本申請涉及顯示領域，尤其涉及一種對向基板、顯示面板、顯示裝置及制作方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板通常由陣列基板、彩膜基板和液晶及封裝材料組成。近年來，為了減小對盒精度、適應曲面和減少掩膜次數(shù)，人們逐漸選擇將彩色濾光層設置于陣列基板(Color Filter On Array，COA)，這樣可以減小對盒精度。

對于將彩色濾光層設置在陣列基板且采用垂直配向(Vertical Alignment，VA)的產(chǎn)品，通常是將公共電極設置在與陣列基板相對的對向基板上，即，對向基板依次包括有襯底基板、設置于襯底基板之上的邊框遮光層、設置于邊框遮光層之上的整面的公共電極層，其中，邊框遮光層包括用于遮擋邊框的邊框遮光圖案。顯示面板通過在邊框設置的金球使陣列基板為對向基板上的公共電極層提供電信號，隔墊物設置于陣列基板上。但是該種結(jié)構(gòu)的顯示面板，邊框遮光圖案以及隔墊物的形成需要兩次掩模工藝，存在邊框遮光圖案以及隔墊物的制作較為復雜的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請?zhí)峁┮环N對向基板、顯示面板、顯示裝置及制作方法，在對向基板可以實現(xiàn)邊框遮光功能以及可以與陣列基板導通的同時，減小制作隔墊物圖案和邊框遮光圖案時需要的掩模次數(shù)，進而簡化顯示面板的制作工藝。

本申請實施例提供一種對向基板的制作方法，包括：

在第一襯底基板之上形成透明電極層；

在所述透明電極層之上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，其中，所述邊框遮光圖案包括暴露部分所述透明電極層的第一過孔；

在所述第一過孔內(nèi)形成導電的遮光層圖案。

優(yōu)選的，所述在所述第一過孔內(nèi)形成導電的遮光層圖案，具體包括：

形成一整層導電的遮光層；

在所述遮光層之上涂布光刻膠層，所述光刻膠層在所述第一過孔內(nèi)的厚度大于所述第一過孔以外的其它區(qū)域的厚度；

對所述光刻膠層進行減薄處理，進而去除所述第一過孔以外的其它區(qū)域的全部光刻膠，以及同時去除所述第一過孔內(nèi)的部分光刻膠；

在所述第一過孔內(nèi)的光刻膠的遮擋下，去除所述第一過孔以外的其它區(qū)域的所述遮光層。

優(yōu)選的，所述形成一整層導電的遮光層，具體包括：

形成一整層導電的金屬層。

優(yōu)選的，所述形成一整層導電的遮光層，具體包括：

形成一整層導電的透明金屬氧化物層，對所述透明金屬氧化物層進行氫等離子處理，以降低所述透明金屬氧化物層的透過率進而形成所述遮光層。

優(yōu)選的，所述透明電極層為導電的透明金屬氧化物層時，

所述在第一襯底基板之上形成透明電極層，具體包括：在所述第一襯底基板之上形成導電的透明金屬氧化物層，并對所述透明金屬氧化物層進行退火；

所述在所述第一過孔內(nèi)的光刻膠的遮擋下，去除所述第一過孔以外的其它區(qū)域的所述遮光層，具體包括：在所述第一過孔內(nèi)的光刻膠的遮擋下，采用溶液刻蝕，去除所述第一過孔以外的其它區(qū)域的所述遮光層。

優(yōu)選的，在第一襯底基板之上形成透明電極層，具體包括：

在第一襯底基板之上形成透明公共電極層；或者，在第一襯底基板之上形成復用做觸控電極的透明公共電極層。

優(yōu)選的，所述在所述透明電極層之上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，具體包括：

采用灰階掩模工藝，在所述透明電極層之上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案。

本申請實施例還提供一種顯示面板的制作方法，包括：

形成陣列基板；

采用如本申請實施例所提供的所述制作方法形成對向基板；

將所述陣列基板與所述對向基板進行對盒。

優(yōu)選的，所述形成陣列基板，具體包括：將導電物質(zhì)與封框膠混合后涂覆在陣列基板的封框膠區(qū)；

所述將所述陣列基板與所述對向基板進行對盒，具體包括：將所述陣列基板與所述對向基板進行對盒，并使所述陣列基板的導電物質(zhì)與所述對向基板的所述第一過孔內(nèi)的遮光層圖案接觸，以使所述陣列基板通過所述導電物質(zhì)為所述對向基板的所述透明電極層提供電信號。

本申請實施例還提供一種對向基板，包括：

設置在第一襯底基板之上的透明電極層；

設置在所述透明電極層之上的隔墊物圖案和邊框遮光圖案，其中，所述邊框遮光圖案包括暴露部分所述透明電極層的第一過孔；

設置在所述第一過孔內(nèi)導電的遮光層圖案。

優(yōu)選的，所述透明電極層為透明公共電極層；或者，所述透明電極層為復用做觸控電極層的透明公共電極層。

優(yōu)選的，所述導電的遮光層圖案為氫等離子處理后的導電的金屬氧化物層。

優(yōu)選的，所述透明電極層為退火后的導電的透明金屬氧化物層。

優(yōu)選的，所述遮光層圖案為金屬遮光層圖案。

本申請實施例還提供一種顯示面板，包括本申請實施例提供的所述對向基板，還包括陣列基板。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設置在封框膠區(qū)的導電物質(zhì)，所述導電物質(zhì)與所述對向基板的所述第一過孔內(nèi)的遮光層圖案接觸，所述陣列基板通過所述導電物質(zhì)為所述對向基板的所述透明電極層提供電信號。

本申請實施例還提供一種顯示裝置，包括本申請實施例提供的所述顯示面板。

本申請實施例有益效果如下：通過在第一襯底基板之上先形成透明電極層，再在透明電極層上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，邊框遮光圖案包括暴露部分透明電極層的第一過孔，進而可以在保證對向基板可以與陣列基板導通的前提下，通過一次掩模工藝在對向基板上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，而且，第一過孔內(nèi)形成導電的遮光層圖案，可以防止對向基板在第一過孔處產(chǎn)生漏光的問題。

附圖說明

圖1為本申請實施例提供的對向基板的制作方法的流程圖；

圖2為本申請實施例提供的顯示面板的制作方法的流程圖；

圖3為本申請實施例中，制備完成透明電極層的對向基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請實施例中，制備完成隔墊物圖案和邊框遮光圖案的對向基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請實施例中，制備完成遮光層的對向基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請實施例中，制備完成光刻膠層的對向基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請實施例中，去除部分光刻膠層后的對向基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請實施例中，去除部分遮光層后的對向基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本申請實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合說明書附圖對本申請實施例的實現(xiàn)過程進行詳細說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本申請，而不能理解為對本申請的限制。

參見圖1，本申請實施例提供一種對向基板的制作方法，包括：

步驟101、在第一襯底基板之上形成透明電極層。

具體的，可以在第一襯底基板之上形成透明公共電極層；或者，在第一襯底基板之上形成復用做觸控電極的透明公共電極層。第一襯底基板，具體可以是玻璃襯底基板。

步驟102、在透明電極層之上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，其中，邊框遮光圖案包括暴露部分透明電極層的第一過孔。

具體的，可以采用灰階掩模工藝，在透明電極層之上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，即，一般而言，隔墊物圖案的厚度要大于邊框遮光圖案的厚度，通過在透明電極層之上先形成黑色隔墊物層，再采用灰階掩模工藝，進而可以通過一次掩模工藝，在像素區(qū)內(nèi)對應的區(qū)域形成隔墊物圖案，在周邊區(qū)域形成邊框遮光層圖案。

步驟103、在第一過孔內(nèi)形成導電的遮光層圖案。

優(yōu)選的，在第一過孔內(nèi)形成導電的遮光層圖案，具體包括：

形成一整層導電的遮光層；

在遮光層之上涂布光刻膠層，光刻膠層在第一過孔內(nèi)的厚度大于第一過孔以外的其它區(qū)域的厚度；

對光刻膠層進行減薄處理，進而去除第一過孔以外的其它區(qū)域的全部光刻膠，以及同時去除第一過孔內(nèi)的部分光刻膠；

在第一過孔內(nèi)的光刻膠的遮擋下，去除第一過孔以外的其它區(qū)域的遮光層。

需要說明的是，在涂布光刻膠層時，由于像素區(qū)大面積無圖案，因此光刻膠厚度相對較??；邊框第一過孔過孔區(qū)域由于第一過孔較小，則可以形成孔內(nèi)光刻膠較厚，即，在涂布一層光刻膠后，可以在不經(jīng)過其它處理的情況下，自然形成在第一過孔區(qū)域的光刻膠層較厚，而第一過孔以外的其它區(qū)域的光刻膠層較厚，進而可以在后續(xù)對光刻膠層進行整面處理時，在第一過孔區(qū)域以外的其它區(qū)域的光刻膠已經(jīng)完全被去除時，第一過孔內(nèi)還可以剩余有光刻膠，進而可以在該第一過孔內(nèi)剩余的光刻膠的遮擋下，去除第一光刻膠區(qū)域以外的其它區(qū)域的遮光層，相比于現(xiàn)有技術(shù)需通過掩模、曝光以及顯影工藝形成圖案化的光刻膠層，本申請實施例減小了一次掩模工藝，簡化了隔墊物圖案和邊框遮光圖案的制作過程。

對于具體的遮光層的材質(zhì)，可以是透明的導電金屬氧化物經(jīng)處理后透光率降低，具體的透明的導電金屬氧化物，具體例如可以為氧化銦錫；遮光層也可以是本身為遮光的金屬，具體的金屬，可以是Mo、Al、Nd其中的一種或其組合。為了避免金屬存在的反光，優(yōu)選的，遮光層為氫等離子處理后的氧化銦錫。即，對于形成一整層導電的遮光層，具體可以是：形成一整層導電的透明金屬氧化物層，對透明金屬氧化物層進行氫等離子處理，以降低透明金屬氧化物層的透過率進而形成遮光層；或者，也可以是形成一整層導電的金屬遮光層。

在具體實施時，對于透明電極層，可以為透明的金屬氧化物。在該透明電極層為透明的金屬氧化物，而遮光層在未進行氫等離子處理前，也為與透明電極層材質(zhì)相同的透明導電金屬氧化物時，在第一襯底基板之上形成透明電極層，具體包括：在第一襯底基板之上形成導電的透明金屬氧化物層，并對透明金屬氧化物層進行退火；在第一過孔區(qū)域內(nèi)的光刻膠的遮擋下，去除第一過孔以外的其它區(qū)域的遮光層，具體包括：在第一過孔區(qū)域內(nèi)的光刻膠的遮擋下，采用溶液刻蝕，去除第一過孔以外的其它區(qū)域的遮光層。即，對于透明電極層和遮光層都為導電金屬氧化物時，在形成透明電極層后，對該透明電極層進行退火，可以在后續(xù)通過溶液去除遮光層時避免對透明電極層的影響。

參見圖2，本申請實施例還提供一種顯示面板的制作方法，包括：

步驟201、形成陣列基板。

步驟202、采用如本申請實施例所提供的制作方法形成對向基板。

步驟203、將陣列基板與對向基板進行對盒。

優(yōu)選的，關(guān)于步驟201、形成陣列基板，具體包括：將導電物質(zhì)與封框膠混合后涂覆在陣列基板的封框膠區(qū)；而關(guān)于步驟203、將陣列基板與對向基板進行對盒，具體包括：將陣列基板與對向基板進行對盒，并使陣列基板的導電物質(zhì)與對向基板的第一過孔內(nèi)的遮光層圖案接觸，以使陣列基板通過導電物質(zhì)為對向基板的透明電極層提供電信號。導電物質(zhì)具體可以為金球。

在具體實施時，關(guān)于陣列基板的制作方法，還包括：

在第二襯底基板之上依次形成柵極層、柵極絕緣層、半導體層、源漏極金屬層、第一鈍化層、彩色濾光層、第二鈍化層、像素電極層，其中，柵極層包括柵極以及為對向基板的透明電極層提供電信號的電極信號線，像素電極層包括像素電極以及通過第二過孔連接電極信號線與導電物質(zhì)的第一電極。

參見圖8，本申請實施例還提供一種對向基板，包括：

設置在第一襯底基板11之上的透明電極層12；

設置在透明電極層12之上的隔墊物圖案13和邊框遮光圖案17，其中，邊框遮光圖案17包括暴露部分透明電極層12的第一過孔16；

設置在第一過孔16內(nèi)導電的遮光層圖案141。

優(yōu)選的，導電的遮光層圖案141為氫等離子處理后的導電的金屬氧化物層，具體的金屬氧化物，例如，可以為氧化銦錫。

優(yōu)選的，所述遮光層圖案141為金屬遮光層圖案，具體的金屬，例如，可以為Mo、Al、Nd其中的一種或其組合。

優(yōu)選的，透明電極層12為透明公共電極層；或者，透明電極層12為復用做觸控電極層的透明公共電極層。

優(yōu)選的，透明電極層12為退火后的導電的透明金屬氧化物層，具體的金屬氧化物，例如可以為氧化銦錫。

參見圖9，本申請實施例還提供一種顯示面板，包括本申請實施例提供的對向基板1，還包括陣列基板2。

優(yōu)選的，陣列基板2還包括設置在封框膠區(qū)的導電物質(zhì)4，導電物質(zhì)4與對向基板1的第一過孔內(nèi)導電的遮光層圖案141接觸，陣列基板2通過導電物質(zhì)4為對向基板1的透明電極層12提供電信號。

在具體實施時，陣列基板2還包括：依次設置在第二襯底基板21之上的柵極層、柵極絕緣層23、半導體層24、源漏極金屬層25、第一鈍化層26、彩色濾光層、第二鈍化層28、像素電極層，其中，柵極層包括柵極221以及為對向基板1的透明電極層12提供電信號的電極信號線222，彩色濾光層包括第一色阻膜層271，例如，第一色阻膜層為紅色阻膜層，以及第二色阻膜層272，例如，第一色阻膜層為藍色阻膜層(當然，在具體的實施中，還可以包括其它色阻膜層，在此不做限制)，其中，第一膜層和第二膜層的交疊區(qū)域可以代替黑矩陣，遮擋柵線以及數(shù)據(jù)線。像素電極層包括像素電極291以及在第二過孔210處連接電極信號線222與導電物質(zhì)4的第一電極292。對向基板1與陣列基板2之間還可以設置有液晶層3。

本申請實施例還提供一種顯示裝置，包括本申請實施例提供的顯示面板。

為了更詳細的對本申請?zhí)峁┑膶ο蚧宓闹谱鞣椒ㄟM行說明，結(jié)合附圖3至附圖8舉例如下：

步驟一，在玻璃襯底基板11上沉積一層透明金屬氧化物氧化銦錫，作為透明電極層12，具體可以為透明公共電極層，并對該層氧化銦錫進行退火。在襯底基板11上形成透明電極層12后的示意圖如圖3所示。

步驟二，在退火后的氧化銦錫層上制作黑色隔墊物層，并利用灰階掩模工藝，在像素區(qū)內(nèi)對應的區(qū)域形成隔墊物圖案13，在周邊區(qū)域形成邊框遮光層圖案17，其中，邊框遮光圖案17包括暴露部分透明電極層12的第一過孔16，隔墊物圖案13的厚度要大于邊框遮光圖案17的厚度。在透明電極層12上形成隔墊物圖案13和邊框遮光圖案17后的示意圖如圖4所示。

步驟三，沉積一層氧化銦錫層，并對該氧化銦錫層進行氫等離子處理，以降低該透明氧化銦錫層的透過率形成遮光層14。形成遮光層14后的示意圖如圖5所示。

步驟四，在處理后的氧化銦錫層上涂布一層光刻膠層15，由于像素區(qū)大面積無圖案，因此光刻膠厚度相對較??；由于第一過孔16較小，則可以形成孔內(nèi)光刻膠較厚。涂覆光刻膠層15后的示意圖如圖6所示。

步驟五，對整面光刻膠層15進行干刻，將第一過孔16區(qū)域以外的其它區(qū)域的光刻膠進行全部去除，第一過孔16區(qū)域內(nèi)剩余部分光刻膠。對光刻膠層15進行去除后的示意圖如圖7所示。

步驟六，在第一過孔16內(nèi)的光刻膠遮擋下，對氫等離子處理后的氧化銦錫層進行刻蝕，透明電極層12的氧化銦錫經(jīng)過高溫退火后會形成多晶氧化銦錫，多晶氧化銦錫不會被非晶氧化銦錫刻蝕液所刻蝕。對遮光層14進行刻蝕后的示意圖如圖8所示。

步驟七，將該對向基板1與制備完成的陣列基板2進行對盒，并使陣列基板2的導電物質(zhì)4與對向基板1的第一過孔16內(nèi)導電的遮光層圖案141接觸，以使陣列基板2能通過導電物質(zhì)4為對向基板的透明電極層12提供電信號。對向基板與陣列基板對盒后的顯示面板如圖9所示。

本申請實施例有益效果如下：通過在第一襯底基板之上先形成透明電極層，再在透明電極層上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，邊框遮光圖案包括暴露部分透明電極層的第一過孔，進而可以在保證對向基板可以與陣列基板導通的前提下，通過一次掩模工藝在對向基板上同時形成隔墊物圖案和邊框遮光圖案，而且，第一過孔內(nèi)形成導電的遮光層圖案，可以防止對向基板在第一過孔處產(chǎn)生漏光的問題。

顯然，本領域的技術(shù)人員可以對本申請進行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。