1.一種薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
A、形成彩膜基板；
B、形成薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括第二基板、掃描線組合、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線組合、第二絕緣層、像素、第二配向膜層，所述像素包括薄膜晶體管開關和像素電極；
C、將所述彩膜基板、所述薄膜晶體管陣列基板疊加組合為一體；
D、將液晶層設置于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間；
E、在所述彩膜基板背向所述液晶層的一面和所述薄膜晶體管陣列基板背向所述液晶層的一面分別設置第一偏光板和第二偏光板；
F、形成所述背光模組；
G、將所述背光模組設置在所述第二偏光板背向所述薄膜晶體管陣列基板的一面；
所述步驟B包括：
b1、在所述第二基板上設置所述掃描線組合，所述掃描線組合包括至少兩掃描線；
b2、在所述第二基板上設置所述薄膜晶體管開關，所述薄膜晶體管開關包括柵極、半導體層、源極、漏極，所述柵極設置在所述第二基板上，所述柵極與所述掃描線相連，所述半導體層包括非晶硅、多晶硅、銦鎵鋅氧化物中的至少一種，所述薄膜晶體管開關的結構為頂柵結構或底柵結構，相鄰兩個所述像素的所述薄膜晶體管開關的結構分別為頂柵結構、底柵結構；
b3、在所述第二基板上設置所述數(shù)據(jù)線組合，所述數(shù)據(jù)線組合包括至少兩數(shù)據(jù)線；
b4、在所述第二基板上設置所述像素電極，其中，所述像素電極包括主干電極和分支電極，所述主干電極與所述分支電極相連，所述分支電極所在的直線與所述主干電極所在的直線具有預定夾角，所述預定夾角處于5度至85度的范圍內(nèi)，所述主干電極包括第一主干部和第二主干部，所述第一主干部和所述第二主干部將像素區(qū)域劃分為至少四個像素分區(qū)，所述分支電極設置在所述像素分區(qū)中，所述分支電極的一端與所述第一主干部或所述第二主干部相連，所述分支電極的另一端朝遠離所述第一主干部或所述第二主干部的方向延伸；
b5、在所述第二基板上設置所述第二配向膜層。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，在所述像素分區(qū)中，相鄰兩所述分支電極平行。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，在所述薄膜晶體管開關的結構為底柵結構的情況下，所述步驟b2包括：
b21、在所述第二基板上設置所述柵極；
b22、在所述第二基板和所述掃描線和所述柵極上設置所述第一絕緣層；
b23、在所述第一絕緣層上設置所述半導體層；
b24、在所述第一絕緣層和所述半導體層上設置所述第二絕緣層；
b25、在所述第二絕緣層上設置所述源極和所述漏極。
4.根據(jù)權利要求3所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述步驟B還包括：
b6、在所述第二絕緣層設置第一通孔和第二通孔；
b7、分別所述第一通孔和所述第二通孔中設置第一連接線和第二連接線；
b8、分別通過所述第一連接線和所述第二連接線將所述源極和所述漏極與所述半導體層相連；
b9、將所述數(shù)據(jù)線與所述源極相連；
b10、將所述像素電極與所述漏極相連。
5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述步驟b4為：
在所述第二絕緣層上設置所述像素電極；
所述步驟b5為：
在所述像素電極上設置所述第二配向膜層。
6. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述預定夾角處于35度至56度的范圍內(nèi)；或者
所述預定夾角處于5度至35度的范圍內(nèi)；或者
所述預定夾角處于56度至85度的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，由所述彩膜基板、所述液晶層和所述薄膜晶體管陣列基板組成的液晶盒的邊緣部還設置有密封膠；
在所述步驟C之前，所述方法還包括以下步驟：
H、在所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間設置所述密封膠。
8.根據(jù)權利要求7所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述密封膠用于對所述液晶盒進行密封，以將所述液晶分子限制在所述液晶盒內(nèi)。
9.根據(jù)權利要求7所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述液晶盒包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)設置于所述顯示區(qū)的外側，所述密封膠設置于所述非顯示區(qū)處。
10.根據(jù)權利要求7所述的薄膜晶體管顯示面板的制造方法，其特征在于，所述密封膠包括至少四密封分段，至少四所述密封分段首尾相連。