本發(fā)明涉及液晶制造領(lǐng)域，特別涉及一種平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了曲面屏幕，而出于曲面設(shè)計(jì)的考慮，通常采用bps(blackphotospacer)設(shè)計(jì)來省去黑矩陣(blackmatrix，簡稱bm)制程。這是因?yàn)閎ps既能起到ps(photospacer，間隙控制)的支撐作用，又能在邊框(frame)區(qū)遮光，即ps與黑矩陣集成于一道制程。同時(shí)，由于bps設(shè)計(jì)在陣列(array)基板，制作在下基板上，即可避免上下基板錯(cuò)位導(dǎo)致的光學(xué)特性不良。然而，bps無法與uv2a技術(shù)兼容，原因?qū)⒂谙挛倪M(jìn)行簡要的闡述。

uv2a技術(shù)為液晶垂直配向的一種方法，紫外光(uv)通過掩膜版(mask)，對像素(pixel)中不同區(qū)域進(jìn)行照光，pi發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，在液晶滴入后，可對液晶形成一定角度的配向。對比psva配向方法，uv2a具有液晶效率優(yōu)于psva、液晶成本較低等優(yōu)點(diǎn)。

如圖1a和圖1b所示，在uv2a制程中，需使用掩膜版1，因?qū)ο袼刂胁煌瑓^(qū)域曝光，為保證精確性，曝光平移過程中，掩膜版1需與面板2設(shè)計(jì)中特定的圖形做對位及追蹤。在一般的基板中，cf側(cè)有黑矩陣3或rgb色組，掩膜版1可與黑矩陣圖形3或rgb圖形對位及追蹤。

如圖2a和圖2b所示，當(dāng)使用bps技術(shù)時(shí)，cf側(cè)無ps、黑矩陣，只有一層ito透明電極，因此，無任何圖形供uv2a追蹤曝光，故bps+uv2a技術(shù)無法兼容，也就無法兼具bps和uv2a的優(yōu)點(diǎn)。

鑒于此，本發(fā)明的發(fā)明人提供一種能夠使bps+uv2a進(jìn)行兼容的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，從而獲得更加理想的液晶顯示穿透率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其能夠使bps+uv2a進(jìn)行兼容，從而獲得更加理想的液晶顯示穿透率。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其包括以下步驟：

(1)基于bps工藝制程制作出基板，所述基板包括陣列基板和cf基板，其中，陣列基板一側(cè)設(shè)置有間隔物和黑矩陣，所述cf基板一側(cè)設(shè)置有全膜面的透明導(dǎo)電極；

(2)利用激光在cf基板的指定位置處刻上標(biāo)記，使cf基板在uv2a曝光機(jī)臺上與所述標(biāo)記對位；

(3)利用激光在所述透明導(dǎo)電極上刻出追蹤線，所述追蹤線與陣列基板一側(cè)的柵極線或數(shù)據(jù)線的遮光區(qū)對齊；

(4)對基板進(jìn)行曝光，掩膜版對所述追蹤線進(jìn)行追蹤。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，在步驟(2)中，所述追蹤線為直線。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，在步驟(2)中，所述追蹤線為分段的線段。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，在步驟(3)中，當(dāng)對cf側(cè)曝光掃描與數(shù)據(jù)線平行時(shí)，則成盒后追蹤線刻在對應(yīng)數(shù)據(jù)線的區(qū)域上；當(dāng)對cf側(cè)曝光掃描的方向與柵極線平行時(shí)，則成盒后追蹤線刻在對應(yīng)柵極線的區(qū)域上。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，在步驟(4)中，當(dāng)完成第一象限的曝光后，將掩膜版平移半顆像素的距離，開始第二次曝光此，以完成cf基板兩個(gè)象限的曝光。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，所述追蹤線的寬度為10～150um。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，所述追蹤線的長度貫穿整個(gè)基板。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，所述追蹤線的的數(shù)量為1～20條。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，所述追蹤線位于像素開口區(qū)外。

所述的平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其中，所述追蹤線為ito追蹤線或izo追蹤線。

本發(fā)明的有益效果是：其利用激光圖形化的方法，克服了技術(shù)偏見而能夠使bps+uv2a兼容使用，并提供理想的穿透率，尤其為曲面液晶顯示屏提供了十分理想的技術(shù)支持。

附圖說明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中的uv2a制程的俯視圖；

圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中的uv2a制程的側(cè)視圖；

圖2a為現(xiàn)有技術(shù)中的采用bps技術(shù)時(shí)的uv2a制程的俯視圖；

圖2b為現(xiàn)有技術(shù)中的采用bps技術(shù)時(shí)的uv2a制程的側(cè)視圖；

圖3a為根據(jù)本發(fā)明的利用激光在ito上刻線的初始狀態(tài)的俯視圖；

圖3b為根據(jù)本發(fā)明的利用激光在ito上刻線的過程中的俯視圖；

圖4a為對cf側(cè)曝光掃描的方向與數(shù)據(jù)線平行的示意圖；

圖4b顯示了ito與ito追蹤線的示意圖；

圖4c為ito追蹤線與數(shù)據(jù)線對齊的示意圖；

圖5a為對cf側(cè)曝光掃描的方向與柵極線平行的示意圖；

圖5b顯示了ito與ito追蹤線的示意圖；

圖5c為ito追蹤線與柵極線對齊的示意圖；

圖6a為曝光過程中，掩膜版對激光所刻出的ito追蹤線進(jìn)行追蹤的示意圖；

圖6b為曝光過程中，掩膜版對激光所刻出的ito追蹤線進(jìn)行追蹤的另一示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

本發(fā)明一種平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，其主要包括以下步驟：

(1)基于bps工藝制程制作出基板，所述基板的ps和黑矩陣均設(shè)置在陣列基板(array)一側(cè)，而cf(colorfilter)基板一側(cè)設(shè)置有全膜面的透明導(dǎo)電極(ito或izo)7；需要說明的是，在cf基板一側(cè)設(shè)置有全膜面的透明導(dǎo)電極(ito或izo)是bps工藝制程的技術(shù)特點(diǎn)。

(2)利用激光在cf基板的指定位置處刻上標(biāo)記，除了在顯示區(qū)內(nèi)做追蹤線標(biāo)記，該標(biāo)記也可位于基板的四周位置，使cf基板在uv2a曝光機(jī)臺上與所述標(biāo)記對位，完成精準(zhǔn)位置的配向，進(jìn)行后續(xù)的成盒(cell)制程；需要說明的是，通過設(shè)置標(biāo)記能夠使cf基板與陣列基板精確對位，提高產(chǎn)品良率。

(3)如圖3a和圖3b所示，利用激光按照設(shè)定位置在ito上通過蝕刻刻出直線，所述直線(即ito追蹤線4)需要與陣列基板一側(cè)的柵極線6或數(shù)據(jù)線5的遮光區(qū)對齊；

此處需要說明的是，當(dāng)對cf側(cè)曝光掃描與數(shù)據(jù)線5平行時(shí)，則成盒后ito追蹤線4刻在數(shù)據(jù)線區(qū)域上(如圖4a至圖4c所示)；當(dāng)對cf側(cè)曝光掃描的方向與柵極線6平行時(shí)，則成盒后ito追蹤線4刻在柵極線區(qū)域上(如圖5a至圖5c所示)。在生產(chǎn)過程中需嚴(yán)格遵守該條件進(jìn)行操作。

優(yōu)選地，為保證cf基板上的透明導(dǎo)電極(ito或izo)的全面導(dǎo)通性，激光應(yīng)在透明導(dǎo)電極(例如ito)上刻出分段的線段。需要說明的是，所形成的ito追蹤線4為直線或線段時(shí)，其所完成的象限(domain)曝光精度是不同的，具體可根據(jù)產(chǎn)品需求進(jìn)行選擇。為了獲得最優(yōu)的cf基板上的透明導(dǎo)電極(ito或izo)的全面導(dǎo)通性，ito追蹤線4的每段線段的長度大于等于相鄰線段之間的間隙。

此外需要說明的是，當(dāng)ito追蹤線或izo追蹤線為直線時(shí)，其曝光精度雖不及分段的線段，然而直線的ito追蹤線或izo追蹤線所完成的象限曝光精度仍能夠滿足一般需求。

優(yōu)選地，呈現(xiàn)出直線或線段形態(tài)的ito追蹤線的寬度為10～150um，并且其長度貫穿整個(gè)基板，此外ito追蹤線的數(shù)量優(yōu)選為1～20條，但追蹤線的數(shù)據(jù)不以此為限。

優(yōu)選地，所述ito追蹤線的位置在成盒后會(huì)與陣列基板一側(cè)的柵極線6或數(shù)據(jù)線5對齊，并位于像素(pixel)開口區(qū)外，需要說明的是，ito追蹤線位于像素開口區(qū)外不影響成像效果。

(4)如圖6a和圖6b所示，曝光過程中，掩膜版1對激光所刻出的ito追蹤線進(jìn)行追蹤，當(dāng)完成第一象限(domain)的曝光后，將掩膜版1平移半顆像素(pixel)的距離，開始第二次曝光，由此，可完成cf基板兩個(gè)象限的曝光。

具體地，所述掩膜版1移動(dòng)的距離為(2n+1)*0.5p，其中，p為一顆像素的距離，n為0、1、2,……。即，只要掩膜版1平移(2n+1)倍的半顆像素的距離，并開始第二次曝光，即可完成cf基板兩個(gè)象限的曝光。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種平曲面共用改善液晶顯示穿透率的方法，利用激光圖形化的方法，克服了技術(shù)偏見而能夠使bps+uv2a兼容使用，并提供理想的穿透率，尤其為曲面液晶顯示屏提供了十分理想的技術(shù)支持。

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個(gè)實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。