孔中并與第二區(qū)域的第一金屬層連接，第四區(qū)域的第二金屬層用于形成第二tft的源極，第五區(qū)域的第二金屬層用于形成第二tft的漏極；

在第二金屬層上形成平坦鈍化層，平坦鈍化層在第一tft的源極上方開設(shè)有暴露半導(dǎo)體圖案的第三接觸孔、在第二tft的漏極上方開設(shè)有暴露第二tft的漏極的第四接觸孔；

形成覆蓋于第三接觸孔中的第一子像素電極，第一子像素電極與第一tft的源極上方的半導(dǎo)體圖案連接；

形成覆蓋于第四接觸孔中的第二子像素電極，第二子像素電極與第二tft的漏極連接。

有益效果：本發(fā)明設(shè)計第一tft的源極和第二tft的柵極位于同一層，第一tft的柵極、第二tft的源極和漏極以及掃描線位于同一層，使得兩個tft共享一條掃描線，無需增加電荷共享線，從而能夠在改善va顯示的色偏現(xiàn)象的同時，提高像素開口率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；

圖2是圖1所示顯示面板的一個像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖3是圖2所示像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖4是本發(fā)明一實施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖5是基于圖4所示方法制造陣列基板的第一場景示意圖；

圖6是基于圖4所示方法制造陣列基板的第二場景示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明所提供的各個示例性的實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。在不沖突的情況下，下述各個實施例及其技術(shù)特征可以相互組合。

請參閱圖1，為本發(fā)明一實施例的顯示面板。所述顯示面板10包括相對間隔設(shè)置的陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate,tft基板或薄膜晶體管基板)12和彩膜基板(colorfiltersubstrate，cf基板或彩色濾光片基板)11以及覆蓋于兩基板之間的液晶(液晶分子)13，液晶13位于陣列基板12和彩膜基板11疊加形成的液晶盒內(nèi)。

彩膜基板11設(shè)置有公共電極111，該公共電極111可以為一整面透明導(dǎo)電膜，例如ito(indiumtinoxide,氧化銦錫)薄膜。

陣列基板12包括各種配線和像素電極等。例如，陣列基板12包括沿列方向排布的多條數(shù)據(jù)線、沿行方向排布的多條掃描線以及由多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線定義的多個像素區(qū)域。鑒于各個像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)相同，本發(fā)明以其中一個像素區(qū)域為例進行描述。請參閱圖2，一個像素區(qū)域被劃分為次像素區(qū)域(subpixel)31和主像素區(qū)域(mainpixel)32，次像素區(qū)域31設(shè)置有第一子像素電極311以及用于為第一子像素電極311提供灰階電壓的第一tft312，主像素區(qū)域32設(shè)置有第二子像素電極321以及用于為第二子像素電極321提供灰階電壓的第二tft322。其中，第一子像素電極311和第二子像素電極321可以位于同一層，第一子像素電極311的面積可以小于第二子像素電極321的面積。

進一步結(jié)合圖3所示，在一個像素區(qū)域中，陣列基板12還包括襯底基材121以及依次形成于襯底基材121上的各層結(jié)構(gòu)：第一金屬層122、絕緣層(insulationlayer)123、半導(dǎo)體圖案124、第二金屬層125以及平坦鈍化層(passivationlayer,pv層)126。

第一金屬層122包括同層間隔設(shè)置于襯底基材121上的第一區(qū)域z1和第二區(qū)域z2。絕緣層123形成于第一金屬層122上并覆蓋襯底基材121，絕緣層123在第一區(qū)域z1的第一金屬層122上方開設(shè)有暴露第一區(qū)域z1的第一金屬層122的第一接觸孔o1、在第二區(qū)域z2的第一金屬層122上方開設(shè)有暴露第二區(qū)域z2的第一金屬層122的第二接觸孔o2。半導(dǎo)體圖案124包括兩部分，一部分形成于第一接觸孔o1中，并與第一區(qū)域z1的第一金屬層122連接，另一部分形成于第二區(qū)域z2的第一金屬層122上方的絕緣層123上。第二金屬層125同層設(shè)置于絕緣層123上，第二金屬層125包括間隔設(shè)置的第三區(qū)域z3、第四區(qū)域z4和第五區(qū)域z5，第三區(qū)域z3的第二金屬層125覆蓋于第二接觸孔o2中并與第二區(qū)域z2的第一金屬層122連接，第四區(qū)域z4和第五區(qū)域z5的第二金屬層125位于第二區(qū)域z2的第一金屬層122上方，并與上述另一部分的半導(dǎo)體圖案124連接。平坦鈍化層126形成于第二金屬層125上并覆蓋絕緣層123，在第一區(qū)域z1的第一金屬層122上方，平坦鈍化層126開設(shè)有暴露半導(dǎo)體圖案124的第三接觸孔o3，在第四區(qū)域z4的第二金屬層125上方，平坦鈍化層126開設(shè)有暴露第四區(qū)域z4的第二金屬層125的第四接觸孔o4。

在上述結(jié)構(gòu)中，第一區(qū)域z1的第一金屬層122用于形成第一tft312的源極，第三區(qū)域z3的第二金屬層125用于形成第一tft312的柵極，位于第一區(qū)域z1的第一金屬層122上方的半導(dǎo)體圖案124直接與第一子像素電極311連接，相當(dāng)于第一子像素電極311直接與第一tft312的漏極連接。第二區(qū)域z2的第一金屬層122用于形成第二tft322的柵極，第四區(qū)域z4的第二金屬層125用于形成第二tft322的源極，第五區(qū)域z5的第二金屬層125用于形成第二tft322的漏極。

另外，第一區(qū)域z1的第一金屬層122還可以用于形成數(shù)據(jù)線dn，即，數(shù)據(jù)線gn與第一tft312的源極以及第二tft322的柵極位于同一層。數(shù)據(jù)線gn可以通過絕緣層123開設(shè)的第五接觸孔與第二tft322的源極連接，該第五接觸孔暴露第四區(qū)域z4的第二金屬層125。第三區(qū)域z3的第二金屬層125還用于形成掃描線gn，即，掃描線gn與第一tft312的源極以及第二tft322的源極和漏極位于同一層。

第一子像素電極311和第二子像素電極321位于掃描線gn兩側(cè)且沿數(shù)據(jù)線dn的延伸方向依次間隔設(shè)置。第一子像素電極311覆蓋于第三接觸孔o3中，并與第一tft312的源極上方的半導(dǎo)體圖案124連接。第二子像素電極321覆蓋于第四接觸孔o4中，并與第二tft322的漏極連接。

基于上述結(jié)構(gòu)，第一tft312的柵極、源極、半導(dǎo)體圖案124分別與掃描線gn、數(shù)據(jù)線dn、第一子像素電極311連接，第二tft322的柵極、源極、漏極分別與掃描線gn、數(shù)據(jù)線dn、第二子像素電極321連接?？芍嚵谢?2的一個像素區(qū)域?qū)?yīng)連接一條掃描線gn和一條數(shù)據(jù)線dn。

在顯示面板10顯示時，當(dāng)掃描線gn被施加?xùn)艠O驅(qū)動信號時，第一tft312和第二tft322導(dǎo)通，第一子像素電極311和第二子像素電極321從數(shù)據(jù)線dn接收灰階電壓，主像素區(qū)域32和次像素區(qū)域31充電到相同電位。隨后，可以通過對公共電極111施加電壓等方式，使得次像素區(qū)域31和主像素區(qū)域32的電位不同，不同的電位使得兩個顯示區(qū)域的液晶13的偏向分布不同，從而改善va顯示的色偏現(xiàn)象。

在實現(xiàn)改善va顯示的色偏現(xiàn)象的基礎(chǔ)上，本實施例的第一tft312和第二tft322共享一條掃描線gn和一條數(shù)據(jù)線dn，相比較于現(xiàn)有技術(shù)，本實施例無需增加電荷共享線，從而能夠提高像素開口率。

請參閱圖4，為本發(fā)明用于制造上述陣列基板12的制造方法。所述制造方法可以包括如下步驟s41～s47。

s41：提供一襯底基材。

結(jié)合圖5和圖6所示，該襯底基材121包括但不限于玻璃基材、塑料基材、可撓式基材等透光基材。當(dāng)然，該襯底基材121也可以設(shè)置有鈍化層，即，襯底基材121包括基材和形成于基材上的鈍化層，此時基材可以為玻璃基材、透明塑料基材或可撓式基材，鈍化層的材料包括但不限于硅氮化合物，例如si3n4(四氮化三硅)。

s42：在襯底基材形成第一金屬層，所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一金屬層分別用于形成第一tft的源極和第二tft的柵極。

本實施例可以采用pvd(physicalvapordeposition,物理氣相沉積)方法在襯底基材121上形成一整面第一金屬層，而后對所述一整面第一金屬層進行圖案化制程，從而僅保留第一區(qū)域z1和第二區(qū)域z2的第一金屬層122。其中，圖案化制程可以包括光阻涂布、曝光、顯影、刻蝕等工藝，具體可參閱現(xiàn)有技術(shù)，此處不予以贅述。

第一區(qū)域z1的第一金屬層122用于形成第一tft312的源極。第二區(qū)域z2的第一金屬層122用于形成第二tft322的柵極。

本實施例還可以利用上述圖案化制程形成陣列基板12的數(shù)據(jù)線dn、以及由數(shù)據(jù)線dn朝向第二區(qū)域z2的第一金屬層122延伸的連接線1221，該連接線1221用于與第二tft322的源極連接。該數(shù)據(jù)線dn和連接線1221可視為第一區(qū)域z1的第一金屬層122的一部分。

s43：在第一金屬層上形成覆蓋襯底基材的絕緣層，絕緣層在第一tft的源極上方開設(shè)有暴露第一區(qū)域的第一金屬層的第一接觸孔、在第二tft的柵極上方開設(shè)有暴露第二區(qū)域的第一金屬層的第二接觸孔。

本實施例可以采用cvd(chemicalvapordeposition,化學(xué)氣相沉積)方法在第一金屬層122上形成一整面的絕緣層。該絕緣層的材質(zhì)可以為硅氧化物(siox)，或者絕緣層包括依次形成于第一金屬層122上的硅氧化合物層和硅氮化合物層，例如sio2(二氧化硅)層和si3n4(三氮化硅)層，從而進一步提高絕緣層的耐磨損能力和絕緣性能。

然后，本實施例對一整面的絕緣層進行圖案化制程，從而形成具有第一接觸孔o1和第二接觸孔o2的絕緣層123。

在本步驟中，如圖5所示，絕緣層123還可以在連接線1221的上方形成暴露所述連接線1221的第五接觸孔o5，以用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)線dn與第二tft322的源極之間的電連接。

s44：在第一接觸孔中及第二區(qū)域的第一金屬層上方的絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案，形成于第一接觸孔中的半導(dǎo)體圖案與第一tft的源極連接。

本實施例可以采用cvd方法形成一整面的半導(dǎo)體圖案，而后對一整面的半導(dǎo)體圖案進行圖案化制程，從而僅在第一接觸孔o2中以及第二區(qū)域z2的第一金屬層122上方保留半導(dǎo)體圖案124。

當(dāng)然，其他實施例可以cvd方法并結(jié)合具有預(yù)定圖案的掩膜板，直接形成具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體圖案124。

s45：在半導(dǎo)體圖案上形成覆蓋絕緣層的第二金屬層，第二金屬層包括間隔設(shè)置的第三區(qū)域、第四區(qū)域和第五區(qū)域，第三區(qū)域的第二金屬層用于形成掃描線和第一tft的柵極，第三區(qū)域的第二金屬層覆蓋于第二接觸孔中并與第二區(qū)域的第一金屬層連接，第四區(qū)域的第二金屬層用于形成第二tft的源極，第五區(qū)域的第二金屬層用于形成第二tft的漏極。

本實施例可以采用與步驟s42相同的工藝形成第二金屬層125。第三區(qū)域z3的第二金屬層125用于形成第一tft312的柵極，第四區(qū)域z4的第二金屬層125用于形成第二tft322的源極，第五區(qū)域z5的第二金屬層125用于形成第二tft322的漏極。

本實施例還可以利用上述圖案化制程形成陣列基板12的掃描線gn。該掃描線gn可視為第三區(qū)域z3的第二金屬層125的一部分。

另外，第四區(qū)域z4的第二金屬層125還覆蓋于第五接觸孔o5中，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)線dn與第二tft322的源極之間的連接。

s46：在第二金屬層上形成平坦鈍化層，平坦鈍化層在第一tft的源極上方開設(shè)有暴露半導(dǎo)體圖案的第三接觸孔、在第二tft的漏極上方開設(shè)有暴露第二tft的漏極的第四接觸孔。

本實施例可以采用cvd方法形成一整面的平坦鈍化層，而后對一整面的平坦鈍化層進行圖案化制程，從而形成具有第三接觸孔o3和第四接觸孔o4的平坦鈍化層126。

s47：形成覆蓋于第三接觸孔中的第一子像素電極，以及覆蓋于第四接觸孔中的第二子像素電極，第一子像素電極與第一tft的源極上方的半導(dǎo)體圖案連接，第二子像素電極與第二tft的漏極連接。

本實施例可以采用pvd方法和圖案化制程同時形成第一子像素電極311和第二子像素電極321。當(dāng)然，在其他實施例中，第一子像素電極311和第二子像素電極321也可以單獨形成。

本實施例的方法可制得與圖2和圖3所示結(jié)構(gòu)相同的像素區(qū)域，因此具有與其相同的有益效果。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，例如各實施例之間技術(shù)特征的相互結(jié)合，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。