1.一種寬帶超材料吸收體，其特征在于：包括有二氧化硅基底，基底上鍍有銀膜層，銀膜層上交替鍍5對(duì)三氧化二鋁/銀膜層，再將此5對(duì)三氧化二鋁/銀膜層刻蝕成正方形微結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬帶超材料吸收體，其特征在于：刻蝕的多層正方形結(jié)構(gòu)中三氧化二鋁層和銀層應(yīng)交替出現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬帶超材料吸收體，其特征在于：5對(duì)三氧化二鋁/銀正方形微結(jié)構(gòu)的邊長(zhǎng)一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬帶超材料吸收體，其特征在于：沿上層至基底方向，銀微結(jié)構(gòu)層厚度增加，三氧化二鋁層厚度減少。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種寬帶超材料吸收體，其特征在于：沿上層至基底方向，銀微結(jié)構(gòu)層厚度從70nm增加至150nm，三氧化二鋁層厚度從18nm減少至6nm。