本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，尤其涉及一種顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人們對(duì)顯示設(shè)備的需求得到了增長(zhǎng)，因而也推動(dòng)了液晶面板行業(yè)的快速發(fā)展。隨著面板的產(chǎn)量不斷提升，人們對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì)及良率也有了更高要求，提升產(chǎn)品質(zhì)、降低不良率、節(jié)約成本成為面板行業(yè)的主題。

目前，在tftlcd(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)模組結(jié)構(gòu)中，陣列基板主要用于控制每個(gè)像素的開(kāi)關(guān)，進(jìn)而控制畫(huà)面顯示。陣列基板的電路設(shè)計(jì)主要包括面外走線(xiàn)和面內(nèi)走線(xiàn)，面內(nèi)走線(xiàn)設(shè)計(jì)的主要功能是給像素充放電以及進(jìn)行電位保持。電位保持主要靠存儲(chǔ)電容，一般的存儲(chǔ)電容是由透明ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)材料的像素電極和設(shè)置于第一金屬層的不透光公共電極線(xiàn)構(gòu)成?？紤]像素開(kāi)口率的問(wèn)題，所以存儲(chǔ)電容無(wú)法設(shè)計(jì)很大。

tftlcd產(chǎn)品都存在電壓饋通問(wèn)題，就是柵極電壓開(kāi)啟和關(guān)閉的時(shí)候，會(huì)造成像素充電電壓跳變，跳變電壓會(huì)造成像素電壓在正數(shù)據(jù)信號(hào)負(fù)半周時(shí)不對(duì)稱(chēng)，面板會(huì)出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象，所以模組需要增加閃爍檢查及最優(yōu)電壓調(diào)整工序。

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種顯示面板上的陣列電路結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列電路包括交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)13和掃描線(xiàn)11，數(shù)據(jù)線(xiàn)13和掃描線(xiàn)11交錯(cuò)形成多個(gè)像素單元，每一像素單元區(qū)域內(nèi)設(shè)置有像素電極15和薄膜晶體管12。其中，薄膜晶體管12的柵極連接掃描線(xiàn)11，源極連接數(shù)據(jù)線(xiàn)13，漏極連接像素電極15。該陣列電路還包括公共電極線(xiàn)14，該公共電極線(xiàn)14與像素電極15位于不同層，兩者的重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容。在顯示面板進(jìn)行畫(huà)面顯示時(shí)，與掃描線(xiàn)11連接的像素的跳變電壓公式表示為：δv＝(vgh-vgl)*cgs/(clc+cgs+cst+…)，其中，vgh表示柵極開(kāi)啟電壓，vgl表示柵極關(guān)閉電壓，cgs表示柵極和源極之間的寄生電容，clc表示液晶電容，cst表示存儲(chǔ)電容。由該跳變電壓公式可知，增加存儲(chǔ)電容cst的電容值，可以降低像素跳變電壓δv值，進(jìn)而減少顯示面板閃爍現(xiàn)象。

由于公共電極線(xiàn)14通常采用不透光金屬材料形成，為保證像素單元的開(kāi)口率，不能將公共電極線(xiàn)14的面積設(shè)計(jì)的很大。如圖2所示，對(duì)應(yīng)圖1，現(xiàn)有技術(shù)中將公共電極線(xiàn)14設(shè)置為細(xì)長(zhǎng)條形。這樣導(dǎo)致公共電極線(xiàn)14與像素電極15重合部分的面積較小，由此形成的存儲(chǔ)電容的電容值也較小。

圖3為圖1中標(biāo)注a-a位置處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，公共電極線(xiàn)14設(shè)置于基底上(基底未示出)。第一絕緣層16設(shè)置于公共電極線(xiàn)14和裸露的基底上。數(shù)據(jù)線(xiàn)13設(shè)置于第一絕緣層16上。鈍化層17設(shè)置于數(shù)據(jù)線(xiàn)13和裸露的第一絕緣層16上。像素電極15設(shè)置于鈍化層17上并通過(guò)過(guò)孔(圖中未示出)與薄膜晶體管12的漏極連接。由圖3可知，公共電極線(xiàn)14和像素電極15位于不同層，兩者重疊部分可以通過(guò)兩者之間的介質(zhì)層(第一絕緣層16和鈍化層17)形成存儲(chǔ)電容cst。但由于現(xiàn)有技術(shù)中將公共電極線(xiàn)14設(shè)置為細(xì)長(zhǎng)條形，公共電極線(xiàn)14與像素電極15重合部分的面積較小，由此形成的存儲(chǔ)電容的電容值也較小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種顯示面板，用以增大公共電極線(xiàn)與像素電極形成的存儲(chǔ)電容的電容值。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種顯示面板，包括像素電極、公共電極線(xiàn)以及設(shè)置于所述像素電極和所述公共電極線(xiàn)之間的介質(zhì)層，

其中，所述公共電極線(xiàn)由透明導(dǎo)電材料制成，所述公共電極線(xiàn)和所述像素電極重疊以形成存儲(chǔ)電容。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述公共電極線(xiàn)采用氧化銦錫材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述公共電極線(xiàn)包括位于所述顯示面板上的各像素單元內(nèi)且與對(duì)應(yīng)像素單元內(nèi)的像素電極重疊設(shè)置的第一部分、及用于連接兩相鄰像素單元內(nèi)的所述公共電極線(xiàn)的第一部分的第二部分。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極與對(duì)應(yīng)所述公共電極線(xiàn)的第一部分的重疊面積占該像素單元內(nèi)的像素電極面積的百分比為9％-100％。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，相鄰兩像素單元內(nèi)的所述公共電極線(xiàn)的第一部分通過(guò)所述公共電極線(xiàn)的第二部分相互連接以構(gòu)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的公共電極線(xiàn)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述公共電極線(xiàn)的第一部分的圖案與所述第一部分所屬像素單元內(nèi)的像素電極圖案相同。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述介質(zhì)層包括一層或多層絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，包括：

基板；

公共電極線(xiàn)，其設(shè)置在所述基板上；

第一絕緣層，其設(shè)置在所述公共電極線(xiàn)上；

第一金屬層，其設(shè)置在所述第一絕緣層上；

柵極絕緣層，其設(shè)置在所述第一金屬層上；

半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述柵極絕緣層上；

第二金屬層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上；

第二絕緣層，其設(shè)置在所述第二金屬層上；以及

像素電極層，其設(shè)置在所述第二絕緣層上，所述像素電極層通過(guò)過(guò)孔與所述第二金屬層連接，

其中，所述介質(zhì)層包括所述第一絕緣層、所述柵極絕緣層和所述第二絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，包括：

基板；

第一金屬層，設(shè)置在所述基板上；

公共電極線(xiàn)，其與所述第一金屬層位于同層；

柵極絕緣層，其設(shè)置在所述第一金屬層和所述公共電極線(xiàn)上；

半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述柵極絕緣層上；

第二金屬層，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上；

第二絕緣層，其設(shè)置在所述第二金屬層上；以及

像素電極層，其設(shè)置在所述第二絕緣層上，所述像素電極層通過(guò)過(guò)孔與所述第二金屬層連接；

其中，所述介質(zhì)層包括所述柵極絕緣層和所述第二絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，包括：

基板；

第一金屬層，其設(shè)置在所述基板上；

柵極絕緣層，其設(shè)置在所述第一金屬層上；

公共電極線(xiàn)，其設(shè)置在所述柵極絕緣層上；

第一絕緣層，其設(shè)置在所述公共電極線(xiàn)上；

半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一絕緣層上；

第二金屬層，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上；

第二絕緣層，設(shè)置在所述第二金屬層上；

像素電極層，設(shè)置在所述第二絕緣層上，所述像素電極層通過(guò)過(guò)孔與所述第二金屬層連接，

其中，所述介質(zhì)層包括所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明通過(guò)采用透明導(dǎo)電材料制作公共電極線(xiàn)，增大公共電極線(xiàn)與像素電極的重疊面積，進(jìn)而增大公共電極線(xiàn)和像素電極形成的存儲(chǔ)電容的電容值。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種顯示面板上的陣列電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中的公共電極線(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1中標(biāo)注a-a位置處的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示面板上的陣列電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4中的公共電極線(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖4中標(biāo)注b-b位置處的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖4中標(biāo)注c-c位置處的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本發(fā)明提供了一種顯示面板，可以增大像素電極和公共電極線(xiàn)形成的存儲(chǔ)電容的電容值，減小電壓跳變值。

如圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示面板上的陣列電路結(jié)構(gòu)示意圖。以下參考圖4來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖4所示，該顯示面板包括像素電極25、公共電極線(xiàn)24以及設(shè)置于像素電極和公共電極線(xiàn)之間的介質(zhì)層(圖4未示出)。公共電極線(xiàn)24由透明導(dǎo)電材料制成，并與像素電極25位于顯示面板上的不同層，公共電極線(xiàn)24和像素電極25相對(duì)重疊以形成存儲(chǔ)電容。由于在本發(fā)明中，公共電極線(xiàn)24由透明導(dǎo)電材料制成，其設(shè)置面積不影響開(kāi)口率，因此可以增大公共電極線(xiàn)24的面積，進(jìn)而增大公共電極線(xiàn)24與像素電極25的重疊面積，從而增大公共電極線(xiàn)24與像素電極25形成的存儲(chǔ)電容的容值。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該公共電極線(xiàn)24采用氧化銦錫材料制成。透明ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)材料具有導(dǎo)電性能，通常用來(lái)形成像素電極25。但是，在本發(fā)明中，采用透明ito材料來(lái)形成公共電極線(xiàn)24，而不是現(xiàn)有的技術(shù)中通常采用的金屬材料，這樣既可以保持公共電極線(xiàn)24的導(dǎo)電性，還可以在不影響開(kāi)口率的條件下增大公共電極線(xiàn)24的面積，進(jìn)而增大公共電極線(xiàn)24與像素電極25形成的存儲(chǔ)電容的容值。當(dāng)然，也可以采用其他透明導(dǎo)電材料來(lái)形成公共電極線(xiàn)24，本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該公共電極線(xiàn)24包括位于顯示面板上的各像素單元內(nèi)、與對(duì)應(yīng)像素單元內(nèi)的像素電極重疊設(shè)置的第一部分241。具體的，如圖5所示，公共電極線(xiàn)24包括第一部分241，每一像素單元內(nèi)均設(shè)置有一個(gè)第一部分241。該第一部分241與對(duì)應(yīng)像素單元內(nèi)的像素電極重疊設(shè)置，如圖5所示，公共電極線(xiàn)24的第一部分241為獨(dú)立設(shè)置的面狀結(jié)構(gòu)，在整個(gè)顯示面板中呈陣列排布。該第一部分241也可設(shè)置為網(wǎng)狀或其他形狀，只要增大其與像素電極25的重疊面積即可，本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極與對(duì)應(yīng)第一部分的重疊面積占該像素單元內(nèi)的像素電極面積的百分比為9％-100％。具體的，如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，公共電極線(xiàn)14與像素電極15的重合面積占對(duì)應(yīng)像素單元內(nèi)像素電極的面積比為9％左右。在本發(fā)明中，由于公共電極線(xiàn)24采用透明導(dǎo)電材料制成，在不影響光穿透率的同時(shí)，在增大公共電極線(xiàn)24第一部分241的面積時(shí)，就可以增大該第一部分241與像素電極25的重疊面積。這樣，就可以使得各像素單元內(nèi)的像素電極與對(duì)應(yīng)第一部分的重疊面積占該像素單元內(nèi)的像素電極面積的百分比大于9％，甚至達(dá)到100％。并且，通過(guò)改變各像素單元內(nèi)的像素電極與對(duì)應(yīng)第一部分的重疊面積，該百分比可設(shè)置為9％-100％內(nèi)的任一值。優(yōu)選的，一個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極與對(duì)應(yīng)第一部分的重疊面積占該像素單元內(nèi)的像素電極面積的百分比為70％-90％

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該公共電極線(xiàn)24還包括位于顯示面板上、與對(duì)應(yīng)像素單元內(nèi)的第一部分241連接的第二部分242。具體的，如圖5所示，公共電極線(xiàn)24的第一部分241的周?chē)O(shè)置有多個(gè)第二部分242，該多個(gè)第二部分242用于連接相鄰像素單元內(nèi)第一部分241周?chē)牡诙糠?42，進(jìn)而將公共電極線(xiàn)24的各個(gè)第一部分241連接成為一個(gè)整體。這樣，有利于向公共電極線(xiàn)24的各個(gè)第一部分241提供公共電壓。

優(yōu)選地，相鄰像素單元內(nèi)的公共電極線(xiàn)的第一部分通過(guò)各自的第二部分相互連接以構(gòu)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的公共電極線(xiàn)。具體的，如圖5所示，一個(gè)像素單元內(nèi)的一個(gè)第一部分241通過(guò)各自四周的四個(gè)第二部分242相互連接構(gòu)成網(wǎng)狀的公共電極線(xiàn)24，這樣有利于顯示面板上的公共電極線(xiàn)各處保持同一電位。該網(wǎng)狀的公共電極線(xiàn)的一端通過(guò)顯示區(qū)域外的過(guò)孔與外部電路連接，以讓公共電壓輸入至面內(nèi)的公共電極線(xiàn)上。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，公共電極線(xiàn)24的第一部分241的圖案與第一部分所屬像素單元內(nèi)的像素電極圖案相同，兩者重疊部分形成存儲(chǔ)電容。具體的，如圖4和圖5所示，在一個(gè)像素單元內(nèi)，公共電極線(xiàn)24的第一部分241的圖案與像素電極25的圖案相同。這樣，不但使得一個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極與對(duì)應(yīng)第一部分的重疊面積占該像素單元內(nèi)的像素電極面積的百分比達(dá)到100％，使得兩者形成的存儲(chǔ)電容的電容值達(dá)到最大，而且不必設(shè)置多余的第一部分241。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，像素單元包括設(shè)置在基板上的第一金屬層(柵線(xiàn)和薄膜晶體管中的柵極)、設(shè)置在第一金屬層上的柵極絕緣層、設(shè)置在柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、設(shè)置在半導(dǎo)體層上的第二金屬層(數(shù)據(jù)線(xiàn)和薄膜晶體管中的源漏極)、設(shè)置在第二金屬層上的第二絕緣層、以及設(shè)置在第二絕緣層上的像素電極層。

圖6所示為圖4中標(biāo)注b-b位置處的截面結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，公共電極線(xiàn)24上設(shè)置有第一絕緣層26，第一金屬層(圖6中未示出)設(shè)置在第一絕緣層26上，第一金屬層上設(shè)置有柵極絕緣層27，柵極絕緣層27上設(shè)有半導(dǎo)體層(圖6中未示出)，半導(dǎo)體層上設(shè)置有第二金屬層(包括圖6中示出的數(shù)據(jù)線(xiàn)23)，第二金屬層上設(shè)置有第二絕緣層28，第二絕緣層28上設(shè)置有像素電極25，像素電極25通過(guò)第二絕緣層28上開(kāi)設(shè)的過(guò)孔(圖6中未示出)與薄膜晶體管中的源漏極(圖6中未示出)連接。

在本實(shí)施例中，公共電極線(xiàn)24位于第一金屬層靠近基板的一側(cè)，且公共電極線(xiàn)24與像素電極25之間的介質(zhì)層包括第一絕緣層26、柵極絕緣層27和第二絕緣層28三層結(jié)構(gòu)。

圖7所示為圖4中標(biāo)注c-c位置處的截面結(jié)構(gòu)示意圖，在公共電極線(xiàn)24上設(shè)置有第一絕緣層26。在第一絕緣層26上設(shè)置有第一金屬層，第一金屬層包括柵線(xiàn)21和開(kāi)關(guān)元件的柵極。在柵線(xiàn)21和裸露的第一絕緣層26上設(shè)置有柵極絕緣層27。在該位置處，第二絕緣層28直接設(shè)置在柵極絕緣層27上。在第二絕緣層28上設(shè)置有像素電極25。

在本實(shí)施例中，由于公共電極線(xiàn)24設(shè)置在最底層，所以通常將公共電極線(xiàn)24設(shè)置的基底上。有時(shí)，也可在公共電極線(xiàn)24和基底之間設(shè)置一層緩沖層，用于防止基底上的雜質(zhì)影響公共電極線(xiàn)24的性能。

可以理解的是，公共電極線(xiàn)24的具體位置不受本實(shí)施例的限制，只要能使公共電極線(xiàn)24與像素電極25重疊且兩者之間通過(guò)絕緣介質(zhì)層形成存儲(chǔ)電容即可。比如，公共電極線(xiàn)24可在完成第一金屬層圖案化處理后通過(guò)增加一次光罩制程形成，且圖案化處理后的公共電極線(xiàn)24與第一金屬層位于同一層；此外，也可以將公共電極線(xiàn)24設(shè)置于柵極絕緣層上，再在公共電極線(xiàn)上增設(shè)絕緣層，這里不再一一列舉。

對(duì)應(yīng)的，介質(zhì)層的具體結(jié)構(gòu)將根據(jù)公共電極線(xiàn)24的具體設(shè)置位置而變化，介質(zhì)層可為單層或多層絕緣層結(jié)構(gòu)，在此不作具體限定。

雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。