技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
干涉濾波器包括層堆疊，該層堆疊包括至少無定形氫化硅的層和一種或多種介電材料的層的多個(gè)層，該一種或多種介電材料的折射率在1.9至2.7的范圍內(nèi)并且例如為Si3N4、SiOxNy、Ta2O5、Nb2O5或TiO2。設(shè)計(jì)干涉濾波器以具有在750nm至1000nm的范圍內(nèi)的通頻帶中心波長(zhǎng)。與使用SiO2作為低折射率層的類似干涉濾波器相比，折射率在1.9至2.7的范圍內(nèi)的介電材料的層提供更小的角度偏移。

技術(shù)研發(fā)人員：羅伯特·斯普拉格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美題隆公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.22
技術(shù)公布日：2017.09.26