本實(shí)用新型涉及一種光通信設(shè)備中使用的光纖陣列。

背景技術(shù)：

在具有多根光纖以及將這些多根光纖平行配置并保持的保持部的光纖陣列上，在設(shè)置空間上存在受到限制的情況下，采用將光纖或光波導(dǎo)(為方便說明，以下稱作“光纖”)的端面研磨成45°，使光發(fā)生反射，進(jìn)而來測(cè)量反射光的方式。在這種方式中，如圖6所示，使用光纖121上面配置的光傳感器PD來檢測(cè)研磨角度A’被研磨成45゜的光纖102的端面121上反射的反射光R，從而測(cè)量光能量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型所要解決的課題

在采用這種方式的光纖陣列中，入射到光纖102的端面121的入射光I的光能量P0與端面121上反射的反射光R的光能量P1之間的光能量損失IL＝-10log(P1/P0)[dB]越小越好。然而，在以往的結(jié)構(gòu)中，存在由于端面121上反射的反射光的一部分返回到光源，或由于產(chǎn)生透射光T等原因，IL偏大的問題?？梢?，在使用反射光R測(cè)量光能量的情況下，反射部分，即端面121上不產(chǎn)生光損失對(duì)于測(cè)量正確的光能量來說是非常重要的。

用于解決課題的技術(shù)方案

為解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種光纖陣列，該光纖陣列具備多根光纖以及將這些多根光纖平行配置并保持的保持部，其特征在于，每根所述光纖具有：光反射面，其端面的切割角度大于45°且為50°以下；以及光出射面，其配置在該光纖的側(cè)方，并出射所述光反射面上反射的光，并且，多根所述光纖的所述光反射面配置在同一平面上。

優(yōu)選地，所述光纖的端面的切割角度為46°以上49°以下。

優(yōu)選地，所述保持部具備與所述光纖的光反射面配置在同一平面上的端面。

優(yōu)選地，所述保持部的端面與所述光纖的光反射面沒有間隙地連續(xù)形成。

另外，所述光纖為階躍型多模光纖、漸變型多模光纖、通用單模光纖、色散位移單模光纖或非零色散位移單模光纖，且該光纖的光纖芯的波長(zhǎng)1.3μm時(shí)的折射率為1.44以上1.47以下，或者光纖芯的波長(zhǎng)1.5μm時(shí)的折射率為1.44以上1.46以下。

實(shí)用新型效果

本實(shí)用新型中通過將切割角度設(shè)定為大于45°且50°以下，在抑制光纖的光反射面上光能量損失的同時(shí)，能夠防止光纖端面的破損，能夠提高制造時(shí)的成品率，還能夠防止光纖陣列設(shè)置時(shí)光纖的破損。

另外，由于通過將多根光纖的光反射面配置在同一平面上，能夠使各光纖的光出射面的位置對(duì)齊，因此能夠利用光傳感器有效地捕捉出射光，使得由光傳感器檢測(cè)到的光能量比較穩(wěn)定。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施方式中的光纖陣列的俯視圖。

圖2是圖1所示光纖陣列的側(cè)視圖。

圖3是圖1所示光纖陣列的光纖的側(cè)視圖。

圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中光纖陣列的側(cè)視圖。

圖5是表示本實(shí)用新型實(shí)施例中的光纖陣列的光能量損失與切割角度的關(guān)系的圖。

圖6是現(xiàn)有技術(shù)中光纖陣列的光纖的側(cè)視圖。

符號(hào)說明

1、10 光纖陣列

2 光纖

3、13 保持部

7 光纖芯

8 包層

21 光反射面

22 光出射面

31、131 保持部的端面

I 入射光

R 反射光

T 透射光

A 切割角度

具體實(shí)施方式

以下，基于附圖對(duì)本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。光纖陣列1具備4根光纖2以及將這4根光纖2平行配置并保持的保持部3。

每根光纖2具備：光反射面21，其端面的切割角度A為大于45°且50°以下；以及光出射面22，其配置在該光纖2的側(cè)方，并出射光反射面21上反射的光R。并且，多根光纖2的光反射面21配置在同一平面上(圖2、圖3中，包括由L3表示的線的平面)。

另外，關(guān)于切割角度，在現(xiàn)有光纖中，通常切割角度為45°，但在本實(shí)用新型中，切割角度A(圖2、圖3中L1與L3的夾角)比45°(圖3中L1與L2的夾角)大α(圖3中L2與L3的夾角)的角度。由此，通過使切割角度A大于45°，能夠使入射到光反射面21的入射光I的光能量P0與光反射面21上反射的反射光R的光能量P1之間的光能量損失IL＝-10log(P1/P0)[dB]減小。為了防止光反射面21上反射的反射光的一部分返回到光源，雖然也可以考慮使切割角度A小于45°，但通過如本實(shí)用新型這樣使切割角度A大于45°，可以確認(rèn)到能夠更加有效地使IL減小。另一方面，若α過大，則會(huì)發(fā)生光纖2，尤其是光纖的2的頂端部2a容易破損等問題，因此使α過度增大是不優(yōu)選的。在本實(shí)用新型中，可以確認(rèn)在確保防止反射面21上光損失的效果的同時(shí)，為了防止光纖的端面的破損只要使切割角度A為50°以下即可。

如上所述，在本實(shí)用新型中，通過使切割角度A大于45°且50°以下，在抑制光能量損失的同時(shí)，能夠防止光纖端面的破損，因此能夠提高制造時(shí)的成品率，并且還能夠防止光纖陣列設(shè)置時(shí)的光纖的破損。

在此，切割角度A優(yōu)選為46°以上。通過使切割角度A為46°以上，能夠減小IL的偏差。另外，為了防止光纖2端面的破損，優(yōu)選切割角度A為49°以下。

此外，對(duì)切割方法沒有特別限定，通過研磨加工或激光加工等公知的方法，可形成具有規(guī)定的切割角度A的光反射面21。

另外，作為光纖2，能夠使用具備光纖芯7以及包圍其周圍的包層8的公知的光纖，例如，可以是階躍型多模光纖、漸變型多模光纖、通用單模光纖、色散位移單模光纖、非零色散位移單模光纖中的任意一種。

另外，如圖3所示，在光纖陣列1，優(yōu)選保持部3具有與光纖的光反射面21配置在同一平面上(圖2、圖3中，包括由L3表示的線的平面)的端面31。若設(shè)為保持部3具有與光纖2的光反射面21配置在同一平面上的端面31的構(gòu)成，則在將多根光纖2保持在保持部3的狀態(tài)下，由于能夠?qū)⑦@些光纖2同時(shí)切割(研磨)，因此能夠使每根光纖與光反射面21的切割角度對(duì)齊，從而提高了光反射面21的加工精度。另外，也能夠簡(jiǎn)化制造工序。

此外，在本實(shí)施方式中，示出了作為光纖陣列1的具備4芯的光纖2的例子，但光纖2只要是多根即可，例如，可以是12芯。

圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中光纖陣列的側(cè)視圖。光纖陣列10在保持部13的端面131與光纖2的光反射面21沒有間隙地連續(xù)形成方面與第一實(shí)施方式不同，其他構(gòu)成與第一實(shí)施方式相同。即，光纖陣列10在不具有圖2中由n表示的區(qū)域(由光纖2的下端23、保持部3的垂直的端面32以及L3圍成的間隙)方面與第一實(shí)施方式不同。

由此，若保持部13的端面131與光纖2的光反射面21沒有間隙地連續(xù)形成，則提高了加工性，另外，還能夠防止制造時(shí)的光纖2端面的破損。

(實(shí)施例)

接著對(duì)本實(shí)用新型的更具體的實(shí)施例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，作為光纖2，光纖芯徑為30μm，光纖芯的波長(zhǎng)1.3μm時(shí)的折射率為1.461(在石英玻璃種摻雜1摩爾％的GeO₂)，使用光纖芯對(duì)包層的比折射率差Δ為1％的階躍型多模光纖，改變切割角度A測(cè)量了光能量損失的量。

在圖5中示出上述測(cè)量結(jié)果。在該圖中，橫軸表示光纖2的切割角度A，縱軸表示光能量損失的量。如該圖所示，若切割角度超過45°，則雖然IL逐漸減小，但在研磨角度為45°附近時(shí)，IL的偏差較大。若將切割角度A設(shè)為46°以上，則IL的偏差減小。

此外，無論是階躍型多模光纖、漸變型多模光纖、通用單模光纖、色散位移單模光纖、非零色散位移單模光纖中的任意一種，只要光纖的光纖芯的波長(zhǎng)1.3μm時(shí)的折射率為1.44以上1.47以下，或者光纖芯的波長(zhǎng)1.5μm時(shí)的折射率為1.44以上1.46以下，就可以確認(rèn)到同樣的趨勢(shì)。