技術特征：

技術總結
用于半導體制造的器件包括襯底和形成在襯底上方的層，其中，層包括對準標記。對準標記包括沿著第一方向縱向定向的多個第一縱長構件，并且該多個第一縱長構件沿著第二方向分布。對準標記還包括沿著與第一方向垂直的第三方向縱向定向的多個第二縱長構件，并且該多個第二縱長構件沿著第二方向分布，其中第二方向與第一方向和第三方向中的每一個都不同。本發(fā)明還提供了光刻對準標記。

技術研發(fā)人員：陳慶煌;林書宏;呂奎亮;張雅惠;謝弘璋
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.09.28
技術公布日：2017.08.04