1.一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，包含有：上擴(kuò)散膜(15)、下擴(kuò)散膜(16)，其特征在于，所述上擴(kuò)散膜(15)上面設(shè)有高硬度層(40)，所述上擴(kuò)散膜(15)下面設(shè)有上增亮膜(20)，所述上增亮膜(20)包含從下往上依次設(shè)置有A基材(21)、抗電磁結(jié)構(gòu)層(23)和A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)，所述下擴(kuò)散膜(16)上面設(shè)有下增亮膜(30)，所述下增亮膜(30)包含從下往上依次設(shè)置有B基材(31)、B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)；所述上增亮膜(20)設(shè)置在下增亮膜(30)上面；
所述A基材(21)包含第一光學(xué)面和第二光學(xué)面，所述抗電磁結(jié)構(gòu)層(23)與A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)設(shè)置在A基材(21)的同一光學(xué)面，所述抗電磁結(jié)構(gòu)層(23)設(shè)置在A基材(21)的第一光學(xué)面上，所述抗電磁結(jié)構(gòu)層(23)上面設(shè)置有A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)；
所述B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)設(shè)置在B基材(31)上面；所述A基材(21)設(shè)置在B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)上面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，其特征在于，所述高硬度層(40)是二氧化硅膜、二氧化鋯膜或三氧化二鋁膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，其特征在于，所述A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)由若干平行的丙烯酸類樹脂A棱錐單體(25)組成，所述A棱錐單體(25)平行分布設(shè)置在A基材(21)上；若干A棱錐單體(25)平行分布設(shè)置組成A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)；
所述B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)由若干平行的丙烯酸類樹脂B棱錐單體(35)組成，所述B棱錐單體(35)平行分布設(shè)置在B基材(31)上；若干B棱錐單體(35)平行分布設(shè)置組成B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)；所述A棱錐單體(25)與B棱錐單體(35)長(zhǎng)度方向相互垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，其特征在于，所述A基材(21)、B基材(31)厚度d0為30～150μm，所述A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)、B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)厚度d2為12～25μm，所述抗電磁結(jié)構(gòu)層(23)厚度d1為2～8μm，所述高硬度層(40)厚度為9～25μm；
所述A基材(21)、B基材(31)材料為聚酯薄膜、聚碳酸酯薄膜或聚甲基丙烯酸甲酯膜，所述A基材(21)、B基材(31)材料透光率在90％以上，霧度小于1％。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，其特征在于，所述A棱錐單體(25)、B棱錐單體(35)的底面呈正多邊形，所述A棱錐單體(25)、B棱錐單體(35)截面為一等腰三角形，所述A棱錐單體(25)、B棱錐單體(35)的頂角為一尖角，等腰三角形頂角角度α為85～95°；所述A棱錐單體(25)、B棱錐單體(35)的等腰三角形底邊邊長(zhǎng)d3為24～50μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，其特征在于，所述A棱錐結(jié)構(gòu)層(22)、B棱錐結(jié)構(gòu)層(32)為丙烯酸UV固化樹脂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高硬度電磁屏蔽增亮膜，其特征在于，所述A棱錐單體(25)的頂部為一圓頂，A棱錐單體(25)頂部的圓頂半徑大小為3～8μm，A棱錐單體(25)圓頂之間的間距d4為12～35μm。