本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

陣列基板是顯示裝置中的重要組成部分，目前的陣列基板包括由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)子像素區(qū)域，還包括與每個(gè)子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的源極連接于數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的漏極連接于像素電極。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：

隨著顯示裝置的分辨率越來越高，子像素區(qū)域的尺寸也越來越小，數(shù)據(jù)線和漏極之間距離也越來越小，因此數(shù)據(jù)線和漏極之間會(huì)形成寄生電容，數(shù)據(jù)線上的電壓發(fā)生變化時(shí)，由于寄生電容的影響，會(huì)對(duì)像素電極上的電壓產(chǎn)生串?dāng)_(Crosstalk)，從而對(duì)顯示效果造成不良影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，能夠降低數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容，從而減少由此造成的串?dāng)_，改善顯示效果。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：

襯底基板；

位于襯底基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線；

所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定的多個(gè)子像素區(qū)域；

與每個(gè)所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的薄膜晶體管、像素電極和阻隔金屬，所述薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極，所述源極連接于所述數(shù)據(jù)線，所述漏極連接于所述像素電極，所述柵極連接于所述柵線；

所述漏極在所述襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影之間，所述阻隔金屬在所述襯底基板上的正投影位于所述漏極在所述襯底基板上的正投影與所述相鄰的兩條數(shù)據(jù)線中至少一條數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影之間。

另一方面，提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，在漏極和與其相鄰的數(shù)據(jù)線之間的位置處設(shè)置阻隔金屬，通過阻隔金屬對(duì)電場(chǎng)的屏蔽作用，降低了源極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的一種局部放大示意圖；

圖3為圖2中AA’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖；

圖5為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖；

圖6為圖5中BB’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖；

圖8為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖；

圖9為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖；

圖10為未使用阻隔金屬的陣列基板在不同顏色的測(cè)試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例中使用了阻隔金屬的陣列基板在不同顏色的測(cè)試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

如圖1、圖2和圖3所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的一種局部放大示意圖，圖3為圖2中AA’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板1；位于襯底基板1上的多條柵線2和多條數(shù)據(jù)線3；多條柵線2和多條數(shù)據(jù)線3絕緣交叉限定的多個(gè)子像素區(qū)域；與每個(gè)子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的薄膜晶體管4、像素電極5和阻隔金屬6，薄膜晶體管4包括源極41、漏極42和柵極43以及有源層7，源極41連接于數(shù)據(jù)線3，在圖2中，源極41為數(shù)據(jù)線3的一部分，如圖3所示，源極41和漏極42位于源漏金屬層，源漏金屬層和有源層7之間設(shè)置有絕緣層8，有源層8上設(shè)置有源極過孔81和漏極過孔82，如圖2所示，源極41通過源極過孔81與有源層7連接，漏極42通過漏極過孔81與有源層7連接，并且漏極42連接于像素電極5(圖2未示出像素電極5)，柵極43連接于柵線2，在圖2中，柵極43為柵線2的一部分，柵線2與有源層7交疊的部分即為柵極43；漏極42在襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條數(shù)據(jù)線3在襯底基板上的正投影之間，阻隔金屬6在襯底基板上的正投影位于漏極42在襯底基板上的正投影與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線3中至少一條數(shù)據(jù)線3在襯底基板上的正投影之間。陣列基板還包括位于有源層7和襯底基板1之間的遮光層9，用于遮擋有源層7的溝道區(qū)域，溝道區(qū)域?yàn)闁啪€2在有源層7上的正投影與有源層7的交疊區(qū)域。柵線43用于傳輸薄膜晶體管4的控制信號(hào)，數(shù)據(jù)線3用于傳輸像素電極5所需的像素電壓信號(hào)，陣列基板工作時(shí)，在對(duì)應(yīng)柵線43的控制下，源極41對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線3通過薄膜晶體管4向漏極42對(duì)應(yīng)的像素電極5實(shí)施充放電，像素電極5與公共電極6之間形成電場(chǎng)，以實(shí)現(xiàn)顯示功能。

陣列基板在工作時(shí)，漏極42和與其相鄰的數(shù)據(jù)線3之間會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，形成寄生電容，而本發(fā)明實(shí)施例中，在漏極42和數(shù)據(jù)線3之間的位置處設(shè)置阻隔金屬6，這樣，源極42和數(shù)據(jù)線3之間的產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)被阻隔金屬6屏蔽掉一部分，從而降低了源極42和數(shù)據(jù)線3之間的寄生電容。在每個(gè)子像素區(qū)域中，阻隔金屬6的形狀、位置和數(shù)量可以根據(jù)需要確定，例如，如圖4所示，圖4為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖，若漏極42設(shè)置于子像素區(qū)域中靠近左側(cè)的位置，即漏極42和左側(cè)的數(shù)據(jù)線3之間的距離較近，漏極42和右側(cè)的數(shù)據(jù)線3之間的距離較遠(yuǎn)，因此漏極42和左側(cè)的數(shù)據(jù)線3之間形成的寄生電容較大，而漏極42和右側(cè)的數(shù)據(jù)線3之間形成的寄生電容較小，此種結(jié)構(gòu)下可以僅在漏極42和其左側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線3之間設(shè)置阻隔金屬6，以降低漏極42和左側(cè)的數(shù)據(jù)線3之間形成的寄生電容。

本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板，在漏極和與其相鄰的數(shù)據(jù)線之間的位置處設(shè)置阻隔金屬，通過阻隔金屬對(duì)電場(chǎng)的屏蔽作用，降低了漏極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

可選地，在圖2和圖3所示的陣列基板中，每個(gè)子像素區(qū)域中，阻隔金屬6包括第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62；相鄰的兩條數(shù)據(jù)線3分別為第一數(shù)據(jù)線31和第二數(shù)據(jù)線32；在第一數(shù)據(jù)線31和第二數(shù)據(jù)線32之間，第一阻隔金屬61在襯底基板上的正投影位于漏極42在襯底基板上的正投影和第一數(shù)據(jù)線31在襯底基板上的正投影之間，第二阻隔金屬62在襯底基板上的正投影位于漏極42在襯底基板上的正投影和第二數(shù)據(jù)線32在襯底基板上的正投影之間。在某些極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式下，例如列反轉(zhuǎn)，在顯示時(shí)，相鄰兩列數(shù)據(jù)線上的電壓極性相反，因此，圖2和圖3中所示的在漏極42的左右兩側(cè)分別設(shè)置第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62的方式可以在保證漏極42左右兩側(cè)形成的寄生電容在一定程度上相互抵消的同時(shí)，進(jìn)一步降低漏極42在左右兩側(cè)形成的寄生電容。

可選地，如圖2所示，第一阻隔金屬61與第二阻隔金屬62的形狀和尺寸相同，以保證第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62對(duì)于漏極42左右兩側(cè)形成的寄生電容的降低效果相等。

可選地，如圖2所示，在第一數(shù)據(jù)線31和第二數(shù)據(jù)線32之間，漏極42與第一數(shù)據(jù)線31之間的距離L1等于漏極42與第二數(shù)據(jù)線32之間的距離L2，漏極42與第一阻隔金屬61之間的距離M1等于漏極42與第二阻隔金屬62之間的距離M2。漏極42與第一數(shù)據(jù)線31之間的距離L1等于第二數(shù)據(jù)線32之間的距離L2時(shí)，漏極42在左右兩側(cè)形成的寄生電容近似相等，因此設(shè)置漏極42與第一阻隔金屬61之間的距離M1等于漏極42與第二阻隔金屬62之間的距離M2，進(jìn)一步保證第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62對(duì)于漏極42左右兩側(cè)形成的寄生電容的降低效果相等。

具體地，在一個(gè)可選的實(shí)施方式中，如圖1、圖2和3所示，上述陣列基板中，有源層7包括第一段71、第二段72和第三段73；漏極42在襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條柵線2在襯底基板上的正投影之間；相鄰的兩條柵線2分別為第一柵線21和第二柵線22(圖2中僅示意了第一柵線21)；漏極42位于子像素區(qū)域中靠近第一柵線21的一側(cè)；第一段71包括相對(duì)設(shè)置的第一端711和第二端722，第二段72包括相對(duì)設(shè)置的第一端721和第二端722，第一段71的第一端711和第二段72的第一端721在襯底基板上的正投影位于第一柵線21在襯底基板上的正投影靠近漏極42在襯底基板上的正投影的一側(cè)，第一段71的第二端712和第二段72的第二端722以及第三段73在襯底基板上的正投影位于第一柵線21在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離漏極42在襯底基板上的正投影的一側(cè)；第三段73連接于第一段71的第二端712和第二段72的第二端722；第一段71的第一端711通過源極過孔81連接于源極41，第二段72的第一端721通過漏極過孔82連接于漏極42。該結(jié)構(gòu)中，有源層7為U型結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管為雙柵結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)于薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)不作限定，例如，在另外一些可行的實(shí)現(xiàn)方式中，薄膜晶體管也可以為單柵結(jié)構(gòu)。

具體地，如圖5和圖6所示，圖5為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖，圖6為圖5中BB’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，源極41和漏極42位于源漏金屬層，源漏金屬層和有源層7之間設(shè)置有絕緣層8，絕緣層8上設(shè)置有源極過孔81和漏極過孔82，源極41通過源極過孔81連接于第一段71的第一端711，漏極42通過漏極過孔82連接于第二段72的第一端721；源極過孔81在襯底基板上的正投影與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h1，漏極過孔82在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離第一柵線21在襯底基板上的正投影的一端與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h2，h1＞h2。當(dāng)源極41與漏極42之間的距離較近時(shí)，數(shù)據(jù)線3與漏極42之間形成的寄生電容帶來的串?dāng)_較為嚴(yán)重，例如圖2中的源極41和漏極42并排設(shè)置，距離較近，而在圖5所示的結(jié)構(gòu)中，源極41與漏極42之間的距離較遠(yuǎn)，從而降低了寄生電容帶來的串?dāng)_。

可選地，如圖5所示，第一阻隔金屬61在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離第一柵線21在襯底基板上的正投影的一端與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h3，第二阻隔金屬62在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離第一柵線21在襯底基板上的正投影的一端與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h4，h3＞h2，h4＞h2，阻隔金屬6位于漏極42和數(shù)據(jù)線3之間，以保證阻隔金屬6對(duì)于漏極42和數(shù)據(jù)線3之間形成的寄生電容的降低作用。

進(jìn)一步地，如圖5所示，h1＞h3，且h1＞h4，源極過孔82的頂端高于阻隔金屬6的頂端，即當(dāng)源極41與漏極42之間的距離較遠(yuǎn)時(shí)，兩者之間不會(huì)產(chǎn)生寄生電容，阻隔金屬6不需要位于源極41和漏極42之間，只需要設(shè)置于數(shù)據(jù)線3與漏極42之間即可，因此阻隔金屬6可以設(shè)置于像素的開口區(qū)域之外，不會(huì)對(duì)陣列基板的透過率產(chǎn)生不良影響。

可選地，如圖2和圖7所示，圖7為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖，第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62均為第一柵線21的側(cè)方延伸部分，即在形成柵線2的同時(shí)形成阻隔金屬6，從而簡(jiǎn)化了阻隔金屬6的制作工藝。

除了如圖2和圖7中所示的由柵線2形成阻隔金屬6的方式外，還可以通過其他方式形成阻隔金屬，例如，如圖5和圖6所示，上述陣列基板還包括：位于有源層7與襯底基板1之間的遮光層9；第一柵線21在襯底基板上的正投影與第一段71在襯底基板上的正投影具有第一交疊區(qū)域，第一柵線21在襯底基板上的正投影與第二段72在襯底基板上的正投影具有第二交疊區(qū)域；遮光層9包括第一遮光部91和第二遮光部92，第一遮光部91在襯底基板上的正投影覆蓋第一交疊區(qū)域，第二遮光部92在襯底基板上的正投影覆蓋第二交疊區(qū)域，第一阻隔金屬61為第一遮光部91的延伸部分，第二阻隔金屬62為第二遮光部92的延伸部分。遮光層9用于遮擋溝道區(qū)域，以防止光對(duì)于薄膜晶體管中漏電流的不良影響，在形成遮光層9的同時(shí)形成阻隔金屬6，從而簡(jiǎn)化阻隔金屬6的制作工藝。

可選地，除了上述U型的有源層結(jié)構(gòu)外，還可以有源層還可以為其他形狀，例如圖8中所示的L型有源層結(jié)構(gòu)，如1和圖8所示，圖8為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖，陣列基板還包括：有源層7，有源層7包括第一段71和第二段72；漏極42在襯底基板上的正投影位于相鄰的兩條柵線2在襯底基板上的正投影之間；相鄰的兩條柵線2分別為第一柵線21和第二柵線22(圖8中僅示意了第一柵線21)；漏極42位于子像素區(qū)域中靠近第一柵線21的一側(cè)；第一段71包括相對(duì)設(shè)置的第一端711和第二端712，第二段72包括相對(duì)設(shè)置的第一端721和第二端722，第一段71的第一端711和第二段72在襯底基板上的正投影位于第一柵線21在襯底基板上的正投影靠近漏極42在襯底基板上的正投影的一側(cè)，第一段71的第二端712在襯底基板上的正投影位于第一柵線21在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離漏極42在襯底基板上的正投影的一側(cè)；源極41和漏極42位于源漏金屬層，源漏金屬層和有源層之間設(shè)置有絕緣層，絕緣層上設(shè)置有源極過孔81和漏極過孔82，源極41通過源極過孔81連接于第一段71的第二端712，漏極42通過漏極過孔82連接于第二段72的第一端721，第一段71的第一端711連接于第二段72的第二端722。

可選地，如圖8所示，漏極過孔82在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離第一柵線21在襯底基板上的正投影的一端與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h5；第一阻隔金屬61在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離第一柵線21在襯底基板上的正投影的一端與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h6，第二阻隔金屬62在襯底基板上的正投影遠(yuǎn)離第一柵線21在襯底基板上的正投影的一端與第一柵線21在襯底基板上的正投影之間的距離為h7，h6＞h5，h7＞h5。阻隔金屬位于漏極42和數(shù)據(jù)線3之間，以保證阻隔金屬對(duì)于漏極42和數(shù)據(jù)線3之間形成的寄生電容的降低作用。

可選地，如圖8所示，第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62均為第一柵線21的側(cè)方延伸部分，該結(jié)構(gòu)下，在圖8中，第一阻隔金屬61與有源層交疊的部分同時(shí)作為柵極。

可選地，在L型有源層的結(jié)構(gòu)下，除了圖8中所示的由柵線形成阻隔金屬的方式外，也可以通過其他方式形成阻隔金屬，例如，如圖9所示，圖9為圖1的陣列基板中部分區(qū)域的另一種局部放大示意圖，陣列基板還包括：位于有源層與襯底基板之間的遮光層9；第一柵線21在襯底基板上的正投影與第一段71在襯底基板上的正投影具有交疊區(qū)域；遮光層9包括遮光部，遮光部在襯底基板上的正投影覆蓋該交疊區(qū)域，第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62為遮光部的延伸部分。

具體地，如圖2、圖5、圖7、圖8和圖9所示，第一阻隔金屬61和第二阻隔金屬62為沿第一方向延伸的條狀結(jié)構(gòu)，第一方向?yàn)閿?shù)據(jù)線3的延伸方向，該結(jié)構(gòu)下的阻隔金屬能夠在降低漏極42與數(shù)據(jù)線3之間的寄生電容的前提下，減小阻隔金屬占用的空間，從而提高陣列基板的透過率。

可以理解地，以上各附圖僅以通過柵線或遮光層形成阻隔金屬為例進(jìn)行了示意，但本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定，也可以通過其他層的金屬形成阻隔金屬，例如，在工藝允許的條件下，也可以由源漏金屬層形成阻隔金屬，然而，由于子像素尺寸較小的限制，通過源漏金屬層之外的其他金屬層來形成阻隔金屬的方式在工藝上更容易實(shí)現(xiàn)。另外，在圖3和圖6中僅示意了薄膜晶體管為頂柵的結(jié)構(gòu)，即柵極43位于有源層7遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，在頂柵結(jié)構(gòu)下，需要在有源層7和襯底基板1之間設(shè)置遮光層9來遮擋薄膜晶體管的溝道區(qū)域，因此可以在形成遮光層9的同時(shí)制作阻隔金屬；如果薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，即柵極位于有源層和襯底基板之間，由于柵極可以起到遮擋薄膜晶體管溝道區(qū)域的作用，因此在底柵結(jié)構(gòu)下可以不設(shè)置遮光層，此時(shí)則可以通過其他方式來制作阻隔金屬。

以下通過不同結(jié)構(gòu)下模擬仿真結(jié)果的對(duì)比進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施的效果：

表1

表1為未使用阻隔金屬的陣列基板在不同顏色的測(cè)試圖像下的仿真結(jié)果，該表格中，第一行表示測(cè)試圖像的顏色，第一列表示測(cè)試位置，其中內(nèi)容為串?dāng)_程度值，該值的絕對(duì)值越小則表示串?dāng)_越小，該值的絕對(duì)值越大則表示串?dāng)_越大。

表2

表2為本發(fā)明實(shí)施例中使用了阻隔金屬的陣列基板在不同顏色的測(cè)試圖像下的仿真結(jié)果，該表格中，第一行表示測(cè)試圖像的顏色，第一列表示測(cè)試位置，其中內(nèi)容為串?dāng)_程度值，該值的絕對(duì)值越小則表示串?dāng)_越小，該值的絕對(duì)值越大則表示串?dāng)_越大。

對(duì)比表1和表2以及圖10和圖11，圖10為未使用阻隔金屬的陣列基板在不同顏色的測(cè)試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖，圖11為本發(fā)明實(shí)施例中使用了阻隔金屬的陣列基板在不同顏色的測(cè)試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖，圖10與表1相對(duì)應(yīng)，圖11與表2相對(duì)應(yīng)，與未使用阻隔金屬的陣列基板相比，使用了阻隔金屬的陣列基板的串?dāng)_程度降低。另外，通過仿真，未使用阻隔金屬的陣列基板中漏極和數(shù)據(jù)線之間的電容值為1.3093589e^-15，本發(fā)明實(shí)施例中使用了阻隔金屬的陣列基板中漏極和數(shù)據(jù)線之間的電容值為6.4873554e^-16，可見，與未使用阻隔金屬的陣列基板相比，使用了阻隔金屬的陣列基板中漏極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容較小。

如圖12所示，圖12為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述的陣列基板300，與陣列基板300相對(duì)設(shè)置的彩膜基板400，位于陣列基板300和彩膜基板400之間的液晶層500。顯示面板在顯示時(shí)，陣列基板300上的像素電極與公共電極之間形成電場(chǎng)，以控制液晶層500中液晶分子的旋轉(zhuǎn)，而達(dá)到顯示功能。

其中，陣列基板300的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中的顯示面板，在漏極和與其相鄰的數(shù)據(jù)線之間的位置處設(shè)置阻隔金屬，通過阻隔金屬對(duì)電場(chǎng)的屏蔽作用，降低了源極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

如圖13所示，圖13為本發(fā)明實(shí)施例中一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板600。

其中，顯示面板600的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。顯示裝置可以是例如觸摸顯示屏、手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電紙書或電視機(jī)等任何具有顯示功能的電子設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置，在漏極和與其相鄰的數(shù)據(jù)線之間的位置處設(shè)置阻隔金屬，通過阻隔金屬對(duì)電場(chǎng)的屏蔽作用，降低了源極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，從而減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。