本公開的實(shí)施例涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

由于具有高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced super Dimension Switch，簡(jiǎn)稱ADS)顯示模式的顯示面板具有寬視角的優(yōu)勢(shì)，因而廣泛應(yīng)用于顯示裝置中。然而由于采用ADS顯示技術(shù)的顯示面板的像素電極與公共電極交疊區(qū)域構(gòu)成存儲(chǔ)電容過大，導(dǎo)致薄膜晶體管充電時(shí)間較長(zhǎng)，因此亟需降低采用ADS顯示技術(shù)的顯示面板的存儲(chǔ)電容。通常降低ADS型顯示面板存儲(chǔ)電容的方法為增加像素電極與公共電極之間絕緣層厚度或者降低開口率來減少像素電極與公共電極的交疊面積。對(duì)于第一種方法，會(huì)增加顯示面板的制造難度和制造成本；對(duì)于第二種方法，會(huì)降低顯示面板的開口率，上述兩種方法均與消費(fèi)者對(duì)顯示裝置的期望相背離。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的一個(gè)實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板以及在所述襯底基板上按陣列布置的多個(gè)像素單元。每個(gè)所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極位于不同層的公共電極。所述像素電極包括多個(gè)第一像素電極條和位于相鄰的第一像素電極條之間的多個(gè)第一狹縫，所述多個(gè)第一像素電極條沿第一方向并列布置。所述公共電極包括多個(gè)第一公共電極條和位于相鄰的第一公共電極條之間的多個(gè)第二狹縫，所述多個(gè)第一公共電極條沿所述第一方向并列布置；每個(gè)所述第一公共電極條與至少一個(gè)所述第一像素電極條重疊。所述像素單元包括至少一個(gè)像素單元子區(qū)域，所述像素單元子區(qū)域具有子區(qū)域?qū)ΨQ軸，所述像素電極在所述像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和所述公共電極在所述像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條分別相對(duì)于所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置。在所述像素單元子區(qū)域中，在所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)，所述第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)所述第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸。

本公開的一個(gè)實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。

本公開的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。

本公開的再一個(gè)實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括提供襯底基板，以及在所述襯底基板上形成按陣列布置的多個(gè)像素單元。每個(gè)所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極位于不同層的公共電極。所述像素電極包括多個(gè)第一像素電極條和位于相鄰的第一像素電極條之間的多個(gè)第一狹縫，所述多個(gè)第一像素電極條沿第一方向并列布置。所述公共電極包括多個(gè)第一公共電極條和位于相鄰的第一公共電極條之間的多個(gè)第二狹縫，所述多個(gè)第一公共電極條沿所述第一方向并列布置；每個(gè)所述第一公共電極條與至少一個(gè)所述第一像素電極條重疊。所述像素單元包括至少一個(gè)像素單元子區(qū)域，所述像素單元子區(qū)域具有子區(qū)域?qū)ΨQ軸，所述像素電極在所述像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和所述公共電極在所述像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條分別相對(duì)于所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置。在所述像素單元子區(qū)域中，在所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)，所述第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)所述第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或相關(guān)技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實(shí)施例，并非對(duì)本公開的限制。

圖1是一種低存儲(chǔ)電容式顯示面板的剖面示意圖；

圖2(a)是本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板的一種結(jié)構(gòu)的平面示意圖；

圖2(b)是包含圖2(a)所示的陣列基板的顯示面板沿I-I’線的剖面示意圖；

圖3(a)示出了包含圖2(a)所示的陣列基板的顯示面板的透射率隨電壓變化曲線；

圖3(b)示出了包含圖2(a)所示的陣列基板的顯示面板的存儲(chǔ)電容隨電壓變化曲線；

圖3(c)示出了包含圖2(a)所示的陣列基板的顯示面板的透射率波動(dòng)隨電壓變化曲線；

圖4是本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)的平面示意圖；

圖5是本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板的再一種結(jié)構(gòu)的平面示意圖；

圖6是本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板的再一種結(jié)構(gòu)的平面示意圖；

圖7是本公開另一個(gè)實(shí)施例提供的一種顯示裝置的示意性框圖；以及

圖8是本公開再一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本公開實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述參考在附圖中示出并在以下描述中詳述的非限制性示例實(shí)施例，更加全面地說明本公開的示例實(shí)施例和它們的多種特征及有利細(xì)節(jié)。應(yīng)注意的是，圖中示出的特征不是必須按照比例繪制。本公開省略了已知材料、組件和工藝技術(shù)的描述，從而不使本公開的示例實(shí)施例模糊。所給出的示例僅旨在有利于理解本公開示例實(shí)施例的實(shí)施，以及進(jìn)一步使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┦纠龑?shí)施例。因而，這些示例不應(yīng)被理解為對(duì)本公開的實(shí)施例的范圍的限制。

除非另外特別定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。此外，在本公開各個(gè)實(shí)施例中，相同或類似的參考標(biāo)號(hào)表示相同或類似的構(gòu)件。

發(fā)明人注意到，可以通過將板狀公共電極變?yōu)闂l狀公共電極，并使部分像素電極對(duì)應(yīng)于條狀公共電極之間的狹縫的方式來減少像素電極與公共電極的交疊面積。例如，圖1是一種低存儲(chǔ)電容式顯示面板的剖面示意圖，如圖1所示，該顯示面板包括陣列基板，該陣列基板包括襯底基板510以及在襯底基板510上按陣列布置的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括：像素電極530，與像素電極530位于不同層的公共電極540，以及位于像素電極530和公共電極540之間的介電材料層564。像素電極530可以包括多個(gè)第一像素電極條531，公共電極540可以包括多個(gè)第一公共電極條541。部分第一像素電極條531與第一公共電極條541重疊，部分第一像素電極條531的正投影位于相鄰的兩個(gè)第一公共電極條541之間。第一像素電極條531的寬度W1’和第一公共電極條541的寬度W2’，第一像素電極條531之間的間距S1以及第一公共電極條541之間的間距S2滿足關(guān)系：2*(W1+S1)＝(W2+S2)。例如，該顯示面板還可以包括與陣列基板對(duì)置的玻璃基板572，設(shè)置于陣列基板和玻璃基板572之間的液晶層571，設(shè)置于陣列基板的遠(yuǎn)離液晶層571的第一偏振片573，以及設(shè)置于玻璃基板572的遠(yuǎn)離液晶層571的第二偏振片574。由于只有部分像素電極530與公共電極540交疊，因此可以在不增加像素電極530和公共電極540之間的間距以及降低陣列基板開口率的情況下降低存儲(chǔ)電容。

然而，發(fā)明人還注意到，對(duì)于圖1所示的低存儲(chǔ)電容式顯示面板，由于將公共電極由板狀變?yōu)闂l狀，工藝波動(dòng)引起的所有像素電極的中心相對(duì)于公共電極的中心向一側(cè)偏移會(huì)導(dǎo)致顯示面板的透射率出現(xiàn)較大的波動(dòng)。例如，在制造像素電極時(shí)，用于構(gòu)圖工藝的掩模板，向圖1所示的襯底基板的左側(cè)偏移1微米，會(huì)使得所有像素電極的中心相對(duì)于公共電極的中心均向左側(cè)偏移1微米。又例如，在制造像素電極時(shí)，用于構(gòu)圖工藝的掩模板，向圖1所示的襯底基板的右側(cè)偏移0.5微米，會(huì)使得所有像素電極的中心相對(duì)于公共電極的中心均向右側(cè)偏移0.5微米。因此，工藝波動(dòng)會(huì)使得顯示面板的透射率出現(xiàn)較大的波動(dòng)，并因此影響用戶的使用體驗(yàn)。因此，亟需解決低存儲(chǔ)電容式顯示面板的透射率隨工藝波動(dòng)變化過大的問題。

本公開的實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，通過使得子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)的第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸，子區(qū)域?qū)ΨQ軸兩側(cè)的透射率可以對(duì)制作過程中出現(xiàn)的工藝波動(dòng)相互補(bǔ)償，進(jìn)而可以緩解低存儲(chǔ)電容式陣列基板的像素電極向同一側(cè)偏移引起的包含該陣列基板的顯示面板的透射率波動(dòng)過大問題。

本公開的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板以及在襯底基板上按陣列布置的多個(gè)像素單元。每個(gè)像素單元包括像素電極和與像素電極位于不同層的公共電極。像素電極包括多個(gè)第一像素電極條和位于相鄰的第一像素電極條之間的多個(gè)第一狹縫，多個(gè)第一像素電極條沿第一方向并列布置；公共電極包括多個(gè)第一公共電極條和位于相鄰的第一公共電極條之間的多個(gè)第二狹縫，多個(gè)第一公共電極條沿第一方向并列布置，并且每個(gè)第一公共電極條與至少一個(gè)第一像素電極條重疊。像素單元包括至少一個(gè)像素單元子區(qū)域，像素單元子區(qū)域具有子區(qū)域?qū)ΨQ軸，像素電極在像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和公共電極在像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條分別相對(duì)于子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置；在像素單元子區(qū)域中，在子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)，第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸。

例如，下面以第一公共電極條僅與一個(gè)第一像素電極條重疊的設(shè)置方式為例對(duì)本申請(qǐng)的實(shí)施例進(jìn)行說明，但是每個(gè)第一公共電極條不限于設(shè)置成僅與一個(gè)第一像素電極條重疊的形式，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，每個(gè)第一公共電極條還可以設(shè)置成與兩個(gè)或多個(gè)第一像素電極條重疊的形式，本申請(qǐng)的實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。

例如，圖2(a)是本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板100的一種結(jié)構(gòu)的平面示意圖，圖2(b)是包含圖2(a)所示的陣列基板100的顯示面板沿I-I’線的剖面示意圖。

如圖2(a)和圖2(b)所示，該陣列基板100包括襯底基板110、在襯底基板110上按陣列布置的多個(gè)像素單元120以及用于驅(qū)動(dòng)所述像素單元120的薄膜晶體管163、柵線162和數(shù)據(jù)線161，所述像素單元120由多條交叉的柵線162和數(shù)據(jù)線161限定。例如，每個(gè)像素單元120包括：像素電極130，與像素電極130位于不同層的公共電極140，以及位于像素電極130和公共電極140之間的介電材料層164。例如，如圖2(b)所示，襯底基板110可以設(shè)置于公共電極140的遠(yuǎn)離像素電極130的一側(cè)。顯然，襯底基板110的設(shè)置形式不限于圖2(b)所示的形式，襯底基板110還可以設(shè)置于像素電極130的遠(yuǎn)離公共電極140的一側(cè)，本申請(qǐng)的實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。

例如，襯底基板110可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板(例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板)或者由其它適合的材料制成的基板。例如，柵線162和數(shù)據(jù)線161可以采用金屬材料(例如，銅、鋁或者鋁合金)形成。例如，公共電極140和像素電極130可以采用透明導(dǎo)電材料形成。例如，透明導(dǎo)電材料可以為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。例如，像素電極130還可以采用金屬材料(例如，銅、鋁或者鋁合金)形成。例如，介電材料層164可以采用無機(jī)或有機(jī)材料形成。例如，介電材料層164可以采用有機(jī)樹脂、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)或者氮化硅(SiNx)形成。

例如，像素電極130可以包括多個(gè)第一像素電極條131和位于相鄰的第一像素電極條131之間的多個(gè)第一狹縫132，多個(gè)第一像素電極條131沿第一方向并列布置；公共電極140可以包括多個(gè)第一公共電極條141和位于相鄰的第一公共電極條141之間的多個(gè)第二狹縫142，多個(gè)第一公共電極條141沿第一方向并列布置。每個(gè)第一公共電極條141與一個(gè)第一像素電極條131重疊。

例如，第一方向可以平行于陣列布置的多個(gè)像素單元120的列方向，也即是平行于數(shù)據(jù)線161的延伸方向。例如，如圖2(a)所示，第一像素電極條131和第一公共電極條141的延伸方向平行于陣列布置的多個(gè)像素單元120的行方向，也即是平行于柵線162的延伸方向。顯然，第一像素電極條131和第一公共電極條141的延伸方向不限于圖2(a)所示的形式，第一像素電極條131和第一公共電極條141的延伸方向可以設(shè)置成如圖4所示的與柵線162延伸方向交叉的形式，此時(shí)，第一像素電極條131和第一公共電極條141分別沿第一方向排布成“八”字形。

例如，如圖2(a)和圖2(b)所示，每個(gè)像素電極130包括兩個(gè)將多個(gè)第一像素電極條131電連接的第二像素電極條133，公共電極140還包括兩個(gè)將多個(gè)第一公共電極條141電連接的第二公共電極條143，該第二像素電極條133和第二公共電極條143分別用于向多個(gè)第一像素電極條131和多個(gè)第一公共電極條141施加電壓，以使多個(gè)第一像素電極條131處于相同的電勢(shì)，并使多個(gè)第一公共電極條141處于相同的電勢(shì)。顯然，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，每個(gè)像素電極130可以包括一個(gè)或多個(gè)第二像素電極條133，每個(gè)公共電極140可以包括一個(gè)或多個(gè)第二公共電極條143，本申請(qǐng)的實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。

例如，如圖2(a)和圖2(b)所示，每個(gè)像素單元120可以包括一個(gè)像素單元子區(qū)域150。例如，像素單元子區(qū)域150具有子區(qū)域?qū)ΨQ軸151，像素電極130在像素單元子區(qū)域150中的第一像素電極條131和公共電極140在像素單元子區(qū)域150中的第一公共電極條141分別相對(duì)于子區(qū)域?qū)ΨQ軸151對(duì)稱設(shè)置。例如，此處的對(duì)稱設(shè)置也包括大致對(duì)稱設(shè)置，例如，由于工藝精度，可能會(huì)引起第一像素電極條131和第一公共電極條141的形狀、寬度在一定程度上偏離預(yù)定值，例如，第一像素電極條131和第一公共電極條141的寬度可能偏離預(yù)定值。例如，偏離預(yù)定值±0.5微米。例如，由于工藝精度，還可能會(huì)引起第一像素電極條131和第一公共電極條141的設(shè)置角度或者設(shè)置位置會(huì)在一定程度上偏離預(yù)定值，例如，第一像素電極條131和第一公共電極條141的設(shè)置角度可能偏離預(yù)定位置0.1度。上述由例如工藝精度引起的大致對(duì)稱設(shè)置的情況也屬于本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。

例如，像素電極130的沿第一方向的寬度W1和公共電極140的沿第一方向的寬度W2可以滿足以下條件：

n*(W1+S1)＝(W2+S2)；

其中，S1為位于區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一像素電極條131在第一方向上的間隔，S2為位于區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141在第一方向上的間隔，n為大于等于2的整數(shù)。

例如，如圖2(a)和圖2(b)所示，多個(gè)第一像素電極條131沿第一方向的寬度相同，多個(gè)第一公共電極條141沿第一方向的寬度相同。例如，像素電極130的沿第一方向的寬度W1和公共電極140的沿第一方向的寬度W2可以分別設(shè)置為2.5微米和13.5微米。例如，位于區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一像素電極條131在第一方向上的間隔S1和位于區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141在第一方向上的間隔S2可以分別設(shè)置為6.5微米和4.5微米，此時(shí)n為2。顯然，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，多個(gè)第一像素電極條131還可以設(shè)置成如圖6所示的沿第一方向的寬度不完全相同的形式，多個(gè)第一公共電極條141也可以設(shè)置成如圖6所示的沿第一方向的寬度不完全相同的形式，本申請(qǐng)的實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。

例如，如圖2(a)和圖2(b)所示，在像素單元子區(qū)域150中，在子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)，第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131更遠(yuǎn)離子區(qū)域?qū)ΨQ軸151。例如，如圖2(b)所示，第一像素電極條131在整個(gè)像素單元子區(qū)域150具有相同的間距；位于子區(qū)域的a區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131向左偏移，位于子區(qū)域的a’區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131向右偏移。此時(shí)，子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141之間的間距相同，而子區(qū)域的a區(qū)域的最右側(cè)的第一公共電極條141與子區(qū)域的a’區(qū)域的最左側(cè)的第一公共電極條141之間的間距大于區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141之間的間距。

例如，圖2(b)所示的d1可以設(shè)置為2.0微米，S1和S2可以分別設(shè)置為6.5微米和4.5微米。此時(shí)，a區(qū)域的最右側(cè)的第一公共電極條141與a’區(qū)域的最左側(cè)的第一公共電極條141之間的間距為6.5微米，a區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131在第一方向上向左偏移1.0微米，a’區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131在第一方向上向右偏移1.0微米。

例如，a區(qū)域第一公共電極條141左側(cè)與其左側(cè)第一個(gè)第一像素電極條131的間距可以設(shè)置為零，由此可以降低存儲(chǔ)電容的波動(dòng)。

例如，對(duì)于上述的像素結(jié)構(gòu)，在制造過程中出現(xiàn)工藝波動(dòng)的情況下，例如，在使用掩模板制造像素電極130過程中，在掩模板的位置相比于預(yù)定位置向左偏離0.8微米的情況下，對(duì)于所制造像素電極130，a區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131在第一方向上向左偏移0.2微米，a’區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131在第一方向上向右偏移1.8微米。又例如，在掩模板的位置相比于預(yù)定位置向右偏離0.5微米的情況在，對(duì)于所制造的像素電極130，a區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131在第一方向上向左偏移1.5微米，a’區(qū)域的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131在第一方向上向右偏移0.5微米。

圖3(a)-圖3(c)分別示出了普通ADS結(jié)構(gòu)顯示面板、低存儲(chǔ)電容式顯示面板以及包含本公開一個(gè)實(shí)施例(也即是圖2(a)和圖2(b)所示的實(shí)施例)提供的一種陣列基板100的顯示面板的透射率、存儲(chǔ)電容和透射率波動(dòng)隨電壓變化曲線，其中，工藝波動(dòng)使得像素電極130相對(duì)于公共電極140偏移預(yù)定位置±1微米，并使得像素電極130與公共電極140的寬度波動(dòng)為偏離預(yù)定寬度±0.2微米。

例如，如圖3(a)所示，包含本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板100的顯示面板的透射率與普通ADS結(jié)構(gòu)顯示面板和低存儲(chǔ)電容式顯示面板的透射率接近，因此，本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板100的結(jié)構(gòu)對(duì)包含該陣列基板100的顯示面板的透射率的影響很小。如圖3(b)所示，包含本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板100的顯示面板的存儲(chǔ)電容略大于低存儲(chǔ)電容式顯示面板的存儲(chǔ)電容，但遠(yuǎn)小于普通ADS結(jié)構(gòu)顯示面板的存儲(chǔ)電容，因此，本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板100的結(jié)構(gòu)仍然具有良好的降低存儲(chǔ)電容的效果。如圖3(c)所示，包含本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板100的顯示面板的透射率波動(dòng)小于普通ADS結(jié)構(gòu)顯示面板和低存儲(chǔ)電容式顯示面板的透射率波動(dòng)。

因此，通過使得像素電極130在像素單元子區(qū)域150中的第一像素電極條131和公共電極140在像素單元子區(qū)域150中的第一公共電極條141相對(duì)于子區(qū)域?qū)ΨQ軸151對(duì)稱設(shè)置，并使得子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸151，在制作過程中出現(xiàn)工藝波動(dòng)時(shí)，像素單元子區(qū)域150中子區(qū)域?qū)ΨQ軸151兩側(cè)的透射率可以相互補(bǔ)償。因此，上述的像素結(jié)構(gòu)可以緩解低存儲(chǔ)電容式陣列基板100的像素電極130向同一側(cè)偏移引起的透射率波動(dòng)過大問題。

例如，第一像素電極條131和第一公共電極條141的設(shè)置方式不限于如圖2(a)和圖2(b)所示的第一像素電極條131在整個(gè)像素單元子區(qū)域150具有相同的間距，子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131更遠(yuǎn)離子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的形式。例如，第一像素電極條131和第一公共電極條141還可以設(shè)置成第一像素電極條131在整個(gè)像素單元子區(qū)域150具有相同的間距，子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一公共電極條141相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條131更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的形式。又例如，第一像素電極條131和第一公共電極條141還可以設(shè)置成第一公共電極條141在整個(gè)像素單元子區(qū)域150具有相同的間距，位于子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一像素電極條131相對(duì)于與之重疊的第一公共電極條141更靠近或更遠(yuǎn)離子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的形式。再例如，位于子區(qū)域?qū)ΨQ軸151任一側(cè)的第一像素電極條131和第一公共電極條141還可以設(shè)置成整體均向子區(qū)域?qū)ΨQ軸151靠近或遠(yuǎn)離，并且位于子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的任一側(cè)的第一像素電極條131相對(duì)于與之重疊的第一公共電極條141更靠近或更遠(yuǎn)離子區(qū)域?qū)ΨQ軸151的形式。本申請(qǐng)的實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。

例如，像素區(qū)域不限于僅包括圖2(a)和圖2(b)所示的一個(gè)像素單元子區(qū)域150的情況，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，每個(gè)像素區(qū)域還可以包括兩個(gè)或多個(gè)像素單元子區(qū)域150。例如，如圖5和圖6所示，像素區(qū)域可以包括兩個(gè)像素單元子區(qū)域150。例如，像素區(qū)域具有沿像素單元120的行方向延伸的像素區(qū)域?qū)ΨQ軸152，至少兩個(gè)像素單元子區(qū)域150相對(duì)于像素區(qū)域?qū)ΨQ軸152對(duì)稱設(shè)置。

例如，本公開的一個(gè)實(shí)施例還提供了一種顯示面板10，如圖2(b)所示，該顯示面板10包括本公開的一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板100。例如，該顯示面板10還可以包括：與陣列基板100對(duì)置的玻璃基板172，設(shè)置于陣列基板100和玻璃基板172之間的液晶層171，設(shè)置于陣列基板100的遠(yuǎn)離液晶層171的第一偏振片173，以及設(shè)置于玻璃基板172的遠(yuǎn)離液晶層171的第二偏振片174。通過使得子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)的第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸，子區(qū)域?qū)ΨQ軸兩側(cè)的透射率可以對(duì)制作過程中出現(xiàn)的工藝波動(dòng)相互補(bǔ)償，進(jìn)而可以緩解低存儲(chǔ)電容式顯示面板的像素電極向同一側(cè)偏移引起的透射率波動(dòng)過大問題。

例如，圖7是本公開另一個(gè)實(shí)施例提供的一種顯示裝置20的示意圖。該顯示裝置20包括本公開任一實(shí)施例所述的顯示面板10。需要說明的是，對(duì)于該顯示裝置20的其它必不可少的組成部分(例如控制裝置、圖像數(shù)據(jù)編碼/解碼裝置、行掃描驅(qū)動(dòng)器、列掃描驅(qū)動(dòng)器、時(shí)鐘電路等)均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限制。通過使得子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)的第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸，子區(qū)域?qū)ΨQ軸兩側(cè)的透射率可以對(duì)制作過程中出現(xiàn)的工藝波動(dòng)相互補(bǔ)償，進(jìn)而可以緩解低存儲(chǔ)電容式顯示裝置的像素電極向同一側(cè)偏移引起的透射率波動(dòng)過大問題。

例如，本公開的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括提供襯底基板，以及在所述襯底基板上形成按陣列布置的多個(gè)像素單元。每個(gè)所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極位于不同層的公共電極。所述像素電極包括多個(gè)第一像素電極條和位于相鄰的第一像素電極條之間的多個(gè)第一狹縫，所述多個(gè)第一像素電極條沿第一方向并列布置。所述公共電極包括多個(gè)第一公共電極條和位于相鄰的第一公共電極條之間的多個(gè)第二狹縫，所述多個(gè)第一公共電極條沿所述第一方向并列布置；每個(gè)所述第一公共電極條與至少一個(gè)所述第一像素電極條重疊。所述像素單元包括至少一個(gè)像素單元子區(qū)域，所述像素單元子區(qū)域具有子區(qū)域?qū)ΨQ軸，所述像素電極在所述像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和所述公共電極在所述像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條相對(duì)于所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置。在所述像素單元子區(qū)域中，在所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)，所述第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)所述第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近所述子區(qū)域?qū)ΨQ軸。

例如，圖8是本公開再一個(gè)實(shí)施例提供的一種顯示面板的制作方法的流程圖。如圖8所示，該制作方法可以包括以下步驟：

步驟S10：提供襯底基板；以及

步驟S20：在襯底基板上形成按陣列布置的多個(gè)像素單元。

例如，多個(gè)像素單元由多條交叉的柵線和數(shù)據(jù)線限定。例如，每個(gè)像素單元包括像素電極，與像素電極位于不同層的公共電極，以及位于像素電極和公共電極之間的介電材料層。例如，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求，襯底基板可以設(shè)置于公共電極的遠(yuǎn)離像素電極的一側(cè)或者設(shè)置于像素電極的遠(yuǎn)離公共電極的一側(cè)，本申請(qǐng)的實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。例如，柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極、公共電極和介電材料層的形成材料可以參見圖2(a)和圖2(b)所示的實(shí)施例，在此不再贅述。

例如，像素電極可以包括多個(gè)第一像素電極條和位于相鄰的第一像素電極條之間的多個(gè)第一狹縫，多個(gè)第一像素電極條沿第一方向并列布置；公共電極可以包括多個(gè)第一公共電極條和位于相鄰的第一公共電極條之間的多個(gè)第二狹縫，多個(gè)第一公共電極條沿第一方向并列布置。每個(gè)第一公共電極條與一個(gè)第一像素電極條重疊。例如，像素電極還包括至少一個(gè)將多個(gè)第一像素電極條電連接的第二像素電極條，公共電極還包括至少一個(gè)將多個(gè)第一公共電極條電連接的第二公共電極條。例如，第一方向，第一像素電極條和第一公共電極條的延伸方向，以及第二像素電極條和第二公共電極條的相關(guān)描述可以參見圖2(a)和圖2(b)所示的實(shí)施例，在此不再贅述。

例如，像素單元可以包括至少一個(gè)像素單元子區(qū)域，每個(gè)像素單元子區(qū)域具有子區(qū)域?qū)ΨQ軸，像素電極在像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和公共電極在像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條分別相對(duì)于子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置，在像素單元子區(qū)域中，在子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)，第一公共電極條的沿其延伸方向延伸的中心線相對(duì)于與之重疊的第一像素電極條的沿其延伸方向延伸的中心線更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸。

例如，像素電極在像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和公共電極在像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條相對(duì)于子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置的具體方式，像素電極和的公共電極沿第一方向的寬度W1和W2和位于區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)的第一像素電極條和第一公共電極條在第一方向上的間隔S1和S2所滿足的條件及示例性的設(shè)置方式，普通ADS結(jié)構(gòu)顯示面板、低存儲(chǔ)電容式顯示面板以及包含本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種陣列基板的顯示面板的透射率、存儲(chǔ)電容和透射率波動(dòng)隨電壓變化曲線，以及像素單元可以所包含的像素單元子區(qū)域的個(gè)數(shù)以及設(shè)置方式等內(nèi)容可以參見圖2(a)和圖2(b)所示的實(shí)施例，在此不再贅述。

通過使得像素電極在像素單元子區(qū)域中的第一像素電極條和公共電極在像素單元子區(qū)域中的第一公共電極條相對(duì)于子區(qū)域?qū)ΨQ軸對(duì)稱設(shè)置，并使得子區(qū)域?qū)ΨQ軸的任一側(cè)的第一公共電極條相對(duì)于與之重疊的至少一個(gè)第一像素電極條更遠(yuǎn)離或者更靠近子區(qū)域?qū)ΨQ軸，在制作過程中出現(xiàn)工藝波動(dòng)時(shí)，像素單元子區(qū)域中子區(qū)域?qū)ΨQ軸兩側(cè)的透射率可以相互補(bǔ)償。因此，上述的像素結(jié)構(gòu)可以緩解低存儲(chǔ)電容式陣列基板的像素電極向同一側(cè)偏移引起的包含該陣列基板的顯示面板的透射率波動(dòng)過大問題。

本公開的實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，可以緩解低存儲(chǔ)電容式陣列基板的像素電極向同一側(cè)偏移引起的透射率波動(dòng)過大問題。

雖然上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實(shí)施方式，對(duì)本公開作了詳盡的描述，但在本公開實(shí)施例基礎(chǔ)上，可以對(duì)之作一些修改或改進(jìn)，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本公開精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本公開要求保護(hù)的范圍。