1.一種光刻方法，其特征在于，包括：
步驟01：提供一襯底；
步驟02：在襯底上涂覆底層材料層，并且對(duì)底層材料層進(jìn)行烘烤；其中，在底層材料層表面形成微氣泡和/或微孔；
步驟03：對(duì)底層材料層進(jìn)行表面處理工藝來(lái)消除底層材料層表面的微氣泡和/或微孔；
步驟04：在經(jīng)表面處理的底層材料層上形成中間層；
步驟05：在中間層上形成頂層光刻膠，然后進(jìn)行曝光工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述步驟03中，所述表面處理工藝包括：在底層材料層表面施加化學(xué)溶劑或者采用含氧等離子體刻蝕來(lái)去除底層材料層表面的含有微氣泡和/或微孔的薄層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻方法，其特征在于，在底層材料層表面施加化學(xué)溶劑的方法具體包括：
步驟031：以第一速率旋轉(zhuǎn)所述襯底，在第一時(shí)間內(nèi)將所述化學(xué)溶劑形成于所述底層材料層表面；
步驟032：以第二速率旋轉(zhuǎn)所述襯底，從而甩掉所述底層材料層表面的所述化學(xué)溶劑，使所述底層材料表面干燥；其中，在步驟031的第一時(shí)間結(jié)束后，所述化學(xué)溶劑將底層材料層表面的含有微氣泡和/或微孔的薄層溶解掉，所述步驟032甩掉的所述化學(xué)溶劑包含被溶解掉的所述薄層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述第二速率大于所述第一速率。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述步驟031之后且在所述步驟032之間，還包括：將所述襯底靜置第二時(shí)間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述采用含氧等離子體刻蝕來(lái)去除底層材料層表面的含有微氣泡和/或微孔的薄層，所采用的刻蝕時(shí)間為5～150秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述采用含氧等離子體刻蝕來(lái)去除底層材料層表面的含有微氣泡和/或微孔的薄層，采用100～5000sccm流量的氧氣，采用的氣體壓強(qiáng)為50-5000mTorr。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述步驟02具體包括：在襯底上涂覆底層材料層，并且對(duì)底層材料層進(jìn)行烘烤；然后重復(fù)該過(guò)程多次。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述底層材料層的材料為填充性材料或硬掩膜材料。