本發(fā)明屬于顯示面板制作技術領域，具體地說，尤其涉及一種共電極結構、液晶顯示面板及制作方法。

背景技術：

TFT-LCD的發(fā)展經歷了漫長的基礎研究階段，在實現(xiàn)大規(guī)模、商業(yè)化之后，TFT-LCD產品以其輕薄、環(huán)保、高性能等優(yōu)點，其尺寸越做越大，應用越來越廣。無論是小尺寸的手機屏、還是大尺寸的筆記本電腦或監(jiān)視器，甚至大型化的液晶電視，到處可見TFT-LCD的應用。

GOA(Gate Driver on Array)、POA(Photo Spacer on Array)、DBS(Data Black Matrix Less)作為TFT-LCD發(fā)展的新技術，將越來越多的膜層結構集成在陣列基板上，因而，陣列基板的穩(wěn)定性對于產品品質而言是十分重要的。在傳統(tǒng)的TFT-LCD技術中，畫素的設計結構如圖1所示，其共電極的傳級龍骨結構如圖中線框標注所示。

按照圖1的共電極傳級龍骨結構，共電極在液晶顯示面板中是橫向排布的，并通過兩邊的金屬搭接在一起供電，其連接結構如圖2所示。

如在圖2所示的共電極結構中出現(xiàn)金屬斷線情況，如圖3所示，很難通過檢測確定斷線位置并進行修補，其主要是外圍共電極搭界在一起，電阻串聯(lián)、并聯(lián)結構復雜以及制程差異導致的。

技術實現(xiàn)要素：

為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種共電極結構、液晶顯示面板及制作方法，方便對陣列基板進行測試，提供生產檢測的效率。

根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種共電極結構，包括若干段依次排列的金屬線，其中，相鄰兩個所述金屬線之間斷路設置，并且工作時向全部的若干段所述金屬線均提供公共電壓。

在本發(fā)明的具體實施例中，所述金屬線具有多個彎曲部，兩相鄰所述金屬線之間的斷路位置對應其中一金屬線的彎曲部。

在本發(fā)明的具體實施例中，每一所述金屬線的起始位置和末尾位置分別與相鄰金屬線的彎曲部對應設置。

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，包括如前所述的共電極結構。

在本發(fā)明的具體實施例中，設置于基底上的柵極和由若干段金屬線形成的共電極結構；設置于所述共電極結構、所述柵極和裸露的基底上的第一絕緣層；設置于所述第一絕緣層上的源極、漏極、數據線及第二導電層，其中，所述第二導電層通過過孔電連接所述共電極結構中的若干段金屬線以在工作時向所述共電極結構提供公共電壓。

優(yōu)選的，相鄰兩個所述金屬線之間的斷路位置分別位于各金屬線的兩側，所述第二導電層對應兩側的金屬線包括第一導電區(qū)域和第二導電區(qū)域，其中，所述第一導電區(qū)域對應各金屬線第一側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第一側斷路位置處的過孔電連接各金屬線；所述第二導電區(qū)域對應各金屬線第二側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第二側斷路位置處的過孔電連接各金屬線。

在本發(fā)明的另一具體實施例中，所述面板包括：設置于基底上的柵極和由若干段金屬線形成的共電極結構；設置于所述共電極結構和裸露的基底上的第一絕緣層；設置于所述第一絕緣層上的源極、漏極和數據線；設置于所述源極、漏極和數據線上的第二絕緣層；設置于所述第二絕緣層上的第二導電層，所述第二導電層通過過孔電連接所述共電極結構中的若干段金屬線，以在工作時向所述共電極結構提供公共電壓。

優(yōu)選的，所述面板包括：相鄰兩個所述金屬線之間的斷路位置分別位于各金屬線的兩側，所述第二導電層對應兩側的金屬線包括第一導電區(qū)域和第二導電區(qū)域，其中，所述第一導電區(qū)域對應各金屬線第一側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第一側斷路位置處的過孔電連接各金屬線；所述第二導電區(qū)域對應各金屬線第二側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第二側斷路位置處的過孔電連接各金屬線。

本發(fā)明還提供了一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括：在基底上沉積金屬材料并進行處理以形成柵極和共電極結構，其中，所述共電極結構包括若干段金屬線，相鄰兩段所述金屬線之間斷路設置；在所述共電極結構、柵極和裸露的基底上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上與兩相鄰金屬線之間斷路位置相對應的預定位置處進行蝕刻以形成過孔；在所述第一絕緣層上沉積金屬材料并進行處理以形成源極、漏極、數據線及第二導電層，所述第二導電層通過過孔電連接所述共電極結構中的若干段金屬線以在工作時向所述共電極結構提供公共電壓。

本發(fā)明還提供了另一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括：在基底上沉積金屬材料并進行處理以形成柵極和共電極結構，其中，所述共電極結構由段金屬線形成，相鄰兩段所述金屬線之間斷路設置；在所述共電極結構、柵極和裸露的基底上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上沉積金屬材料以形成源極、漏極和數據線；在源極、漏極、數據線及裸露的第一絕緣層上沉積絕緣材料以形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上與兩相鄰金屬線之間斷路位置相對應處蝕刻過孔；在所述第二絕緣層上沉積第二導電層，所述第二導電層通過過孔電連接所述共電極結構中的若干段金屬線以在工作時向所述共電極結構提供公共電壓。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明將共電極結構設置為多段不連接的金屬線，并通過第二層金屬或透明導電薄膜搭界方式增強共電極的驅動能力，可以方便對陣列基板進行測試，提供生產檢測的效率。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術中一種像素結構示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術中一種共電極結構示意圖；

圖3是圖2中共電極結構發(fā)生斷線的示意圖；

圖4是根據本發(fā)明的一個實施例的共電極結構示意圖；

圖5是根據本發(fā)明的一個實施例的共電極結構搭界示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合，所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內。

液晶顯示面板的制造工藝技術包括陣列工藝技術(Array)、彩膜工藝技術(Color Fliter)、成盒工藝技術(Cell)及模組工藝技術(Module)，其全部工藝制程加在一起有幾十道之多，生產周期也長達十幾天之久。并且，每道工藝制程都伴隨著工業(yè)生產面臨的良率問題及可靠性問題，因而，對于一些顯示不良的解析成為了液晶面板行業(yè)必備的檢討環(huán)節(jié)。

在設計液晶顯示面板時，需增加一些便于發(fā)現(xiàn)問題的測試點位或在液晶顯示面板的驅動電路中增加一些便于檢討問題的功能電路結構。按照傳統(tǒng)共電極的傳級龍骨結構，若出現(xiàn)金屬斷線，很難通過檢測來確定斷線位置并進行修補。在本發(fā)明的設計結構中，在保證像素結構不變的情況下，將共電極的傳級龍骨結構設置為金屬線，方便對陣列基板進行測試，提高生產檢測的效率。

本發(fā)明提供了一種共電極結構，該共電極結構包括若干段依次排列的金屬線，其中，相鄰兩個金屬線之間斷路設置，并且工作時向全部的若干段金屬線均提供公共電壓。如圖4所示，該共電極結構包括兩段金屬線11和12，金屬線11和金屬線12之間不連接，為斷路設置。這樣，各金屬線之間各自獨立，相互之間互不影響，整面排布的共電極結構被分割成若干個獨立的區(qū)域。當某段金屬線發(fā)生斷線時，就可以檢測出來。

根據本發(fā)明的一個實施例，該金屬線具有多個彎曲部13，兩相鄰金屬線之間的斷路位置對應其中一金屬線的彎曲部?；诰匦蜗袼氐慕Y構特點，將彎曲部13設置為90°拐角，將金屬線設置為蛇形結構。當然彎曲部的拐角可以根據具體的像素結構特點設置為其他角度。

根據本發(fā)明的一個實施例，每一金屬線的起始位置和末尾位置分別與相鄰金屬線的彎曲部對應設置。即若干段金屬線沿彎曲部的延伸方向依次排布。如圖4所示，以金屬線11的111為首，112為尾；以金屬線12的121為首，122為尾，在金屬線11的尾112后面設置金屬線12的首121，使得各金屬線沿彎曲部13的延伸方向依次排列。

在測試以上所述的共電極結構時，首先進行金屬斷線量測，即同時量測金屬線的頭尾，如圖4示中線框標注的兩點111和112或線框標注的兩點121和122，若出現(xiàn)斷線情況，其量測出來的電阻阻值應該無窮大，以此可以確定金屬斷線位置出現(xiàn)在此量測區(qū)域中的某點。當確定金屬斷線位置出現(xiàn)在某一區(qū)域后，可以通過量測單根共電極的兩端阻值來確定具體的金屬斷線點位。此時，由于共電極兩邊的金屬并未搭界在一起，可以準確測定阻值之間的差異，進而確定金屬斷線點位。

根據本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板采用以上所述的共電極結構。并將該公電極結構作為其傳級龍骨，則在其傳級龍骨發(fā)生斷線時，可以通過檢測共電極結構確定具體是哪條線路發(fā)生斷線。

根據本發(fā)明的一個實施例，該面板包括設置于基底上的柵極和由若干段金屬線形成的共電極結構，柵極與共電極結構之間斷路；設置于共電極結構、柵極和裸露的基底上的第一絕緣層；設置于第一絕緣層上的源極、漏極、數據線及第二導電層(即第二金屬層)，第二導電層通過過孔電連接所述共電極結構中的若干段金屬線以在工作時向所述共電極結構提供公共電壓。第二金屬層(對應第二導電層)包括兩個矩形金屬區(qū)域，一個矩形金屬區(qū)域對應金屬線的同側彎曲部并與金屬線的彎曲部搭界設置，以及通過過孔連接共電極結構。

根據本發(fā)明的一個實施例，相鄰兩個金屬線之間的斷路位置分別位于各金屬線的兩側，第二導電層對應兩側的金屬線包括第一導電區(qū)域和第二導電區(qū)域，其中，第一導電區(qū)域對應各金屬線第一側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第一側斷路位置處的過孔電連接各金屬線；第二導電區(qū)域對應各金屬線第二側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第二側斷路位置處的過孔電連接各金屬線。

具體的，如圖5所示，第二金屬層(對應第二導電層)包括兩個矩形金屬區(qū)域21和22，矩形金屬區(qū)域21與金屬線的彎曲部搭界設置，矩形金屬區(qū)域22與金屬線的彎曲部搭界設置，兩個矩形金屬區(qū)域21和22通過過孔(未示出)與對應搭界處的彎曲部連接。這樣，通過向第二金屬層(對應第二導電層)輸入共電極電壓，可以實現(xiàn)向共電極供電，增強共電極整面的驅動能力。由于相鄰兩個金屬線延伸方向的兩側邊緣斷路，因此，需要在第二導電層與金屬線延伸方向的兩側搭界區(qū)域設置多個過孔，以向多個金屬線分別輸出共電極電壓。

根據本發(fā)明的一個實施例，該面板包括設置于基底上的柵極和由若干段金屬線形成的共電極結構；設置于共電極結構和裸露的基底上的第一絕緣層；設置于第一絕緣層上的源極、漏極和數據線；設置于第二金屬層(對應第二導電層)上的第二絕緣層；設置于第二絕緣層上的第二導電層，第二導電層通過過孔電連接共電極結構中的若干段金屬線，以在工作時向共電極結構提供公共電壓。其中，該第二導電層可為透明導電薄膜，該透明導電薄膜包括兩個矩形金屬區(qū)域，一個矩形金屬區(qū)域對應金屬線的同側彎曲部并與金屬線的彎曲部搭界設置，以及通過過孔連接所述共電極結構。該透明導電薄膜可為ITO薄膜，其具體結構如圖5所示。通過向該透明導電薄膜輸入共電極電壓，可以實現(xiàn)向共電極結構供電，增強共電極整面的驅動能力。

根據本發(fā)明的一個實施例，相鄰兩個金屬線之間的斷路位置分別位于各金屬線的兩側，第二導電層對應兩側的金屬線包括第一導電區(qū)域和第二導電區(qū)域，其中，第一導電區(qū)域對應各金屬線第一側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第一側斷路位置處的過孔電連接各金屬線；第二導電區(qū)域對應各金屬線第二側的所有斷路位置設置，并通過對應設置在兩相鄰金屬線第二側斷路位置處的過孔電連接各金屬線。

根據本發(fā)明的再一個方面，還提供了一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括以下的幾個步驟。

首先，在基底上沉積金屬材料并進行處理以形成柵極和共電極結構，其中，共電極結構包括若干段金屬線，相鄰兩段金屬線之間斷路設置。

接著，在共電極結構、柵極和裸露的基底上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層。

接著，在第一絕緣層上與兩相鄰金屬線之間斷路位置相對應的預定位置處進行蝕刻以形成過孔。具體的，第一絕緣層的預定位置處進行蝕刻以形成過孔。該預定位置對應金屬線的彎曲部。

接著，在第一絕緣層上沉積金屬材料并進行處理以形成源極、漏極、數據線及第二導電層，第二導電層通過過孔電連接共電極結構中的若干段金屬線以在工作時向共電極結構提供公共電壓。具體的，在第一絕緣層上沉積金屬材料并進行處理以形成源極、漏極、數據線及第二金屬層(對應第二導電層)，其中，第二金屬層第二導電層包括兩個矩形金屬區(qū)域，一個矩形金屬區(qū)域對應金屬線的同側彎曲部并與金屬線的彎曲部搭界設置，以及通過過孔連接共電極結構。

根據本發(fā)明的再一個方面，還提供了另一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括以下的幾個步驟。

首先，在基底上沉積金屬材料并進行處理以形成柵極和共電極結構，其中，共電極結構由段金屬線形成，相鄰兩段金屬線之間斷路設置。

接著，在共電極結構、柵極和裸露的基底上沉積絕緣材料以形成第一絕緣層。

接著，在第一絕緣層上沉積金屬材料以形成源極、漏極和數據線。

接著，在源極、漏極、數據線及裸露的第一絕緣層上沉積絕緣材料以形成第二絕緣層。

接著，在第二絕緣層上與兩相鄰金屬線之間斷路位置相對應處蝕刻過孔。具體的，在第二絕緣層上的預定位置處蝕刻過孔。該預定位置對應金屬線的彎曲部。

接著，在第二絕緣層上沉積第二導電層，第二導電層通過過孔電連接共電極結構中的若干段金屬線以在工作時向所述共電極結構提供公共電壓。具體的，在所述第二絕緣層上沉積透明導電材料并進行處理以形成透明導電薄膜，其中，透明導電薄膜包括兩個矩形金屬區(qū)域，一個矩形金屬區(qū)域對應金屬線的同側彎曲部并與金屬線的彎曲部搭界設置，以及通過過孔連接共電極結構。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術領域內的技術人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。