本發(fā)明一般涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板、制作顯示面板的方法及顯示裝置。

背景技術：

隨著顯示技術的提升，顯示面板技術也向著多元化方向發(fā)展。高分辨率的顯示面板越來越得到用戶的喜愛。現有的顯示面板通常包括有機發(fā)光電致顯示面板以及液晶顯示面板。

現有的液晶顯示技術中，通常在液晶顯示面板內部設置像素電極與公共電極，兩電極之間具有正對面積來形成電場以控制液晶分子的旋轉。在進行液晶顯示面板的制作時，通常將公共電極與柵線同層設置或者將公共電極設置于漏極上方遠離保護基板的一側。若將公共電極與柵線同層設置，則公共電極上需形成刻縫來設置柵線。這樣一來，刻縫后形成的多個公共電極接收到同一信號的時間可能不相同，導致各公共電極的電位不同；同時，由于刻縫的存在，在顯示面板進行畫面顯示時，容易導致刻縫可見等情況，從而影響畫面的顯示效果。若將公共電極設置于漏極上方遠離襯底基板的一側，則需要將像素電極設置于漏極導體層靠近襯底基板的一側，而與公共電極相連接的信號線通常與柵極同層設置，這樣一來，顯示面板上除了需要設置接觸孔將像素電極與漏極相連接外，還需要設置將公共電極與信號線相連接的接觸孔，增加了顯示面板上接觸孔的個數，降低了顯示面板的開口率，從而影響顯示效果。

技術實現要素：

鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種顯示面板，以期解決現有技術中存在的技術問題。

第一方面，本申請實施例提供了一種顯示面板，包括：襯底基板；覆蓋襯底基板的公共電極，其中，公共電極由第一透明導體層形成；薄膜晶體管陣列，薄膜晶體管陣列中的每一個薄膜晶體管包括柵極、半導體層、源極和漏極，其中，柵極形成于第一金屬導體層，第一金屬導體層通過第一絕緣層與公共電極分隔開，第一金屬導體層位于第一絕緣層遠離襯底基板的一側，源極、漏極形成于第二金屬導體層，半導體層包括導電溝道；

柵絕緣層，柵絕緣層位于第一金屬導體層和所述第二金屬導體層之間，柵極絕緣層覆蓋柵極以及第一絕緣層；

像素電極，其中，像素電極由第二透明導體層形成；

像素電極與第二金屬導體層之間還設置有第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋源極、漏極、導電溝道以及至少部分柵絕緣層，第二絕緣層上開設有多個連接像素電極和漏極的接觸孔。

第二方面，本申請實施例提供了一種制作顯示面板的方法，該方法包括：在襯底基板上依次沉積第一透明導體層作為公共電極、沉積第一絕緣層以及第一金屬導體層，刻蝕第一金屬導體層形成柵極；在柵極上依次沉積柵絕緣層、半導體層、以及第二金屬導體層，刻蝕第二金屬導體層形成源極、漏極，刻蝕半導體層形成導電溝道；在源極、漏極和導電溝道上沉積第二絕緣層，刻蝕第二絕緣層，并形成連接漏極和像素電極的接觸孔；在第二絕緣層上沉積第二透明導體層，刻蝕第二透明導體層形成像素電極。

第三方面，本申請實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

按照本申請實施例提供的方案，通過把公共電極設置于襯底基板與第一絕緣層之間，同時將像素電極設置于第二絕緣層上，不需要設置將公共電極與信號線相連接的接觸孔，減少了顯示面板上接觸孔的數量，提高顯示面板的開口率的同時，降低不同公共電極接收信號的延遲，提高顯示面板的顯示效果。

此外，在一些實施例中，通過將像素電極設置于第二導體層之上或者第一導體層之上，可以減少像素電極與公共電極之間膜層的數量，降低像素電極與公共電極之間形成的電容之間電介質的厚度，增大像素電極與公共電極的電容量，從而提高顯示面板的顯示效果。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1a示出了本申請實施例提供的一種顯示面板的示意性俯視圖；

圖1b示出了本申請實施例提供的如圖1a所示的顯示面板沿pp’的剖面結構示意圖；

圖2a示出了本申請?zhí)峁┑囊粋€可選的實施例的顯示面板的示意性俯視圖；

圖2b示出了本申請?zhí)峁┑囊粋€可選的實施例如圖2a所示的顯示面板沿pp’的剖面結構示意圖；

圖3示出了本申請實施提供的又一個顯示面板的剖面結構示意圖；

圖4示出了本申請實施例提供的再一個顯示面板的剖面結構示意圖；

圖5示出了本申請實施例提供的用于制作如圖1a所示的顯示面板的流程圖；

圖5a、圖5e、圖5i、圖5l示出了本申請實施例提供的與圖5所示的流程圖的各步驟相對應的顯示面板的俯視圖；

圖5b-圖5d、圖5f-圖5h、圖5j-圖5k、圖5m-圖5n示出了申請實施例提供的與圖5所示的流程圖的各步驟相對應的顯示面板結構的剖視圖；

圖6示出了本申請實施例提供的用于制作如圖3所示的顯示面板的流程圖；

圖6a-圖6g示出了本申請實施例提供的與圖6所示的流程圖相對應的顯示面板結構的剖視圖；

圖7示出了申請實施例提供的用于制作如圖4所示的顯示面板的流程圖；

圖7a-圖7d示出了本申請實施例提供的與圖7所示的流程圖相對應的顯示面板結構的的剖視圖；

圖8示出了本申請實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關申請，而非對該申請的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本申請相關的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。

請參考圖1a-1b，圖1a示例性的示出了本申請實施例提供的顯示面板的俯視圖，圖1b示例性的示出了本申請實施例提供的顯示面板沿如圖1a所示的pp’的剖視圖。結合圖1a和圖1b，對本申請所示的實施例進行具體的闡述。

在如圖1a、圖1b所示的實施例中，顯示面板100包括襯底基板10，該襯底基板10可以對顯示面板100提供支撐以及保護。該襯底基板10的材質一般為具有光透性材料制作的基板，例如可以為玻璃基板、石英基板、塑料基板等。在襯底基板10上設置有公共電極11，其中，公共電極覆蓋整個襯底基板10。該公共電極11由第一透明導體層形成，該第一透明導體層由透明的導電材料制作而成，透明導電材料可以為ito(indiumtinoxides，銦錫金屬氧化物)，也可以為其他透明導電材料。在本實施例中，為了提高第一透明導體層的導電率，第一透明導體層可以通過離子注入摻雜有雜質，同時還可以增加第一透明導體層的厚度，第一透明導體層的厚度可以大于500nm。

顯示面板100還設置有薄膜晶體管陣列，薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管12，其中，薄膜晶體管12包括柵極121、半導體層、源極122以及漏極123，半導體層包括導電溝道18。在這里，形成源極122以及漏極123的第二金屬導體層與導電溝道18相接觸，并設置于導電溝道18遠離襯底基板10的一側。

在本實施例中，薄膜晶體管12中的柵極121與源極122、漏極123形成于不同的導體層。其中，柵極121形成于第一金屬導體層，源極122和漏極123形成于第二金屬導體層。上述第一金屬導體層、以及第二金屬導體層均可以由一種金屬形成，也可以由多種金屬組成的合成金屬形成。一種金屬例如可以為鋁、錫、鋅、鉛等，合成金屬例如可以為鉛錫合金、鉛錫銀合金、鉛銦銀合金等。在顯示面板100上還設置有第一絕緣層13，第一金屬導體層通過第一絕緣層13與公共電極11分隔開來，同時，第一金屬導體層位于第一絕緣層13遠離襯底基板10的一側。這樣一來，公共電極11與薄膜晶體管的柵極121形成于不同的導體層，不需要在形成公共電極的導體層上刻縫來形成薄膜晶體管的柵極，避免了刻縫的顯示可見以及刻縫形成的多個公共電極接收信號時的信號延遲。

在本實施中，顯示面板100還包括柵絕緣層17，柵絕緣層17位于第一金屬導體層以及第二金屬導體層之間，柵絕緣層17覆蓋柵極121以及至少部分第一絕緣層。

顯示面板100還形成有像素電極14，像素電極14由第二透明導體層形成。第二透明導體層可以由與第一透明導體層相同的透明導電材料制作而成。在本實施例中，像素電極14經圖案化形成，在形成像素電極14的第二透明導體層經蝕刻后形成有多個條狀的開口。這樣一來，像素電極14與設置于第一透明導體層的第一電極11之間可以形成水平電場，提高對液晶的控制能力，從而提高顯示效果。在顯示面板100上還形成有第二絕緣層15，第二絕緣層15設置于像素電極14與薄膜晶體管12之間。在第二絕緣層15上還開設有多個接觸孔16，該接觸孔16用于連接像素電極14與薄膜晶體管12的漏極123。

通過圖1a和圖1b可以看出，將像素電極14設置于第二絕緣層15遠離襯底基板10的一側，將公共電極11設置于襯底基板10與第一絕緣層13之間，可以僅通過一個接觸孔16將像素電極14與薄膜晶體管12的漏極123連接，相比于采用將公共電極設置于第二絕緣層遠離襯底基板的一側、并在顯示面上設置用于連接公共電極與設置于第一金屬導體層的公共信號走線的接觸孔的顯示面板，顯示面板100中接觸孔的數目由2個變?yōu)?個，減少了接觸孔的數目，提高了顯示面板100的開口率，從而提升了顯示面板的顯示效果。

在本實施例的一些可選的實現方式中，顯示面板100還包括掃描信號線19與數據信號線110，其中，掃描信號線19可以形成于第一金屬導體層，即與柵極121同層設置。數據信號線110可以形成于第二金屬導體層，即與漏極14同層設置。

在本實施例的一些可選的實現方式中，如圖1b所示的剖視圖，柵絕緣層17還覆蓋公共電極，即位于兩薄膜晶體管12之間的第一絕緣層13經刻蝕后暴露出公共電極11，柵絕緣層17覆蓋暴露出的公共電極11。第二絕緣層15覆蓋薄膜晶體管12的源極122以及漏極123，同時第二絕緣層15還覆蓋導電溝道18以及柵絕緣層17。

在本實施例的一些可選的實現方式中，薄膜晶體管12的柵極121和第一絕緣層13可以通過一次光刻形成。在本發(fā)明的另一些可選的實現方式中，第一絕緣層可以整面覆蓋公共電極11。

在本實施例的一些可選的實現方式中，形成像素電極14的第二透明導體層的圖案可以為如圖2a所示的俯視圖。其中，位于第二透明導體層上的多個條狀開口的延伸方式可以與數據信號線的延伸方向相同，也可以與掃描信號線的延伸方向相同。圖1a所示的顯示面板100的俯視圖示出了上述條狀開口與掃描信號線19的延伸方向相同的情況，圖2a示出了上述條狀開口與數據信號線110的延伸方向相同的情況。如圖2a所示的顯示面板100沿pp’的剖視圖如圖2b所示。

請繼續(xù)參考圖3，其示出了本申請實施例提供的顯示面板的又一個剖視圖。

在如圖3所示的剖視圖中，顯示面板300同樣包括襯底基板30、覆蓋襯底基板30的公共電極31，公共電極31由第一透明導體層形成，多個薄膜晶體管形成的薄膜晶體管陣列，每個薄膜晶體管包括柵極321、源極322以及漏極323，柵極321通過第一絕緣層33與公共電極31分隔開，柵絕緣層37，導電溝道38，由第二透明導體層形成的像素電極以及將第二透明導體層與像素電極分隔開的第二絕緣層35，第二絕緣層35覆蓋源極322、漏極322、導電溝道38以及柵絕緣層37，第二絕緣層35上開設有多個連接像素電極與薄膜晶體管32的漏極323的接觸孔36。

與圖2所示的剖視圖不同的是，在本實施例所示的剖視圖中，像素電極包括第一部分341以及第二部分342兩部分，其中第一部分341形成于第二絕緣層35上遠離襯底基板10的一側。在本實施例中，第二絕緣層35與薄膜晶體管32不相交疊的部分被刻蝕掉，以暴露出柵絕緣層37，像素電極的第二部分342形成于柵絕緣層37遠離襯底基板10的一側，并且像素電極的第二部分342與柵絕緣層37相互接觸，即像素電極的第二部分342形成于暴露出的柵絕緣層37遠離襯底基板10的一側。第一部分341與第二部分342通過第三透明電極343電連接。

在本實施例中，第一絕緣層33鋪設于第一透明導體層31上。也即是說，第一絕緣層33將第一透明導體層31與柵絕緣層37分隔開來。第一金屬導體層形成于柵絕緣層37與第一絕緣層33之間，導電溝道38形成于柵絕緣層37與第二金屬導體層之間。

在本實施例的一些可選的實現方式中，第二絕緣層35以及接觸孔36可以通過一次光刻形成。

本申請的實施例通過將像素電極的第二部分設置于柵絕緣層37上，減少像素電極與公共電極31之間的距離，從而增大像素電極與公共電極31之間的電容量，提升了像素電極與公共電極所形成的電場強度，提高顯示面板的顯示效果。

請繼續(xù)參考圖4，其示出了本申請?zhí)峁┑脑僖粋€顯示面板的實施例的剖視圖。

在本實施例中，顯示面板400同樣包括襯底基板40、覆蓋襯底基板40的公共電極41，公共電極由第一透明導體層形成，多個薄膜晶體管形成的薄膜晶體管陣列，每個薄膜晶體管包括柵極421、源極422以及漏極423，柵極421通過第一絕緣層43與公共電極41分隔開，柵絕緣層47，導電溝道48，由第二透明導體層形成的像素電極以及將第二透明導體層與像素電極分隔開的第二絕緣層45，第二絕緣層45覆蓋源極422、漏極422、導電溝道48以及柵絕緣層47，第二絕緣層45上開設有多個連接像素電極與薄膜晶體管的漏極423的接觸孔46。

與圖2所示的實施例不同的是，在本實施例所示的剖視圖中，像素電極包括第一部分441以及第二部分442兩部分，其中第一部分441形成于第二絕緣層45上遠離襯底基板10的一側。第一絕緣層43完全覆蓋形成公共電極41的第一透明導體層，第二絕緣層45與薄膜晶體管42不相交疊的部分以及柵絕緣層47與薄膜晶體管42不相交疊的部分均被刻蝕掉，以暴露出第一絕緣層43，像素電極的第二部分442形成于第一絕緣層43遠離襯底基板10的一側且像素電極的第二部分442與第一絕緣層43相接觸，即像素電極的第二部分442形成于暴露出的第一絕緣層43遠離襯底基板10的一側。第一部分441與第二部分442通過第三透明電極443電連接。

在本實施例一些可選的實現方式中，第二絕緣層45、柵絕緣層47以及接觸孔46可以通過一次光刻形成。

本申請的實施例通過將形成像素電極的第二透明導體層部分設置于第一絕緣層41上，可以進一步減小像素電極與公共電極41之間的距離，從而進一步增大像素電極與公共電極41之間的電場強度。

請繼續(xù)參考圖5、圖5a-圖5n，其中，圖5示出了本申請實施例提供的用于制作顯示面板100的方法的流程圖500，圖5a、圖5e、圖5i、圖5l示意性的示出了與圖5所示的流程圖的各步驟對應的顯示面板的俯視圖，圖5b-圖5d、圖5f-圖5h、圖5j-圖5k、圖5m-圖5n示意性的示出了與圖5所示的流程圖的各步驟相對應的顯示面板的剖視圖。其中，圖5b-圖5d示出了形成圖5a所示的顯示面板的過程；圖5f-圖5h示出了形成圖5e所示的顯示面板的過程；圖5j-圖5k示出了形成圖5i所示的顯示面板的過程；圖5m-圖5n示出了形成圖5l所示的顯示面板的過程。

步驟501，在襯底基板上依次沉積第一透明導體層作為公共電極、沉積第一絕緣層以及第一金屬導體層，刻蝕第一金屬導體層形成柵極。

在本實施例中，在襯底基板50上依次沉積第一透明導體層51、第一絕緣層53以及第一金屬導體層5211，如圖5b所示。接著對上述第一金屬導體層5211進行刻蝕，形成薄膜晶體管52的柵極521，如圖5d所示。在本實施例中，在刻蝕第一金屬導體層5211時一起刻蝕第一絕緣層53中與柵極521不相交疊的部分，同時柵極521向第一絕緣層53的正投影被第一絕緣層53完全覆蓋。圖5a為完成步驟501后所形成的顯示面板的俯視圖。

在本實施例中，形成柵極521以及刻蝕第一絕緣層53可以通過如下步驟進行：

首先，在上述第一金屬導體層5211上沉積第一光刻膠層512，如圖5b所示。其中，涂有光刻膠的有機物或無機物經過光照射后性能改變，能夠在顯影液下被剝離，便于刻蝕。接著，利用第一掩膜版511通過光刻膠工藝刻蝕第一光刻膠層512。第一掩膜版511具有不透光區(qū)511a、半透光區(qū)511b以及全透光區(qū)511c，光線經過第一掩膜版511照射到第一光刻膠層512上，第一光刻膠層512分別在對應于第一掩膜版511的不透光區(qū)511a和半透光區(qū)511b形成具有第一厚度的第一光刻膠圖案512a和具有第二厚度的第二光刻膠圖案512b。其中，第一光刻膠圖案512a覆蓋第一金屬導體層5211中待形成柵極512的區(qū)域，第二光刻膠圖案512b覆蓋第一金屬導體層5211在待形成第一絕緣層53的區(qū)域中沒有被第一光刻膠圖案510a覆蓋的區(qū)域，上述第一厚度大于上述第二厚度，如圖5c所示。接著，通過刻蝕工藝去除沒有被第一光刻膠圖案512a和第二光刻膠圖案512b覆蓋的第一金屬導體層5211和第一絕緣層53。再次，通過灰化工藝使第一光刻膠圖案512a變薄并去除第二光刻膠圖案512b。最后，通過刻蝕工藝去除沒有被灰化后的第一光刻膠圖案512a覆蓋的第一金屬導體層5211，以及去除灰化后的第一光刻膠圖案512a，形成刻蝕后的第一絕緣層51以及柵極521，如圖5d所示。

在本實施例的一些可選的實現方式中，第一金屬導體層5211上還形成有掃描信號線59中，掃描信號線59與柵極521電連接。在本實施例的一些可選的實現方式中，可以采用一道普通掩膜版工藝制備第一絕緣層和柵極，此時制備的柵極和第一絕緣層具有相同的輪廓。

步驟502，在柵極上依次沉積半導體層、柵絕緣層以及第二金屬導體層，刻蝕第二金屬導體層形成源極、漏極，刻蝕半導體層形成導電溝道。

在本實施例中，在步驟501所形成的顯示面板上依次沉積柵絕緣層57、半導體層以及第二金屬導體層5222，如圖5f所示。接著對上述半導體層以及第二金屬導體層5222進行刻蝕，分別在半導體層上形成薄膜晶體管52的導電溝道58，同時在第二金屬導體層5222上形成薄膜晶體管52的源極522以及漏極523，如圖5h所示。圖5e為完成步驟502后所形成的顯示面板的俯視圖。

在本實施例中，導電溝道58以及源極522、漏極523可以通過如下步驟形成：

首先，在第二金屬導體層5222上沉積第二光刻膠層514，如圖5f所示。其次，利用第二掩膜版513通過光刻工藝刻蝕光刻膠層512。第二掩膜版513具有不透光區(qū)513a、半透光區(qū)513b以及全透光區(qū)513c，光線經過第二掩膜版513照射到第二光刻膠層514上，第二光刻膠層514分別在對應于第二掩膜版513的不透光區(qū)513a和半透光區(qū)513b形成具有第三厚度的第三光刻膠圖案514a和具有第四厚度的第四光刻膠圖案514b。其中，第三光刻膠圖案514a覆蓋第二金屬導體層5222中待形成薄膜晶體管52的源極522和漏極523的區(qū)域，第四光刻膠圖案514b覆蓋第二金屬導體層5222與待形成導電溝道58對應的區(qū)域，上述第三厚度大于第四厚度，如圖5g所示。接著，通過刻蝕工藝，去除沒有被第三光刻膠圖案514a和第四光刻膠圖案所覆蓋的而第二金屬導體層5222以及半導體層。再次，通過灰化工藝使第三光刻膠圖案514a變薄并去除第四光刻膠圖案514b。最后，通過刻蝕工藝去除沒有被灰化后的第三光刻膠圖案覆蓋的第二金屬層5222，同時去除灰化后的第三光刻膠圖案514a，形成導電溝道58以及源極522、柵極523，如圖5h所示。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述第二金屬導體層5222上還形成有數據信號線510，數據信號線510與源極522電連接。

步驟503，在源極、漏極以及導電溝道上沉積第二絕緣層，刻蝕第二絕緣層，并形成連接漏極和像素電極的接觸孔。

在本實施例中，在步驟502所形成的顯示面板上沉積第二絕緣層55，如圖5j所示。接著對第二絕緣層55進行刻蝕，形成連接薄膜晶體管52的漏極523和像素電極的接觸孔56，如圖5k所示。圖5i為完成步驟503后所形成的顯示面板的俯視圖。

在本實施例中，接觸孔56的可以通過如下步驟形成：

首先，在第二絕緣層55上沉積第三光刻膠層516，如圖5j所示。接著，使用第三掩膜版55通過光刻工藝刻蝕第三光刻膠層516。第三掩膜版55具有不透光區(qū)55a和全透光區(qū)55b，光線經過第三掩膜版55照射到第三光刻膠層516上，第三光刻膠層516分別在對應于第三掩膜版55的不透光區(qū)55a形成第五光刻膠圖案，第五光刻膠圖案覆蓋待形成接觸孔56的區(qū)域之外的區(qū)域。然后，通過刻蝕工藝去除沒有被第五光刻膠圖案覆蓋的第二絕緣層55，同時去除第五光刻膠圖案，最終形成接觸孔56，如圖5k所示。

步驟504，在第二絕緣層上沉積第二透明導體層，刻蝕第二透明導體層形成第一像素電極。

在本實施例中，在步驟503所形成的顯示面板上沉積第二透明導體層54，如圖5m所示。刻蝕第二透明導體層形成第一像素電極54，如圖5n。圖5l為完成步驟504后所形成的顯示面板的俯視圖。

在本實施例中，第一像素電極54可以通過如下步驟形成：

首選在第二透明導體層54上沉積第四光刻膠層518，如圖5m所示。接著，使用第四掩膜版517通過光刻工藝刻蝕第四光刻膠層518。第四掩膜版517具有不透光區(qū)517a和全透光區(qū)517b，光線經過第四掩膜版517照射到第四光刻膠層518上，第四光刻膠層518在對應于第四掩膜版517的不透光區(qū)517a形成第六光刻膠圖案，第六光刻膠圖案覆蓋第二透明導體層上待形成像素電極54的區(qū)域。然后，通過刻蝕工藝去除沒有被第六光刻膠圖案覆蓋的第二透明導體層，同時去除第六光刻膠圖案，最終形成像素電極54，像素電極54通過過孔56連接至漏極523，如圖5n所示。

本實施例通過將第一透明導體層作為公共電極經過第一道工序形成于襯底基板上，并在第一道工序形成柵極以及第一絕緣層的暴露區(qū)，接著通過第二道工序形成導電溝道、柵極以及源極，通過第三道工序形成連接漏極與像素電極的接觸孔，通過第四道工序在第二絕緣層上形成像素電極，該實施方式可以避免在公共電極上形成刻縫，同時減少了顯示面板其他過孔的數目，提高了顯示面板的顯示效果。

請繼續(xù)參考圖6，圖6示出了本申請實施例提供的又一個制作如圖3所示的顯示面板300的流程圖600。與圖6所示的每一個步驟所對應的顯示面板的俯視圖與圖5a、圖5e、圖5i、圖5l所示的顯示面板的俯視圖相一致，其具體的俯視圖結構可參考圖5a、圖5e、圖5i、圖5l，在此不再贅述。圖6a-圖6g示意性的示出了與圖6所示的流程圖600相對應的剖視圖。其中，圖6a-圖6b示出了形成如圖5a所示的顯示面板的過程；圖6c示出了形成如圖5e所示的顯示面板的過程；圖6d-圖6e示出了形成如圖5i所示的顯示面板的過程；圖6f-圖6g示出了形成如圖5l所示的顯示面板的過程。

步驟601，在襯底基板上依次沉積第一透明導體層作為公共電極、沉積第一絕緣層以及第一金屬導體層，刻蝕第一金屬導體層形成柵極。

在本實施例中，在襯底基板60上依次沉積第一透明導體層61、第一絕緣層63以及第一金屬導體層6211，如圖6a所示。接著對上述第一金屬導體層6211進行刻蝕，形成薄膜晶體管62的柵極621，如圖6b所示。與圖5所示的方法不同的是，通過圖6所示的步驟601形成如圖5a所示的顯示面板時，不刻蝕第一絕緣層，只刻蝕形成柵極的第一金屬導體層，其形成的剖視圖如圖6a所示。

在本實施例中，第一絕緣層可以通過如下步驟形成：

在第一金屬導體層6211上沉積第一光刻膠層612，如圖a所示。利用第一掩膜版611通過光刻工藝刻蝕第一光刻膠層612。第一掩膜版611包括不透光區(qū)611a和透光區(qū)611b，光線經過第一掩膜版611照射到第一光刻膠層612上，第一光刻膠層612在對應于第一掩膜版611的不透光區(qū)611a形成第一光刻膠圖案，第一光刻膠圖案覆蓋第一金屬導體層6211中待形成柵極的區(qū)域。然后，通過刻蝕工藝去除沒有被第一光刻膠圖案覆蓋的第一金屬導體層6211，同時去除第一光刻膠圖案，形成柵極621，如圖6b所示。

步驟602，在柵極上依次沉積柵絕緣層、半導體層、以及第二金屬導體層，刻蝕第二金屬導體層形成源極、漏極，刻蝕半導體層形成導電溝道。

在本實施例中，形成導電溝道、源極以及漏極的方法同圖5所示的步驟502，在此不再贅述。經過該步驟后形成的顯示面板的剖視圖如圖6c所示。

步驟603，在源極、漏極和導電溝道上沉積第二絕緣層，刻蝕第二絕緣層，并形成連接漏極和像素電極的接觸孔，同時刻蝕第二絕緣層與柵極不相交疊的區(qū)域。

在本實施例中，在步驟602所形成的顯示面板上沉積第二絕緣層65，如圖6d所示。接著對第二絕緣層65進行刻蝕，形成連接薄膜晶體管漏極623和像素電極的接觸孔66，如圖6e所示。與圖5所示的實施例不同的是，在本實施例中，還刻蝕第二絕緣層65與柵極621不相交疊的區(qū)域，以暴露柵絕緣層67。本步驟中使用的第三掩膜版615如圖6d所示，第三掩膜版包括不透光區(qū)615a和透光區(qū)615b，光線經第三掩膜版615照射后在第三光刻層616上形成光刻膠圖案。然后對沒有被光刻膠覆蓋的區(qū)域進行刻蝕，以形成接觸孔66和第二絕緣層65的刻蝕區(qū)域。

步驟604，在第二絕緣層上沉積第二透明導體層的第一段，刻蝕第二透明導體層的第一段形成像素電極的第一部分，在暴露的柵絕緣層上沉積第二透明導體層的第二段，刻蝕第二透明導體層的第二段形成像素電極的第二部分，像素電極的第一部分與第二部分通過第三透明電極連接。

在本實施例中，在步驟603所形成的顯示面板上沉積第二透明導體層，如圖6f所示，其中第二透明導體層包括形成于第二絕緣層65的第一段和形成于柵絕緣層67的第二段。分別刻蝕位于第二絕緣層65上的第二透明導體層以及位于柵絕緣層67上的第二透明導體層形成像素電極64的第一部分641和第二部分642，其中，第一部分641設置于第二絕緣層65上并通過接觸孔66與薄膜晶體管62的漏極621電連接，第二部分設置于柵絕緣層67上，像素電極64的第一部分641與第二部分642通過第三透明電極643電連接，如圖6g所示。

通過圖6所示的實施例可以看出，與圖5所示的實施例不同的是，在圖6所示的制造顯示面板的方法600中，第一道工序不刻蝕第一絕緣層63，第三道工序在刻蝕第二絕緣層65形成接觸孔66的同時刻蝕第二絕緣層65與薄膜晶體管62不相交疊的區(qū)域，以暴露柵絕緣層67，第四道工序中在暴露的柵絕緣層67上設置像素電極64的第二部分。這樣一來，在簡化第一道工序的同時，減少像素電極64與公共電極61之間的距離，增大像素電極64與公共電極61之間所形成的電容，提升了像素電極與公共電極所形成的電場強度，從而提高顯示面板的顯示效果。

請繼續(xù)參看圖7，其示出了本申請實施例提供的又一個制作顯示面板的流程圖700。與圖7所示的每一個步驟所對應的顯示面板的俯視圖與圖5a、圖5e、圖5i、圖5l所示的顯示面板的俯視圖相一致，其具體的俯視圖結構可參考圖5a、圖5e、圖5i、圖5l，在此不再贅述。圖7a-圖7d示意性的示出了與圖7所示的流程圖700相對應的剖視圖。其中，圖7a-圖7b示出了形成如圖5i所示的顯示面板的過程；圖7c-圖7d示出了形成如圖5l所示的顯示面板的過程。

步驟701，在襯底基板上依次沉積第一透明導體層作為公共電極、沉積第一絕緣層以及第一金屬導體層，刻蝕第一金屬導體層形成柵極。

在本實施例中，形成柵極的步驟與圖600的步驟601相同，在此不再贅述。

步驟702，在柵極上依次沉積柵絕緣層、半導體層、以及第二金屬導體層，刻蝕第二金屬導體層形成源極、漏極，刻蝕半導體層形成導電溝道。

在本實施例中，形成導電溝道、源極以及漏極的方法同圖5所示的步驟502，在此不再贅述。

步驟703，在源極、漏極和導電溝道上沉積第二絕緣層，刻蝕第二絕緣層，并形成連接漏極和像素電極的接觸孔，同時刻蝕第二絕緣層與柵極不相交疊的區(qū)域以及柵絕緣層與柵極不相交疊的區(qū)域，以暴露第一絕緣層。

在本實施例中，在步驟702所形成的顯示面板上沉積第二絕緣層75，如圖7a所示。接著對第二絕緣層75進行刻蝕，形成連接薄膜晶體管72的漏極723和像素電極的接觸孔76。與圖5、圖6所示的實施例不同的是，在本實施例中，還刻蝕第二絕緣層75與柵極721不相交疊的區(qū)域，以暴露柵絕緣層77。接著繼續(xù)刻蝕暴露出的柵絕緣層77，也即是柵絕緣層77薄膜晶體管不相交疊的區(qū)域，從而暴露出第一絕緣層，如圖7b所示。在本步驟中使用的第三掩膜版715如圖7a所示，第三掩膜版715包括不透光區(qū)715a和透光區(qū)715b，光線經第三掩膜版715照射后在第三光刻層716上形成光刻膠圖案。然后對沒有被光刻膠覆蓋的區(qū)域進行刻蝕，以形成接觸孔76和柵絕緣層77的刻蝕區(qū)域。

步驟704，在第二絕緣層上沉積第二透明導體層的第一段，在暴露的第一絕緣層上沉積第二透明導體層第二段，刻蝕第二透明導體層的第一段形成像素電極的第一部分，刻蝕第二透明導體層的第二段形成像素電極的第二部分，像素電極的第一部分與第二部分通過第三透明電極連接。

在本實施例中，在步驟703所形成的顯示面板上沉積第二透明導體層，如圖7c所示，其中第二透明導體層包括形成于第二絕緣層75的第一段和形成于第一絕緣層73的第二段。分別刻蝕位于第二絕緣層75上的第二透明導體層以及位于第一絕緣層73上的第二透明導體層形成像素電極74的第一部分741和第二部分742，其中，第一部分741設置于第二絕緣層75上并通過接觸孔76與薄膜晶體管72的漏極721電連接，第二部分設置于第一絕緣層73上，像素電極74的第一部分741與第二部分742通過第三透明電極743電連接，如圖7d所示。

通過圖7所示的實施例可以看出，與圖5、圖6所示的實施例不同的是，在圖7所示的制作顯示面板的方法700中，第三道工序在刻蝕第二絕緣層75形成接觸孔76的同時，刻蝕第二絕緣層75與薄膜晶體管不相交疊的區(qū)域，以暴露柵絕緣層77，接著刻蝕柵絕緣層77并暴露出第一絕緣層73，第四道工序在暴露的第一絕緣層73上設置像素電極74的第二部分。這樣一來，進一步減少像素電極74與公共電極71之間的絕緣層，從而進一步增大像素電極74與公共電極71之間形成的電場強度，加強顯示面板的顯示效果。

本實施例提出一種顯示裝置，如圖8所示。本實施方式涉及的顯示裝置800能用于例如智能電話、平板終端、便攜電話終端、筆記本類型的個人計算機、游戲設備等各種裝置。具體的，該顯示裝置800包括前述任意實施例中提到的顯示面板。

本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的技術方案范圍，并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述技術方案構思的情況下，由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案。