本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種彩膜基板的制造方法、彩膜基板和顯示面板。

背景技術(shù)：

顯示面板通常包括彩膜基板、陣列基板和形成于這兩個基板之間的液晶層。其中，彩膜基板通常包括彩色層和黑矩陣(英文：Black Matrix；簡稱：BM)圖形，其中彩色層可以包括多個子彩色層，每個子彩色層的顏色可以不同，黑矩陣圖形用于將不同的子彩色層隔開。

相關(guān)技術(shù)中有一種彩膜基板的制造方法，在該方法中，首先在襯底基板上形成由負性光刻膠(負性光刻膠經(jīng)曝光后會固化，固化的負性光刻膠在顯影階段不會被溶解，正性光刻膠相反)形成的遮光層，然后通過掩模版對負性光刻膠進行顯影得到黑矩陣圖形，如圖1-1所示，由于光的衍射現(xiàn)象，從掩模版01的縫隙(通常寬度為10微米)射出的光線會發(fā)生擴散，這使得顯影之后形成的黑矩陣圖形02的形狀為如圖1-2所示的梯形，之后可以在形成有黑矩陣圖形的襯底基板上由負性光刻膠形成用于制造子彩色層的膜層，之后再對該膜層進行曝光和顯影以形成子彩色層，如圖1-3所示，子彩色層03和黑矩陣圖形02的交疊處會產(chǎn)生疊加，該疊加所造成的高度差可以稱為角段差。為了消除角段差的影響，通常需要在形成有彩色層的襯底基板上形成平坦層(英文：Over Cover；簡稱：OC)，同時增加形成于平坦層上的取向?qū)拥暮穸取?/p>

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：為了消除角段差的影響所設(shè)置的平坦層以及取向?qū)訒馁M較多的材料。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決相關(guān)技術(shù)中為了消除角段差的影響所設(shè)置的平坦層以及取向?qū)訒馁M較多的材料的問題，本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板的制造方法、彩膜基板和顯示面板。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種彩膜基板的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成由負性光刻膠制成的黑矩陣圖形；

在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層，所述彩色層中包括由正性光刻膠制成的子彩色層。

可選的，所述黑矩陣圖形中任一側(cè)面與所述襯底基板的夾角為預(yù)設(shè)角度，在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層，包括：

在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成由正性光刻膠制成的第一膜層；

通過第一掩模版對所述第一膜層進行曝光，在進行所述曝光時控制所述第一掩模版與所述第一膜層的距離使所述第一掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度；

對所述第一膜層進行顯影以形成所述彩色層中的第一子彩色層。

可選的，所述預(yù)設(shè)角度滿足α＝D/L，所述α為所述預(yù)設(shè)角度，所述D為所述第一掩模版與所述第一膜層的距離，所述L＝2毫米。

可選的，所述在襯底基板上形成由負性光刻膠制成的黑矩陣圖形，包括：

在所述襯底基板上形成由負性光刻膠制成的遮光層；

通過第二掩模版對所述遮光層進行曝光，在進行所述曝光時控制所述第二掩模版與所述遮光層的距離使所述第二掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度；

對所述遮光層進行顯影以形成所述黑矩陣圖形。

可選的，所述在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層之后，所述方法還包括：

在形成有所述彩色層的襯底基板上依次形成公共電極層和取向?qū)印?/p>

可選的，所述在形成有所述黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層之后，所述方法還包括：

在形成有所述彩色層的襯底基板上依次形成平坦層、公共電極層和取向?qū)?，所述平坦層的厚度小?.5微米。

可選的，所述取向?qū)佑删埘啺分瞥伞?/p>

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種彩膜基板，所述彩膜基板包括：

襯底基板；

所述襯底基板上設(shè)置有由負性光刻膠制成的黑矩陣圖形；

在設(shè)置有所述黑矩陣圖形的襯底基板上設(shè)置有彩色層，所述彩色層中包括由正性光刻膠制成的子彩色層。

可選的，所述黑矩陣圖形中任一側(cè)面與所述襯底基板的夾角為預(yù)設(shè)角度，所述彩色層中的第一子彩色層是在設(shè)置有所述黑矩陣圖形的襯底基板上設(shè)置由正性光刻膠制成的第一膜層，再通過第一掩模版對所述第一膜層進行曝光，之后對所述第一膜層進行顯影以形成的，在進行所述曝光時控制所述第一掩模版與所述第一膜層的距離使所述第一掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度。

可選的，所述預(yù)設(shè)角度滿足α＝D/L，所述α為所述預(yù)設(shè)角度，所述D為所述第一掩模版與所述第一膜層的距離，所述L＝2毫米。

可選的，所述黑矩陣圖形是在所述襯底基板上設(shè)置由負性光刻膠制成的遮光層后，通過第二掩模版對所述遮光層進行曝光，之后對所述遮光層進行顯影以形成的，在進行所述曝光時控制所述第二掩模版與所述遮光層的距離使所述第二掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與所述襯底基板之間的夾角為所述預(yù)設(shè)角度。

可選的，所述彩膜基板還包括：

依次設(shè)置在設(shè)置有所述彩膜層的襯底基板上的公共電極層和取向?qū)印?/p>

可選的，所述彩膜基板還包括：

依次設(shè)置在設(shè)置有所述彩膜層的襯底基板上的平坦層、公共電極層和取向?qū)?，所述平坦層的厚度小?.5微米。

可選的，所述取向?qū)佑删埘啺分瞥伞?/p>

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括第二方面所述的彩膜基板。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過正性光刻膠來形成子彩色層，使得子彩色層的形狀為倒梯形，與負性光刻膠形成的黑矩陣圖形互補，減少了黑矩陣圖形和子彩色層之間形成的角段差。解決了相關(guān)技術(shù)中為了消除角段差的影響所設(shè)置的平坦層以及取向?qū)訒馁M較多的材料的問題。達到了能夠減少平坦層以及取向?qū)拥暮馁M的材料，降低制造成本的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1-1是相關(guān)技術(shù)中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1-2是相關(guān)技術(shù)中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1-3是相關(guān)技術(shù)中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種彩膜基板的制造方法的流程圖；

圖3-1是本發(fā)明實施例示出的另一種彩膜基板的制造方法的流程圖；

圖3-2是圖3-1所示實施例中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-3是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-4是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-5是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-6是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-7是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-8是圖3-1所示實施例中一種膜層的形成流程圖；

圖3-9是圖3-1所示實施例中另一種膜層的形成流程圖；

圖3-10是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種彩膜基板的制造方法的流程圖，本實施例以該彩膜基板的制造方法應(yīng)用于制造彩膜基板來舉例說明。該彩膜基板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟201、在襯底基板上形成由負性光刻膠制成的黑矩陣圖形。

步驟202、在形成有黑矩陣圖形的襯底基板上形成彩色層，彩色層中包括由正性光刻膠制成的子彩色層。

正性光刻膠與負性光刻膠相反，被光照到的區(qū)域會被顯影液沖洗掉。

此外，本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法還可以包括用于形成彩膜基板的其他膜層的步驟，如形成取向?qū)拥牟襟E等，這些步驟可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法，通過正性光刻膠來形成子彩色層，使得子彩色層的形狀為倒梯形，與負性光刻膠形成的黑矩陣圖形互補，減少了黑矩陣圖形和子彩色層之間形成的角段差。解決了相關(guān)技術(shù)中為了消除角段差的影響所設(shè)置的平坦層以及取向?qū)訒馁M較多的材料的問題。達到了能夠減少平坦層以及取向?qū)拥暮馁M的材料，降低制造成本的效果。

圖3-1是本發(fā)明實施例示出的另一種彩膜基板的制造方法的流程圖，本實施例以該彩膜基板的制造方法應(yīng)用于制造彩膜基板來舉例說明。該彩膜基板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟301、在襯底基板上形成由負性光刻膠制成的遮光層。

在使用本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法時，首先可以在襯底基板上形成由負性光刻膠制成的遮光層。該遮光層可以是黑色的，厚度可以為1.2微米(μm)。

步驟302、通過第二掩模版對遮光層進行曝光。

在襯底基板上形成了遮光層之后，可以通過第二掩模版對遮光層進行曝光。第二掩模板上可以包括有透光區(qū)域和不透光區(qū)域，由于遮光層是由負性光刻膠形成的，因此第二掩模板上透光區(qū)域的形狀可以和黑矩陣圖形的形狀相同。在進行曝光時，可以控制第二掩模版與遮光層的距離使第二掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與襯底基板之間的夾角為預(yù)設(shè)角度。其中，預(yù)設(shè)角度可以滿足tanα＝D₁/L，α為預(yù)設(shè)角度，D₁為第二掩模版與遮光層的距離，L＝2毫米，由于預(yù)設(shè)角度α通常非常小，因此tanα可以近似為α，即α＝D₁/L。

如圖3-2所示，其為通過第二掩模板m2對遮光層31進行曝光的示意圖，其中，L為第二掩模版透光區(qū)域邊緣在遮光層31上的正投影與透過第二掩模版透光區(qū)域邊緣的光線在遮光層31上的照射位置之間的距離(該距離可以稱為偏轉(zhuǎn)距離，并且該距離通常為2毫米)，第二掩模版m2上透光區(qū)域邊緣透過的光線與襯底基板之間的夾角j1為預(yù)設(shè)角度α，因此，tanα＝D₁/L，由于預(yù)設(shè)角度α通常非常小，因而tanα可以近似為α。

本發(fā)明實施例可以通過這樣的方式控制后續(xù)顯影后形成的黑矩陣圖形的側(cè)面與襯底基板之間的夾角為預(yù)設(shè)角度。

步驟303、對遮光層進行顯影以形成黑矩陣圖形。

在對第二掩模板進行曝光后，可以對遮光層進行顯影以形成黑矩陣圖形。在進行顯影時，可以通過顯影液來沖洗形成有遮光層的襯底基板，由于遮光層是由負性光刻膠制成的，因而被光照過的部分不會被顯影液沖掉，會保留下來形成黑矩陣圖形。形成有黑矩陣圖形的襯底基板可以如圖3-3所示，其中，黑矩陣圖形BM的側(cè)面與襯底基板33的夾角j2為預(yù)設(shè)角度α。

在本發(fā)明實施例中，黑矩陣圖形以及彩色層的厚度可以通過涂敷的材料的厚度來控制，可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

步驟304、在形成有黑矩陣圖形的襯底基板上形成由正性光刻膠制成的第一膜層。

在襯底基板上形成了黑矩陣圖形后，可以在形成有黑矩陣圖形的襯底基板上形成由正性光刻膠制成的第一膜層。第一膜層是用于形成第一子彩色層的膜層，因而第一膜層可以是彩色的膜層。示例性的，第一膜層可以是紅色的正性光刻膠膜層。

如圖3-4所示，其為形成有第一膜層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖，第一膜層32形成于形成有黑矩陣圖形BM的襯底基板33上，在形成有黑矩陣圖形的區(qū)域，第一膜層32會有些微的凸起，此外，第一膜層32的厚度通常大于黑矩陣圖形。

步驟305、通過第一掩模版對第一膜層進行曝光。

在襯底基板上形成第一膜層之后，可以通過第一掩模版對第一膜層進行曝光。第一掩模板可以包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，由于第一膜層由正性光刻膠制成，因而第一掩模板上的不透光區(qū)域的形狀可以和第一子彩色層的形狀相同。第一掩模版的結(jié)構(gòu)可以參考相關(guān)技術(shù)，相關(guān)技術(shù)中用于形成子彩色層的掩模版也可以包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，該掩模版的透光區(qū)域的形狀可以和第一掩模版不透光區(qū)域的形狀相同，該掩模版不透光區(qū)域的形狀可以和第一掩模版透光區(qū)域的形狀相同。

如圖3-5所示，在進行曝光時控制第一掩模版m1與第一膜層32的距離D使第一掩模版m1上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與襯底基板33之間的夾角j3為預(yù)設(shè)角度，即夾角j3與黑矩陣圖形BM中任一側(cè)面與襯底基板33的夾角的大小相同。其中，預(yù)設(shè)角度滿足tanα＝D/L，α為預(yù)設(shè)角度，D為第一掩模版m1與第一膜層32的距離，L為第一掩模版透光區(qū)域邊緣在第一膜層32上的正投影與透過第一掩模版透光區(qū)域邊緣的光線在第一膜層32上的照射位置之間的距離，且L＝2毫米，由于預(yù)設(shè)角度α通常非常小，因此tanα可以近似為α，即α＝D/L。需要說明的是，雖然第一膜層32上，底部形成有BM層的區(qū)域和未形成有BM層的區(qū)域具有一定的段差，但該段差通常較小，因而可以忽略不計，第一掩模版m1與第一膜層32的距離可以是第一掩模版m1與第一膜層32上任意區(qū)域的距離。

步驟306、對第一膜層進行顯影以形成彩色層中的第一子彩色層。

在通過第一掩模版對第一膜層進行曝光后，可以對第一膜層進行顯影以形成彩色層中的第一子彩色層，如圖3-6所示，剛對第一膜層進行曝光后，第一子彩色層c1中的色阻兩端會有些凸起，由于該凸起下方?jīng)]有支撐，而且形成第一子彩色層c1的第一膜層的材料具有一定的流動性，如圖3-7所示，該凸起會落在黑矩陣圖形BM上，整個襯底基板上的各個膜層結(jié)構(gòu)較為平緩。圖3-6和圖3-7中其他標記的含義可以參考圖3-5，在此不再贅述。

需要說明的是，第一子彩色層可以是顯示面板中彩色層中的任一子彩色層。

步驟307、在形成有第一子彩色層的襯底基板上形成其他子彩色層以完成彩色層的制造。

在形成了第一子彩色層之后，可以在形成有第一子彩色層的襯底基板上形成其他子彩色層以完成彩色層的制造。其他子彩色層的形成方式可以參考本發(fā)明實施例形成第一子彩色層的方式，也可以參考相關(guān)技術(shù)中子彩色層的形成方式，本發(fā)明實施例不做出限制。即彩色層中可以包括至少一個有正性光刻膠制成的子彩色層。

步驟308、在形成有彩色層的襯底基板上形成其他膜層。

在襯底基板上完成彩色層的制造之后，可以在形成有彩色層的襯底基板上形成其他膜層。

本發(fā)明實施例在形成其他膜層時，可以有下面兩種方式：

第一種方式，如圖3-8所示：

子步驟3081、在形成有彩色層的襯底基板上依次形成公共電極層和取向?qū)印?/p>

即可以不形成平坦層，而直接在形成有彩色層的襯底基板上形成公共電極層和取向?qū)印Ｓ捎诒景l(fā)明實施例提供的方法中，形成的彩色層較為平坦，因而可以不形成平坦層，這樣能夠節(jié)省平坦層的材料，降低顯示面板的成本。此外，由于彩色層平整度較高，取向?qū)拥暮穸纫部梢孕∮谙嚓P(guān)技術(shù)中取向?qū)拥暮穸?，?jié)省取向?qū)拥牟牧?，進一步降低顯示面板的成本。

第二種方式，如圖3-9所示：

子步驟3082、在形成有彩色層的襯底基板上依次形成平坦層、公共電極層和取向?qū)?，平坦層的厚度小?.5微米。

即可以仍在形成有彩色層的襯底基板上依次形成平坦層、公共電極層和取向?qū)?，但該平坦層的厚度較低，可以小于1.5微米(相關(guān)技術(shù)中平坦層的厚度通常為1.5微米)。此外，由于彩色層平整度較高，取向?qū)拥暮穸纫部梢孕∮谙嚓P(guān)技術(shù)中取向?qū)拥暮穸?，?jié)省取向?qū)拥牟牧?，進一步降低顯示面板的成本。

如圖3-10所示，其為在形成有彩色層C的襯底基板上依次形成平坦層35、公共電極層36和取向?qū)?7后，襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，取向?qū)?7可以由聚酰亞胺(英文：Polyimide；簡稱：PI)制成。取向?qū)?7用于對液晶層配向，取向?qū)尤绻粔蚱教咕蜁斐梢壕Х肿尤∠蚧靵y，因而相關(guān)技術(shù)中在彩色層不夠平坦的情況下，會增加取向?qū)拥暮穸?。公共電極層36可以由氧化銦錫(英文：Indium tin oxide；簡稱：ITO)制成，用于和形成于陣列基板上的像素電極共同向液晶層施加電壓。圖3-10中其他標記的含義可以參考圖3-5，在此不再贅述。

需要是說明的是，在形成了取向?qū)雍?，還可以在形成有取向?qū)拥囊r底基板上形成支柱(英文：Photo Spacer；簡稱：PS)，用于支撐液晶層，使液晶層保有一定的厚度。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法，通過正性光刻膠來形成子彩色層，使得子彩色層的形狀為倒梯形，與負性光刻膠形成的黑矩陣圖形互補，減少了黑矩陣圖形和子彩色層之間形成的角段差。解決了相關(guān)技術(shù)中為了消除角段差的影響所設(shè)置的平坦層以及取向?qū)訒馁M較多的材料的問題。達到了能夠減少平坦層以及取向?qū)拥暮馁M的材料，降低制造成本的效果。

此外，本發(fā)明實施例還提供一種彩膜基板，該彩膜基板可以由圖3-1所示實施例提供的方法制造而成，如圖3-10所示，該彩膜基板包括：

襯底基板33。

襯底基板33上設(shè)置有由負性光刻膠制成的黑矩陣圖形BM。

在設(shè)置有黑矩陣圖形BM的襯底基板33上設(shè)置有彩色層C，彩色層C中包括由正性光刻膠制成的子彩色層。即彩色層C中可以包括至少一個有正性光刻膠制成的子彩色層。

可選的，彩色層C中的第一子彩色層是在設(shè)置有黑矩陣圖形的襯底基板上設(shè)置由正性光刻膠制成的第一膜層，再通過第一掩模版對第一膜層進行曝光，之后對第一膜層進行顯影以形成的，在進行曝光時控制第一掩模版與第一膜層的距離使第一掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與襯底基板之間的夾角為預(yù)設(shè)角度，黑矩陣圖形中任一側(cè)面與襯底基板的夾角為預(yù)設(shè)角度。形成方式可以參考圖3-1所示的實施例，在此不再贅述。

可選的，預(yù)設(shè)角度滿足tanα＝D/L，α為預(yù)設(shè)角度，D為第一掩模版與第一膜層的距離，L＝2毫米，由于預(yù)設(shè)角度α通常非常小，因此tanα可以近似為α，即α＝D/L。

可選的，黑矩陣圖形是在襯底基板上設(shè)置由負性光刻膠制成的遮光層后，通過第二掩模版對遮光層進行曝光，之后對遮光層進行顯影以形成的，在進行曝光時控制第二掩模版與遮光層的距離使第二掩模版上任一透光區(qū)域邊緣透過的光線與襯底基板之間的夾角為預(yù)設(shè)角度。黑矩陣圖形的形成方式可以參考圖3-1所示的實施例，再此不再贅述。

可選的，彩膜基板還包括：依次設(shè)置在設(shè)置有彩膜層的襯底基板上的公共電極層36和取向?qū)?7。

可選的，彩膜基板還包括：依次設(shè)置在設(shè)置有彩膜層的襯底基板上的平坦層35、公共電極層36和取向?qū)?7，平坦層的厚度小于1.5微米。

可選的，取向?qū)?7由聚酰亞胺制成。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的彩膜基板，通過正性光刻膠來形成子彩色層，使得子彩色層的形狀為倒梯形，與負性光刻膠形成的黑矩陣圖形互補，減少了黑矩陣圖形和子彩色層之間形成的角段差。解決了相關(guān)技術(shù)中為了消除角段差的影響所設(shè)置的平坦層以及取向?qū)訒馁M較多的材料的問題。達到了能夠減少平坦層以及取向?qū)拥暮馁M的材料，降低制造成本的效果。

此外，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，顯示面板包括圖3-10所示的彩膜基板。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。