本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、應(yīng)用該陣列基板的顯示面板及采用該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

眾所周知，畫面質(zhì)量是顯示器件最主要的追求方向，畫質(zhì)的細(xì)膩主要由分辨率的大小決定。分辨率越高，像素越小，由于需要對應(yīng)在彩膜側(cè)設(shè)置遮光單元，以消除數(shù)據(jù)線/柵極線附近電場紊亂導(dǎo)致的液晶紊亂進(jìn)而引發(fā)出射光不可控的漏光影響，開口率也越小是毋庸置疑的。所以提升開口率是設(shè)計人員不斷努力的方向。

專利申請US20100079695A1中公開了一種液晶顯示器，其包括柵極線、設(shè)于柵極線上方的柵絕緣層、存儲電極鈍化層及像素電極，其將子像素的分割方向由傳統(tǒng)的沿柵信號線方向變更為沿數(shù)據(jù)線方向，并采用在柵極線上覆蓋存儲電極來屏蔽柵極線信號，從而可以減少黑色矩陣(BlackMatrix，BM)的使用，提升了開口率。

然而，由于在柵極線與存儲電極之間的絕緣介質(zhì)厚度過小，導(dǎo)致柵極線與存儲電極之間的電容過大，使得柵極充電時間約為傳統(tǒng)設(shè)計(子像素分割方向?yàn)闁艠O信號方向)的1/3，當(dāng)前工藝難以滿足充電率要求。同時，由于采用存儲電極來覆蓋柵極信號，導(dǎo)致柵極位置上存在兩層金屬，使得柵極信號對應(yīng)位置高度過高，容易導(dǎo)致后期液晶配向時出現(xiàn)不均勻的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的首要目的旨在提供一種可以在提高開口率基礎(chǔ)上減小柵極負(fù)載的陣列基板。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種采用上述陣列基板來提升分辨率的顯示面板。

本發(fā)明的又一目的在于提供一種采用上述顯示面板的顯示裝置，其具有較高的分辨率，畫面質(zhì)量較為優(yōu)異。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種陣列基板，包括絕緣基板、沿第一方向延伸設(shè)于絕緣基板上的柵極線及沿第二方向延伸并與柵極線絕緣的數(shù)據(jù)線，所述柵極線與數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，并且像素區(qū)域在第一方向上的長度大于其在第二方向的長度，其中，所述柵極線上方依次設(shè)有柵絕緣層、鈍化層及像素電極，并且所述像素電極覆蓋所述柵極線。

該陣列基板還包括共電極，所述柵極線沿寬度方向的至少一側(cè)的柵絕緣層與鈍化層之間限定出收容空間，所述共電極置于所述收容空間內(nèi)，并且其邊緣與所述像素電極在絕緣基板上的正投影至少部分重疊。

優(yōu)選地，所述共電極靠近所述柵電極設(shè)置，以通過共電極屏蔽部分柵極信號，進(jìn)一步減少彩膜側(cè)的BM，提升開口率。

優(yōu)選地，所述共電極與柵電極之間的水平距離為1.5μm～2μm。

優(yōu)選地，所述共電極與像素電極相交疊部分的寬度范圍為1.5μm～2.5μm。

優(yōu)選地，所述共電極與像素電極之間的鈍化層的厚度范圍為150～250nm。

優(yōu)選地，所述共電極沿寬度方向的兩側(cè)中，僅一側(cè)邊緣與像素電極相互交疊。

優(yōu)選地，所述共電極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且互不交疊。

優(yōu)選地，所述柵極線與像素電極間的柵絕緣層的厚度為300～400nm，鈍化層的厚度為150～250nm。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的陣列基板通過將子像素分割方向由沿柵極線信號方向變更為沿數(shù)據(jù)線方向，并采用像素電極覆蓋柵極線，從而屏蔽了柵極線信號，減少了BM，提高了開口率。同時，由于柵極線與像素電極之間的絕緣層設(shè)有兩層，使得柵極線與像素電極之間的間距得以增大，從而減小了柵極主要負(fù)載電容，提升充電效率。

第二方面，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括相對設(shè)置的陣列基板、對位基板及設(shè)于二者間的液晶，其中，所述陣列基板為上述陣列基板。由于采用上述陣列基板，所述顯示面板具有較高的開口率和分辨率，分辨率越高，開口率的提升效果越明顯。

第三方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。其具有較高的開口率和分辨率，畫面質(zhì)量較為優(yōu)異。

本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1為本發(fā)明一種實(shí)施方式的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示陣列基板的A-A向截面圖；

圖3為圖1所示陣列基板的B-B向截面圖；

圖4為本發(fā)明另一種實(shí)施方式的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4所示陣列基板的A-A向截面圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。

第一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板，解決傳統(tǒng)工藝的陣列基板開口率低的問題，并針對性地克服專利申請(其公開號為US20100079695A1)所存在的柵極負(fù)載大、柵極位置過高容易導(dǎo)致液晶配向時造成的不均勻問題。

請參考圖1至圖3，圖1～圖3共同示出了本發(fā)明一種實(shí)施方式的陣列基板的結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施方式中，所述陣列基板包括絕緣基板1、柵極線2、數(shù)據(jù)線8、共電極5、柵絕緣層3、鈍化層4及像素電極6。

所述柵極線2沿第一方向延伸設(shè)于所述絕緣基板1上，所述數(shù)據(jù)線8沿第二方向延伸且與所述柵極線2絕緣地設(shè)于絕緣基板1上。所述柵極線2與數(shù)據(jù)線8交叉限定出像素區(qū)域(未標(biāo)號，下同)，并且像素區(qū)域沿第一方向的長度大于第二方向的長度。

所述柵極線2上方依次設(shè)置所述柵絕緣層3、鈍化層4及像素電極6，并且所述像素電極6覆蓋所述柵極線2。優(yōu)選地，柵極線2被下一行像素電極6所覆蓋，即第N行柵極線2被第N+1行像素電極6覆蓋，以通過像素電極6屏蔽柵極信號。

在本發(fā)明的陣列基板中，將子像素的分割方向由傳統(tǒng)的沿柵極信號線方向變更為沿數(shù)據(jù)線方向，并通過像素電極6來覆蓋柵極線2，從而屏蔽柵極信號，以避免柵極線2附近電場紊亂導(dǎo)致的液晶紊亂進(jìn)而引發(fā)出射光不可控的漏光問題，可以減少彩膜側(cè)作為遮光單元的黑色矩陣7(BlackMatrix，BM)，從而提升了開口率。

在本發(fā)明中，柵極主要負(fù)載由柵極線2和像素電極6及二者間的絕緣介質(zhì)構(gòu)成，由于二者間絕緣介質(zhì)設(shè)有兩層(即柵絕緣層3和鈍化層4)，增大了柵極線2與像素電極6之間的間距，從而減小了柵極主要負(fù)載，提升充電效率。

優(yōu)選地，所述柵絕緣層3的厚度為300～400nm，鈍化層4的厚度為150～250nm。

本實(shí)施方式中，通過像素電極6屏蔽柵極線2向外輻射的信號，與US20100079695A1實(shí)施方案相比可減少約40％的柵極信號負(fù)載電容。

在一幀圖像顯示中，一根柵極信號打開時間即充電時間極短，其余時間液晶分子需要維持不變，需要為其設(shè)置一個用于維持取向所需電壓的電容，即存儲電容。

優(yōu)選地，在本發(fā)明中，所述存儲電容主要在所述像素電極6與共電極5之間形成。具體地，所述柵極線2沿寬度方向一側(cè)的鈍化層4朝上拱起，與下方的柵絕緣層3限定出收容空間(未標(biāo)號，下同)，所述共電極5設(shè)于該收容空間內(nèi)，且其邊緣與位于鈍化層4上的像素電極6相互交疊，從而形成所需的存儲電容。在本實(shí)施例中，所述共電極5寬度方向兩側(cè)邊緣與所述像素電極6在絕緣基板上的正投影相互交疊。

本發(fā)明中，將共電極5設(shè)在所述柵極線2旁側(cè)，避免了柵極線2位置設(shè)有兩層金屬而造成柵極線2位置過高，進(jìn)而導(dǎo)致液晶配向時造成不均勻問題。優(yōu)選地，所述共電極5靠近柵極線2設(shè)置，以屏蔽柵極線2向外輻射的信號，進(jìn)一步減少BM范圍，提升開口率。

考慮到工藝波動能力，保證共電極5與柵極線2無交疊，共電極5與柵極線2間距至少1.5μm以上。然而共電極為不透光金屬，不宜距離柵極電極過遠(yuǎn)，防止其對開口率造成過大損失，二者的間距在2μm左右。

由于像素區(qū)域設(shè)有由金屬制成的共電極5，導(dǎo)致開口率受到一定的降低。為此，本發(fā)明在保證所需存儲電容大小的前提下，減少了共電極5與像素電極6的交疊面積，從而減少了遮光層的寬度，提升了開口率。優(yōu)選地，本發(fā)明的共電極5與像素電極6的交疊寬度范圍為1.5～2.5μm，具有較大的開口率。

在本實(shí)施方式中，在共電極5與像素電極6較小交疊面積的前提下，為了保證達(dá)到所需大小的存儲電容，所述共電極5與像素電極6之間的鈍化層4的厚度相應(yīng)被減小。優(yōu)選地，該位置處的鈍化層4的厚度為150～250nm。

請結(jié)合圖3，優(yōu)選地，所述共電極5與所述數(shù)據(jù)線8同層設(shè)置，并且共電極5與數(shù)據(jù)線為同層金屬互不交疊，以避免在二者間構(gòu)成電容，減少了數(shù)據(jù)線負(fù)載，進(jìn)而有利于降低能量損耗。

根據(jù)前文可知，所述柵極線2與像素電極6之間具有絕緣介質(zhì)，并且柵極信號一幀時間僅有非常短的時間信號變化，其他時間均為固定值，柵極線2與像素電極6之間也可構(gòu)成一存儲電容，用以維持液晶完成其取向。其中柵極線2作為電位參考電極。

參見圖4和圖5，圖4和圖5示出了本發(fā)明另一種實(shí)施方式的陣列基板的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施方式的陣列基板與上一個實(shí)施方式中的類似，即也具有玻璃基板、柵極線2、數(shù)據(jù)線8、柵絕緣層3、鈍化層4、像素電極6及共電極5，其中玻璃基板、柵極線2、數(shù)據(jù)線8、柵絕緣層3、鈍化層4、像素電極6的相對關(guān)系與上述實(shí)施方式中相同。其不同在于，所述柵極線2寬度方向的兩側(cè)均設(shè)有所述共電極5，所述共電極5寬度方向的一側(cè)邊緣與所述像素電極6相互交疊而形成所述存儲電容。

優(yōu)選地，兩根所述共電極5的位置與BM的位置重疊，以免因增加的共電極而增加的擋光面積，由于只需采用1個電極轉(zhuǎn)接孔，相對于上述現(xiàn)有的方案增加了開口率。在該方案中，共電極的一側(cè)與像素電極在絕緣基板上的正投影存在交疊，而另一側(cè)并沒有交疊，以避免增加遮光面積而導(dǎo)致開口率的降低。

作為一種應(yīng)用，本發(fā)明提供一種采用上述陣列基板的顯示面板，其還包括對位基板和液晶盒，對位基板具有濾色鏡、黑色矩陣等，液晶盒內(nèi)填充有液晶。其中，所述對位基板與所述陣列基板相對設(shè)置，所述液晶盒設(shè)置于二者之間。由于采用像素電極6屏蔽柵極信號，減少了彩膜側(cè)的BM，可以大幅提升了開口率，也減少了組盒過程中對位膜基板與陣列基板的對位導(dǎo)致的開口率損失。由于每個像素的開口率得到了提高，采用本發(fā)明的陣列基板，顯示面板的分辨率越高，開口率增加效果越明顯，顯示面板顯示的畫質(zhì)也就越細(xì)膩。

作為一種應(yīng)用，本發(fā)明還提供一種采用上述顯示面板的顯示裝置，由于采用的顯示面板中陣列基板的開口率較高，其畫面質(zhì)量較為細(xì)膩。

以上所述僅是本發(fā)明的部分實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。