本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板通常包括tn型液晶顯示面和本ads型液晶顯示面板兩種。其中，如圖1所示，在tn型液晶顯示面板中，像素電極100和數(shù)據(jù)線300設(shè)置在陣列基板上，而公共電極600、黑矩陣700和濾光塊(圖1中示出了紅色的濾光塊820和綠色的濾光塊810)設(shè)置在彩膜基板上，液晶層500封裝在陣列基板和對(duì)盒基板之間。

如圖2所示，在ads型液晶顯示面板中，公共電極600和像素電極100均設(shè)置在陣列基板上，黑矩陣700和濾光塊設(shè)置在對(duì)盒基板上，液晶層500封裝在陣列基板和對(duì)盒基板之間。

為了獲得更加真實(shí)的顯示效果，液晶顯示面板有往高ppi(pixelperinch，每英寸像素?cái)?shù))發(fā)展的趨勢(shì)。但是，目前，高ppi的tn型液晶顯示面板容出現(xiàn)暗態(tài)漏光。而高ppi的ads液晶面板則容易出現(xiàn)混色現(xiàn)象。

因此，如何提供一種不出現(xiàn)暗態(tài)漏光、不發(fā)生串色的液晶顯示面板成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。所述陣列基板能夠在實(shí)現(xiàn)高ppi的同時(shí)避免發(fā)生暗態(tài)漏光以及串色現(xiàn)象。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括多個(gè)像素單元，多個(gè)所述像素單元排列為多行多列，其中，所述像素單元包括多個(gè)第一像素單元和多個(gè)第二像素單元，同一行中包括所述第一像素單元和所述第二像素單元，所述第一像素單元包括第一子像素電極，所述第二像素單元包括第二子像素電極，所述陣列基板包括第一像素電極層和第二像素電極層，所述第一像素電極層和所述第二像素電極層之間設(shè)置有透明絕緣層，多個(gè)所述第一子像素電極間隔地設(shè)置在所述第一像素電極層中，多個(gè)所述第二子像素電極間隔地設(shè)置在所述第二像素電極層中，并且在同一行中，所述第二子像素電極在所述第一像素電極層上的投影位于相鄰兩個(gè)所述第一子像素電極之間。

優(yōu)選地，在同一行中，所述第二子像素電極在所述第一像素電極層上的投影與相鄰的第一子像素電極之間的橫向間隔在0.1微米至0.8微米之間。

優(yōu)選地，所述透明絕緣層由硅的氧化物和/或硅的氮化物制成。

優(yōu)選地，所述陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線的位置與相鄰設(shè)置的所述第二子像素電極與所述第一子像素電極之間的水平間隔相對(duì)應(yīng)。

優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線的寬度在0.8微米至1.5微米之間。

作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

優(yōu)選地，所述第二子像素電極在所述第一像素電極層上的投影與相鄰的第一子像素電極之間的間隔在0.1微米至0.8微米之間。

優(yōu)選地，所述顯示面板包括對(duì)盒基板，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有彩膜層，所述彩膜層包括多個(gè)濾光單元，每個(gè)濾光單元包括多個(gè)顏色互不相同的彩色濾光塊，每個(gè)所述彩色濾光塊對(duì)應(yīng)于一個(gè)所述像素單元。

優(yōu)選地，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有多個(gè)公共電極。

作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明所提供的上述顯示面板。

本發(fā)明所提供的陣列基板應(yīng)用于需要背光的顯示裝置中，第一像素電極層設(shè)置在第二像素單元層下方。在第一像素電極層中，第一子像素電極之間的間隔較大，降低了對(duì)構(gòu)圖形成第一子像素電極的掩膜板的精度要求，從而容易獲得尺寸、位置均精確的第一子像素電極。同樣地，在第二像素電極層中，第二子像素電極之間的間隔較大，降低了對(duì)構(gòu)圖形成第二子像素電極的掩膜板的精度要求，從而容易獲得尺寸、位置均精確的第二子像素電極。因此，可以在本發(fā)明所提供的陣列基板中設(shè)置更多的像素單元，從而有利于實(shí)現(xiàn)高分辨率(即，高ppi)的顯示裝置。

并且，由于兩層像素電極層之間存在沿陣列基板厚度方向的間隔，因此，背光源發(fā)出的光線透過位于下層的第一像素電極層時(shí)，可以形成一個(gè)發(fā)射角，從而可以防止包括所述陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)發(fā)生串色現(xiàn)象。

此外，第一子像素電極與第二子像素電極之間的水平間隔可以設(shè)置的非常小，從而可以利用寬度較小的黑矩陣對(duì)該水平間隔進(jìn)行遮擋，從而可以避免包括所述陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)發(fā)生暗態(tài)漏光的現(xiàn)象。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有的tn型陣列基板的示意圖；

圖2是現(xiàn)有的ads型陣列基板的示意圖；

圖3是本發(fā)明所提供的顯示面板的一種實(shí)施方式的示意圖；

圖4是本發(fā)明所提供的顯示面板中第一子像素電極和第二子像素電極的分布情況俯視圖；

圖5是圖1中tn型陣列基板的發(fā)光模擬圖；

圖6是包括圖3中顯示面板的顯示裝置的發(fā)光模擬圖。

附圖標(biāo)記說明

100：像素電極110：第一子像素電極

120：第二子像素電極200：透明絕緣層

300：數(shù)據(jù)線500：液晶層

600：公共電極700：黑矩陣

810：綠色的濾光塊820：紅色的濾光塊

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括多個(gè)像素單元，多個(gè)所述像素單元排列為多行多列，其中，所述像素單元包括多個(gè)第一像素單元和多個(gè)第二像素單元，同一行中包括所述第一像素單元和所述第二像素單元，如圖3和圖4所示所示，所述第一像素單元包括第一子像素電極110，所述第二像素單元包括第二子像素電極120。所述陣列基板包括第一像素電極層和第二像素電極層，如圖3所示，所述第一像素電極層和所述第二像素電極層之間設(shè)置有透明絕緣層200。如圖4所示，多個(gè)第一子像素電極110間隔地設(shè)置在所述第一像素電極層中，多個(gè)第二子像素電極120間隔地設(shè)置在所述第二像素電極層中，并且在同一行中，第二子像素電極120在所述第一像素電極層上的投影位于相鄰兩個(gè)第一子像素電極110之間。

本發(fā)明所提供的陣列基板應(yīng)用于需要背光的顯示裝置(例如，液晶顯示裝置)中，在圖3中所示的實(shí)施方式中，第一像素電極層設(shè)置在第二像素單元層下方。在第一像素電極層中，第一子像素電極110之間的間隔較大，降低了對(duì)構(gòu)圖形成第一子像素電極110的掩膜板的精度要求，從而容易獲得尺寸、位置均精確的第一子像素電極110。同樣地，在第二像素電極層中，第二子像素電極120之間的間隔較大，降低了對(duì)構(gòu)圖形成第二子像素電極120的掩膜板的精度要求，從而容易獲得尺寸、位置均精確的第二子像素電極120。因此，可以在本發(fā)明所提供的陣列基板中設(shè)置更多的像素單元，從而有利于實(shí)現(xiàn)高分辨率(即，高ppi)的顯示裝置。

并且，由于兩層像素電極層之間存在沿陣列基板厚度方向的間隔，因此，背光源發(fā)出的光線透過位于下層的第一像素電極層時(shí)，可以形成一個(gè)發(fā)射角，從而可以防止包括所述陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)發(fā)生串色現(xiàn)象。

如上文中所述，由于像素發(fā)光時(shí)可以形成發(fā)射角，并且相鄰兩個(gè)像素電極之間的間隔較小，因此，本發(fā)明所提供的顯示面板中可以不設(shè)置黑矩陣，從而進(jìn)一步降低了顯示面板的成本。

在本發(fā)明中，對(duì)第一子像素電極也第二子像素電極之間的距離并沒有特殊的要求，例如，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，為了降低對(duì)掩膜基板的精度要求的同時(shí)保證較高的ppi，優(yōu)選地，在同一行中，第二子像素電極120在所述第一像素電極層上的投影與相鄰的第一子像素電極110之間的橫向間隔l在0.1微米至0.8微米之間。并且，當(dāng)橫向間隔l在此范圍內(nèi)時(shí)也可以最大程度的避免暗態(tài)漏光的發(fā)生。進(jìn)一步優(yōu)選地，可以將橫向間隔l控制在0.5微米。

在本發(fā)明中，對(duì)透明絕緣層200的具體材料并沒有特殊的限制，只要能夠?qū)⒌谝幌袼仉姌O層和第二像素電極層絕緣間隔開即可。例如，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，可以利用形成陣列基板中鈍化層的材料來形成透明絕緣層200，即，利用硅的氧化物和/或硅的氮化物來形成透明絕緣層200。

本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，為了便于向第一子像素電極110和第二子像素電極提供灰階信號(hào)，所述陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線300。為了增加開口率，優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線300的位置與相鄰設(shè)置的第二子像素電極120與第一子像素電極110之間的間隔相對(duì)應(yīng)。將數(shù)據(jù)線設(shè)置在第一子像素電極110與第二子像素電極120之間的水平間隔l處的優(yōu)點(diǎn)在于，可以利用黑矩陣對(duì)其進(jìn)遮擋。容易理解的是，數(shù)據(jù)線300的延伸方向與像素單元的列方向一致。

在本發(fā)明中，對(duì)數(shù)據(jù)線的寬度也沒有特殊的要求，例如，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，數(shù)據(jù)線300的寬度可以在0.8微米至1.5微米之間。

作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的陣列基板。

在本發(fā)明中，對(duì)顯示面板的具體類型并不做特殊的要求。例如，顯示面板可以是液晶顯示面板，也可以是其他需要背光源的顯示面板。

如上文中所述，由于采用了本發(fā)明書所提供的上述陣列基板，所述顯示面板可以在實(shí)現(xiàn)較高ppi的同時(shí)防止暗態(tài)漏光并防止串色的產(chǎn)生。

在圖3中所示的具體實(shí)施方式中，所述顯示面板為液晶顯示面板，即顯示面板中包括液晶層500。

圖3中所示的顯示面板為液晶顯示面板，利用對(duì)盒基板和陣列基板將液晶層500封裝在陣列基板和對(duì)盒基板之間。

為了實(shí)現(xiàn)彩色顯示，優(yōu)選地，可以在對(duì)盒基板上設(shè)置彩膜層。如圖3所示，彩膜層包括多個(gè)濾光單元，每個(gè)濾光單元都包括多個(gè)顏色互不相同的彩色濾光塊，每個(gè)彩色濾光塊對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素單元。

例如，在圖3中所示的具體實(shí)施方式中，紅色的濾光塊820對(duì)應(yīng)于第一子像素電極110所在的第一像素單元；綠色的濾光塊810對(duì)應(yīng)于第二子像素電極120所在的第二像素單元。

本發(fā)明所提供的陣列基板既可以應(yīng)用于tn型的顯示面板，也可以應(yīng)用于ads型的顯示面板。在圖3中所示的實(shí)施方式中，所述陣列基板應(yīng)用于tn型的顯示面板中。作為tn型的顯示面板，公共電極600設(shè)置在對(duì)盒基板上。

利用本申請(qǐng)所提供的陣列基板，可以將像素電極之間的水平距離縮小到0.5μm，從而實(shí)現(xiàn)高ppi。

作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明所提供的上述顯示面板。如上文中所述，所述顯示裝置可以實(shí)現(xiàn)高ppi，且不會(huì)出現(xiàn)暗態(tài)漏光，因此，所述顯示裝置具有良好的顯示效果。

為了便于說明，利用techwiz3d軟件對(duì)包括圖3中所提供的顯示面板的顯示裝置進(jìn)行暗態(tài)顯示模擬，并且還對(duì)包括圖1中所提供的顯示面板的顯示裝置進(jìn)行暗態(tài)顯示模擬。

在本發(fā)明中，將圖3中所提供的顯示裝置的第一子像素電極110與第二子像素電極120之間的橫向間隔設(shè)置為0.5微米，將數(shù)據(jù)線300的寬度設(shè)置為1.5微米，將黑矩陣700的寬度設(shè)置為2.5微米。通過模擬結(jié)果可知，如圖6所示，測(cè)得的顯示亮度s2幾乎不會(huì)出現(xiàn)暗態(tài)漏光現(xiàn)象。并且，該顯示裝置的開口率可高達(dá)29％。

作為對(duì)比，利用techwiz3d軟件對(duì)圖1中所示的顯示裝置進(jìn)行暗態(tài)顯示模擬。圖1中像素電極100之間的間隔為2.0微米，數(shù)據(jù)線300的寬度為6.4微米，黑矩陣的寬度為4.3微米。通過模擬顯示，如圖5所示，測(cè)得的顯示亮度s1的亮度值在像素電極的邊界處較高，說明在像素電極100的邊界處出現(xiàn)明顯的漏光現(xiàn)象。并且，該顯示裝置的開口率僅為4.9％。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。