1.一種彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底基板上形成由負(fù)性光刻膠制成的黑矩陣圖形；
在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層，所述彩色層中包括由正性光刻膠制成的子彩色層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述黑矩陣圖形中任一側(cè)面與所述襯底基板的夾角為預(yù)設(shè)角度，在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層，包括：
在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成由正性光刻膠制成的第一膜層；
通過第一掩模版對(duì)所述第一膜層進(jìn)行曝光，在進(jìn)行所述曝光時(shí)控制所述第一掩模版與所述第一膜層的距離使所述第一掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度；
對(duì)所述第一膜層進(jìn)行顯影以形成所述彩色層中的第一子彩色層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)角度滿足α＝D/L，所述α為所述預(yù)設(shè)角度，所述D為所述第一掩模版與所述第一膜層的距離，所述L＝2毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成由負(fù)性光刻膠制成的黑矩陣圖形，包括：
在所述襯底基板上形成由負(fù)性光刻膠制成的遮光層；
通過第二掩模版對(duì)所述遮光層進(jìn)行曝光，在進(jìn)行所述曝光時(shí)控制所述第二掩模版與所述遮光層的距離使所述第二掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度；
對(duì)所述遮光層進(jìn)行顯影以形成所述黑矩陣圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層之后，所述方法還包括：
在形成有所述彩色層的襯底基板上依次形成公共電極層和取向?qū)印?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層之后，所述方法還包括：
在形成有所述彩色層的襯底基板上依次形成平坦層、公共電極層和取向?qū)?，所述平坦層的厚度小?.5微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述取向?qū)佑删埘啺分瞥伞?/p>
8.一種彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括：
襯底基板；
所述襯底基板上設(shè)置有由負(fù)性光刻膠制成的黑矩陣圖形；
在設(shè)置有所述黑矩陣圖形的襯底基板上設(shè)置有彩色層，所述彩色層中包括由正性光刻膠制成的子彩色層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩陣圖形中任一側(cè)面與所述襯底基板的夾角為預(yù)設(shè)角度，所述彩色層中的第一子彩色層是在設(shè)置有所述黑矩陣圖形的襯底基板上設(shè)置由正性光刻膠制成的第一膜層，再通過第一掩模版對(duì)所述第一膜層進(jìn)行曝光，之后對(duì)所述第一膜層進(jìn)行顯影以形成的，在進(jìn)行所述曝光時(shí)控制所述第一掩模版與所述第一膜層的距離使所述第一掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彩膜基板，其特征在于，所述預(yù)設(shè)角度滿足α＝D/L，所述α為所述預(yù)設(shè)角度，所述D為所述第一掩模版與所述第一膜層的距離，所述L＝2毫米。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩陣圖形是在所述襯底基板上設(shè)置由負(fù)性光刻膠制成的遮光層后，通過第二掩模版對(duì)所述遮光層進(jìn)行曝光，之后對(duì)所述遮光層進(jìn)行顯影以形成的，在進(jìn)行所述曝光時(shí)控制所述第二掩模版與所述遮光層的距離使所述第二掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板還包括：
依次設(shè)置在設(shè)置有所述彩膜層的襯底基板上的公共電極層和取向?qū)印?/p>
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板還包括：
依次設(shè)置在設(shè)置有所述彩膜層的襯底基板上的平坦層、公共電極層和取向?qū)?，所述平坦層的厚度小?.5微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的彩膜基板，其特征在于，所述取向?qū)佑删埘啺分瞥伞?/p>
15.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求8至14任一所述的彩膜基板。