1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
襯底基板；
位于襯底基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線；
所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定的多個子像素區(qū)域；
與每個所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的薄膜晶體管、像素電極和阻隔金屬，所述薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極，所述源極連接于所述數(shù)據(jù)線，所述漏極連接于所述像素電極，所述柵極連接于所述柵線；
所述漏極在所述襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影之間，所述阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影位于所述漏極在所述襯底基板上的正投影與所述相鄰的兩條數(shù)據(jù)線中至少一條數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，
每個所述子像素區(qū)域中，所述阻隔金屬包括第一阻隔金屬和第二阻隔金屬；
所述相鄰的兩條數(shù)據(jù)線分別為第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；
在所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間，所述第一阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影位于所述漏極在所述襯底基板上的正投影和所述第一數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影之間，所述第二阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影位于所述漏極在所述襯底基板上的正投影和所述第二數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一阻隔金屬與所述第二阻隔金屬的形狀和尺寸相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，
在所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間，所述漏極與所述第一數(shù)據(jù)線之間的距離等于所述漏極與所述第二數(shù)據(jù)線之間的距離，所述漏極與所述第一阻隔金屬之間的距離等于所述漏極與所述第二阻隔金屬之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
有源層，所述有源層包括第一段、第二段和第三段；
所述漏極在所述襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條柵線在所述襯底基板上的正投影之間；
所述相鄰的兩條柵線分別為第一柵線和第二柵線；
所述漏極位于子像素區(qū)域中靠近所述第一柵線的一側(cè)；
所述第一段包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述第二段包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述第一段的第一端和所述第二段的第一端在所述襯底基板上的正投影位于所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影靠近所述漏極在所述襯底基板上的正投影的一側(cè)，所述第一段的第二端和所述第二段的第二端以及所述第三段在所述襯底基板上的正投影位于所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述漏極在所述襯底基板上的正投影的一側(cè)；
所述第三段連接于所述第一段的第二端和所述第二段的第二端；
所述第一段的第一端連接于所述源極，所述第二段的第一端連接于所述漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，
所述源極和所述漏極位于源漏金屬層，所述源漏金屬層和所述有源層之間設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有源極過孔和漏極過孔，所述源極通過所述源極過孔連接于所述第一段的第一端，所述漏極通過所述漏極過孔連接于所述第二段的第一端；
所述源極過孔在所述襯底基板上的正投影與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h1，所述漏極過孔在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影的一端與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h2，h1＞h2。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一阻隔金屬和所述第二阻隔金屬均為所述第一柵線的側(cè)方延伸部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
位于所述有源層與所述襯底基板之間的遮光層；
所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影與所述第一段在所述襯底基板上的正投影具有第一交疊區(qū)域，所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影與所述第二段在所述襯底基板上的正投影具有第二交疊區(qū)域；
所述遮光層包括第一遮光部和第二遮光部，所述第一遮光部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一交疊區(qū)域，所述第二遮光部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二交疊區(qū)域，所述第一阻隔金屬為所述第一遮光部的延伸部分，所述第二阻隔金屬為所述第二遮光部的延伸部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影的一端與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h3，所述第二阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影的一端與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h4，h3＞h2，h4＞h2。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，
h1＞h3，且h1＞h4。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
有源層，所述有源層包括第一段和第二段；
所述漏極在所述襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條柵線在所述襯底基板上的正投影之間；
所述相鄰的兩條柵線分別為第一柵線和第二柵線；
所述漏極位于子像素區(qū)域中靠近所述第一柵線的一側(cè)；
所述第一段包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述第二段包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述第一段的第一端和所述第二段在所述襯底基板上的正投影位于所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影靠近所述漏極在所述襯底基板上的正投影的一側(cè)，所述第一段的第二端在所述襯底基板上的正投影位于所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述漏極在所述襯底基板上的正投影的一側(cè)；
所述源極和所述漏極位于源漏金屬層，所述源漏金屬層和所述有源層之間設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有源極過孔和漏極過孔，所述源極通過所述源極過孔連接于所述第一段的第二端，所述漏極通過所述漏極過孔連接于所述第二段的第一端，所述第一段的第一端連接于所述第二段的第二端。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一阻隔金屬和所述第二阻隔金屬均為所述第一柵線的側(cè)方延伸部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求11中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
位于所述有源層與所述襯底基板之間的遮光層；
所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影與所述第一段在所述襯底基板上的正投影具有交疊區(qū)域；
所述遮光層包括遮光部，所述遮光部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述交疊區(qū)域，所述第一阻隔金屬和所述第二阻隔金屬為所述遮光部的延伸部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，
所述漏極過孔在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影的一端與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h5；
所述第一阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影的一端與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h6，所述第二阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影的一端與所述第一柵線在所述襯底基板上的正投影之間的距離為h7，h6＞h5，h7＞h5。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一阻隔金屬和所述第二阻隔金屬為沿第一方向延伸的條狀結(jié)構(gòu)，所述第一方向?yàn)樗鰯?shù)據(jù)線的延伸方向。
16.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的陣列基板。
17.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求16所述的顯示面板。