技術(shù)特征:
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于基于預(yù)定的掩模結(jié)構(gòu)生成晶片結(jié)構(gòu)的光刻工藝的仿真的方法,包括以下步驟:提供掩模的包含掩模結(jié)構(gòu)的區(qū)域的空間像;預(yù)定強(qiáng)度范圍;對(duì)于強(qiáng)度范圍內(nèi)的不同閾值,確定輔助晶片結(jié)構(gòu)或可能的晶片結(jié)構(gòu);對(duì)于輔助晶片結(jié)構(gòu)或可能的晶片結(jié)構(gòu)中的每一個(gè),確定結(jié)構(gòu)元件的數(shù)量;確定穩(wěn)定性范圍,所述穩(wěn)定性范圍由來(lái)自用于確定輔助晶片結(jié)構(gòu)或可能的晶片結(jié)構(gòu)的閾值的連續(xù)閾值組成,在穩(wěn)定性范圍內(nèi),輔助晶片結(jié)構(gòu)或可能的晶片結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)元件的數(shù)量保持不變或在預(yù)定范圍內(nèi);基于空間像和穩(wěn)定性范圍內(nèi)的閾值確定晶片結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種用于執(zhí)行該方法的顯微鏡。
技術(shù)研發(fā)人員:H-M.索洛萬(wàn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者:卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.08
技術(shù)公布日:2017.08.18