技術(shù)編號：12360624
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光刻方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的集成度的不斷提高，集成電路制造工藝中的線寬尺寸原來越小，也即光刻工藝的分辨率越來越小，為了實現(xiàn)不斷變小的分辨率，光刻工藝中的光刻膠厚度也要求隨之變薄，但是光刻膠厚度變薄又會產(chǎn)生另外一個副作用，即在后續(xù)薄膜刻蝕工藝中，由于光刻膠太薄而引起的抗刻蝕能力下降的問題。為了解決分辨率和抗刻蝕能力之間的這個矛盾，在40納米節(jié)點以下產(chǎn)品的光刻工藝中，通常都會引入一種三層光刻膠工藝(Tri-layerphotoresistprocess)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。