本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板和陣列基板。

背景技術(shù)：

在面板制作過(guò)程中，有機(jī)絕緣膜挖槽的設(shè)計(jì)可以有效的隔絕水汽進(jìn)入面板內(nèi)部，提升面板結(jié)構(gòu)間的相互作用力，同時(shí)提升ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)相關(guān)性能。在單層有機(jī)絕緣膜中，挖槽的結(jié)構(gòu)可以有多種，根據(jù)挖槽的深度，可以分為全挖槽和半挖槽。其中，全挖槽對(duì)應(yīng)位置的有機(jī)絕緣膜被挖穿，半挖槽對(duì)應(yīng)位置的有機(jī)絕緣膜只是厚度變薄，但是并未挖穿。

有機(jī)絕緣膜的挖槽通過(guò)光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)，更具體的，同一層內(nèi)主要通過(guò)Halftone(半色調(diào))實(shí)現(xiàn)不同厚度。Halftone成本較高的同時(shí)，在大多數(shù)情況下只能實(shí)現(xiàn)兩種不同的設(shè)計(jì)厚度，并且實(shí)際生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品中同一設(shè)計(jì)厚度的有機(jī)絕緣膜厚度不均勻。進(jìn)一步的，在此基礎(chǔ)上制作出來(lái)的產(chǎn)品可能存在顯示亮度不均勻、PI膜(polyimide film，聚酰亞胺薄膜)厚度不勻、擠壓漏光等缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供了一種掩膜板和陣列基板，解決了現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)絕緣膜生產(chǎn)過(guò)程中挖槽成本較高和產(chǎn)品厚度不均勻的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一方面采用一種掩膜板，包括襯底，所述襯底上設(shè)置有開(kāi)口區(qū)域和遮擋區(qū)域，所述開(kāi)口區(qū)域由多個(gè)基礎(chǔ)圖形組合而成；

所述開(kāi)口區(qū)域與所述遮擋區(qū)域的面積比為α，1/3≤α<1。

另一方面提供一種陣列基板，所述陣列基板的有機(jī)絕緣膜由前文所述的掩膜板制成。

本實(shí)用新型的有益效果為：掩膜板包括襯底，在襯底上設(shè)置有開(kāi)口區(qū)域和遮擋區(qū)域，開(kāi)口區(qū)域由多個(gè)基礎(chǔ)圖形組合而成，開(kāi)口區(qū)域與遮擋區(qū)域的面積比為α，其中1/3≤α<1。該方案中，在有機(jī)絕緣膜的生產(chǎn)過(guò)程中，遮擋區(qū)域的遮擋作用能夠減弱參與光刻的光強(qiáng)，而光線透過(guò)開(kāi)口區(qū)域后的衍射又能使得正對(duì)遮擋區(qū)域的有機(jī)膜層被光照射到，通過(guò)調(diào)整開(kāi)口區(qū)域的面積調(diào)整透過(guò)掩膜板的光強(qiáng)，控制光強(qiáng)打散并減弱后的強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)光刻過(guò)程中對(duì)有機(jī)絕緣膜的挖槽的深度的控制，能夠有效降低掩膜板的成本，并獲得更加平整的挖槽表面。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的內(nèi)容和這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第一結(jié)構(gòu)圖。

圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的光強(qiáng)變化示意圖。

圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第二結(jié)構(gòu)圖。

圖4是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第三結(jié)構(gòu)圖。

圖5是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第四結(jié)構(gòu)圖。

圖6A是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第五結(jié)構(gòu)圖。

圖6B是第一種圓形相切時(shí)的狀態(tài)示意圖。

圖6C是第二種圓形相切時(shí)的狀態(tài)示意圖。

圖7是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第六結(jié)構(gòu)圖。

圖8是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第七結(jié)構(gòu)圖。

圖9是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第八結(jié)構(gòu)圖。

圖10是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第九結(jié)構(gòu)圖。

圖11是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第十結(jié)構(gòu)圖。

圖12是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第十一結(jié)構(gòu)圖。

圖13是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種由掩膜板生產(chǎn)的有機(jī)絕緣膜的俯視圖。

圖14是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種由掩膜板生產(chǎn)的有機(jī)絕緣膜的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖1至圖14，圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第一結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的光強(qiáng)變化示意圖；圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第二結(jié)構(gòu)圖；圖4是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第三結(jié)構(gòu)圖；圖5是本 實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第四結(jié)構(gòu)圖；圖6A是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第五結(jié)構(gòu)圖；圖6B是圖6A中開(kāi)口區(qū)域的第一種可選結(jié)構(gòu)圖；圖6C是圖6A中開(kāi)口區(qū)域的第二種可選結(jié)構(gòu)圖；圖7是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第六結(jié)構(gòu)圖；圖8是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第七結(jié)構(gòu)圖；圖9是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第八結(jié)構(gòu)圖；圖10是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第九結(jié)構(gòu)圖；圖11是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第十結(jié)構(gòu)圖；圖12是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種掩膜板的第十一結(jié)構(gòu)圖；圖13是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種由掩膜板生產(chǎn)的有機(jī)絕緣膜的俯視圖；圖14是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的一種由掩膜板生產(chǎn)的有機(jī)絕緣膜的側(cè)視圖。如圖1所示，該掩膜板1，包括：

襯底，所述襯底上設(shè)置有開(kāi)口區(qū)域和遮擋區(qū)域，所述開(kāi)口區(qū)域由多個(gè)基礎(chǔ)圖形101組合而成；

所述開(kāi)口區(qū)域與所述遮擋區(qū)域的面積比為α，1/3≤α<1。

本方案中的掩膜板用于進(jìn)行光刻得到帶有設(shè)計(jì)的挖槽的有機(jī)絕緣膜。光刻技術(shù)是電子設(shè)備制造過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)電子性能的提高起著至關(guān)重要的作用。例如在集成電路制造之前，集成電路的結(jié)構(gòu)會(huì)事先通過(guò)掩膜板制造設(shè)備復(fù)制到如采用石英玻璃制成的掩膜板(mask)上。在集成電路制造過(guò)程中，需要將掩膜板上的集成電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到所生產(chǎn)的集成電路所在的襯底上，比如在襯底上涂覆光刻膠，通過(guò)光刻機(jī)產(chǎn)生特定波長(zhǎng)的光，將掩膜板上的集成電路結(jié)構(gòu)圖案復(fù)制到光刻膠上(光刻膠的圖形化)，再以光刻膠為掩膜對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕(例如干法蝕刻)等后續(xù)工藝制成集成電路。在本方案中，掩膜板上并不會(huì)出現(xiàn)具體的電路，而是出現(xiàn)有機(jī)絕緣膜的挖槽分布，有機(jī)絕緣膜最初是厚度均勻的有機(jī) 膜層，有機(jī)膜層本身就可以實(shí)現(xiàn)光刻，形成不同的深度的挖槽后即得到有機(jī)膜層，相比于集成電路的制作過(guò)程，本方案中的掩膜板在制作有機(jī)絕緣膜時(shí)沒(méi)有蝕刻的步驟。

不同深度的挖槽通過(guò)開(kāi)口區(qū)域和遮擋區(qū)域的面積比調(diào)節(jié)。開(kāi)口區(qū)域的面積比越大，透光越多，光強(qiáng)越大，在相同時(shí)間內(nèi)對(duì)有機(jī)膜層的光刻深度越深，挖槽的深度也越深，如果光刻的時(shí)間足夠長(zhǎng)，有機(jī)膜層上將會(huì)形成全挖槽。本方案中所說(shuō)的基礎(chǔ)圖形是微米級(jí)的微觀結(jié)構(gòu)，在對(duì)有機(jī)膜層進(jìn)行光刻的過(guò)程中，光線能穿過(guò)基礎(chǔ)圖形并發(fā)生衍射，有機(jī)膜層上正對(duì)遮擋區(qū)域的地方能被衍射的光照到進(jìn)行光刻。

具體如圖2所示，光線在穿過(guò)遮光物體01上的狹縫02時(shí)，會(huì)發(fā)生彎散傳播，使得正對(duì)遮光物體01的區(qū)域也能被光照射到，相對(duì)于光線過(guò)寬縫03的光強(qiáng)不變，正對(duì)狹縫02的位置的光強(qiáng)會(huì)變?nèi)酢Ｒ驗(yàn)槎鄠€(gè)基礎(chǔ)圖形的存在，有機(jī)膜層上正對(duì)遮擋區(qū)域的地方能被多個(gè)基礎(chǔ)圖形衍射后的光線照射到，同時(shí)由于多束光線之間的干涉，能夠在開(kāi)口區(qū)域的分布方式相同的區(qū)域形成均勻的光照強(qiáng)度，從而在有機(jī)膜層形成厚度均勻的挖槽。

本方案中開(kāi)口區(qū)域的面積小于遮擋區(qū)域的面積，即開(kāi)口區(qū)域的面積小于整個(gè)區(qū)域的面積的一半，更具體而言，是不超過(guò)基礎(chǔ)圖形101的分布方式相同的分區(qū)的面積的一半，如果開(kāi)口區(qū)域的面積過(guò)大，則光照的強(qiáng)度過(guò)大，對(duì)光刻時(shí)間把握的精確度下降。同時(shí)，開(kāi)口區(qū)域的面積不低于遮擋區(qū)域的面積的1/3，由于光線穿過(guò)基礎(chǔ)圖形101衍射后的光強(qiáng)并不是均勻分布，整體分布趨勢(shì)是靠近基礎(chǔ)圖形的中心的光強(qiáng)較強(qiáng)，遠(yuǎn)離基礎(chǔ)圖形101的中心的光強(qiáng)較弱，如果開(kāi)口區(qū)域的面積過(guò)小，那么光線穿過(guò)掩膜板后的光線分布相對(duì)不太均勻，可能會(huì)造成同一挖槽內(nèi)的厚度不均勻?？蛇x的，對(duì)于開(kāi)口區(qū)域與遮擋區(qū)域的面積比α，其 取值范圍為2/5≤α<1，開(kāi)口區(qū)域相對(duì)于遮擋區(qū)域2/5的面積比和開(kāi)口區(qū)域相對(duì)于遮擋區(qū)域1/3的面積比相比，能夠獲得較大的透光面積，對(duì)應(yīng)也能在可操作的范圍內(nèi)獲得更快的光刻速度。而且相對(duì)于Halftone實(shí)現(xiàn)的挖槽，本方案能夠有效降低有機(jī)絕緣膜的光刻成本，具備明顯的成本優(yōu)勢(shì)。

需要說(shuō)明的是，圖1僅是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中提供的掩膜板第一種結(jié)構(gòu)圖，不表示掩膜板的唯一實(shí)現(xiàn)方式。在掩膜板上具體實(shí)現(xiàn)開(kāi)口區(qū)域時(shí)，基礎(chǔ)圖形有多種選擇方式，例如三角形、圓形、正方形、正六邊形和六角星形中的一種或幾種，其它例如矩形、菱形等也可以實(shí)現(xiàn)。為保證獲得均勻的光強(qiáng)，開(kāi)口區(qū)域中的基礎(chǔ)圖形均勻分布。一般而言，基礎(chǔ)圖形的組合方式包括：相鄰的兩個(gè)所述基礎(chǔ)圖形的外輪廓至少有一個(gè)交點(diǎn)和沒(méi)有交點(diǎn)，具體而言，基礎(chǔ)圖形與其它基礎(chǔ)圖形相連或每個(gè)基礎(chǔ)圖形之間離散分布。接下來(lái)結(jié)合掩膜板的具體結(jié)構(gòu)圖對(duì)各種基礎(chǔ)圖形的分布方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，各個(gè)掩膜板中空白區(qū)域表示開(kāi)口區(qū)域，黑色填充區(qū)域表示遮擋區(qū)域。

例如圖1，掩膜板1中開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形101為正方形，這種基礎(chǔ)圖形101排布最簡(jiǎn)單的方式是如圖1所示的網(wǎng)格排布，基礎(chǔ)圖形101是正方形，遮擋區(qū)域也由正方形組成，開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形101和遮擋區(qū)域的正方形在網(wǎng)格中交錯(cuò)分布，每個(gè)基礎(chǔ)圖形101的頂點(diǎn)分別和另外四個(gè)基礎(chǔ)圖形101的頂點(diǎn)重合為交點(diǎn)。在圖1所示的基礎(chǔ)上，基礎(chǔ)圖形101也可以做進(jìn)一步變化，例如將每個(gè)基礎(chǔ)圖形101旋轉(zhuǎn)相同角度，正方形的頂點(diǎn)與其它正方形的邊上的某一點(diǎn)(不包括頂點(diǎn))重合，實(shí)現(xiàn)僅有一個(gè)交點(diǎn)的相交。

如圖3所示，是另一種基于圖1生成的掩膜板1的結(jié)構(gòu)，掩膜板1中也可以將基礎(chǔ)圖形102之間的間距放大，進(jìn)而縮小開(kāi)口區(qū)域的面積比，減小光刻時(shí)的光強(qiáng)度。基礎(chǔ)圖形102之間的具體間距根據(jù)有機(jī)絕緣層的挖槽深度要求進(jìn)行 設(shè)置，盡量保證光刻的順利執(zhí)行和光刻后挖槽的深度均勻。在圖3中，假設(shè)基礎(chǔ)圖形102的邊長(zhǎng)為4，水平方向上相鄰的兩個(gè)基礎(chǔ)圖形102的距離為6，那么圖3所示的掩膜板1可以視為多個(gè)結(jié)構(gòu)單元10的組合，對(duì)于單個(gè)組合單元10而言，其中屬于開(kāi)口區(qū)域的面積為4×4×2＝32，屬于遮擋區(qū)域的面積為10×10-32＝68，這種分布方式中開(kāi)口區(qū)域與遮擋區(qū)域的面積比8/17。關(guān)于開(kāi)口區(qū)域與遮擋區(qū)域的面積比需要說(shuō)明的是，前文對(duì)α的限定是對(duì)應(yīng)掩膜板1無(wú)限延伸時(shí)開(kāi)口區(qū)域與遮擋區(qū)域的面積比的限定，在實(shí)際的產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中，掩膜板1的尺寸是一定的，在這種情況下，邊緣位置的基礎(chǔ)圖形102的具體形狀將會(huì)對(duì)具體的面積比有所影響，但是這種影響是可以忽略不計(jì)的。

例如圖4，掩膜板1中開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形103為三角形，三角形排布的規(guī)律(不包括掩膜板1邊緣位置的基礎(chǔ)圖形，后續(xù)不再重復(fù)說(shuō)明)是三角形呈陣列分布，并且每個(gè)三角形和陣列中相鄰的三角形均有一個(gè)交點(diǎn)，根據(jù)三角形的排列的角度不同，交點(diǎn)可以是頂點(diǎn)和頂點(diǎn)，也可以是頂點(diǎn)和邊上的某一點(diǎn)。在此基礎(chǔ)上可以做進(jìn)一步的變化，例如將每一行的基礎(chǔ)圖形做水平移動(dòng)，使得三個(gè)三角形對(duì)應(yīng)不同的頂點(diǎn)位于同一個(gè)交點(diǎn)。

如圖5所示，是另一種基于圖4生成的掩膜板1的結(jié)構(gòu)，掩膜板1中將基礎(chǔ)圖形104之間的間距放大，進(jìn)而縮小開(kāi)口區(qū)域的面積比，減小光刻時(shí)的光強(qiáng)度?；A(chǔ)圖形104之間的具體間距根據(jù)有機(jī)絕緣層的挖槽深度要求進(jìn)行設(shè)置，盡量保證光刻的順利執(zhí)行和光刻后挖槽的深度均勻。

例如圖6A，掩膜板1中開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形105為圓形，基于這一基礎(chǔ)圖形105實(shí)現(xiàn)的掩膜板1需要注意其中基礎(chǔ)圖形105的分布距離。多個(gè)圓形相切的方式有兩種，一種是如圖6B所示的圓形呈陣列分布，這種情況下每個(gè)圓形最 多與行列上相鄰的共四個(gè)圓形相切；另一種是如圖6C所示的圓形呈蜂窩分布，這種情況下每個(gè)圓形最多與周?chē)?個(gè)圓形相切。圖6B和圖6C所示的分布方式中，如果將圓形作為開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形105，開(kāi)口區(qū)域與遮擋區(qū)域的面積比大于1，此時(shí)，可以考慮將多個(gè)圓形相切圍成的中間區(qū)域作為基礎(chǔ)圖形105，例如圖6B中四個(gè)圓形中間的區(qū)域。

如圖7所示，是另一種基于圖6A生成的掩膜板1的結(jié)構(gòu)，掩膜板1中也可以將基礎(chǔ)圖形106之間的間距放大，進(jìn)而縮小開(kāi)口區(qū)域的面積比，減小光刻時(shí)的光強(qiáng)度?；A(chǔ)圖形106之間的具體間距根據(jù)有機(jī)絕緣層的挖槽深度要求進(jìn)行設(shè)置，盡量保證光刻的順利執(zhí)行和光刻后挖槽的深度均勻。

例如圖8，掩膜板1中開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形107為正六邊形，每個(gè)正六邊形中三個(gè)互不相鄰的頂點(diǎn)分別和另外一個(gè)正六邊形的一個(gè)頂點(diǎn)重合。在圖8所示的掩膜板1中，多個(gè)基礎(chǔ)圖形107之間的遮擋區(qū)域?yàn)榱切?，六角星和基礎(chǔ)圖形107之間存在相互咬合的邊界區(qū)域，在光刻時(shí)，能夠形成更加均勻的光強(qiáng)，進(jìn)而形成均勻的挖槽深度。

如圖9所示，是另一種基于圖8生成的掩膜板1的結(jié)構(gòu)，掩膜板1中也可以將基礎(chǔ)圖形108之間，也就是正六邊形之間的間距放大，進(jìn)而縮小開(kāi)口區(qū)域的面積比，減小光刻時(shí)的光強(qiáng)度。

例如圖10，掩膜板1中開(kāi)口區(qū)域的基礎(chǔ)圖形109為六角星，每個(gè)六角星的六個(gè)頂點(diǎn)分別與另外一個(gè)六角星的一個(gè)頂點(diǎn)重合，光線穿過(guò)基礎(chǔ)圖形109時(shí)發(fā)生衍射，遮擋區(qū)域可以視為多個(gè)正六邊形的組合。光線穿過(guò)基礎(chǔ)圖形109后發(fā)生衍射時(shí)，正對(duì)正六邊形的位置可以接收到多個(gè)基礎(chǔ)圖形109的角上產(chǎn)生的衍射光，用于光刻的光強(qiáng)的均勻度良好，最終形成深度均勻的挖槽。

如圖11所示，是另一種基于圖10生成的掩膜板1的結(jié)構(gòu)，掩膜板1中也可 以將基礎(chǔ)圖形110之間，也就是六角星之間的間距放大，進(jìn)而縮小開(kāi)口區(qū)域的面積比，減小光刻時(shí)的光強(qiáng)度，用于光刻生成深度較淺的半挖槽。

對(duì)于上述各種基礎(chǔ)圖形，其外接圓的直徑為1～2μm，當(dāng)然對(duì)于基礎(chǔ)圖形為圓形的掩膜板，外接圓實(shí)質(zhì)就是基礎(chǔ)圖形的直徑。在這一尺寸下，掩膜板的加工和光強(qiáng)度的控制能取得較佳的平衡。

針對(duì)有機(jī)絕緣膜中的多種挖槽深度，如圖12所示，所述掩膜板1包括多個(gè)分區(qū)，每個(gè)所述分區(qū)的開(kāi)口區(qū)域占對(duì)應(yīng)分區(qū)的開(kāi)口占有率不同，具體而言，基礎(chǔ)圖形111的分布密度不同。開(kāi)口占有率表示單一分區(qū)內(nèi)開(kāi)口區(qū)域占該分區(qū)的面積比，開(kāi)口區(qū)域的面積越大，開(kāi)口占有率越高。在同一分區(qū)內(nèi)為保證挖槽的厚度均勻，單個(gè)所述分區(qū)內(nèi)的基礎(chǔ)圖形的組合方式相同。同時(shí)，針對(duì)有機(jī)絕緣膜的挖槽分布，所述多個(gè)分區(qū)分布成一列，其中的一端為第一端，靠近所述第一端的分區(qū)的開(kāi)口占有率小于遠(yuǎn)離所述第一端的分區(qū)的開(kāi)口占有率。在圖12中，假設(shè)左邊為第一端，右邊為第二端，從圖12可以看出，分區(qū)a的開(kāi)口占有率最大，分區(qū)b的開(kāi)口占有率次之，分區(qū)c的開(kāi)口占有率最小。實(shí)際上，不同分區(qū)的基礎(chǔ)圖形111也可以采用不同的形狀，例如分區(qū)a中基礎(chǔ)圖形111為三角形，分區(qū)b中基礎(chǔ)圖形111為圓形，分區(qū)c中基礎(chǔ)圖形111為六角星形等。

在掩膜板的制作過(guò)程中，遮擋區(qū)域只需要附著于襯底上遮擋光線即可，在本方案中，所述遮擋區(qū)域的厚度為1150±200埃，遮擋區(qū)域和開(kāi)口區(qū)域具體可以通過(guò)電子束光刻實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中還提供了一種陣列基板，所述陣列基板的有機(jī)絕緣膜由前述實(shí)施例中所述的掩膜板制成。

前述實(shí)施例中的掩膜板制成的有機(jī)絕緣膜20如圖13和圖14所示，具有良好的平坦性，具備良好的半挖槽效果，其實(shí)現(xiàn)了在總膜厚1.5μm的有機(jī)膜層上， 挖槽剩余膜厚在0.5-2.0μm范圍內(nèi)的調(diào)節(jié)?；谠撚袡C(jī)絕緣膜20實(shí)現(xiàn)的陣列基板，以及進(jìn)一步制作出的電子產(chǎn)品，可以避免顯示亮度不均勻、PI膜厚度不勻、擠壓漏光等缺陷的出現(xiàn)。

以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?zhuān)绢I(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。