本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示面板的顯示效果不斷地得到改善，從而使液晶顯示面板的應(yīng)用越來越廣泛。

液晶顯示面板的顯示區(qū)由多個(gè)像素單元構(gòu)成，每一像素單元具有像素電極、連接該像素電極的薄膜晶體管和公共電極，像素電極和公共電極構(gòu)成像素存儲(chǔ)電容器的兩個(gè)電極，存儲(chǔ)電容器所能存儲(chǔ)的電量和其兩電極的面積成正比，且與其兩電極之間的距離成反比。

然而，由于對(duì)顯示面板分辨率的要求日益增高，造成像素單元尺寸逐漸減小，為了不影響開口率，存儲(chǔ)電容器的面積勢(shì)必將被壓縮，造成存儲(chǔ)電容的下降，從而影響顯示面板的顯示質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示裝置。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板第一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管，還包括：設(shè)置于所述襯底基板第一側(cè)的透明導(dǎo)電層、像素電極層和公共電極層；所述透明導(dǎo)電層、所述像素電極層和所述公共電極層相互絕緣，所述透明導(dǎo)電層位于所述像素電極層靠近所述襯底基板側(cè)，所述公共電極層位于所述像素電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板側(cè)；所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述像素電極層中的像素電極與所述漏極電連接；在垂直于所述陣列基板的方向上，所述透明導(dǎo)電層和所述像素電極層至少部分地交疊；在顯示階段，所述透明導(dǎo)電層接收固定電壓信號(hào)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述第一方面所提供的陣列基板，以及與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)向基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述第二方面所提供的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板在像素電極層遠(yuǎn)離公共電極層的一側(cè)增加了透明導(dǎo)電層，在垂直于陣列基板的方向上，該透明導(dǎo)電層和像素電極至少部分地交疊，且在顯示階段，該透明導(dǎo)電層接收固定電壓信號(hào)，相當(dāng)于像素電極與該透明導(dǎo)電層也形成一電容器，從而能夠有效地增加像素存儲(chǔ)電容，提升顯示質(zhì)量。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中一種像素單元的俯視示意圖；

圖3是圖2中沿AA’的一種剖面示意圖；

圖4是圖2中沿AA’的另一種剖面示意圖；

圖5是圖2中沿AA’的又一種剖面示意圖；

圖6是圖2中沿AA’的再一種剖面示意圖；

圖7是圖2中沿AA’的另一種剖面示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中另一種像素單元的俯視示意圖；

圖9是圖8中沿BB’的一種剖面示意圖；

圖10是圖2中公共電極復(fù)用為觸控電極的一種剖面示意圖；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透明導(dǎo)電層與接地點(diǎn)的連接結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透明導(dǎo)電層與接地點(diǎn)的連接結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的一種像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的一種觸控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的另一種觸控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板第一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管，還包括：設(shè)置于所述襯底基板第一側(cè)的透明導(dǎo)電層、像素電極層和公共電極層；所述透明導(dǎo)電層、所述像素電極層和所述公共電極層相互絕緣，所述透明導(dǎo)電層位于所述像素電極層靠近所述襯底基板側(cè)，所述公共電極層位于所述像素電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板側(cè)；所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述像素電極層中的像素電極與所述漏極電連接；在垂直于所述陣列基板的方向上，所述透明導(dǎo)電層和所述像素電極層至少部分地交疊；在顯示階段，所述透明導(dǎo)電層接收固定電壓信號(hào)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板在像素電極層遠(yuǎn)離公共電極層的一側(cè)增加了透明導(dǎo)電層，在垂直于陣列基板的方向上，該透明導(dǎo)電層和像素電極至少部分地交疊，且在顯示階段，該透明導(dǎo)電層接收固定電壓信號(hào)，相當(dāng)于像素電極與該透明導(dǎo)電層也形成一電容器，從而能夠有效地增加像素存儲(chǔ)電容，提升顯示質(zhì)量。

參考圖1和圖2，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖，圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中一種像素單元的俯視示意圖，該陣列基板包括襯底基板(圖2未示出)，位于襯底基板第一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管131，還包括：設(shè)置于襯底基板第一側(cè)的透明導(dǎo)電層140、像素電極層150和公共電極層160；透明導(dǎo)電層140、像素電極層150和公共電極層160相互絕緣。具體參考圖3，圖3是圖2中沿AA’的一種剖面示意圖，結(jié)合圖1-圖3，透明導(dǎo)電層140位于像素電極層150靠近襯底基板100側(cè)，公共電極層160位于像素電極層150遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)；薄膜晶體管131包括柵極1311、源極1313和漏極1314，像素電極層150中的像素電極151與漏極1314電連接；在垂直于陣列基板的方向上，透明導(dǎo)電層140和像素電極151至少部分地交疊；在顯示階段，透明導(dǎo)電層140接收固定電壓信號(hào)。

具體的，結(jié)合圖1-圖3，陣列基板還包括多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120。多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120絕緣交叉限定像素單元130陣列。每一條掃描線110與同一行薄膜晶體管131的柵極1311連接，每一條數(shù)據(jù)線120與同一列薄膜晶體管131的源極1313連接。通過在掃描線110上施加掃描信號(hào)，使與同一條掃描線110連接的薄膜晶體管131導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線120上施加的數(shù)據(jù)信號(hào)通過導(dǎo)通的薄膜晶體管131對(duì)像素電極151進(jìn)行充電，從而在像素電極151與公共電極層160之間形成電場(chǎng)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)每一個(gè)像素單元的顯示；同時(shí)，像素電極151與公共電極層160的重疊部分形成像素存儲(chǔ)電容。

需要說明的是，本實(shí)施例中，薄膜晶體管131還包括有源層1312，本實(shí)施例以頂柵結(jié)構(gòu)為例，即柵極1311位于有源層1312遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)，陣列基板還包括實(shí)現(xiàn)顯示所需要的其他結(jié)構(gòu)，如位于有源層1312靠近襯底基板100側(cè)的遮光層170，各層結(jié)構(gòu)之間的絕緣層101、102、103、104等，對(duì)此不再贅述。

本實(shí)施例中，在像素電極層150遠(yuǎn)離公共電極層160的一側(cè)增加了透明導(dǎo)電層140，在垂直于陣列基板的方向上，該透明導(dǎo)電層140和像素電極151至少部分地交疊，且在顯示階段，該透明導(dǎo)電層140接收固定電壓信號(hào)，相當(dāng)于像素電極151與該透明導(dǎo)電層140也形成一電容器，從而能夠有效地增加像素存儲(chǔ)電容。并且，透明導(dǎo)電層140和公共電極層160分別位于像素電極層150相對(duì)的兩側(cè)，均與像素電極151有較大的有效正對(duì)面積，能夠更有效地增加像素存儲(chǔ)電容。具體的，在每一次對(duì)像素電極151充電完成后，薄膜晶體管131關(guān)閉，像素電極151與公共電極層160之間的像素存儲(chǔ)電容會(huì)逐漸減小，若像素存儲(chǔ)電容較小，則不能使像素單元上顯示的畫面保持到下一次畫面更新，進(jìn)而導(dǎo)致顯示畫面出現(xiàn)閃爍。本實(shí)施例的方案增大了像素單元的存儲(chǔ)電容，使得每一個(gè)像素單元上顯示的畫面能夠保持到下一次畫面更新，尤其可以改善高PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素?cái)?shù)目)屏幕的閃爍，提高了畫面顯示質(zhì)量。

繼續(xù)參考圖3，本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層140與柵極1311同層設(shè)置，可以在同一道工藝中制作透明導(dǎo)電層140與柵極1311，節(jié)約成本，且不額外增加陣列基板的厚度。

需要說明的是，圖2所示的像素單元的俯視示意圖中，僅示意性地示出了部分膜層結(jié)構(gòu)，如掃描線110、數(shù)據(jù)線120、薄膜晶體管131、透明導(dǎo)電層140、像素電極層150和公共電極層160等，且并不限定像素電極層150中像素電極151與薄膜晶體管131的漏極的連接方式。

請(qǐng)參考圖4，圖4是圖2中沿AA’的另一種剖面示意圖。與圖3示出的陣列基板中像素單元的剖面示意圖的相同之處此處不再贅述，不同之處在于，本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層140與有源層1312同層設(shè)置。此外，在其他可選的實(shí)施方式中，透明導(dǎo)電層140還可以與遮光層170同層設(shè)置，如圖5所示，是圖2中沿AA’的又一種剖面示意圖。這兩種實(shí)施方式均可以節(jié)約成本，且不額外增加陣列基板的厚度。

上述圖3-圖5示出的各實(shí)施例中，像素電極151與漏極1314直接層疊電連接，在本發(fā)明其他可選的實(shí)施例中，像素電極還可以通過過孔與漏極電連接，即像素電極與漏極不在同層。如圖6所示，是圖2中沿AA’的再一種剖面示意圖，以透明導(dǎo)電層140與柵極1311同層設(shè)置為例，與圖3示出的陣列基板中像素單元的剖面示意圖的不同之處在于，像素電極151還可以通過第二過孔182與漏極1314電連接，像素電極151與漏極1314之間存在絕緣層105，同樣可以增加像素存儲(chǔ)電容，提升顯示質(zhì)量。

請(qǐng)參考圖7，圖7是圖2中沿AA’的另一種剖面示意圖。該陣列基板包括襯底基板100，位于襯底基板100第一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管131，還包括：設(shè)置于襯底基板100第一側(cè)的透明導(dǎo)電層140、像素電極層150和公共電極層160；透明導(dǎo)電層140、像素電極層150和公共電極層160相互絕緣，透明導(dǎo)電層140位于像素電極層150靠近襯底基板100側(cè)，公共電極層160位于像素電極層150遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)；薄膜晶體管131包括柵極1311、源極1313和漏極1314，像素電極層150中的像素電極151與漏極1314電連接；在垂直于陣列基板的方向上，透明導(dǎo)電層140和像素電極151至少部分地交疊；在顯示階段，透明導(dǎo)電層140接收固定電壓信號(hào)。本實(shí)施例中，像素電極層150位于薄膜晶體管131遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)，像素電極151通過第二過孔182與漏極1314電連接，透明導(dǎo)電層140位于薄膜晶體管131遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)。像素電極層150和透明導(dǎo)電層140之間存在絕緣層106。將透明導(dǎo)電層140設(shè)置于薄膜晶體管131遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)，更便于調(diào)整像素電極層150和透明導(dǎo)電層140之間絕緣層106的厚度，且可以將透明導(dǎo)電層140設(shè)置為覆蓋薄膜晶體管131所在區(qū)域，能夠更有效地增加像素存儲(chǔ)電容。

可選的，結(jié)合圖1，本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層140覆蓋陣列基板的顯示區(qū)200除第二過孔182所在的區(qū)域，以更有效地增加存儲(chǔ)電容。

上述圖3、圖6和圖7示出的陣列基板中像素單元的剖面示意圖中，均以頂柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述，在本發(fā)明其他可選的實(shí)施方式中，也可以是底柵結(jié)構(gòu)，即柵極位于有源層靠近襯底基板側(cè)。以圖8和圖9為例，圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中另一種像素單元的俯視示意圖，為底柵結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖9是圖8中沿BB’的一種剖面示意圖，與圖7示出的陣列基板中像素單元的剖面示意圖的不同之處在于，本實(shí)施例中，薄膜晶體管131為底柵結(jié)構(gòu)，柵極1311位于有源層1312靠近襯底基板100側(cè)。對(duì)于底柵結(jié)構(gòu)，不需要設(shè)置遮光層。

在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上，公共電極層可選的包括多個(gè)相互獨(dú)立的公共電極，公共電極在觸控階段復(fù)用為觸控電極，每個(gè)觸控電極連接至少一條觸控電極走線。以圖10為例，是圖2中公共電極復(fù)用為觸控電極的一種剖面示意圖，與圖7示出的陣列基板中像素單元的剖面示意圖的不同之處在于，本實(shí)施例中，公共電極層160包括多個(gè)相互獨(dú)立的公共電極161，公共電極161在觸控階段復(fù)用為觸控電極，每個(gè)觸控電極連接至少一條觸控電極走線190。

可選的，本實(shí)施例中，觸控電極走線190與像素電極層150同層設(shè)置，觸控電極通過第三過孔183與觸控電極走線190電連接。將觸控電極走線190與像素電極層150同層設(shè)置，可以在同一道工藝中制作觸控電極走線190與像素電極層150，節(jié)約成本，且不額外增加陣列基板的厚度。

此外，本實(shí)施例中，若像素電極層150和透明導(dǎo)電層140均位于薄膜晶體管131遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)，即圖10所示的結(jié)構(gòu)，則透明導(dǎo)電層140還可以起屏蔽作用，屏蔽薄膜晶體管131以及其他器件產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)觸控電極的干擾。特別是當(dāng)觸摸摁壓力較大而導(dǎo)致陣列基板形變較大時(shí)，承載陣列基板的金屬框相當(dāng)于接地端，會(huì)與觸控電極之間會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)形成電容，透明導(dǎo)電層140可對(duì)此起到有效的屏蔽作用，防止觸摸摁壓力較大導(dǎo)致的觸控亂報(bào)點(diǎn)問題，提升觸控精度。

上述圖2-圖9所示的各實(shí)施例中，若公共電極不復(fù)用為觸控電極，可選的，公共電極層通過第一過孔與透明導(dǎo)電層電連接，即在顯示時(shí)，透明導(dǎo)電層接收的固定電壓信號(hào)為公共電壓信號(hào)，如圖11所示，是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透明導(dǎo)電層與公共電極層的連接結(jié)構(gòu)示意圖，圖中僅示出了透明導(dǎo)電層140、像素電極層150和公共電極層160三個(gè)膜層結(jié)構(gòu)，公共電極層160通過第一過孔181與透明導(dǎo)電層140電連接。需要說明的是，公共電極層160可以在顯示區(qū)通過第一過孔181與透明導(dǎo)電層140電連接，也可以在顯示區(qū)之外的區(qū)域通過第一過孔181與透明導(dǎo)電層140電連接，且可以設(shè)置多個(gè)第一過孔181，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。此外，在本發(fā)明其他可選的實(shí)施方式中，公共電極層也可以不通過第一過孔與透明導(dǎo)電層電連接，而通過分別向公共電極層和透明導(dǎo)電層施加公共電壓信號(hào)，以使透明導(dǎo)電層接收的固定電壓信號(hào)為公共電壓信號(hào)。

上述圖2-圖10所示的各實(shí)施例中，可選的，透明導(dǎo)電層接收的固定電壓信號(hào)為接地信號(hào)。具體的，陣列基板包括顯示區(qū)和位于顯示區(qū)一側(cè)的臺(tái)階區(qū)，臺(tái)階區(qū)設(shè)置有接地點(diǎn)，透明導(dǎo)電層與接地點(diǎn)電連接以接收接地信號(hào)。具體如圖12所示，是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透明導(dǎo)電層與接地點(diǎn)的連接結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板包括顯示區(qū)200和位于顯示區(qū)200一側(cè)的臺(tái)階區(qū)300，臺(tái)階區(qū)300設(shè)置有接地點(diǎn)301，透明導(dǎo)電層140可通過至少一條導(dǎo)線302與接地點(diǎn)301電連接以接收接地信號(hào)。特別是當(dāng)公共電極需要復(fù)用為觸控電極時(shí)，公共電極需要在觸控階段接收觸控信號(hào)，故不能將公共電極層與透明導(dǎo)電層電連接。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選的，像素電極為一根條形電極。具體參考圖13，是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的一種像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中，像素電極151為一根條形電極。通常當(dāng)顯示器的分辨率很高時(shí)，比如分辨率高于550PPI時(shí)，像素電極需要采用一根條形電極的設(shè)計(jì)，此時(shí)像素存儲(chǔ)電容將會(huì)大幅降低，因此對(duì)于此種像素電極設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板能夠有效地大幅增加像素存儲(chǔ)電容，提升顯示質(zhì)量。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板可以包括上述任一實(shí)施例提供的陣列基板，還包括與該陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)向基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板具有本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的有益效果，可以參考上述實(shí)施例提供的陣列基板，在此不做贅述。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板中，公共電極層包括多個(gè)相互獨(dú)立的公共電極，公共電極在觸控階段復(fù)用為觸控電極，每個(gè)觸控電極連接至少一條觸控電極走線，公共電極為塊狀電極且呈陣列排布。請(qǐng)參考圖14，圖14是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的一種觸控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。如圖14所示，該顯示面板的公共電極層160可以包括相互獨(dú)立的呈陣列排布的多個(gè)公共電極161，公共電極161在觸控階段復(fù)用為觸控電極，每個(gè)觸控電極連接至少一條觸控電極走線190(圖14中示例性地示出一條)，公共電極161為塊狀電極且呈陣列排布。在觸控階段，多個(gè)觸控電極(即公共電極161)可以通過自電容進(jìn)行觸控檢測(cè)。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例狀公共電極161的具體形狀不做限定，可以是矩形、風(fēng)車形或者任意不規(guī)則圖形。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板中，公共電極層包括多個(gè)相互獨(dú)立的公共電極，公共電極在觸控階段復(fù)用為觸控電極，每個(gè)觸控電極連接至少一條觸控電極走線；公共電極為條狀電極，且條狀電極沿第一方向延伸，沿第二方向依次并列排布，第一方向和第二方向交叉；對(duì)置基板包括多個(gè)條狀的第二觸控電極，第二觸控電極依次并列排布，第二觸控電極的延伸方向與第一方向相交。請(qǐng)參考圖15，圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的另一種觸控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。如圖15所示，公共電極層160包括多個(gè)相互獨(dú)立的公共電極161，公共電極161在觸控階段復(fù)用為觸控電極，每個(gè)觸控電極連接至少一條觸控電極走線190；公共電極161為條狀電極，且條狀電極沿第一方向x延伸，沿第二方向y依次并列排布，第一方向x和第二方向y交叉；對(duì)置基板(圖15中未示出)包括多個(gè)條狀的第二觸控電極261，第二觸控電極261依次并列排布，第二觸控電極261的延伸方向與第一方向x相交。在觸控階段，觸控電極(即公共電極161)和第二觸控電極261可以通過互電容進(jìn)行觸控檢測(cè)。具體的，可以將觸控電極作為觸控驅(qū)動(dòng)電極，接收觸控驅(qū)動(dòng)電路提供的觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)；可以將第二觸控電極261作為觸控檢測(cè)電極，提供觸控檢測(cè)信號(hào)。

可以理解的是，以上實(shí)施例提供的顯示面板，其中所述顯示面板的液晶驅(qū)動(dòng)方式可以為面內(nèi)轉(zhuǎn)換(IPS，In Plane Switching)方式，也可以為邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS，F(xiàn)ringe Filed Switching)方式。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括以上任意一個(gè)實(shí)施例所述的顯示面板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置具有本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板和顯示面板的有益效果，可以參考上述實(shí)施例提供的陣列基板和顯示面板，在此不做贅述。該顯示裝置可以是手機(jī)、臺(tái)式電腦、筆記本、平板電腦、電子紙等任意具有顯示功能的設(shè)備。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。