本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種減緩鋁腐蝕的顯影液。

背景技術(shù)：

光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經(jīng)過曝光后，受到光照的部分會變得不易溶解，經(jīng)過顯影后，留下光照部分形成圖形。

因為光刻膠的顯影要在基材上完成，所以顯影液會接觸基材，但目前市場上大部分顯影液存在腐蝕金屬鋁基材較快、顯影均勻性較差、顯影不潔、未曝光區(qū)域損失較大或顯影液泡沫較多等問題，導(dǎo)致產(chǎn)品成品率低。

本發(fā)明就是為了提供一種新的顯影液來解決以上問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種減緩鋁腐蝕的顯影液。

本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)上述目的：一種減緩鋁腐蝕的顯影液，其配方包括：1-10wt％氫氧化季銨，0.1-10wt％緩蝕劑，0.01-3wt％表面活性劑以及余量的去離子水。

具體的，所述氫氧化季銨至少包括四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、乙基三甲基氫氧化銨、二乙基二甲基氫氧化銨、甲基三丙基氫氧化銨、丁基三甲基氫氧化銨、甲基三丁基氫氧化銨、(2-羥基乙基)三甲基氫氧化銨、(2-羥基乙基)三乙基氫氧化銨、(3-羥基丙基)三乙基氫氧化銨、氫氧化四乙醇銨、苯基三甲基氫氧化銨、苯甲基三甲基氫氧化銨中的一種。

具體的，所述表面活性劑為聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲基醚聚合物、環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷共聚物、四甲基癸炔二醇、縮水甘油醚封端炔二醇乙氧基化物中的一種。

進一步的，所述緩蝕劑為占顯影液總重2-10wt％的木糖醇。

進一步的，所述緩蝕劑為占顯影液總重0.1-4wt％的硅酸乙酯。

采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是：

本發(fā)明對鋁基材的腐蝕速度慢，不形成泡沫，顯影干凈，未曝光區(qū)域損失更小。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。

一種減緩鋁腐蝕的顯影液，其配方包括：1-10wt％氫氧化季銨，0.1-10wt％緩蝕劑，0.01-3wt％表面活性劑以及余量的去離子水。

實施例1～10：

按照表1的配方配制顯影液。

表1：

注：表1內(nèi)總配比不到100wt％的部分均為去離子水。

以現(xiàn)有市面上買到的含四甲基氫氧化銨的顯影液作為對照例，同實施例1～15制得的顯影液進行對比。

檢測方法為：

①取厚度為0.5μm的鋁片，浸入以上顯影液中，觀察現(xiàn)象和完全溶解的時間。

②在鋁基材上滴加顯影液，20min過后洗去顯影液，觀察顯影表面、測量厚度最大誤差以及未曝光區(qū)域厚度損失。

結(jié)果如下：

表2：

從表2所示的測試結(jié)果可以看出，本顯影液對鋁的腐蝕速度相比現(xiàn)有顯影液有明顯降低，也不會因為腐蝕而產(chǎn)生大量泡沫。顯影過后表面比較干凈，顯影均勻性比較好，且對未曝光部分鋁基材的腐蝕液比較小。因此相比于原技術(shù)，本方案效果更佳。

以上所述的僅是本發(fā)明的一些實施方式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。