本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于黑矩陣的組合物及其制備方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

彩膜基板和/或陣列基板上的黑矩陣在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)中起著重要的作用。黑矩陣可以提高液晶顯示器的對(duì)比度，并防止不同顏色亞像素之間相互混色，也可以被用來(lái)阻擋和吸收外界入射的光線，避免光線照射到薄膜晶體管的有源層上，從而保證薄膜晶體管優(yōu)良的關(guān)態(tài)特性，還可以遮擋陣列基板上的信號(hào)線與像素電極之間的間隙以防止漏光，避免圖像對(duì)比度的降低。

通常采用金屬鉻制備黑矩陣，但是，金屬鉻對(duì)環(huán)境污染較為嚴(yán)重，且金屬鉻的資源有限。也可采用超分散劑對(duì)碳黑進(jìn)行細(xì)化處理后獲取黑色光阻材料，以取代金屬鉻作為制備黑矩陣的材料。但是，為了適應(yīng)濾光片不斷升級(jí)的性能要求，迫切需要研究開(kāi)發(fā)出新的黑色光阻材料，并優(yōu)化黑色光阻材料的形成過(guò)程，以形成粒徑分布范圍窄、粒徑小、且穩(wěn)定性好的黑色光阻材料，從而提高濾光片的顯示品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種用于黑矩陣的組合物及其制備方法、顯示基板和顯示裝置。

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種用于黑矩陣的組合物，包括：膠粘劑、遮光材料、溶劑、第一染料和單體，其中，所述遮光材料包括遮光顆粒和依次包覆所述遮光顆粒的電性隔絕材料和基底材料；所述單體連接所述膠粘劑和所述第一染料以及所述遮光材料。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述膠粘劑的質(zhì)量百分含量為12wt％～25wt％、所述遮光材料的質(zhì)量百分含量為20wt％～45wt％、所述溶劑的質(zhì)量百分含量為10wt％～45wt％、所述第一染料的質(zhì)量百分含量為5wt％～10wt％、所述單體的質(zhì)量百分含量為5wt％～10wt％。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物還包括第二染料，其中所述第二染料溶于所述溶劑中。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述遮光顆粒包括炭黑顆粒和鈦黑顆粒中的至少一種。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述電性隔絕材料為有機(jī)電性隔絕材料，所述有機(jī)電性隔絕材料包括酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)苯醚樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂和有機(jī)氟樹(shù)脂中的至少之一。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述電性隔絕材料為無(wú)機(jī)電性隔絕材料，所述無(wú)機(jī)電性隔絕材料包括氮化鋁、氮化硅和碳化硅中的至少之一。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述膠粘劑包括丙烯酸樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂中的至少一種。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、1,2-丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇二乙醚、N-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)己酮、N,N-二甲基甲酰胺中的至少一種。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的用于黑矩陣的組合物中，所述單體包括三甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、二縮三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(HDDA)、季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二甲基磷酸疊氮化物(DPPA)和季戊四醇三丙烯三酯(PETA)中的至少一種。

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種用于黑矩陣的組合物的制備方法，包括：提供遮光顆粒；在所述遮光顆粒外依次包覆電性隔絕材料和基底材料以形成遮光材料；將所述遮光材料、膠粘劑分散在溶劑中制作成分散液；將第一染料和單體與所述分散液混合形成所述用于黑矩陣的組合物；其中，所述單體連接所述膠粘劑和所述第一染料以及所述遮光材料。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的制備方法，還包括將第二染料溶解在所述溶劑中。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的制備方法中，所述遮光顆粒包括炭黑顆粒和鈦黑顆粒中的至少一種。

在本發(fā)明的實(shí)施例提供的制備方法中，所述單體包括三甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、二縮三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(HDDA)、季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二甲基磷酸疊氮化物(DPPA)和季戊四醇三丙烯三酯(PETA)中的至少一種。

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括黑矩陣，所述黑矩陣采用上述任一的用于黑矩陣的組合物制備而成。

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一的顯示基板。

本發(fā)明實(shí)施例中的用于黑矩陣的組合物，在遮光顆粒外依次包覆電性隔絕材料和基底材料，以實(shí)現(xiàn)遮光顆粒之間更好的電性隔絕，且遮光顆粒在包覆基底材料之前粒徑較小，這樣更易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒全面的包覆；本發(fā)明實(shí)施例中的用于黑矩陣的組合物還可以包括膠粘劑、單體和第一染料，單體具有長(zhǎng)鏈，單體拉大了遮光顆粒之間的間距，進(jìn)一步地增強(qiáng)了該組合物的阻抗，單體與膠粘劑和第一染料以及遮光材料連接，對(duì)遮光材料起到了更穩(wěn)固的支撐作用，第一染料對(duì)入射光線具有折射作用，可以減小光線的透過(guò)率，從而可以提高光密度。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。

圖1為一種炭黑顆粒被包覆的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種遮光顆粒被包覆的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種用于黑矩陣的組合物中各組分的連接關(guān)系示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種用于黑矩陣的組合物；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種用于黑矩陣的組合物；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種用于黑矩陣的組合物的制備方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

1-遮光顆粒；2-電性隔絕材料；3-基底材料；4-遮光材料；5-單體；6-膠粘劑；7-第一染料；8-溶劑；9-第二染料。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類(lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

光密度(Optical Density，OD)定義為入射光和透射光的透過(guò)率之比值的常用對(duì)數(shù)值，OD＝lg(入射光/透射光)或OD＝lg(1/透光率)，表示被檢測(cè)物吸收掉的光密度，又叫吸光度。光密度是檢測(cè)用于黑矩陣的組合物的特性的重要參數(shù)之一，光密度值越大，用于黑矩陣的組合物的性能越好。

目前，用于黑矩陣的組合物的制作過(guò)程包括：將炭黑顆粒與基底材料混合，然后對(duì)炭黑顆粒與基底材料進(jìn)行研磨處理形成均勻混合的粉末，接著在包覆有基底材料的炭黑顆粒上包覆電性隔絕材料，讓炭黑顆粒相互隔離避免炭黑顆粒相互接觸發(fā)生電性連接，以提高黑矩陣材料的阻抗。

例如，圖1為一種炭黑顆粒包覆的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，炭黑顆粒1’外依次包覆有基底材料2’和電性隔絕材料3’，但是采用目前的制備方法制備的用于黑矩陣的組合物僅拉大了炭黑顆粒之間的距離，炭黑顆粒外包覆了基底材料增加了形成的復(fù)合材料的粒徑，在包覆電性隔絕材料時(shí)，會(huì)出現(xiàn)炭黑顆粒未被電性隔絕材料完全包覆的問(wèn)題，在后續(xù)該組合物的應(yīng)用過(guò)程中經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的烘烤后又會(huì)出現(xiàn)該組合物的阻抗明顯降低的問(wèn)題，除此之外，炭黑顆粒之間的間距拉大，這樣單位體積內(nèi)炭黑顆粒的含量降低，光線很容易從炭黑顆粒之間的間隙處穿透，從而導(dǎo)致形成的黑矩陣材料的光密度值明顯降低。

如上所述，炭黑顆粒外包覆了基底材料增加了粒徑，在包覆電性隔絕材料時(shí)，會(huì)出現(xiàn)炭黑顆粒未被完全包覆的問(wèn)題，該組合物在后續(xù)的應(yīng)用過(guò)程中經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的烘烤后又會(huì)出現(xiàn)該組合物的阻抗明顯降低的問(wèn)題，炭黑顆粒之間的間距拉大，這樣單位體積內(nèi)炭黑顆粒的含量降低，光線更容易從炭黑顆粒之間的間隙處穿透，從而導(dǎo)致形成的黑矩陣材料的光密度值也會(huì)明顯降低。針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種用于黑矩陣的組合物，該用于黑矩陣的組合物包括：膠粘劑、遮光材料、溶劑、第一染料和單體，該遮光材料包括遮光顆粒、依次包覆遮光顆粒的電性隔絕材料和基底材料；單體連接膠粘劑和第一染料以及遮光材料。

本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)以下方式來(lái)提高用于黑矩陣的組合物的阻抗和/或光密度值：(1)在遮光顆粒外依次包覆電性隔絕材料和基底材料，以實(shí)現(xiàn)遮光顆粒之間更好的電性隔絕，且遮光顆粒在包覆基底材料之前粒徑較小，這樣更易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒全面的包覆；(2)用于黑矩陣的組合物還包括膠粘劑、單體和第一染料，單體具有長(zhǎng)鏈，單體拉大了遮光顆粒之間的間距，進(jìn)一步地增強(qiáng)了該用于黑矩陣的組合物的阻抗，單體與膠粘劑和第一染料以及遮光材料連接，對(duì)遮光材料起到了更穩(wěn)固的支撐作用，第一染料對(duì)入射光線具有折射作用，可以減小光線的透過(guò)率，從而可以提高光密度。

下面通過(guò)幾個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種用于黑矩陣的組合物，該用于黑矩陣的組合物包括：膠粘劑、遮光材料、溶劑、第一染料和單體，遮光材料包括遮光顆粒、依次包覆遮光顆粒的電性隔絕材料和基底材料；單體連接膠粘劑和第一染料以及遮光材料。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑的質(zhì)量百分含量為12wt％～25wt％、遮光材料的質(zhì)量百分含量為20wt％～45wt％、溶劑的質(zhì)量百分含量為10wt％～45wt％、第一染料的質(zhì)量百分含量為5wt％～10wt％、單體的質(zhì)量百分含量為5wt％～10wt％。

例如，進(jìn)一步地，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑的質(zhì)量百分含量為13wt％～20wt％、遮光材料的質(zhì)量百分含量為32wt％～42wt％的、溶劑的質(zhì)量百分含量為25wt％～40wt％、第一染料的質(zhì)量百分含量為6wt％～8wt％，單體的質(zhì)量百分含量為6wt％～8wt％。

例如，進(jìn)一步地，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑的質(zhì)量百分含量為14wt％、遮光材料的質(zhì)量百分含量為34wt％的、溶劑的質(zhì)量百分含量為38wt％、第一染料的質(zhì)量百分含量為7wt％，單體的質(zhì)量百分含量為7wt％。

例如，圖2為本實(shí)施例提供的一種遮光顆粒被包覆的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，遮光顆粒1外依次包覆著電性隔絕材料2和基底材料3。在遮光顆粒1外先包覆電性隔絕材料2，可以實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料2對(duì)每個(gè)遮光顆粒1的全面包覆，這樣遮光顆粒1之間可以更好地實(shí)現(xiàn)電性隔絕，以提高用于黑矩陣的組合物的阻抗，遮光顆粒1在包覆基底材料3之前的粒徑較小，這樣更容易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒1進(jìn)行全面地包覆。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，遮光顆粒1可以為炭黑顆?；蜮伜陬w粒(主要成分為T(mén)iN_xO_y(其中，0≤x≤2，1≤y≤2，x、y為整數(shù))，例如為二者中至少一種，例如，鈦黑也稱(chēng)為低氧化鈦或氮氧化鈦。例如，遮光顆粒還可以包括其他金屬氧化物顆粒，例如氯化鐵等。

例如，炭黑顆粒和鈦黑顆粒的粒徑可以為200～500nm，例如炭黑顆粒和鈦黑顆粒的粒徑可以為200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm和500nm。

例如，相比于炭黑顆粒，鈦黑顆粒的阻抗更高，將炭黑顆粒和鈦黑顆?；旌蠎?yīng)用于黑矩陣材料中時(shí)，可以通過(guò)調(diào)節(jié)炭黑顆粒和鈦黑顆粒的質(zhì)量百分含量之比來(lái)調(diào)節(jié)黑矩陣材料的阻抗。例如，在炭黑顆粒和鈦黑顆粒形成的混合材料中，炭黑顆粒的質(zhì)量百分含量為鈦黑顆粒的質(zhì)量百分含量的5％～20％，例如，本實(shí)施例中的鈦黑顆?？梢酝ㄟ^(guò)將二氧化鈦粉末與氨氣在800～1000℃下反應(yīng)8～10h得到。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，電性隔絕材料可以為有機(jī)電性隔絕材料，例如，該有機(jī)電性隔絕材料包括酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)苯醚樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂和有機(jī)氟樹(shù)脂中的至少之一。

例如，在無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行有機(jī)物包覆時(shí)，可以使得無(wú)機(jī)粒子的表面包覆均勻、包覆效果好，且表面包覆的有機(jī)物的含量的可控性高。

例如，在本實(shí)施例中形成的結(jié)構(gòu)可以為炭黑@酚醛樹(shù)脂、炭黑@三聚氰胺樹(shù)脂、炭黑@聚酯樹(shù)脂、炭黑@環(huán)氧樹(shù)脂、炭黑@環(huán)苯醚樹(shù)脂、炭黑@有機(jī)硅樹(shù)脂、炭黑@有機(jī)氟樹(shù)脂等，或者，鈦黑@酚醛樹(shù)脂、鈦黑@三聚氰胺樹(shù)脂、鈦黑@聚酯樹(shù)脂、鈦黑@環(huán)氧樹(shù)脂、鈦黑@環(huán)苯醚樹(shù)脂、鈦黑@有機(jī)硅樹(shù)脂、鈦黑@有機(jī)氟樹(shù)脂等，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中在無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行有機(jī)物包覆不限于上述中的結(jié)構(gòu)，還可以是炭黑或者鈦黑與上述多種有機(jī)物形成的核殼結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，上述中A@B表達(dá)的意思是指A和B形成的核殼結(jié)構(gòu)，且A為形成的核，B為包覆在A外的殼結(jié)構(gòu)。下述中的相關(guān)表述也代表該含義，下面不再特別說(shuō)明。

例如，對(duì)無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行有機(jī)包覆的方法包括接枝聚合法、乳液聚合法以及乳化交聯(lián)法。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，電性隔絕材料還可以為無(wú)機(jī)電性隔絕材料，例如，該無(wú)機(jī)電性隔絕材料包括氮化鋁、氮化硅和碳化硅中的至少之一。

例如，對(duì)無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行無(wú)機(jī)包覆的方法包括種子生長(zhǎng)法和溶劑熱法，例如，采用溶劑熱法在無(wú)機(jī)粒子外包覆無(wú)機(jī)材料時(shí)可以在高壓動(dòng)態(tài)反應(yīng)釜中進(jìn)行，也可以在高壓靜態(tài)反應(yīng)釜中進(jìn)行。

例如，在本實(shí)施例中形成的無(wú)機(jī)粒子外包覆無(wú)機(jī)材料的結(jié)構(gòu)可以為炭黑@氮化鋁、炭黑@氮化硅、炭黑@碳化硅、鈦黑@氮化鋁、鈦黑@氮化硅或者鈦黑@碳化硅，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中在無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行無(wú)機(jī)物包覆不限于上述中的結(jié)構(gòu)，還可以是炭黑或者鈦黑與上述多種無(wú)機(jī)物形成的核殼結(jié)構(gòu)。

例如，將形成上述核殼結(jié)構(gòu)的遮光顆粒和電性隔絕材料溶于相應(yīng)的溶劑中，進(jìn)行超聲分散，然后將分散均勻的少量材料滴在具有碳膜的銅網(wǎng)上，自然干燥后放入透射電子顯微鏡中進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)遮光顆粒1外均勻地包覆著電性隔絕材料2。

例如，在遮光顆粒1的表面包覆電性隔絕材料2后，還需要在電性隔絕材料外包覆基底材料3，例如該基底材料3可以為丙烯酸樹(shù)脂粉末或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。將包覆有電性隔絕材料2的遮光顆粒1與丙烯酸樹(shù)脂粉末或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)混合，放入研缽中進(jìn)行研磨，形成了芝麻球狀的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，在電性隔絕材料2的表面包覆著丙烯酸樹(shù)脂或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，形成了三層結(jié)構(gòu)的材料，也即遮光材料4，很明顯，本實(shí)施例中的遮光材料為遮光顆粒、電性隔絕材料和基底材料形成的組合結(jié)構(gòu)。

例如，將形成上述三層結(jié)構(gòu)的遮光顆粒1、電性隔絕材料2和基底材料3溶于相應(yīng)的溶劑中，進(jìn)行超聲分散，然后將分散均勻的少量材料滴在具有碳膜的銅網(wǎng)上，自然干燥后放入透射電子顯微鏡中進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)遮光顆粒1外均勻地包覆著電性隔絕材料2，電性隔絕材料2外包裹著基底材料3；將分散均勻的少量材料滴在具有碳膜的銅網(wǎng)上，自然干燥后放入掃描電子顯微鏡進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)基底材料3包裹在電性隔絕材料的表面且形成芝麻球狀。

例如，將電性隔絕材料2直接包覆在遮光顆粒1上，更容易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料2對(duì)每個(gè)遮光顆粒1進(jìn)行全面的包覆；將基底材料3包覆在最外層，更易于遮光材料4與后續(xù)的單體進(jìn)行連接。

例如，遮光材料的質(zhì)量百分含量控制在20wt％～45wt％，如果遮光材料的加入量過(guò)少，則存在光密度降低的問(wèn)題；如果遮光材料的加入量過(guò)多，則膠粘劑的相對(duì)含量會(huì)過(guò)少，則可能存在粘附性差的問(wèn)題。

例如，圖3為本實(shí)施例提供的一種用于黑矩陣的組合物中各組分的連接關(guān)系示意圖，該用于黑矩陣的組合物還包括單體5、膠粘劑6、第一染料7，單體5具有長(zhǎng)鏈和支鏈，單體5連接膠粘劑6和第一染料7以及遮光材料4。單體5拉大了遮光顆粒4之間的間距，進(jìn)一步地增強(qiáng)了形成的黑矩陣材料的阻抗，單體5與膠粘劑6和第一染料7以及遮光材料4連接，對(duì)遮光材料4起到了更穩(wěn)固的支撐作用，第一染料7對(duì)入射光線具有折射作用，可以減小光線的透過(guò)率，從而可以提高光密度。

例如，圖4為本實(shí)施例提供的一種用于黑矩陣的組合物，該用于黑矩陣的組合物除包括圖3中所示的組分外，還包括溶劑8、單體5，膠粘劑6，第一染料7和遮光材料4在溶劑8中均勻分布。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑6包括丙烯酸樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂中的至少一種。

例如，選用的膠粘劑為丙烯酸樹(shù)脂，丙烯酸樹(shù)脂具有耐熱性及穩(wěn)定性優(yōu)良的特性，膠粘劑可提高該高阻抗膠的耐熱性及其儲(chǔ)藏穩(wěn)定性。膠粘劑的加入量控制在12wt％～25wt％，進(jìn)一步地，控制在13wt％～20wt％。如果膠粘劑的加入量過(guò)少，則會(huì)影響黑矩陣材料與基板的粘附性，導(dǎo)致粘附性變差；如果膠粘劑的加入量過(guò)多，又會(huì)造成光密度降低的問(wèn)題。

例如，丙烯酸樹(shù)脂是酸值為70～150mgKOH/g，分子量約為2000～100000的丙烯酸系聚合物，常用于用于黑矩陣的組合物中丙烯酸樹(shù)脂包括：二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯和具有芴環(huán)的丙烯酸酯，也可以是上述中任意的組合，例如，采用二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯和季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯中任意一種與具有芴環(huán)的丙烯酸酯進(jìn)行混合，二者的質(zhì)量百分含量之比為3:2至9:1。

例如，聚酰亞胺樹(shù)脂一般用作非感光性樹(shù)脂，聚酰亞胺樹(shù)脂通常采用芳香族系的二胺和酸二酐中的至少之一作為前驅(qū)體進(jìn)行酰亞胺化得到。

例如，為了進(jìn)一步改進(jìn)用于黑矩陣的組合物的粘性，還可以添加粘結(jié)性改良劑。例如，粘結(jié)性改良劑包括硅烷偶聯(lián)劑和鈦偶聯(lián)劑。例如，常用的粘結(jié)性改良劑包括雙-3-(氨基丙基)四甲基硅氧烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和γ-巰丙基三乙氧基硅烷。該粘結(jié)性改良劑可提高黑矩陣與基板的粘結(jié)性，其在用于黑矩陣的組合物中的質(zhì)量百分含量控制在0.02wt％～0.3wt％，例如0.15wt％。如果粘結(jié)性改良劑的含量太少，不能改善粘結(jié)效果；如果粘結(jié)性改良劑的含量過(guò)多，則會(huì)導(dǎo)致黑矩陣材料的耐熱性降低的問(wèn)題。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、1,2-丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇二乙醚、N-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)己酮、N,N-二甲基甲酰胺中的至少一種。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，單體包括三甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、二縮三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(HDDA)、季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二甲基磷酸疊氮化物(DPPA)和季戊四醇三丙烯三酯(PETA)中的至少一種。

例如，在本實(shí)施例中，第一染料包括胭脂紅、檸檬黃、日落黃和靛藍(lán)等。例如，第一染料顆粒的粒徑較大，第一染料顆粒對(duì)入射光線具有折射作用，可以減小光線的透過(guò)率，從而可以提高光密度。例如第一染料顆粒的粒徑為400～800nm，例如第一染料的粒徑可以為400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm、700nm、750nm和800nm。本實(shí)施例中的第一染料可以是單一顏色的第一染料，也可以是多種顏色的第一染料的摻混。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的第一染料不限于上述中的幾種，還可以是其他的改性后易與單體連接且對(duì)入射光線具有折射作用的染料。

例如，在本實(shí)施例中第一染料的質(zhì)量百分含量控制在5wt％～10wt％，第一染料與單體、遮光材料的含量要達(dá)到平衡。

例如，圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種用于黑矩陣的組合物，該用于黑矩陣的組合物還包括第二染料9，第二染料9可以進(jìn)一步地降低光線的透過(guò)率，從而提高光密度。第二染料9的尺寸小于第一染料的尺寸。例如第二染料的粒徑為50～200nm，例如第二染料的粒徑可以為50nm，100nm，150nm和200nm。例如，第二染料包括偶氮類(lèi)染料(例如，氨基偶氮苯)、蒽醌類(lèi)染料(例如，1-硝基蒽醌、1-氨基蒽醌、1-甲胺基-4-溴蒽醌)、酞菁類(lèi)染料(例如，銅酞菁)、多甲川染料(例如吲哚七甲川菁)和硫化染料(例如，二苯并噻吩)。

例如，第二染料易溶于本實(shí)施例中的溶劑，且第二染料通過(guò)三原色混合來(lái)阻礙光線的透過(guò)，從而減少光線的透過(guò)率，以提高光密度。

例如，為了提高第二染料顏色的均勻性，該用于黑矩陣的組合物還可以包括染料改性劑。染料改性劑包括二胺類(lèi)化合物、二元醇類(lèi)化合物、二鹵代烴類(lèi)化合物和二酰氯類(lèi)化合物。例如，二胺類(lèi)化合物包括乙二胺、丁二胺、己二胺和辛二胺；二元醇類(lèi)化合物包括乙二醇、丁二醇、己二醇和新戊二醇；二鹵代烴類(lèi)化合物包括二氯己烷、二溴己烷和二氯丁烷；二酰氯類(lèi)化合物包括對(duì)苯二甲酰氯、間苯二甲酰氯和鄰苯二甲酰氯。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種用于黑矩陣的組合物的制備方法，圖6為本實(shí)施例提供的一種用于黑矩陣的組合物的制備方法的流程圖，該制備方法包括：提供遮光顆粒；在遮光顆粒外依次包覆電性隔絕材料和基底材料以形成遮光材料；將遮光材料、膠粘劑分散在溶劑中制作成分散液；將第一染料和單體與分散液混合形成用于黑矩陣的組合物；單體連接膠粘劑和第一染料以及遮光材料。

例如，上述過(guò)程包括：將遮光材料、膠粘劑分散在溶劑中，攪拌1～3小時(shí)，制作成分散液，然后將分散液加入到研磨機(jī)中，再在轉(zhuǎn)速為5000～10000rpm/時(shí)的條件下分散30～60分鐘，然后再將第一染料和單體與分散液混合形成用于黑矩陣的組合物。該黑矩陣材料的光學(xué)密度(OD)值可達(dá)到2.5～5.5，電阻率可達(dá)4.0～6.0E+14Ω.cm?？梢杂糜谥苽湟壕э@示裝置的黑矩陣。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑的質(zhì)量百分含量為12wt％～25wt％、遮光材料的質(zhì)量百分含量為20wt％～45wt％、溶劑的質(zhì)量百分含量為10wt％～45wt％、第一染料的質(zhì)量百分含量為5wt％～10wt％、單體的質(zhì)量百分含量為5wt％～10wt％。

例如，進(jìn)一步地，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑的質(zhì)量百分含量為13wt％～20wt％、遮光材料的質(zhì)量百分含量為32wt％～42wt％的、溶劑的質(zhì)量百分含量為25wt％～40wt％、第一染料的質(zhì)量百分含量為6wt％～8wt％，單體的質(zhì)量百分含量為6wt％～8wt％。

例如，進(jìn)一步地，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑的質(zhì)量百分含量為14wt％、遮光材料的質(zhì)量百分含量為34wt％的、溶劑的質(zhì)量百分含量為38wt％、第一染料的質(zhì)量百分含量為7wt％，單體的質(zhì)量百分含量為7wt％。

例如，遮光顆粒外依次包覆著電性隔絕材料和基底材料。在遮光顆粒外先包覆電性隔絕材料，可以實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒的全面包覆，這樣遮光顆粒之間可以更好地實(shí)現(xiàn)電性隔絕，以提高黑矩陣材料的阻抗，且遮光顆粒在包覆基底材料之前的粒徑較小，這樣更易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒進(jìn)行全面的包覆。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，遮光顆粒1可以為炭黑顆?；蜮伜陬w粒(主要成分為T(mén)iN_xO_y(其中，0≤x≤2.0，1.0≤y≤2.0，x、y為整數(shù)))，例如為二者中至少一種，例如，鈦黑也稱(chēng)為低氧化鈦或氮氧化鈦。例如，遮光顆粒還可以包括金屬氧化物顆粒，例如氯化鐵等。

例如，炭黑顆粒和鈦黑顆粒的粒徑可以為200～500nm，例如炭黑顆粒和鈦黑顆粒的粒徑可以為200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm和500nm。

例如，相比于炭黑顆粒，鈦黑顆粒的阻抗更高，將炭黑顆粒和鈦黑顆?；旌蠎?yīng)用于用于黑矩陣的組合物中時(shí)，可以通過(guò)調(diào)節(jié)炭黑顆粒和鈦黑顆粒的質(zhì)量百分含量之比來(lái)調(diào)節(jié)黑矩陣材料的阻抗。例如，在炭黑顆粒和鈦黑顆粒形成的混合材料中，炭黑顆粒的質(zhì)量百分含量為鈦黑的質(zhì)量百分含量的5％～20％，例如，本實(shí)施例中的鈦黑可以通過(guò)將二氧化鈦粉末與氨氣在800～1000℃下反應(yīng)8～10h得到。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，電性隔絕材料可以為有機(jī)電性隔絕材料，例如，該有機(jī)電性隔絕材料包括酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)苯醚樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂和有機(jī)氟樹(shù)脂中的至少之一。

例如，在無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行有機(jī)物包覆時(shí)，可以使得無(wú)機(jī)粒子的表面包覆得更均勻、包覆效果更好，且表面包覆的有機(jī)物的含量的可控性高。

例如，在本實(shí)施例中形成的結(jié)構(gòu)可以為炭黑@酚醛樹(shù)脂、炭黑@三聚氰胺樹(shù)脂、炭黑@聚酯樹(shù)脂、炭黑@環(huán)氧樹(shù)脂、炭黑@環(huán)苯醚樹(shù)脂、炭黑@有機(jī)硅樹(shù)脂、炭黑@有機(jī)氟樹(shù)脂等，或者，鈦黑@酚醛樹(shù)脂、鈦黑@三聚氰胺樹(shù)脂、鈦黑@聚酯樹(shù)脂、鈦黑@環(huán)氧樹(shù)脂、鈦黑@環(huán)苯醚樹(shù)脂、鈦黑@有機(jī)硅樹(shù)脂、鈦黑@有機(jī)氟樹(shù)脂等，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中在無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行有機(jī)物包覆不限于上述中的結(jié)構(gòu)，還可以是炭黑或者鈦黑與上述多種有機(jī)物形成的核殼結(jié)構(gòu)。

例如，對(duì)無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行有機(jī)包覆的方法包括接枝聚合法、乳液聚合法以及乳化交聯(lián)法。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，電性隔絕材料可以為無(wú)機(jī)電性隔絕材料，例如，該無(wú)機(jī)電性隔絕材料包括氮化鋁、氮化硅和碳化硅中的至少之一。

例如，對(duì)無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行無(wú)機(jī)包覆的方法包括種子生長(zhǎng)法和溶劑熱法，例如，采用溶劑熱法制備無(wú)機(jī)粒子外包覆無(wú)機(jī)材料時(shí)可以在高壓動(dòng)態(tài)反應(yīng)釜中進(jìn)行，也可以在高壓靜態(tài)反應(yīng)釜中進(jìn)行。

例如，在本實(shí)施例中形成的無(wú)機(jī)粒子外包覆無(wú)機(jī)材料的結(jié)構(gòu)可以為炭黑@氮化鋁、炭黑@氮化硅、炭黑@碳化硅、鈦黑@氮化鋁、鈦黑@氮化硅或者鈦黑@碳化硅，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中在無(wú)機(jī)粒子表面進(jìn)行無(wú)機(jī)物包覆不限于上述中的結(jié)構(gòu)，還可以是炭黑或者鈦黑與上述多種無(wú)機(jī)物形成的核殼結(jié)構(gòu)。

例如，將上述核殼結(jié)構(gòu)的遮光顆粒和電性隔絕材料溶于相應(yīng)的溶劑中，對(duì)上述溶液進(jìn)行超聲分散，然后將分散均勻的少量材料滴在具有碳膜的銅網(wǎng)上，自然干燥后放入透射電子顯微鏡中進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)遮光顆粒外均勻地包覆著電性隔絕材料。

例如，在遮光顆粒的表面包覆電性隔絕材料后，還需要在電性隔絕材料外包覆基底材料，例如該基底材料可以為丙烯酸樹(shù)脂粉末或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。將包覆有電性隔絕材料的遮光顆粒與丙烯酸樹(shù)脂粉末或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)混合，放入研缽中進(jìn)行研磨，形成了芝麻球狀的結(jié)構(gòu)。例如，在電性隔絕材料的表面包覆著丙烯酸樹(shù)脂或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，形成了三層結(jié)構(gòu)的材料，也即遮光材料，很明顯，本實(shí)施例中的遮光材料為遮光顆粒、電性隔絕材料和基底材料形成的組合結(jié)構(gòu)。

例如，將上述三層結(jié)構(gòu)的遮光顆粒、電性隔絕材料和基底材料溶于相應(yīng)的溶劑中，進(jìn)行超聲分散，然后將分散均勻的少量材料滴在具有碳膜的銅網(wǎng)上，自然干燥后放入透射電子顯微鏡中進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)遮光顆粒外均勻地包覆著電性隔絕材料，電性隔絕材料外包裹著基底材料；將分散均勻的少量材料滴在具有碳膜的銅網(wǎng)上，自然干燥后放入掃描電子顯微鏡進(jìn)行檢觀察，發(fā)現(xiàn)基底材料包裹在電性隔絕材料的表面且形成芝麻球狀。

例如，將電性隔絕材料直接包覆在遮光顆粒上，更易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒全面的包覆；將基底材料包覆在最外層，更易于遮光材料與單體的連接。

例如，遮光材料的質(zhì)量百分含量控制在20wt％～45wt％，如果遮光材料的加入量過(guò)少，則存在光密度降低的問(wèn)題；如果遮光材料的加入量過(guò)多，則膠粘劑的相對(duì)含量會(huì)過(guò)少，則可能存在粘附性差的問(wèn)題。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，膠粘劑包括丙烯酸樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂中的至少一種。

例如，選用的膠粘劑為丙烯酸樹(shù)脂，丙烯酸樹(shù)脂具有耐熱性及穩(wěn)定性優(yōu)良的特性，膠粘劑可提高該高阻抗膠的耐熱性及其儲(chǔ)藏穩(wěn)定性。膠粘劑的加入量控制在12wt％～25wt％，進(jìn)一步地，控制在13wt％～20wt％。如果膠粘劑的加入量過(guò)少，則會(huì)影響黑矩陣材料與基板的粘附性，導(dǎo)致粘附性變差；如果膠粘劑的加入量過(guò)多，又會(huì)造成光密度降低的問(wèn)題。

例如，丙烯酸樹(shù)脂是酸值為70～150mgKOH/g，分子量約為2000～100000的丙烯酸系聚合物，常用于黑矩陣的組合物中丙烯酸樹(shù)脂包括：二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯和具有芴環(huán)的丙烯酸酯，也可以是上述中任意的組合，例如，采用二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯和季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯中任意一種與具有芴環(huán)的丙烯酸酯進(jìn)行混合，二者的質(zhì)量百分含量之比為3:2至9:1。

例如，聚酰亞胺樹(shù)脂一般用作非感光性樹(shù)脂，聚酰亞胺樹(shù)脂通常采用芳香族系的二胺和酸二酐中的至少之一作為前驅(qū)體進(jìn)行酰亞胺化得到。

例如，為了進(jìn)一步改進(jìn)用于黑矩陣的組合物的粘性，還可以添加粘結(jié)性改良劑。例如，粘結(jié)性改良劑包括硅烷偶聯(lián)劑和鈦偶聯(lián)劑。例如，常用的粘結(jié)性改良劑包括雙-3-(氨基丙基)四甲基硅氧烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和γ-巰丙基三乙氧基硅烷。該粘結(jié)性改良劑可提高黑矩陣與基板的粘結(jié)性，其在用于黑矩陣的組合物中的質(zhì)量百分含量控制在0.02wt％～0.3wt％，例如0.15wt％。如果粘結(jié)性改良劑的含量太少，不能改善粘結(jié)效果；如果粘結(jié)性改良劑的含量過(guò)多，則會(huì)導(dǎo)致黑矩陣材料的耐熱性降低的問(wèn)題。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，溶劑包括丙二醇甲醚丙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、1,2-丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇二乙醚、N-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)己酮、N,N-二甲基甲酰胺中的至少一種。

例如，在該用于黑矩陣的組合物中，單體包括三甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、二縮三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(HDDA)、季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二甲基磷酸疊氮化物(DPPA)和季戊四醇三丙烯三酯(PETA)中的至少一種。單體具有長(zhǎng)鏈和支鏈，單體連接膠粘劑和第一染料以及遮光材料。

例如，在本實(shí)施例中，第一染料包括胭脂紅、檸檬黃、日落黃和靛藍(lán)等。例如，第一染料顆粒的粒徑較大，第一染料顆粒對(duì)入射光線具有折射作用，可以減小光線的透過(guò)率，從而可以提高光密度。例如第一染料顆粒的粒徑為400～800nm，例如第一染料的粒徑可以為400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm、700nm、750nm和800nm。本實(shí)施例中的第一染料可以是單一顏色的第一染料，也可以是多種顏色第一染料的摻混。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的第一染料不限于上述中的幾種，還可以是其他的改性后易與單體連接且對(duì)入射光線具有折射作用的材料。

例如，在本實(shí)施例中第一染料的質(zhì)量百分含量控制在5wt％～10wt％，第一染料與單體、遮光材料的含量要達(dá)到平衡。

例如，該用于黑矩陣的組合物還可以包括中添加第二染料，第二染料可以進(jìn)一步地降低光線的透過(guò)率，從而提高光密度。第二染料的尺寸小于第一染料的尺寸。例如第二染料的粒徑為50～200nm，例如第二染料的粒徑可以為50nm、100nm、150nm和200nm。例如，第二染料包括偶氮類(lèi)染料(例如，氨基偶氮苯)、蒽醌類(lèi)染料(例如，1-硝基蒽醌、1-氨基蒽醌、1-甲胺基-4-溴蒽醌)、酞菁類(lèi)染料(例如，銅酞菁)、多甲川染料(例如吲哚七甲川菁)和硫化染料(例如，二苯并噻吩)。

例如，為了提高第二染料顏色的均勻性，還可以在該用于黑矩陣的組合物中加入染料改性劑。染料改性劑包括二胺類(lèi)化合物、二元醇類(lèi)化合物、二鹵代烴類(lèi)化合物和二酰氯類(lèi)化合物。例如，二胺類(lèi)化合物包括乙二胺、丁二胺、己二胺和辛二胺；二元醇類(lèi)化合物包括乙二醇、丁二醇、己二醇和新戊二醇；二鹵代烴類(lèi)化合物包括二氯己烷、二溴己烷和二氯丁烷；二酰氯類(lèi)化合物包括對(duì)苯二甲酰氯、間苯二甲酰氯和鄰苯二甲酰氯。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供一種顯示基板，包括黑矩陣，黑矩陣采用實(shí)施例一中任一用于黑矩陣的組合物制備而成。例如，本實(shí)施例中的顯示基板還包括襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的彩色濾光片、配向膜、光學(xué)膜片和驅(qū)動(dòng)電路。

例如，該顯示面板為液晶顯示面板，該顯示面板包括陣列基板和對(duì)置基板，二者彼此對(duì)置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對(duì)置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個(gè)像素單元的像素電極用于施加電場(chǎng)對(duì)液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例三中的顯示基板。例如，該顯示裝置可以為液晶顯示器以及包括該顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、手表、平板電腦、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于黑矩陣的組合物及其制備方法、顯示基板和顯示裝置具有以下至少一項(xiàng)有益效果：

(1)在遮光顆粒外依次包覆電性隔絕材料和基底材料，以實(shí)現(xiàn)遮光顆粒之間更好的電性隔絕，且遮光顆粒在包覆基底材料之前粒徑較小，這樣更容易實(shí)現(xiàn)電性隔絕材料對(duì)每個(gè)遮光顆粒全面的包覆；

(2)用于黑矩陣的組合物還包括膠粘劑、單體和第一染料，單體具有長(zhǎng)鏈，單體拉大了遮光顆粒之間的間距，進(jìn)一步地增強(qiáng)了用于黑矩陣的組合物的阻抗，單體與膠粘劑和第一染料以及遮光材料連接，對(duì)遮光材料起到了更穩(wěn)固的支撐作用，第一染料對(duì)入射光線具有折射作用，可以減小光線的透過(guò)率，從而可以提高光密度。

有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明：

(1)本發(fā)明實(shí)施例附圖只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類(lèi)的元件被稱(chēng)作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。